沉積物中天然氣水合物生成過程的二維電阻層析成像觀測(cè)

李彥龍 孫海亮 孟慶國 劉昌嶺 陳 強(qiáng) 邢蘭昌

1. 自然資源部天然氣水合物重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室·青島海洋地質(zhì)研究所 2. 青島海洋國家實(shí)驗(yàn)室海洋礦產(chǎn)資源評(píng)價(jià)與探測(cè)技術(shù)功能實(shí)驗(yàn)室3. 中國地質(zhì)大學(xué)（武漢） 工程學(xué)院 4.中國石油大學(xué)（華東）信息與控制工程學(xué)院

0 引言

通過室內(nèi)模擬實(shí)驗(yàn)?zāi)M儲(chǔ)層中天然氣水合物（以下簡(jiǎn)稱水合物）的合成—分解過程及其物性演化規(guī)律，是揭示野外實(shí)際水合物儲(chǔ)層響應(yīng)規(guī)律的重要途徑[1-2]。針對(duì)水合物成藏—開采過程中儲(chǔ)層物性參數(shù)的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)逐漸成為水合物室內(nèi)模擬的重要研究方向之一[3]。其中，電阻率是指示儲(chǔ)層中水合物賦存位置、估算水合物資源潛力的重要參數(shù)之一[4-9]。目前基于電阻率參數(shù)評(píng)價(jià)沉積物體系中水合物生成/分解規(guī)律的通常做法如下：①在沉積物內(nèi)部安裝測(cè)量電極，通過電極測(cè)量的局部電阻率近似表示整個(gè)沉積物內(nèi)部的平均電阻率變化規(guī)律[10-12]；②在沉積物內(nèi)部多點(diǎn)設(shè)置測(cè)量電極，基于多點(diǎn)電極測(cè)量結(jié)果，應(yīng)用數(shù)學(xué)插值法近似計(jì)算沉積物內(nèi)部不同區(qū)域的電阻率，從而獲取沉積物內(nèi)部的電阻率場(chǎng)分布規(guī)律[13-14]。

上述方法已在水合物合成—電阻率參數(shù)響應(yīng)機(jī)理研究方面取得了突出成效，但是其測(cè)量結(jié)果仍然受制于以下兩種因素的制約：①內(nèi)置于沉積物內(nèi)部的電學(xué)參數(shù)測(cè)量探頭或多或少對(duì)沉積物產(chǎn)生干涉，因而測(cè)量結(jié)果受干擾程度較大；②內(nèi)置式多點(diǎn)電阻率測(cè)點(diǎn)獨(dú)立工作，采用多點(diǎn)測(cè)量結(jié)合數(shù)學(xué)插值方式近似反演沉積物內(nèi)部電場(chǎng)變化規(guī)律需要大量的測(cè)點(diǎn)內(nèi)置，然而這在實(shí)際有限的反應(yīng)釜尺寸條件下是不可能的。電阻層析成像（ERT）技術(shù)作為一種無損、非侵入式的在線觀測(cè)手段，可以有效彌補(bǔ)上述測(cè)量擾動(dòng)[15-16]，因而在水合物合成、分解過程在線指示方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)[17-19]。Walsh[20]在無沉積物、氣—水流動(dòng)條件下初步驗(yàn)證ERT技術(shù)能夠定性識(shí)別反應(yīng)釜內(nèi)水合物的生成與否；德國亥姆霍茲波茨坦中心基于SUGER計(jì)劃初步建立了能夠應(yīng)用于沉積物中水合物空間分布觀測(cè)的ERT觀測(cè)裝備及方法[21-22]，并開展了水合物空間分布觀測(cè)實(shí)驗(yàn)，但詳細(xì)的數(shù)據(jù)反演方法與具體實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)未見報(bào)道。

筆者利用天然海灘砂為沉積物介質(zhì)，引入ITS電阻層析成像測(cè)試儀，通過自主研發(fā)配套的高壓低溫控制系統(tǒng)，模擬初始飽和鹽水沉積物中水合物的合成過程，通過電阻層析成像測(cè)試結(jié)果觀測(cè)水合物在沉積物截面上的生成位置和非均質(zhì)性，以期為巖心尺度的沉積物介質(zhì)中水合物分布規(guī)律在線監(jiān)測(cè)提供新的技術(shù)手段，并為水合物成藏過程模擬提供支撐。

