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      VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題

      2019-08-13 06:44:56楊宇明
      設(shè)備管理與維修 2019年7期
      關(guān)鍵詞:盲區(qū)雙向并聯(lián)

      楊宇明

      (北京正達(dá)時(shí)代電子技術(shù)有限公司,北京 100083)

      0 引言

      實(shí)際電路維修中會(huì)有這樣的場(chǎng)景,老李對(duì)一好一壞2塊電路板進(jìn)行VI曲線對(duì)比測(cè)試,每一個(gè)器件都逐一對(duì)比,但沒(méi)有發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。出現(xiàn)這種情況的原因主要有2個(gè):①器件存在故障,但管腳阻抗特性無(wú)變化,VI曲線測(cè)試沒(méi)有作用;②器件存在故障,管腳阻抗特性有明顯變化。但是,老李遇到的卻是VI曲線測(cè)試盲區(qū)的問(wèn)題。

      VI曲線測(cè)試盲區(qū)是指VI曲線無(wú)法反映器件的特性或量值。比如,電路結(jié)點(diǎn)中有PN結(jié),VI曲線反映的只是一個(gè)電容。明明是一個(gè)10 kΩ電阻,VI曲線反映的竟然是短路。VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題比較突出,經(jīng)常漏檢電路信息和漏檢器件故障。由于缺乏系統(tǒng)性研究,VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題存在許多知識(shí)空白。下面結(jié)合理論分析和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),系統(tǒng)總結(jié)VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的成因和形式。北京正達(dá)時(shí)代電子技術(shù)有限公司電路板維修中心經(jīng)歷過(guò)不少實(shí)測(cè)案例,5cVI曲線也帶來(lái)思路啟發(fā),對(duì)于本研究有很大幫助。

      1 VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的成因

      1.1 VI曲線測(cè)試

      在電路的2個(gè)結(jié)點(diǎn)之間施加1個(gè)一定幅度和頻率的周期信號(hào),在顯示坐標(biāo)上形成一條電流隨電壓變化的函數(shù)曲線,即VI曲線。VI曲線能反映器件管腳和電路結(jié)點(diǎn)相互之間的阻抗特性,適用于電路維修和器件檢測(cè)。直接觀察或兩者對(duì)比VI曲線的過(guò)程稱(chēng)作VI曲線測(cè)試[1]。

      圖1中,上排從左至右分別為對(duì)電阻、正向PN結(jié)、電容進(jìn)行VI曲線單獨(dú)測(cè)試;下排從左至右分別為對(duì)正向PN結(jié)和電阻、電容和電阻、電容和正向PN結(jié)進(jìn)行VI曲線對(duì)比測(cè)試。

      1.2 VI曲線兩軸測(cè)試盲區(qū)

      VI曲線窗口x軸為電壓,y軸為電流。當(dāng)采用±4V·4mA窗口測(cè)試1 kΩ電阻時(shí),VI曲線是一條±2 V區(qū)間的45°函數(shù)曲線。阻值越大,VI曲線越趨近x軸。阻值越小,VI曲線越趨近y軸(圖 2)。

      VI曲線測(cè)試靈敏度向兩軸方向越來(lái)越低。比如:1 kΩ和2 kΩ(500 Ω)VI曲線差別明顯,但是 10 kΩ 和大于 10 kΩ(更趨近 x軸)以及100 Ω和小于100 Ω(更趨近y軸)VI曲線差別不明顯。當(dāng)VI曲線重合于x軸或y軸,則無(wú)法進(jìn)一步反映阻值變化。

      VI曲線重合于坐標(biāo)兩軸,處于窗口邊界,會(huì)形成VI曲線兩軸測(cè)試盲區(qū),又分為x軸測(cè)試盲區(qū)和y軸測(cè)試盲區(qū)。顯然更希望VI曲線出現(xiàn)在45°線區(qū)域,以便觀察VI曲線形狀或位置的細(xì)微變化。

