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    全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法的原理、技術(shù)和應(yīng)用

    2019-09-24 02:05:58宋盼淑任同祥
    質(zhì)譜學(xué)報(bào) 2019年5期
    關(guān)鍵詞:電離檢測器同位素

    王 松,王 軍,宋盼淑,逯 海,任同祥

    (中國計(jì)量科學(xué)研究院,北京 100029)

    元素的同位素組成是其特有的“指紋”,高準(zhǔn)確度的同位素豐度量值在當(dāng)前國際單位制重新定義的科學(xué)活動中具有重要意義,在基礎(chǔ)科學(xué)、地球化學(xué)、環(huán)境、地質(zhì)、體育、農(nóng)業(yè)、核工業(yè)、營養(yǎng)學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用[1-2]。多接收熱電離質(zhì)譜一直是國際公認(rèn)的同位素豐度分析最經(jīng)典、最精密、最準(zhǔn)確的儀器之一。在熱電離質(zhì)譜(TIMS)分析中,待測元素在高熔點(diǎn)、高功函的高純金屬帶(Re,Ta,Pt,W)表面發(fā)生蒸發(fā)、電離,離子經(jīng)聚焦分離后進(jìn)入檢測器,獲得同位素豐度比值。在這個過程中,由于輕、重質(zhì)量同位素的蒸發(fā)速率不同,使得前期測得的輕質(zhì)量同位素比重偏高,隨著時(shí)間的推移,重質(zhì)量同位素逐漸富集,其比重逐漸升高,這便是TIMS測量中的同位素分餾效應(yīng)[3]。同位素分餾效應(yīng)導(dǎo)致TIMS測得的同位素豐度比具有明顯的時(shí)間相關(guān)性,需要對測量結(jié)果進(jìn)行合理的校正。理論上,只要將待測物質(zhì)全部電離并且收集所有的離子信號進(jìn)行積分,那么輕、重質(zhì)量同位素蒸發(fā)的先后順序就不會對測量結(jié)果產(chǎn)生影響,可以有效避免同位素分餾效應(yīng)的影響,測得的結(jié)果無需校正,這便是全蒸發(fā)方法的原理[4]。全蒸發(fā)技術(shù)為獲得準(zhǔn)確可靠的同位素組成測量結(jié)果提供了一種潛在的高精準(zhǔn)絕對測量方法,測量中不需標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行校正,因此得到了同位素應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。

    全蒸發(fā)方法的理論體系早在1951年由Cohen等[4]提出,但受當(dāng)時(shí)質(zhì)譜儀器發(fā)展條件的限制,直到20世紀(jì)80年代末才由Romkowski等[5]、Wagner等[6]和Callis等[7]各自付諸實(shí)驗(yàn)。早期的全蒸發(fā)方法主要應(yīng)用于核科學(xué)領(lǐng)域,用來分析鈾(U)和钚(Pu)的同位素豐度[8];之后,全蒸發(fā)方法逐漸在環(huán)境、地質(zhì)、計(jì)量等領(lǐng)域得到認(rèn)可與應(yīng)用,分析對象也擴(kuò)展到錸(Re)[9]、鐳(Ra)[10]、硼(B)[11]、鎘(Cr)[12]、釹(Nd)[13]、銪(Eu)[14]、鋯(Zr)[15]、鐿(Yb)[16]等元素。隨著全蒸發(fā)理論研究的不斷深入,逐漸建立了修正全蒸發(fā)方法(modified total evaporation, MTE)[17]、基于離子計(jì)數(shù)檢測器的全蒸發(fā)方法[14]等。本工作將從全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法的基礎(chǔ)理論、研究進(jìn)展和重要應(yīng)用等方面對其進(jìn)行系統(tǒng)評述,并對該技術(shù)未來的發(fā)展方向進(jìn)行展望。

    1 全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法簡介

    1.1 熱電離原理

    表面熱電離即待測元素在加熱的金屬燈絲表面發(fā)生熱致電離的現(xiàn)象。當(dāng)產(chǎn)生陽離子用于檢測時(shí),該過程可以用Langmuir-Kingdon方程[18]描述,即:

    (1)

    其中,n+和n0分別代表電離出的離子和參與電離的原子,g+和g0分別是離子態(tài)和原子態(tài)的統(tǒng)計(jì)權(quán)重,φ是金屬表面的功函數(shù),I是待測元素的電離電位,k是玻爾茲曼常數(shù),T是電離時(shí)的熱力學(xué)溫度。從公式(1)可以看出,金屬功函數(shù)越高、待測元素電離電位越低、電離溫度越高,則熱電離效率越高。因此,不同元素的熱電離效率差別很大。在電離燈絲材料選擇上,一般選擇高熔點(diǎn)、高功函的燈絲材料,如常用的鉭帶(功函數(shù)4.25 eV,熔點(diǎn)3 017 ℃)、錸帶(功函數(shù)4.72 eV,熔點(diǎn)3 185 ℃)、鉑帶(功函數(shù)5.64 eV,熔點(diǎn)1 768 ℃)和鎢帶(功函數(shù)4.55 eV,熔點(diǎn)3 414 ℃)[19]。對于電離電位較高的元素,為了達(dá)到更好的電離效果,通常從兩方面進(jìn)行改進(jìn):一方面是對金屬燈絲帶進(jìn)行碳化等處理以改善電離效果[20];另一方面是在涂樣過程中,在金屬燈絲上添加輔助電離物質(zhì),如硅膠-磷酸[21]、石墨[22]、Ta2O5[23]等,可有效改善蒸發(fā)過程,降低電離電位,提高電離效率及電離穩(wěn)定性。