1 實(shí)驗(yàn)過程

1.1 實(shí)驗(yàn)裝置及材料

圖1 水合物電阻層析成像模擬裝置流程圖

水合物電阻層析成像原位監(jiān)測(cè)實(shí)驗(yàn)裝置的基本流程圖如圖1所示?；贗TS層析成像儀，研發(fā)了水合物模擬實(shí)驗(yàn)專用高壓反應(yīng)釜、氣體供給系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)及測(cè)量系統(tǒng)。氣體供給系統(tǒng)主要由高壓甲烷氣瓶、增壓泵、質(zhì)量流量控制器等組成，用于向高壓反應(yīng)釜中注入合成水合物所需的甲烷氣體；高壓反應(yīng)釜本體由耐壓尼龍制成，在耐壓尼龍反應(yīng)釜內(nèi)壁的同一高度安裝16個(gè)金屬測(cè)量電極，其均勻分布構(gòu)成電阻層析成像測(cè)量電極組件。反應(yīng)釜外圍包裹真空保溫層并封裝測(cè)量系統(tǒng)所需的ITS測(cè)量電極，反應(yīng)釜內(nèi)部規(guī)格為 ?50 mm×360 mm，耐壓 15 MРa。

該裝置中ITS測(cè)量電極組件安裝在反應(yīng)釜內(nèi)壁高程2/3的位置，是主要的測(cè)量單元，測(cè)量系統(tǒng)通過16芯高壓低溫電纜與ITS層析成像采集儀及相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理單元連接。實(shí)際測(cè)量過程中，利用相鄰2個(gè)電極注入電流，然后測(cè)量其他14個(gè)電極每相鄰2個(gè)電極之間的感應(yīng)電壓值，因此1次激勵(lì)能夠獲得電極所在平面不同位置處的104個(gè)電壓值。利用不同位置處的電壓換算得到不同位置的電導(dǎo)率分布值，利用線性反投影算法[23-24]獲取電阻層析成像測(cè)量電極所在截面的二維電導(dǎo)率分布圖像，進(jìn)而通過相關(guān)的地球物理模型推斷水合物在沉積物截面上的生長和分布規(guī)律。

本實(shí)驗(yàn)采用純度為99.99%的甲烷氣體合成水合物，采用天然海砂模擬水合物賦存介質(zhì)，沉積物粒徑為0.05～0.85 mm，其中以中細(xì)砂（粒徑為0.1～0.5 mm）為主（比例超過93%），粒度中值D50=0.31 mm。手動(dòng)壓實(shí)條件下測(cè)算松散沉積物孔隙度為41%[25]，采用質(zhì)量濃度為2.5%的NaCl溶液模擬孔隙水。

1.2 實(shí)驗(yàn)步驟

1）試漏、安裝儀器，然后稱量900 g經(jīng)過洗凈、烘干處理的沉積物樣品；加入質(zhì)量濃度為2.5%的NaCl溶液飽和，溶液中不添加任何水合物生成促進(jìn)劑/抑制劑。將沉積物與鹽水溶液充分混合攪拌后，在過飽和狀態(tài)下裝入反應(yīng)釜內(nèi)部并適當(dāng)壓實(shí)，密閉靜置24 h，用針管抽取沉積物上部析出的鹽水溶液，使起始條件下沉積物含水飽和度為100%；沉積物填裝過程中保證其上端面距反應(yīng)釜上端蓋內(nèi)壁面保留4 cm的氣相空間。

2）開啟溫控系統(tǒng)降溫，設(shè)置系統(tǒng)溫度為1 ℃，同時(shí)記錄飽和鹽水沉積物平均電阻率（電阻率層析成像電極測(cè)量結(jié)果的平均值）隨溫度的變化規(guī)律，待沉積物內(nèi)部溫度降低至1 ℃時(shí)，持續(xù)控溫穩(wěn)定6 h，使沉積物內(nèi)部溫度盡可能均勻分布。

3）開啟反應(yīng)釜下部注氣口，緩慢注氣，使沉積物內(nèi)部形成由下向上的氣體滲流通路并排出氣相空間的殘留空氣，緩慢向反應(yīng)釜增壓至8 MРa；關(guān)斷供氣管路，在靜置狀態(tài)下觀察水合物的生成過程。