      圖1 6個(gè)VI曲線測(cè)試窗口

      1.3 VI曲線坐標(biāo)系

      圖2 電阻VI曲線的變化規(guī)律

      圖3 10 kΩ坐標(biāo)系中10 kΩ電阻VI曲線

      在±4 V·4 mA 窗口中,45°線對(duì)應(yīng)的是1 kΩ阻值。稱(chēng)作:VI曲線阻抗中值?!? V·4 mA窗口特點(diǎn)是:4 V/4 mA=1 kΩ,因此簡(jiǎn)稱(chēng)1 kΩ坐標(biāo)系。窗口45°線區(qū)域測(cè)試靈敏度最高。對(duì)于遠(yuǎn)離45°線區(qū)域的VI曲線,應(yīng)另選適合的坐標(biāo)系,使VI曲線盡量趨近45°線區(qū)域。這很像指針式萬(wàn)用表電阻擋量程的設(shè)置。

      例如:10 kΩ電阻在 1 kΩ坐標(biāo)系中是一條接近水平的VI曲線,不易分辨。換成10 kΩ坐標(biāo)系,10 kΩ電阻出現(xiàn)在45°線區(qū)域(圖3)。

      ±4 V·400 μA 窗口特點(diǎn)是 4 V/400 μA=10 kΩ,因此簡(jiǎn)稱(chēng)10 kΩ坐標(biāo)系。VI曲線窗口電壓和窗口電流的比值是VI曲線坐標(biāo)系。例如,±8 V·8 mA 窗口是 1 kΩ 坐標(biāo)系,±2 V·20 μA窗口是100 kΩ坐標(biāo)系。

      1.4 調(diào)整VI曲線坐標(biāo)系

      正達(dá)電路測(cè)試儀有5種坐標(biāo)系,分別為100 Ω,1 kΩ,10 kΩ,100 kΩ,470 kΩ。為了使VI曲線處于最佳顯示范圍,調(diào)整坐標(biāo)系的基本原則是:①VI曲線過(guò)于趨近x軸,應(yīng)調(diào)高坐標(biāo)系;②VI曲線過(guò)于趨近y軸,應(yīng)調(diào)低坐標(biāo)系。

      調(diào)整坐標(biāo)系其實(shí)就是在調(diào)整VI曲線測(cè)試信號(hào)源的內(nèi)阻R(圖4a)。被測(cè)器件與內(nèi)阻R串聯(lián)。一旦選擇好內(nèi)阻R后,內(nèi)阻R不再改變,所以VI曲線電壓和電流的變化僅由被測(cè)器件阻抗所決定。

      根據(jù)串聯(lián)電路分壓特點(diǎn)不難理解:一旦選擇1 kΩ坐標(biāo)系后,例如±4 V·4 mA窗口,為什么測(cè)試1 kΩ電阻會(huì)形成一條±2 V·2 mA 區(qū)間 45°VI曲線(圖 4b)。

      電阻VI曲線變化范圍是第1象限和第3象限以及坐標(biāo)兩軸,線端處于正電壓/正電流最大值連線和負(fù)電壓/負(fù)電流最大值連線。阻值越大,VI曲線越趨近x軸;阻值越小,VI曲線越趨近y軸。

      圖4 VI曲線測(cè)試原理

      調(diào)整坐標(biāo)系還有一個(gè)形象記憶法:VI曲線處于x軸可看成電壓源,電壓源特點(diǎn)是內(nèi)阻小。要改變VI曲線趨勢(shì)應(yīng)調(diào)高坐標(biāo)系。VI曲線處于y軸可看成電流源,電流源特點(diǎn)是內(nèi)阻大。要改變VI曲線趨勢(shì)應(yīng)調(diào)低坐標(biāo)系。VI曲線處于45°線可看成內(nèi)阻與負(fù)載匹配的信號(hào)源,負(fù)載信號(hào)功率最大,VI曲線測(cè)試靈敏度也最高。

      1.5 VI曲線最佳顯示范圍

      VI曲線最佳顯示范圍是指測(cè)試靈敏度最高的區(qū)域,處于坐標(biāo)系的0.3~3倍區(qū)域。以測(cè)試電阻為例。坐標(biāo)系為100 Ω,1 kΩ,10 kΩ,100 kΩ,470 kΩ 時(shí),最佳顯示范圍分別為 30~300 Ω,300 Ω~3 kΩ,3~30 kΩ,30~300 kΩ,150 kΩ~1.5 MΩ。通過(guò)調(diào)整坐標(biāo)系,正達(dá)電路測(cè)試儀VI曲線最佳顯示范圍能夠完整覆蓋30 Ω~1.5 MΩ全部區(qū)域,無(wú)遺漏、無(wú)死角。VI曲線在最佳顯示范圍之外區(qū)域也具有一定的辨識(shí)度,但測(cè)試靈敏度向兩軸方向逐漸降低,直至出現(xiàn)VI曲線兩軸測(cè)試盲區(qū)。