    熱電離質(zhì)譜也可以產(chǎn)生負(fù)離子用于檢測,其電離過程用公式(2)描述[24]:

    (2)

    其中,EA代表待測目標(biāo)物質(zhì)的電子親和能。電子親和能越高、功函數(shù)越低、電離溫度越低,則負(fù)熱電離效率越高,但溫度降低會導(dǎo)致蒸發(fā)速率減慢,在實(shí)際測量中需要平衡兩者的關(guān)系,找到最優(yōu)條件。同一元素的不同分子簇具有不同的電子親和能。例如,Re的電子親和能為0.15 eV,ReO2為2.5 eV,ReO3為3.6 eV[19],因此常采用負(fù)離子模式測量元素的多原子陰離子,如ReO3-、BO2-、MoO3-等。相較于正離子模式,負(fù)離子模式產(chǎn)生的離子種類比較復(fù)雜,受金屬燈絲帶表面的具體化學(xué)環(huán)境影響較大,而且引入氧原子等其他原子的同位素組成也會對測量結(jié)果產(chǎn)生影響[25]。合適的電離增強(qiáng)劑對負(fù)離子模式分析尤為重要。例如,對于Os同位素測量,如果不使用電離增強(qiáng)劑,OsO3-的電離效率低于0.01%;使用Ba(NO3)2或Ba(OH)2作為電離增強(qiáng)劑后,其電離效率可超過10%[26]。

    1.2 熱電離過程中的同位素分餾效應(yīng)及其校正

    熱電離過程中伴隨著顯著的同位素分餾效應(yīng)。Langmuir蒸發(fā)速率公式如下[3]:

    (3)

    其中,dn/dt是蒸發(fā)速率,Ps是元素的飽和蒸氣壓,m是元素的相對原子質(zhì)量,R是理想氣體常數(shù)。根據(jù)公式(3)可知,樣品的蒸發(fā)速率與質(zhì)量的平方根成反比,輕質(zhì)量同位素的蒸發(fā)速率大于重質(zhì)量同位素,在熱電離分析的開始階段測得的輕質(zhì)量同位素比重偏高;隨著時(shí)間的推移,重質(zhì)量同位素被濃縮,導(dǎo)致測得的重質(zhì)量同位素比重逐漸升高,體現(xiàn)出明顯的與測量時(shí)間相關(guān)的同位素分餾效應(yīng)。

    相對于ICP-MS、SIMS等新型質(zhì)譜儀器,熱電離質(zhì)譜的同位素分餾效應(yīng)研究較早,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,形成了較為成熟的校正理論及方法,主要包括外標(biāo)法和內(nèi)標(biāo)法。外標(biāo)法通過測量與待測元素相同的同位素標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正同位素分餾效應(yīng)。但是,根據(jù)熱電離質(zhì)譜的測量機(jī)制,待測樣品與校正樣品無法實(shí)現(xiàn)同時(shí)測量,在兩次獨(dú)立測量中不可避免地會在燈絲、涂樣及測量過程等細(xì)節(jié)之處產(chǎn)生差異;此外,目前國內(nèi)外商品化的同位素標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)嚴(yán)重匱乏,遠(yuǎn)不能滿足各種元素同位素TIMS準(zhǔn)確分析的需求。內(nèi)標(biāo)法是利用元素的某一對在自然界中具有固定同位素豐度比的同位素(例如86Sr/88Sr=0.119 4[27]和146Nd/144Nd=0.721 9[28])對其他同位素豐度比值的測量結(jié)果進(jìn)行校正;或者通過向待測元素中加入兩種含量組成已知的濃縮同位素稀釋劑,通過測量加入前后同位素豐度比變化對測量結(jié)果進(jìn)行校正,后者也被稱作雙稀釋劑法[29]。通過內(nèi)標(biāo)法校正,可顯著提高同位素豐度比的測量精密度,如鍶(Sr)等元素用內(nèi)標(biāo)校正后測量精度能達(dá)到0.003%~0.005%,2RSD[30]。然而,具有固定同位素豐度比的同位素僅限于少數(shù)幾種元素,而且隨著分析技術(shù)的發(fā)展,質(zhì)譜測量精密度顯著提高,這些所謂的固定同位素豐度比已受到質(zhì)疑[31-32]。雙稀釋劑法需要使用昂貴的高濃縮同位素稀釋劑,且要求待測元素至少含有3種同位素[33],這些條件限制了該校正方法的使用范圍。

    1.3 全蒸發(fā)方法簡介

    全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法對待測元素采用全蒸發(fā)和離子信號全積分,故測量結(jié)果與該元素的各個同位素蒸發(fā)的先后次序不再有關(guān)系,從而保證了質(zhì)譜接收器檢測到的各個同位素離子之比,能夠代表待測樣品從蒸發(fā)帶上蒸發(fā)的各個同位素原子之比,其原理可用公式(4)表述:

    (4)

    典型的全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜測量過程包括樣品制備、儀器參數(shù)調(diào)諧、同位素離子信號收集3個階段。在樣品制備階段,樣品以溶液形式用微量移液槍滴涂到經(jīng)真空加熱除氣的金屬燈絲帶上,加大電流加熱使其蒸干,然后繼續(xù)加大電流至金屬帶呈現(xiàn)暗紅(“紅化”過程)。經(jīng)“紅化”過程處理后的樣品,離子化效率較高,離子流穩(wěn)定,還可使測量時(shí)離子源保持較高的真空度。在TIMS參數(shù)調(diào)諧階段,以使用錸帶測量U同位素為例,先緩慢升高電離帶電流至5 A左右,此時(shí)的187Re信號約為100~200 mV,使用該信號進(jìn)行峰中心和離子聚焦參數(shù)調(diào)諧,然后小心升高蒸發(fā)帶電流使樣品蒸發(fā),同時(shí)監(jiān)測主同位素峰信號強(qiáng)度,當(dāng)其達(dá)到5 mV左右時(shí)停止升高電流,然后用該信號再次進(jìn)行峰中心和離子聚焦參數(shù)調(diào)諧。參數(shù)調(diào)諧完成后,首先進(jìn)行1 min的背景信號監(jiān)測,然后運(yùn)行全蒸發(fā)測量程序。在該程序控制下,蒸發(fā)帶電流逐漸升高至主峰信號強(qiáng)度達(dá)到設(shè)定值,然后自動控制蒸發(fā)帶電流使信號強(qiáng)度維持恒定,直至樣品消耗完全(體現(xiàn)為主峰信號低于設(shè)定的閾值,一般為5 mV)。

    由于熱電離質(zhì)譜的電離效率一般在10%以下,大部分樣品在測量過程中并未實(shí)現(xiàn)電離,而是在蒸發(fā)后被真空系統(tǒng)抽走。因此,全蒸發(fā)方法實(shí)際上是通過對約10%樣品的同位素測量來表征整個待測物質(zhì)的同位素組成,故完成全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜測量需要滿足以下四個條件:

    第一,全蒸發(fā)過程中的電離效率要保持不變。根據(jù)公式(1)和(2),熱電離的電離效率與溫度密切相關(guān),因此,在全蒸發(fā)分析過程中要盡可能的保持電離溫度恒定。多帶電離源(雙帶、三帶)使用不同的金屬帶進(jìn)行樣品的蒸發(fā)和電離,在測量過程中電離帶的電流保持不變,電離溫度恒定在1 900 ℃或更高。早在1991年,Callis等[7]提出全蒸發(fā)方法時(shí)就明確指出,多帶電離源是最適合全蒸發(fā)測量的電離源,而單帶電離源由于測量過程中電離溫度變化明顯而不適用于全蒸發(fā)方法。

    第二,全蒸發(fā)過程中的離子傳輸效率要保持不變。離子傳輸效率是指檢測器接收到的離子占離子源電離產(chǎn)生的離子總數(shù)的比值。在熱電離測量過程中,剩余待測樣品的同位素組成不斷變化,輕質(zhì)量同位素比重越來越低,重質(zhì)量同位素比重越來越高,在這期間離子傳輸效率的改變會導(dǎo)致輕重同位素被檢測到的概率不同,離子信號積分值不能代表待測物質(zhì)的真實(shí)同位素組成。影響離子傳輸效率的因素很多,包括金屬帶在測量過程中因持續(xù)加熱而產(chǎn)生變形、蒸發(fā)帶溫度逐漸升高而引起整體的聚焦參數(shù)變化、儀器漂移、環(huán)境溫度變化、儀器真空狀態(tài)變化等,在全蒸發(fā)測量時(shí)需要嚴(yán)格控制這些因素,降低離子傳輸效率的影響。

    第三,全蒸發(fā)過程中不同質(zhì)量數(shù)的離子被檢測到的概率應(yīng)該一致,這就要求對不同檢測器之間的信號轉(zhuǎn)換效率(即杯差)進(jìn)行校正,同時(shí),高豐度同位素對相鄰質(zhì)量數(shù)的同位素的拖尾效應(yīng)也需要進(jìn)行評估與校正。

    第四,全蒸發(fā)測量過程之外的樣品損失相對于樣品總量來說可忽略不計(jì),此處的樣品損失包含制樣過程、參數(shù)調(diào)諧過程中的樣品損失,以及測量結(jié)束時(shí)樣品帶上的樣品殘留。