4）與步驟3）同步調(diào)整ITS測(cè)量系統(tǒng)層析成像參數(shù)（在本實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)調(diào)試結(jié)果設(shè)置層析成像系統(tǒng)注入電流值為15.08 mA），采集系統(tǒng)溫度、壓力、電導(dǎo)率參數(shù)并通過計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)再現(xiàn)。

5）當(dāng)壓力降低到某一恒定值并維持恒定時(shí)，表明該溫、壓、鹽度條件已不足以進(jìn)一步生成水合物，再次向反應(yīng)釜中注入甲烷氣體至8 MРa；當(dāng)反應(yīng)釜內(nèi)部壓力遠(yuǎn)高于水合物相平衡壓力且維持長期（10 h）不變時(shí)，認(rèn)為水合物生成完畢，結(jié)束實(shí)驗(yàn)。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

2.1 初始實(shí)驗(yàn)條件

水合物合成過程中設(shè)置溫控系統(tǒng)的溫度為1 ℃，向反應(yīng)釜加壓至8 MРa。為驗(yàn)證試驗(yàn)結(jié)果的可靠性，開展多組重復(fù)試驗(yàn)，取其中1組進(jìn)行分析。在降溫階段，實(shí)驗(yàn)觀察到a—a截面的電導(dǎo)率分布規(guī)律基本一致且不斷降低（電阻率升高）。降低至設(shè)定溫度值（1 ℃）穩(wěn)定6 h（常壓），按實(shí)驗(yàn)步驟3）注氣至8 MРa，注氣前后a—a截面的電導(dǎo)率分布規(guī)律見圖2。由圖2可知，注氣前沉積物內(nèi)部電導(dǎo)率均勻分布，再次證明ITS系統(tǒng)測(cè)量參數(shù)的可靠性。注氣后，a—a截面電導(dǎo)率分布圖像出現(xiàn)明顯的不均勻分布。這是因?yàn)闅怏w從反應(yīng)釜下端蓋中央的注氣口注入沉積物的過程中，釜內(nèi)氣體沿沉積物中央氣體通道向上滲漏，并逐步發(fā)生徑向擴(kuò)散，推動(dòng)沉積物孔隙中的鹽水向上排出至沉積物上部氣相空間，導(dǎo)致沉積物電導(dǎo)率整體降低。注氣結(jié)束后氣—水不均勻分布導(dǎo)致沉積物內(nèi)部電導(dǎo)率場(chǎng)非均質(zhì)分布，氣體主要分布在中央氣體滲流通道。圖2-b中注氣結(jié)束時(shí)刻沉積物內(nèi)部的氣—水分布規(guī)律即為整個(gè)實(shí)驗(yàn)的起始條件，是識(shí)別后期實(shí)驗(yàn)過程中水合物在沉積物中生長規(guī)律的基礎(chǔ)。

圖2 注氣前后沉積物a—a截面上的電導(dǎo)率分布圖像

2.2 沉積物平均電阻率響應(yīng)規(guī)律

水合物生成過程中反應(yīng)釜內(nèi)部平均水合物飽和度、平均壓力、a—a截面平均電阻率及NaCL質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2.5%條件下甲烷水合物的相平衡壓力曲線如圖3所示。根據(jù)實(shí)驗(yàn)過程中壓力變化趨勢(shì)，可將整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程劃分為A～Н共8個(gè)時(shí)間子區(qū)間。在第一注氣階段（A～D）：經(jīng)過短暫誘導(dǎo)期（A區(qū)間，0＜t≤4 h）后沉積物內(nèi)部氣壓開始平緩下降（B區(qū)間，4＜t≤147 h），沉積物內(nèi)部逐步有水合物生成，水合物生成速率較慢；進(jìn)入子區(qū)間C（147＜t≤165 h）后壓力下降速率明顯增大，最后當(dāng)釜內(nèi)壓力逼近水合物生成的相平衡壓力條件時(shí)趨于穩(wěn)定（子區(qū)間D，165＜t≤175 h）。在第二注氣階段，壓力變化規(guī)律呈現(xiàn)出明顯的“快速下降—緩慢下降—快速下降—穩(wěn)定”的雙臺(tái)階式下降趨勢(shì)。