      以上關(guān)鍵詞是“調(diào)整坐標(biāo)系”,首先是“要調(diào)整”,其次是“會(huì)調(diào)整”。否則,不僅VI曲線無(wú)法處于最佳顯示范圍,還會(huì)出現(xiàn)VI曲線測(cè)試盲區(qū)。

      1.6 造成VI曲線測(cè)試盲區(qū)的根本原因

      VI曲線測(cè)試有5種坐標(biāo)系,每一種坐標(biāo)系只能覆蓋部分區(qū)域的阻抗故障,無(wú)法用一個(gè)坐標(biāo)系覆蓋全部區(qū)域的阻抗故障。從總體而言,勢(shì)必會(huì)形成測(cè)試盲區(qū)。這就是實(shí)際電路維修中的結(jié)點(diǎn)全域阻抗故障難題。

      VI曲線兩軸測(cè)試盲區(qū)只是現(xiàn)象,成因在于5種坐標(biāo)系。另外,測(cè)試頻率/掃描電壓/掃描波形/掃描點(diǎn)數(shù)等因素也會(huì)影響某些類(lèi)型器件的VI曲線測(cè)試靈敏度,但遠(yuǎn)無(wú)法和坐標(biāo)系原因相比。

      2 VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的形式

      本文對(duì)電阻、電容、PN結(jié)(二極管)這3種常用器件VI曲線測(cè)試盲區(qū)進(jìn)行歸納分析。VI曲線測(cè)試方式為:3種器件單獨(dú)測(cè)試和3種器件兩兩并聯(lián)測(cè)試,歸納為30種盲區(qū)形式。

      需要重要說(shuō)明的是:

      (1)電路板上器件絕不止有這3種,電路結(jié)點(diǎn)并聯(lián)關(guān)系也絕不只是兩兩并聯(lián)。實(shí)際VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題更復(fù)雜。分析這30種盲區(qū)形式,是為了明確思路、掌握方法。

      (2)盲區(qū)形式必須明確是x軸測(cè)試盲區(qū)還是y軸測(cè)試盲區(qū),這是消除盲區(qū)的方法依據(jù)。消除x軸測(cè)試盲區(qū)應(yīng)調(diào)高坐標(biāo)系,消除y軸測(cè)試盲區(qū)應(yīng)調(diào)低坐標(biāo)系。

      (3)電路結(jié)點(diǎn)并聯(lián)特點(diǎn):并聯(lián)后阻值比任何一個(gè)支路阻值都小。所以并聯(lián)關(guān)系中阻值最小器件的VI曲線形狀對(duì)結(jié)點(diǎn)VI曲線形狀影響最大。這是分析并聯(lián)結(jié)點(diǎn)VI曲線形狀的基礎(chǔ)。

      2.1 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[01]和[02]——電阻兩軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)01】:電阻x軸測(cè)試盲區(qū)。特點(diǎn):水平開(kāi)路形式VI曲線(圖5b)。

      【盲區(qū)02】:電阻y軸測(cè)試盲區(qū)。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線(圖 5f)。

      問(wèn)題[01]:測(cè)試200 kΩ電阻采用哪種坐標(biāo)系?

      應(yīng)采用100 kΩ或470 kΩ坐標(biāo)系。100 kΩ坐標(biāo)系效果稍好一些。實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)表明,電阻視覺(jué)可分辨極限大致為坐標(biāo)系0.03~30倍,最佳顯示范圍處于坐標(biāo)系0.3~3.0倍。例如:1 kΩ坐標(biāo)系對(duì)電阻的視覺(jué)可分辨極限是30 Ω~30 kΩ之間,最佳顯示范圍是300 Ω~3 kΩ。

      圖5 5坐標(biāo)系中電阻VI曲線

      2.2 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[03]和[04]——電容兩軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)03】:電容x軸測(cè)試盲區(qū)。特點(diǎn):水平開(kāi)路形式VI曲線(圖 6b)。

      【盲區(qū)04】:電容y軸測(cè)試盲區(qū)。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線(圖 6f)。

      圖6 5坐標(biāo)系中電容VI曲線

      問(wèn)題[02]:為什么圖6中沒(méi)有標(biāo)注容值?