    2 全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法的研究進(jìn)展

    盡管就方法原理而言,全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜是一種“測得即真值”的絕對測量方法,但在實(shí)際操作中,滿足全蒸發(fā)方法所要求的上述四個前提條件絕非易事,對低豐度同位素的測量結(jié)果往往不盡如人意。為了獲得更加準(zhǔn)確的測量結(jié)果,自全蒸發(fā)測量方法首次應(yīng)用至今的20多年中,人們不斷地探索改進(jìn)全蒸發(fā)測量技術(shù),修正全蒸發(fā)方法[17,34]、直接全蒸發(fā)方法(direct total evaporation, DTE)[35]、全蒸發(fā)-歸一化法[13]、全蒸發(fā)-雙稀釋劑法[36]等相繼提出。同時(shí),隨著熱電離質(zhì)譜儀器的發(fā)展,具有更高靈敏度的檢測器(高阻抗法拉第杯、離子計(jì)數(shù)檢測器等)和更高豐度靈敏度的載流子過濾設(shè)備等被應(yīng)用到全蒸發(fā)測量中,提高了全蒸發(fā)方法對低豐度同位素以及痕量樣品的測量能力。此外,與全蒸發(fā)方法相適應(yīng)的不確定度評定方法也在不斷完善,對測量結(jié)果的準(zhǔn)確度和溯源性的認(rèn)識在不斷提高。下面詳細(xì)介紹這些方法的研究進(jìn)展。

    2.1 修正全蒸發(fā)方法(MTE)

    經(jīng)典的全蒸發(fā)測量是一個長時(shí)間的持續(xù)過程,在樣品消耗完之前檢測器一直在接收離子信號。由于金屬帶在持續(xù)加熱下出現(xiàn)的微變形、樣品帶電流逐漸升高、儀器漂移等因素導(dǎo)致的聚焦參數(shù)變化得不到及時(shí)修正,以及主峰拖尾給小峰測量結(jié)果帶來很大影響,導(dǎo)致全蒸發(fā)方法對低豐度同位素的測量結(jié)果不盡如人意,同位素豐度越低,測量結(jié)果的外精度和準(zhǔn)確性越差。2001年,美國新布倫士威克實(shí)驗(yàn)室(New Brunswick Laboratory)使用Triton TIMS開發(fā)了修正全蒸發(fā)方法[17],他們將連續(xù)的全蒸發(fā)測量過程規(guī)律地打斷,形成一個個獨(dú)立的測量模塊(Block),以便在全蒸發(fā)過程中對聚焦參數(shù)、峰中心、峰拖尾、背景信號、杯差等參數(shù)進(jìn)行在線測量和校正,顯著地提高了低豐度同位素的測量準(zhǔn)確度和重復(fù)性。

    典型的MTE方法測量范例示于圖1[34]。全蒸發(fā)過程被分割成一個個的Block,每個Block一般包含5個Cycle,每個Cycle耗時(shí)80 s左右。在一個Block里蒸發(fā)帶電流保持不變,在Block之間蒸發(fā)帶電流依據(jù)上一個Block測得的信號強(qiáng)度與目標(biāo)信號強(qiáng)度(一般為20~30 V)的差別在電腦程序控制下逐漸升高,直至樣品消耗完全。在每個Block運(yùn)行前,先進(jìn)行峰中心和離子聚焦參數(shù)調(diào)諧,每5個Block測量1次法拉第杯的背景信號,在整個程序運(yùn)行前進(jìn)行1次法拉第杯的杯差校正。以U的測量為例,具體到每一個Cycle,一般包含4個步驟:1) 使用法拉第杯測量所有的離子信號,該信號用于依據(jù)全蒸發(fā)原理計(jì)算最終的同位素豐度比;2) 使用SEM測量234U信號,根據(jù)前兩步測得的結(jié)果在線獲得SEM的效率;3) 在每個質(zhì)量數(shù)+0.35 u處測量一次背景信號;4) 在每個質(zhì)量數(shù)-0.35 u處再測一次背景信號。根據(jù)后兩步的結(jié)果得到每個質(zhì)量數(shù)的背景信號強(qiáng)度,用于校正峰拖尾的影響。當(dāng)僅使用法拉第杯檢測器時(shí),第2個步驟可以省略。

    由于引入了一系列的調(diào)諧校正,與普通全蒸發(fā)方法相比,MTE方法所需的樣品量較大,一般不少于5 μg,測樣時(shí)長需要2~4 h。并且,在聚焦調(diào)諧、峰中心調(diào)諧、背景信號檢測以及SEM效率校正過程中,離子信號無法收集,這些因素都可能影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。為了提高測量的準(zhǔn)確度,采用MTE方法測量未知樣品時(shí),一般會在1個樣品盤里至少加入5個標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)樣品以及質(zhì)控樣品,通過標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)對MTE測量結(jié)果的主豐度比進(jìn)行校正,然后利用校正后的主豐度,依據(jù)指數(shù)定律對其他豐度比進(jìn)行校正。Mathew等[37]系統(tǒng)地比較了經(jīng)典熱電離分析方法、普通全蒸發(fā)方法和MTE方法在分析U同位素豐度比時(shí)的表現(xiàn),對于主同位素豐度比,MTE方法的相對不確定度為0.01%~0.02%,與普通全蒸發(fā)方法相當(dāng);對于低豐度同位素比,例如234U/238U,其相對不確定度為0.1%,比普通全蒸發(fā)測量結(jié)果提高了幾個數(shù)量級。因此,盡管MTE方法并沒有充分發(fā)揮全蒸發(fā)方法“無需標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正”的優(yōu)勢,且眾多的校正調(diào)諧步驟使得測量過程繁瑣冗長,但是MTE方法優(yōu)異的低豐度同位素分析能力使其成為當(dāng)前應(yīng)用范圍最廣、最實(shí)用的全蒸發(fā)分析方法,尤其在核科學(xué)領(lǐng)域。