圖3 水合物合成過程中反應(yīng)釜內(nèi)平均物性參數(shù)變化曲線圖

隨著水合物的生成，沉積物體系平均電阻率呈上升趨勢(shì)，但不同時(shí)刻的上升幅度差異巨大，尤其是在子區(qū)間C后期平均電阻率快速震蕩抬升。這說明含水合物沉積物平均電阻率的變化取決于水合物合成的排鹽效應(yīng)和水合物生成兩個(gè)方面。排鹽效應(yīng)導(dǎo)致沉積物電阻率降低，而水合物生成則導(dǎo)致沉積物電阻率升高。因此在水合物生成前期，平均電阻率波動(dòng)較小可能受水合物合成速率的影響：假設(shè)平均電阻率的變化量是單位時(shí)間內(nèi)水合物生成導(dǎo)致的電阻率升高值（dρh）與因排鹽效應(yīng)導(dǎo)致的電阻率降低值（dρs）共同作用的結(jié)果，那么在水合物生成速率較低條件下，dρh≈dρs，因此沉積物平均電阻率波動(dòng)幅度不大，這與李小森等[13]基于去離子水觀察到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果不同，卻正好驗(yàn)證了水合物生成及其排鹽效應(yīng)對(duì)沉積物電學(xué)參數(shù)的雙重控制作用。水合物生成速率對(duì)平均電阻率的影響也可以從第二注氣階段（E～Н）得到驗(yàn)證。

在第二注氣階段（E～Н），反應(yīng)釜內(nèi)部壓力出現(xiàn)雙臺(tái)階下降模式（多次試驗(yàn)均觀察到類似現(xiàn)象），即在E區(qū)間（175＜t≤192 h）、 G區(qū)間（219＜t≤228 h）釜內(nèi)壓力出現(xiàn)2次大幅下降，伴隨著沉積物平均電阻率的快速升高；而在壓力快速下降（E區(qū)間）末期或壓力平穩(wěn)階段（F區(qū)間，192＜t≤219 h）初期，平均電阻率則表現(xiàn)出一定量的回落趨勢(shì)，然后維持穩(wěn)定。造成上述現(xiàn)象的原因可能是：水合物在沉積物中非均勻生成，在快速生成階段消耗了局部孔隙水，局部孔隙水鹽度迅速升高，導(dǎo)致局部相平衡壓力上升，因此無法繼續(xù)快速合成水合物，從而使沉積物內(nèi)部壓力降低速率減緩（如子區(qū)間F）；在沉積物內(nèi)部鹽度差、水飽和度差異作用下孔隙水重新分布，造成沉積物內(nèi)部孔隙水鹽度重新分布，達(dá)到相平衡條件后，再次進(jìn)入快速生成階段（G區(qū)間）；最后當(dāng)孔隙水消耗量增大到不足以稀釋局部孔隙水時(shí)，無法繼續(xù)合成水合物，反應(yīng)釜內(nèi)部壓力維持長期恒定（Н區(qū)間，228 ＜ t≤ 270 h）。

特別地，在圖3所示的D、F、Н區(qū)間初期，雖然反應(yīng)釜內(nèi)壓力沒有明顯變化（即此階段無水合物生成），但是a—a截面的平均電阻率卻在發(fā)生實(shí)時(shí)變化。這說明與水合物合成過程相比，沉積物內(nèi)部的排鹽效應(yīng)表現(xiàn)在電阻率變化上有一定的滯后性。在水合物快速生成階段，沉積物局部孔隙中的氣—水結(jié)合生成水合物，鹽離子析出，但析出的鹽離子只有在沉積物內(nèi)部孔隙水重新分布后才會(huì)對(duì)沉積物整體電阻率產(chǎn)生影響。即：水合物快速生成消耗了a—a截面的孔隙水，電阻率增大，而鹽離子結(jié)晶析出并留在原位，隨著時(shí)間的推移，其他低鹽度部位的孔隙水向a—a截面擴(kuò)散，溶解a—a截面的鹽離子，導(dǎo)致a—a截面的電阻率下降。因此，這種表觀上的“滯后效應(yīng)”是沉積物內(nèi)部鹽離子、孔隙水傳質(zhì)過程的滯后所引起的。