      電容VI曲線除受坐標(biāo)系影響外,同測(cè)試頻率因素密切相關(guān)。測(cè)試頻率設(shè)置不同,電容VI曲線形狀也不同。但是電容VI曲線形狀在5坐標(biāo)系中的變化趨勢(shì)是確定的。坐標(biāo)系由低到高,電容VI曲線由越趨近(或重合)x軸到越趨近(或重合)y軸變化。具體為:重合于x軸→環(huán)繞x軸橢圓形VI曲線→收縮為正圓形VI曲線→環(huán)繞y軸橢圓形VI曲線→重合于y軸。

      問(wèn)題[03]:為什么電容會(huì)形成閉合環(huán)形VI曲線?

      電容特性:電流相位超前電壓相位90°。因此對(duì)電容施加具有對(duì)稱(chēng)性的正弦波和三角波掃描波形時(shí),會(huì)形成垂直于兩軸的橢圓形或正圓形的閉合環(huán)形VI曲線穩(wěn)態(tài)波形。

      問(wèn)題[04]:在同一個(gè)坐標(biāo)系中,不同容值VI曲線如何變化?

      Xc=1/(2πfC),容抗和容值成反比。即:在同一個(gè)坐標(biāo)系中,容值越小,VI曲線越趨近x軸;容值越大,VI曲線越趨近y軸。容值由小到大具體為:重合于x軸→環(huán)繞x軸橢圓形VI曲線→收縮為正圓形VI曲線→環(huán)繞y軸橢圓形VI曲線→重合于y軸。

      2.3 PN結(jié)VI曲線

      以正向PN結(jié)/反向PN結(jié)/雙向PN結(jié)3個(gè)器件在5坐標(biāo)系中VI曲線變化情況為例(圖7~圖9)。雙向PN結(jié)雖然是并聯(lián)結(jié)點(diǎn),但由于是同種類(lèi)型器件,所以看成一個(gè)器件。

      問(wèn)題[05]:為什么隨著坐標(biāo)系的增加,PN結(jié)VI曲線導(dǎo)通部分越趨近y軸?

      PN結(jié)特性:PN結(jié)導(dǎo)通電流越大,導(dǎo)通壓降越高。導(dǎo)通電流越小,導(dǎo)通壓降越低。之間的浮動(dòng)壓差約為0.2 V。隨著坐標(biāo)系增加,PN結(jié)導(dǎo)通電流減小,所以導(dǎo)通壓降也會(huì)減小。

      問(wèn)題[06]:PN結(jié)VI曲線盲區(qū)問(wèn)題是不是最簡(jiǎn)單?

      單獨(dú)測(cè)試PN結(jié)VI曲線沒(méi)有盲區(qū),這點(diǎn)比電阻和電容簡(jiǎn)單。但是數(shù)字器件以及許多模擬器件管腳對(duì)地VI曲線幾乎都是反向PN結(jié)和雙向PN結(jié)形式VI曲線,這2種形式VI曲線遍布在電路板上。PN結(jié)VI曲線特點(diǎn)是:同一條VI曲線上既有導(dǎo)通特性,又有近似于斷路的截止特性。因此PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)的盲區(qū)問(wèn)題更加復(fù)雜。

      圖7 5坐標(biāo)系中正向PN結(jié)VI曲線

      圖8 5坐標(biāo)系中反向PN結(jié)VI曲線

      圖9 5坐標(biāo)系中雙向PN結(jié)VI曲線

      2.4 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[05]~[10]——電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)兩軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)05】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)①(兩者處于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):水平開(kāi)路形式VI曲線(圖10b)。

      【盲區(qū)06】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)②(電阻處于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):電容形式VI曲線(圖10c)。

      【盲區(qū)07】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)③(電容處于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):電阻形式VI曲線(圖10d)。

      【盲區(qū)08】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)①(兩者處于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線(圖10e)。

      【盲區(qū)09】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)②(電阻處于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線(圖10e)。

      【盲區(qū)10】:電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)③(電容處于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線(圖10e)。

      圖10 電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)兩軸測(cè)試盲區(qū)

      問(wèn)題[07]:盲區(qū)[08]~[10]這3種情況VI曲線形狀一樣?