    2.2 直接全蒸發(fā)方法(DTE)

    全蒸發(fā)過程中離子流信號的穩(wěn)定程度影響著信號積分值(測量結(jié)果)的準(zhǔn)確性,通過信號強(qiáng)度與蒸發(fā)帶電流之間的反饋調(diào)節(jié)機(jī)制控制蒸發(fā)帶電流的變化,可以保證離子流信號的穩(wěn)定。經(jīng)典全蒸發(fā)分析的信號反饋機(jī)制示于圖2a。法拉第杯接收信號后通過計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)系統(tǒng)讀取信號強(qiáng)度,根據(jù)讀取的信號強(qiáng)度與目標(biāo)信號的差別來調(diào)節(jié)蒸發(fā)帶電流的變化,其反饋速率受計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集處理速度、決策速度、反饋信號傳導(dǎo)速度等因素的制約,導(dǎo)致信號強(qiáng)度調(diào)諧有一定的滯后性,離子信號強(qiáng)度的變動在±3%左右。2013年,Wegener等[35]提出了一種新的蒸發(fā)帶電流反饋調(diào)節(jié)機(jī)制,該方法直接使用一個電壓-頻率轉(zhuǎn)換器將法拉第杯的離子信號強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為頻率反饋給蒸發(fā)帶電流調(diào)諧器,簡化了反饋路徑,提高了反饋效率,使得離子信號強(qiáng)度的波動降低到0.2%,其原理示于圖2b。使用該反饋策略的全蒸發(fā)方法稱作直接全蒸發(fā)方法,該方法獲得的離子束具有優(yōu)異的穩(wěn)定性,有助于將質(zhì)譜儀信號處理系統(tǒng)中信號“噪聲”的潛在影響降至最低。利用改裝后的MAT261儀器,Wegener等[35]使用DTE方法分別分析了200 ng貧鈾樣品、天然鈾樣品、低濃縮鈾樣品和高濃縮鈾樣品中235U/238U比值,獲得了0.05%外精度和準(zhǔn)確度。

    2.3 痕量樣品的全蒸發(fā)分析方法

    全蒸發(fā)方法能夠顯著地提高熱電離質(zhì)譜測量的重復(fù)性,但由于存在不可避免的離子損失、聚焦參數(shù)變化等因素的影響,其測量結(jié)果的精準(zhǔn)度隨樣品量的減少而降低。為了實(shí)現(xiàn)對痕量樣品的準(zhǔn)確測量,人們將一些已有方法的準(zhǔn)確性優(yōu)勢與全蒸發(fā)技術(shù)良好的測量重復(fù)性相結(jié)合。Wakaki等[13]將全蒸發(fā)方法與內(nèi)標(biāo)歸一化方法結(jié)合,建立了全蒸發(fā)-歸一化方法(total evaporation normalization, TEN)。利用146Nd/144Nd=0.721 9作為內(nèi)標(biāo),他們對全蒸發(fā)過程中每個Cycle測得的同位素豐度比進(jìn)行在線校正,然后積分獲得最終的測量結(jié)果。利用TEN方法對低至0.5~5 ng的Nd樣品進(jìn)行了測量,143Nd豐度的測量外精度為0.014%,優(yōu)于內(nèi)標(biāo)校正后的普通熱電離分析結(jié)果。Fukami等[36]則將全蒸發(fā)方法與雙稀釋劑法結(jié)合,建立了全蒸發(fā)-雙稀釋劑法(total evaporation-double spike, TE-DS)。使用204Pb-207Pb兩種稀釋劑,測量加入稀釋劑以及未加入稀釋劑的樣品,然后計(jì)算未知樣品的同位素豐度比。該方法實(shí)現(xiàn)了對小于1 ng的NIST981標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)樣品以及JB-3巖石標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的測量,測量重復(fù)性與相同樣品量下的普通雙稀釋劑法相比提高了約7倍。

    圖2 經(jīng)典全蒸發(fā)方法(a)和直接全蒸發(fā)方法(b)中,蒸發(fā)帶電流反饋調(diào)節(jié)機(jī)制示意圖Fig.2 Schematic diagram of current feedback regulation mechanism of evaporation filament in classical total evaporation method (a) and direct total evaporation method (b)

    電子倍增檢測器是比法拉第杯更靈敏的檢測器,其工作原理是入射離子撞擊在打拿極上產(chǎn)生二次電子,二次電子在電場加速下撞擊在下一個打拿極上產(chǎn)生更多電子,經(jīng)過多個打拿極的級聯(lián)放大效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了入射離子的高靈敏檢測。電子倍增檢測器使得高靈敏度同位素豐度比測量成為可能,利用兩個連續(xù)打拿極通道倍增器分別接收151Eu和153Eu。Mialle等[14]實(shí)現(xiàn)了1~50 pg銪同位素樣品的全蒸發(fā)分析,153Eu/151Eu測量結(jié)果為1.092±0.036(k=2,n=25),與ng級樣品的法拉第杯全蒸發(fā)測量結(jié)果(1.092 7±0.001 1)相吻合。根據(jù)待測同位素的不同豐度選擇使用不同的檢測器,Stanley等[41]開發(fā)了混合檢測器陣列靜態(tài)全蒸發(fā)方法,使用Daly檢測器接收238Pu,1011Ω法拉第杯接收239Pu和240Pu,1012Ω法拉第杯接收241Pu和242Pu,對小樣品量(約20 ng)钚同位素樣品的檢測結(jié)果明顯優(yōu)于普通全蒸發(fā)方法。Quemet等[42]使用類似的方法分析了鈾同位素樣品,所需的樣品量從1 270 ng降低至50 ng。在使用時(shí),因不同檢測器之間的效率差異無法像法拉第杯那樣由系統(tǒng)自動進(jìn)行校正,而是需要使用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正,所用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的不確定度成為這類方法不確定度的主要來源。