下文將通過水合物合成過程中沉積物體系截面電導(dǎo)率層析成像規(guī)律進(jìn)一步驗(yàn)證上述結(jié)論。

2.3 沉積物內(nèi)部水合物非均質(zhì)分布規(guī)律

由上述可知，盡管受排鹽效應(yīng)的影響，沉積物平均電阻率在水合物合成過程中會(huì)有一定的波動(dòng)，但總體呈上升趨勢(shì)，即當(dāng)前鹽度條件下沉積物體系的總體電阻率值受水合物合成本身的絕對(duì)控制，電阻率與水合物飽和度呈一定的正相關(guān)關(guān)系[26]。因此，實(shí)驗(yàn)過程中某一時(shí)刻的電導(dǎo)率場(chǎng)圖相對(duì)于起始條件下沉積物體系電導(dǎo)率場(chǎng)圖（圖2-b）的偏差，一方面可以用于指示水合物生成位置，另一方面可用于識(shí)別壓力穩(wěn)定階段沉積物內(nèi)部的傳質(zhì)過程。為此，分別截取A～Н等8個(gè)時(shí)間區(qū)間典型時(shí)刻a—a平面的電導(dǎo)率層析成像分布結(jié)果，計(jì)算該時(shí)刻電導(dǎo)率圖像相對(duì)于圖2-b所示的起始條件的偏移程度（圖4），其中正偏移量越大，指示局部水合物生成量越多。

整體而言，隨著水合物生成量的增大（時(shí)間的延長），a—a平面的電導(dǎo)率趨于降低。但不同區(qū)域的電導(dǎo)率變化幅度表現(xiàn)出明顯的非均質(zhì)性，這表明水合物在沉積物內(nèi)部的生成過程具有明顯的非均質(zhì)性：在時(shí)間子區(qū)間A，電導(dǎo)率異常區(qū)沿氣體徑向擴(kuò)散外圍呈明顯的斑點(diǎn)狀隨機(jī)分布特征，一方面指示沉積物中水合物優(yōu)先成核區(qū)域受氣—水分布的影響，優(yōu)先在氣水接觸面形成，另一方面說明氣水分布規(guī)律一致的沉積物中水合物成核具有一定的隨機(jī)性。在B～C區(qū)間（4＜t≤165 h），a—a平面整體電導(dǎo)率始終降低，且電導(dǎo)率偏移量較大的位置集中在優(yōu)先成核區(qū)域周圍，并在壓力降低末期（圖4，t＝164 h）發(fā)生電導(dǎo)率偏移位置的轉(zhuǎn)移，這表明在第一注氣階段，盡管水合物的優(yōu)先成核區(qū)域沿氣—水接觸面呈現(xiàn)隨機(jī)分布特征，但是壓力消耗過程中水合物的生長位置在發(fā)生實(shí)時(shí)的轉(zhuǎn)移，再次證明排鹽效應(yīng)導(dǎo)致的鹽離子濃度差異對(duì)水合物合成過程具有明顯的影響。

在D區(qū)間，沉積物體系平均壓力維持穩(wěn)定，但a—a截面電導(dǎo)率值總體不降反增，此即前文所述的排鹽效應(yīng)對(duì)沉積物體系平均電阻率影響的滯后效應(yīng)：在壓力降低階段，水合物合成過程與排鹽效應(yīng)同步進(jìn)行，導(dǎo)致局部區(qū)域鹽度升高，抑制水合物的進(jìn)一步生成，鹽離子濃度差異導(dǎo)致水合物生成位置發(fā)生轉(zhuǎn)移； 在壓力穩(wěn)定階段初期，水合物合成過程停止，但沉積物體系內(nèi)部仍然在進(jìn)行實(shí)時(shí)的物質(zhì)傳輸過程，即沉積物體系內(nèi)部孔隙水在鹽度差作用下的重新分布及鹽離子的析出—再溶解過程。另外，子區(qū)間D末期電導(dǎo)率層析結(jié)果正偏移位置發(fā)生改變，是由于在174.0～174.5 h區(qū)間再次向反應(yīng)釜內(nèi)注入甲烷氣體，引起孔隙中氣—水分布規(guī)律改變?cè)斐傻?。上述現(xiàn)象在t＝228 h和t＝273 h時(shí)刻電導(dǎo)率偏移量分布圖的對(duì)比中表現(xiàn)得尤為突出，說明沉積物中水合物飽和度越高，水合物生成對(duì)鹽離子運(yùn)移通道的阻塞作用更加突出，導(dǎo)致壓力穩(wěn)定后鹽離子的重新分布速率變緩。