      結(jié)點(diǎn)VI曲線形狀由處于y軸測(cè)試盲區(qū)器件VI曲線形狀決定。簡(jiǎn)單地說(shuō)就是,不管是全都短路,還是只有一個(gè)器件短路,結(jié)果都是短路。后面還有這種盲區(qū)形式,不再贅述。

      問(wèn)題[08]:電容VI曲線為什么傾斜?

      傾斜是電阻/電容并聯(lián)結(jié)點(diǎn)(或單獨(dú)故障電容)VI曲線典型形狀(圖10f)。由于是10 kΩ坐標(biāo)系,根據(jù)電容VI曲線傾角,阻值約為5 kΩ。

      2.5 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[11]~[16]——電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)11】:電阻/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)①(電阻處于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線。

      【盲區(qū)12】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)13】:雙向PN結(jié)。

      【盲區(qū)14】:電阻/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)②(電阻接近于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):接近y軸電阻形式VI曲線(圖11)。消除方法:調(diào)低坐標(biāo)系(圖12)。

      【盲區(qū)15】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)16】:雙向PN結(jié)。

      問(wèn)題[09]:盲區(qū)[14]~[16]這3種情況特殊在哪里?

      盲區(qū)[14]~[16]這3種情況是較為復(fù)雜的盲區(qū)形式。電阻不處于y軸測(cè)試盲區(qū),PN結(jié)本身沒(méi)有測(cè)試盲區(qū)。但是兩者并聯(lián)后形成PN結(jié)y軸測(cè)試盲區(qū)。這是由于PN結(jié)導(dǎo)通特性重合于電阻VI曲線,PN結(jié)截止特性由于電路并聯(lián)關(guān)系被電阻VI曲線“吃掉”。調(diào)低坐標(biāo)系后,電阻趨于坐標(biāo)45°線區(qū)域,電阻和PN結(jié)并聯(lián)特性的VI曲線充分顯現(xiàn)出來(lái)。后面的電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)也有類(lèi)似情況,電容不處于y軸測(cè)試盲區(qū),接近于y軸,并聯(lián)后形成PN結(jié)y軸測(cè)試盲區(qū)。

      圖11 電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)②

      圖12 消除電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)①和②

      2.6 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[17]~[22]——電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)17】:電容/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)①(電容處于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):垂直短路形式VI曲線。

      【盲區(qū)18】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)19】:雙向PN結(jié)。

      【盲區(qū)20】:電容/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)②(電容接近于y軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):接近y軸電容形式VI曲線(圖13)。消除方法:調(diào)低坐標(biāo)系(圖14)。

      【盲區(qū)21】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)22】:雙向PN結(jié)。

      2.7 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[23]~[26]——電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)23】:電阻/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)(電阻處于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):正向PN結(jié)形式VI曲線(圖15)。消除方法:調(diào)高坐標(biāo)系(圖16)。

      【盲區(qū)24】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)25】:雙向PN結(jié)。

      圖13 電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)②

      圖14 消除電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)①和②

      圖15 電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)

      問(wèn)題[10]:盲區(qū)[23]~[25]這3種情況的難點(diǎn)是什么?

      盲區(qū)[23]~[25]這3種情況是較為煩人的盲區(qū)形式。由于電阻處于x軸測(cè)試盲區(qū),又并聯(lián)PN結(jié),就只能夠看到PN結(jié)特性的VI曲線。因?yàn)殡娮鑆I曲線和PN結(jié)截止特性VI曲線重合在一起,另一部分電阻VI曲線被PN結(jié)導(dǎo)通特性“吃掉”。解決難點(diǎn)在于:電路板上到處都是PN結(jié)形式VI曲線,無(wú)法預(yù)知哪里并聯(lián)了電阻。調(diào)高坐標(biāo)系后,電阻和PN結(jié)并聯(lián)特性的VI曲線充分顯現(xiàn)出來(lái)。如果繼續(xù)調(diào)高坐標(biāo)系,圖16會(huì)變?yōu)閳D11。此時(shí):x軸測(cè)試盲區(qū)轉(zhuǎn)化為y軸測(cè)試盲區(qū)。反之亦然。后面的電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)也是類(lèi)似情況。

      圖16 消除電阻/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)26】:電阻/雙向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)特例(電阻接近于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):雙向PN結(jié)形式VI曲線。消除方法:調(diào)高坐標(biāo)系(圖16)。