    2.4 全蒸發(fā)分析方法的不確定度評估

    科學(xué)合理的不確定度評估是保證全蒸發(fā)測量結(jié)果可靠性與溯源性的重要前提。2010年,Burger等[43]依據(jù)測量不確定度指南(guide to the expression of uncertainty in measurement, GUM[44])建立了一套全蒸發(fā)分析的不確定度評估體系,其中的不確定度分量來源包括測量重復(fù)性、杯差與基線、背景、同量異位素干擾、峰拖尾校正、質(zhì)量偏差校正以及法拉第杯效率。具體來說,樣品和標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的測量重復(fù)性是A類不確定度,標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)自身的不確定度是B類不確定度。通常,杯差、基線和法拉第杯效率的不確定度已在測量重復(fù)性中得到體現(xiàn),但是當(dāng)使用離子計(jì)數(shù)檢測器時(shí),其效率校正、死時(shí)間、背景和線性的不確定度需要單獨(dú)考慮;同量異位素干擾會對測量結(jié)果造成系統(tǒng)性偏差,一般通過監(jiān)測空白樣品的信號強(qiáng)度進(jìn)行評估;峰拖尾校正一般通過測量質(zhì)量數(shù)±0.35 u的信號強(qiáng)度求平均,其不確定度在測量極低豐度同位素時(shí)不可忽略。GUM法建立后很快成為全蒸發(fā)不確定度評定的標(biāo)準(zhǔn)方法并得到了廣泛應(yīng)用[34,45-46]。

    然而,在以往文獻(xiàn)報(bào)道中多使用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)對全蒸發(fā)測量的不確定度進(jìn)行評估,這與全蒸發(fā)方法“無需標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正”的特性相悖,而且隨著同位素測量精密度水平的提高,早期研制的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的不確定度成為測量不確定度的主要來源,制約了全蒸發(fā)技術(shù)應(yīng)用的進(jìn)一步發(fā)展。因此,探索建立一套與全蒸發(fā)方法相匹配的、不依賴標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的不確定度評估體系對全蒸發(fā)方法的發(fā)展具有重要意義。王松等[47]通過比較研究單燈絲和三燈絲離子源在分析NIST SRM987鍶天然同位素樣品時(shí)的不同表現(xiàn),細(xì)化了全蒸發(fā)方法的不確定度來源,主要包括測量重復(fù)性、離子損失影響、離子傳輸效率改變、電離溫度變化導(dǎo)致的蒸發(fā)速率和電離效率改變。在此基礎(chǔ)上結(jié)合理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)測量對各不確定度分量進(jìn)行了量化評估,建立了不依賴標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的全蒸發(fā)方法的不確定度評估模型。

    3 全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法的重要應(yīng)用研究

    3.1 全蒸發(fā)分析方法在核科學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

    隨著核能研究與應(yīng)用的不斷深入,準(zhǔn)確的U、Pu等同位素豐度比分析在核安全、核取證、核燃料燃耗測定、環(huán)境核污染監(jiān)測等領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用[48]。全蒸發(fā)分析方法的重復(fù)性好、精密度高、所需樣品量少等特點(diǎn)使其在U、Pu同位素分析中具有不可替代的優(yōu)勢。235U是核反應(yīng)的關(guān)鍵原料,其濃縮程度分析在核材料評價(jià)、防核擴(kuò)散方面應(yīng)用廣泛。Callis等[7]使用全蒸發(fā)方法進(jìn)行U同位素豐度比分析,將235U/238U的重復(fù)性由普通熱電離方法的0.1%提高到0.02%,測量結(jié)果的準(zhǔn)確度與參考值相當(dāng)。Fiedler等[8,49]進(jìn)一步證明了U的全蒸發(fā)分析結(jié)果受樣品量影響較小。徐常昆等[50]比較了全蒸發(fā)方法、普通熱電離方法在分析鈾芯塊內(nèi)同位素豐度比的表現(xiàn),發(fā)現(xiàn)全蒸發(fā)方法在樣品用量以及測量結(jié)果的精確度方面具有明顯優(yōu)勢。

    234U是U的天然放射性同位素,不同地點(diǎn)獲得的核材料中234U/238U的比值不同,該比值的測量在核材料溯源以及核取證方面發(fā)揮了重要作用[39]。236U是核反應(yīng)產(chǎn)物,其豐度比分析在研究核燃料消耗情況、核環(huán)境污染、核取證等方面至關(guān)重要[51]。由于234U和236U的豐度很低,其同位素豐度比分析廣泛采用MTE方法,方法原理已在2.1節(jié)詳細(xì)介紹,此處不再贅述。