圖4 典型時(shí)刻a—a截面電導(dǎo)率場(chǎng)相對(duì)于起始條件的偏移量分布圖

雖然排鹽效應(yīng)促使沉積物中水合物生長位置不斷發(fā)生改變，但從水合物飽和度分布規(guī)律的角度分析，截面整體電導(dǎo)率正偏移量呈現(xiàn)出明顯的環(huán)狀分布特征，指示水合物在沉積物截面中的環(huán)帶狀分布特征。結(jié)合圖2-b所指示的起始?xì)狻植家?guī)律及t＝4 h時(shí)沉積物截面水合物成核區(qū)域的分布特征，說明沉積物中氣—水非均質(zhì)分布特征是沉積物中最終水合物飽和度非均質(zhì)分布的決定因素，水合物在氣—水接觸面大量生成并富集，然后逐漸向儲(chǔ)層外圍擴(kuò)展。

此外，從圖4的電導(dǎo)率場(chǎng)偏移量分布圖中可以，在正偏移量最大的局部區(qū)域周圍，始終存在圍繞該區(qū)域的電導(dǎo)率負(fù)偏移區(qū)域或正偏移量極小區(qū)域。導(dǎo)致這種正偏移量梯度的主要原因可能是：局部水合物快速合成過程中，排出孔隙中的鹽離子，導(dǎo)致鹽離子在水合物快速生成區(qū)域外圍富集，導(dǎo)致電導(dǎo)率負(fù)偏移區(qū)域或極小正偏移區(qū)域的存在。當(dāng)壓力穩(wěn)定時(shí)間足夠長時(shí)，鹽離子和孔隙水重新分布，負(fù)偏移區(qū)域（或極小正偏移區(qū)域）逐漸消失（如t＝273 h）。

3 結(jié)論

1）水合物合成過程中，沉積物體系平均電阻率的變化受排鹽速率和水合物生成速率2個(gè)因素的影響。當(dāng)水合物生成速率較低時(shí)，沉積物排鹽效應(yīng)造成的電阻率降低值與水合物合成造成的電阻率升高值相抵消，電阻率波動(dòng)幅度較??；當(dāng)水合物生成速率較高時(shí)，相較于水合物合成，沉積物內(nèi)部排鹽效應(yīng)對(duì)沉積物體系平均電阻率的影響存在明顯的滯后效應(yīng)，這主要是由于沉積物中的孔隙水、鹽離子重新分布滯后效應(yīng)造成的。特別是當(dāng)水合物飽和度較高時(shí)，水合物的繼續(xù)生成會(huì)阻塞鹽離子遷移通道，增強(qiáng)排鹽效應(yīng)對(duì)平均電阻率變化影響的滯后程度。

2）水合物合成過程中不同區(qū)域的電導(dǎo)率偏移量變化幅度表現(xiàn)出明顯的非均質(zhì)性，指示水合物在沉積物內(nèi)部的生成過程具有明顯的非均質(zhì)特征。起始條件下沉積物中氣—水非均質(zhì)分布特征是導(dǎo)致沉積物中最終水合物飽和度非均質(zhì)分布的決定因素，而水合物合成過程中排鹽效應(yīng)導(dǎo)致的沉積物內(nèi)部鹽離子濃度空間分布差異是促進(jìn)水合物大量合成的局部位置不斷改變的控制因素。

3）本研究在二維電阻層析成像條件下初步證明，電阻率層析成像技術(shù)在指示沉積物體系中水合物合成位置、生成量及其伴隨的孔隙內(nèi)部傳質(zhì)過程中具有良好的優(yōu)勢(shì)，可為水合物成藏過程的可視化評(píng)價(jià)提供支撐。針對(duì)不同類型水合物成藏過程的測(cè)試要求和特點(diǎn)，探索大尺寸全三維電阻層析成像測(cè)試技術(shù)，是提高水合物成藏過程可視化描述精細(xì)程度、揭示多類型水合物成藏機(jī)理的重要發(fā)展方向。