      盲區(qū)[26]是盲區(qū)[25]的特例。電阻不處于x軸測(cè)試盲區(qū),但接近于x軸測(cè)試盲區(qū)。由于雙向PN結(jié)形式VI曲線正向和負(fù)向?qū)ü拯c(diǎn)之間截止區(qū)段的線段很短,難以發(fā)現(xiàn)存在電阻。后面的電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)也有類(lèi)似情況,電容接近于x軸測(cè)試盲區(qū),并聯(lián)后形成電容/雙向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)特例。

      2.8 VI曲線測(cè)試盲區(qū)[27]~[30]——電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)

      【盲區(qū)27】:電容/正向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)(電容處于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):正向PN結(jié)形式VI曲線(圖15)。消除方法:調(diào)高坐標(biāo)系(圖17)。

      【盲區(qū)28】:反向PN結(jié)。

      【盲區(qū)29】:雙向PN結(jié)。

      【盲區(qū)30】:電容/雙向PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)特例(電容接近于x軸測(cè)試盲區(qū))。特點(diǎn):雙向PN結(jié)形式VI曲線。盲區(qū)[30]是盲區(qū)[29]的特例。消除方法:調(diào)高坐標(biāo)系(圖17)。

      2.9 x軸測(cè)試盲區(qū)和y軸測(cè)試盲區(qū)能夠相互轉(zhuǎn)化

      從10 kΩ電阻在5坐標(biāo)系中的變化規(guī)律可以看出,在100 Ω坐標(biāo)系中,10 kΩ電阻處于x軸盲區(qū);在10 kΩ坐標(biāo)系中,10 kΩ電阻處于VI曲線最佳顯示范圍。進(jìn)一步調(diào)高坐標(biāo)系,在470 kΩ坐標(biāo)系中,10 kΩ電阻轉(zhuǎn)化為y軸盲區(qū)。反之亦然。阻容器件和PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)也有這種特性,因此在某些區(qū)間,x軸測(cè)試盲區(qū)和y軸測(cè)試盲區(qū)能夠相互轉(zhuǎn)化。

      2.10 阻容/PN結(jié)實(shí)際盲區(qū)情況遠(yuǎn)多于30種盲區(qū)形式

      比如:【盲區(qū)14】的表現(xiàn)形式,100 Ω電阻在1 kΩ坐標(biāo)系、1 kΩ電阻在10 kΩ坐標(biāo)系、10 kΩ電阻在100 kΩ坐標(biāo)系,都是接近y軸電阻形式VI曲線。也就是說(shuō),出現(xiàn)這3種情況時(shí)(同屬于1種盲區(qū)形式),看到的都是電阻VI曲線。結(jié)點(diǎn)上并聯(lián)正向PN結(jié)(二極管),PN結(jié)斷路或丟失,VI曲線均測(cè)不出。再如:【盲區(qū)25】的形式,如果并聯(lián)的是200 kΩ電阻,200 kΩ電阻在100 Ω坐標(biāo)系和1 kΩ坐標(biāo)系都處于x軸測(cè)試盲區(qū)。在10 kΩ坐標(biāo)系識(shí)別微弱,是盲區(qū)[25]的特例。采用這3種坐標(biāo)系(同屬于1種類(lèi)型)看到的都只是雙向PN結(jié)VI曲線,會(huì)漏掉200 kΩ電阻。

      圖17 消除電容/PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)x軸測(cè)試盲區(qū)

      3 解決VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的思路和方案

      消除VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的核心是調(diào)整坐標(biāo)系。只有正確調(diào)整VI曲線坐標(biāo)系,方可避免VI曲線測(cè)試盲區(qū)??墒窃趯?shí)際維修過(guò)程中,測(cè)試者有時(shí)不會(huì)調(diào)整。而且調(diào)整VI曲線坐標(biāo)系極大降低了VI曲線測(cè)試效率,測(cè)試者也疏于調(diào)整。因而造成VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題。

      3.1 5cVI曲線鷹爪5線測(cè)試法

      2018年6月,正達(dá)首創(chuàng)5cVI曲線鷹爪5線測(cè)試法(簡(jiǎn)稱(chēng)5cVI曲線),是破解VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的創(chuàng)新技術(shù)。在5cVI曲線窗口中,同時(shí)出現(xiàn)5種不同色彩的VI曲線。每1種色彩VI曲線代表1種坐標(biāo)系,相當(dāng)于5種坐標(biāo)系疊加成一個(gè)窗口。其創(chuàng)新之處在于,無(wú)須調(diào)整坐標(biāo)系。