    3.2 全蒸發(fā)分析方法在環(huán)境、地球科學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

    全蒸發(fā)方法分析U、Pu同位素的優(yōu)異表現(xiàn)很快引起了環(huán)境領(lǐng)域的關(guān)注。Pu同位素豐度在環(huán)境核污染評價(jià)中發(fā)揮著重要作用,Jakobi等[52]利用苯蒸氣碳化后的金屬帶提高钚電離效率,采用高靈敏的離子計(jì)數(shù)檢測器,使用MTE方法實(shí)現(xiàn)了pg量級Pu樣品的準(zhǔn)確測量,并實(shí)現(xiàn)了對來自切爾諾貝利地區(qū)土壤和苔蘚樣品的Pu同位素豐度比測定。近年來,Cr的環(huán)境污染日益嚴(yán)重,準(zhǔn)確的同位素豐度比分析有助于查明污染源,進(jìn)而在源頭加以控制。Fujii等[12]使用全蒸發(fā)方法分析了Cr同位素豐度,53Cr/52Cr的測量重復(fù)性優(yōu)于0.05%,并且測量結(jié)果與樣品量(50~500 ng)無關(guān)。海洋有孔蟲體內(nèi)的硼(B)同位素豐度比反映了其生長環(huán)境的pH值,研究其同位素變異可以反映不同歷史時(shí)期大氣二氧化碳濃度變化,有助于揭示大氣變化與地球環(huán)境的關(guān)系。Foster等[11, 53]建立了B元素的全蒸發(fā)-負(fù)熱電離分析方法,并對海洋有孔蟲中的B元素進(jìn)行了分析,B同位素豐度比測量外精度為0.07%,樣品含量可低至300 pg。

    全蒸發(fā)分析方法已應(yīng)用于地質(zhì)科學(xué)領(lǐng)域。鈾系同位素不平衡是地質(zhì)定年的重要參考標(biāo)準(zhǔn),230Th-226Ra和232Th-228Ra的豐度比信息分別揭示了8 000~100年以及30~1年內(nèi)的地質(zhì)作用過程。Yokoyama等[10]利用全蒸發(fā)方法分析了天然樣品中228Ra/226Ra比值,對JR-2、JB-2巖石樣品的分析精度分別為0.3%、0.6%,均比普通熱電離方法提高了2~3倍。此外,U-Pb和Sm-Nd同位素定年法也是地質(zhì)定年的重要方法,全蒸發(fā)方法在這些元素的準(zhǔn)確測量方面也有其獨(dú)特的優(yōu)勢與應(yīng)用[13,36],此處不再贅述。鈣(Ca)同位素豐度在宇宙學(xué)、地球科學(xué)、古氣候、營養(yǎng)學(xué)以及生物醫(yī)學(xué)方面有著重要的作用,但由于其質(zhì)量數(shù)較輕,在質(zhì)譜分析中受到的干擾較多,準(zhǔn)確的同位素豐度比測量面臨挑戰(zhàn)[54]。Richter等[34]使用MTE方法,以質(zhì)量法配制的已知豐度比的鈣同位素溶液作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),42Ca/40Ca和44Ca/40Ca的測量不確定度達(dá)到了0.05%,明顯優(yōu)于已有的方法。

    3.3 全蒸發(fā)分析方法在計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)中的應(yīng)用

    在有證同位素標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研發(fā)過程中,為了保證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)中同位素豐度量值的準(zhǔn)確性和溯源性,一般使用校正質(zhì)譜法對標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行定值[55]。其原理是選用某元素的2種(對于多同位素元素應(yīng)選擇3種以上)高純、高濃縮同位素,用稱量法配制系列質(zhì)量歧視效應(yīng)校正樣品,用樣品的質(zhì)量、濃度、同位素豐度等數(shù)據(jù)計(jì)算得到該校正樣品中同位素比的配制值及其不確定度;用校正樣品測量和獲得質(zhì)譜儀的校正系數(shù);然后,用該校正系數(shù)校正實(shí)際待測樣品中的同位素比測量值,測量結(jié)果可溯源到國際單位kg和mol。該方法中,準(zhǔn)確的濃縮同位素豐度值至關(guān)重要,但由于其豐度比值較為極端,往往缺少合適的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行校正。2012年,徐常昆等[56]利用全蒸發(fā)方法分析了濃縮63Cu、65Cu樣品的同位素豐度比信息,為國內(nèi)Cu同位素標(biāo)準(zhǔn)研制提供了支持。2015年,任同祥等[16]使用全蒸發(fā)方法分析了濃縮Yb樣品(171Yb,172Yb,174Yb)的同位素豐度比信息,主同位素豐度的不確定度達(dá)到0.001%~0.005%。利用這些豐度比信息,計(jì)算了所配制的系列校正樣品的同位素豐度比值,獲得了可靠的MC-ICP-MS質(zhì)量歧視校正系數(shù),研制了Yb同位素豐度國家一級標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)GB W04623。此外,該作者還采用同樣的方法原理研制了鋅(GB W04465-04475)、釤(GB W04601-04611)、鎘(GB W04612-04622)系列同位素豐度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)[57]。

    2008年,國內(nèi)溶液中Zn同位素豐度測量比對中,68Zn/66Zn的豐度比為0.02~15.00,參加實(shí)驗(yàn)室使用了不同類型的MC-ICP-MS和TIMS,組織方直接使用全蒸發(fā)方法對比,對樣品中Zn同位素豐度比定值,并評價(jià)比較了MC-ICP-MS測量中同位素離子濃度變化對校正系數(shù)的影響,驗(yàn)證了MC-ICP-MS質(zhì)量歧視校正系數(shù)非線性的結(jié)論[58]。隨著MTE方法的成熟,全蒸發(fā)方法對低豐度同位素的測量能力有了質(zhì)的提升,可直接用于對標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行定值。2003年,Richter等[17]在核材料同位素分析技術(shù)進(jìn)展討論中提到NBL的3種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)CRM U630(235U豐度為63%)、CRM 113B和CRM U045(235U豐度為4.5%),使用了MTE方法進(jìn)行定值,其中U630以CRM U500和U750作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行定值,總的標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.005%;U045和113B使用U030A作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行定值,標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.003%。2005年,IRMM研制的系列U同位素標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)IRMM 183-187也使用MTE方法進(jìn)行重新定值,測量中使用IRMM-072系列標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正法拉第杯以及離子計(jì)數(shù)檢測器的效率,同時(shí)用配制的量級分別為10-6、10-7和10-8系列236U/238U同位素標(biāo)準(zhǔn)保證離子計(jì)數(shù)部分測量結(jié)果的可靠性[59]。此外,IRMM-075/1-6系列U標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)(2010年)[60]、CRM 112-A(2012年)[46]、貧鈾金屬標(biāo)物(2013年)[61]、UO2鈾燃料芯塊標(biāo)準(zhǔn)CRM 125-A(2013年)[62]、濃縮鈾同位素標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)CRM 116-A(2014年)[63]等也使用了MTE方法進(jìn)行定值。

    4 結(jié)論及展望

    全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜法通過樣品的全蒸發(fā)以及離子信號的全接收克服了輕重元素蒸發(fā)速率不同導(dǎo)致的同位素分餾效應(yīng)的影響,具有重復(fù)性好、準(zhǔn)確度高、樣品用量少、無需標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正等優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)過20多年的發(fā)展,尤其是MTE方法的提出與成熟,極大地提升了全蒸發(fā)方法對低豐度同位素的測量能力與溯源能力,該方法逐漸被核科學(xué)領(lǐng)域所接受,成為鈾、钚同位素豐度比測定的主流方法。同時(shí),該方法也引起了環(huán)境、地質(zhì)、計(jì)量等領(lǐng)域的關(guān)注與應(yīng)用,在相關(guān)領(lǐng)域元素同位素豐度比準(zhǔn)確分析中發(fā)揮著越來越重要的作用。

    現(xiàn)代質(zhì)譜儀器測量精密度的提高,使得早期形成的測量校正理論、半經(jīng)驗(yàn)數(shù)學(xué)校正模型受到越來越多的質(zhì)疑[64]。同時(shí),由于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研發(fā)常常滯后,無論是標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)種類,還是量值的不確定度均不能滿足同位素分析應(yīng)用的需求。例如,在濃縮鈾(235U/238U約0.25)、低燃钚(240Pu/239Pu約0.06)的同位素豐度分析中,因所用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的不確定度大,對測量結(jié)果不確定度的貢獻(xiàn)分別為95%和99%,導(dǎo)致同位素測量的高精密度優(yōu)勢無法發(fā)揮作用[65],因此,研究建立無需校正的絕對測量方法成為解決標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)短缺的一條重要的有效途徑。全蒸發(fā)方法理論上最有可能實(shí)現(xiàn)“無需校正、測得即真值”這一目標(biāo),然而,遺憾的是目前全蒸發(fā)方法依然沒有突破其技術(shù)瓶頸,測量過程中各個環(huán)節(jié)的不確定度缺乏系統(tǒng)有效的校正與評估,在許多報(bào)道的方法應(yīng)用中,如MTE方法,仍然需要使用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校正結(jié)果。

    通過更加深入、系統(tǒng)的方法學(xué)研究,了解和掌握測量中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),真正實(shí)現(xiàn)無需校正而獲得準(zhǔn)確同位素豐度信息,使全蒸發(fā)-熱電離質(zhì)譜分析方法成為真正意義上的絕對測量方法,是該方法研究的方向。具體來說,需要從以下3個層面進(jìn)行探索:1) 儀器層面,進(jìn)一步提高熱電離質(zhì)譜檢測器的靈敏度與豐度靈敏度,以適應(yīng)極端豐度比、極低樣品量的測量需求;研發(fā)新的不同檢測器間的效率校正方法,逐漸擺脫對標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的依賴;2) 方法層面,系統(tǒng)地研究全蒸發(fā)過程中各個影響因素的作用機(jī)制,采取有效措施降低或修正其影響,并能夠準(zhǔn)確評估其不確定度;3) 應(yīng)用層面,在方法深入研究的基礎(chǔ)上,形成相應(yīng)的測量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)以指導(dǎo)日常分析測試工作,促進(jìn)全蒸發(fā)方法應(yīng)用范圍的擴(kuò)展。

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