      單獨(dú)測(cè)試時(shí),測(cè)試窗口中出現(xiàn)5條VI曲線(5種色彩),既能夠充分表現(xiàn)電路結(jié)點(diǎn)特征,也不會(huì)隱藏淹沒(méi)并聯(lián)器件。無(wú)論電路結(jié)點(diǎn)特征出現(xiàn)在哪個(gè)阻抗區(qū)域,必然有1條VI曲線(1種坐標(biāo)系)處于最高靈敏度,不會(huì)漏檢電路信息。

      對(duì)比測(cè)試時(shí),測(cè)試窗口中出現(xiàn)10條VI曲線(依舊是5種色彩,5條實(shí)線和5條虛線)。無(wú)論電路結(jié)點(diǎn)阻抗故障出現(xiàn)在哪個(gè)阻抗區(qū)域,必然有1對(duì)VI曲線(1條實(shí)線和1條虛線,1種坐標(biāo)系)處于最高靈敏度,不會(huì)漏檢器件故障。

      3.2 VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題實(shí)例分析

      VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題存在許多知識(shí)空白,也出現(xiàn)過(guò)一些錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)。對(duì)錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)加以分析,有助于加深對(duì)VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題的理解。

      曾有觀點(diǎn)認(rèn)為,2個(gè)反向PN結(jié)(即文中的雙向PN結(jié))并聯(lián)1個(gè)15 kΩ電阻時(shí),在PN結(jié)正負(fù)向?qū)ㄖ?,?dǎo)通電阻很小,完全“淹沒(méi)”了15 kΩ電阻。即這個(gè)電阻只能在0電壓點(diǎn)附近(2個(gè)拐點(diǎn)之間,PN結(jié)電阻遠(yuǎn)大于15 kΩ)呈現(xiàn)出來(lái),基本上不影響曲線形狀。仔細(xì)觀察,可發(fā)現(xiàn)零點(diǎn)附近曲線略有不同。但是由于這段曲線所占比例很小,可用于顯示的點(diǎn)數(shù)更是有限,2條曲線整體形狀相差不多,即故障被掩蓋。因此稱(chēng)之為VI曲線零點(diǎn)電壓測(cè)試盲點(diǎn)問(wèn)題。同時(shí)認(rèn)為,VI曲線測(cè)試無(wú)法發(fā)現(xiàn)15 kΩ電阻,必須改用專(zhuān)門(mén)的測(cè)試方法。

      這就是上文中【盲區(qū)26】的測(cè)試實(shí)例。

      (1)錯(cuò)誤1:VI曲線測(cè)試無(wú)法發(fā)現(xiàn)15 kΩ電阻。

      15 kΩ電阻在100 Ω坐標(biāo)系中看不出,在1 kΩ坐標(biāo)系中接近x軸,因此只有這2種情況會(huì)出現(xiàn)x軸測(cè)試盲區(qū)。不會(huì)調(diào)整或疏于調(diào)整坐標(biāo)系,容易犯這種錯(cuò)誤。

      (2)錯(cuò)誤2:電阻是否存在基本上不影響曲線的形狀。

      在10 kΩ坐標(biāo)系中可以同時(shí)看出雙向PN結(jié)和15 kΩ電阻。再調(diào)高坐標(biāo)系,100 kΩ/470 kΩ這2種坐標(biāo)系則是只能看出15 kΩ電阻,反而看不出雙向PN結(jié)。x軸測(cè)試盲區(qū)轉(zhuǎn)化為y軸測(cè)試盲區(qū),電阻的存在徹底改變了曲線形狀。不知道x軸/y軸盲區(qū)能夠相互轉(zhuǎn)化,容易犯這種錯(cuò)誤。

      (3)錯(cuò)誤3:VI曲線“零點(diǎn)電壓測(cè)試盲點(diǎn)問(wèn)題”這個(gè)命名是正確的。

      從曲線形狀上來(lái)看,前面介紹的盲區(qū)[11]~[22]——電阻/電容和PN結(jié)并聯(lián)結(jié)點(diǎn)y軸測(cè)試盲區(qū)全都出現(xiàn)在0電壓點(diǎn)附近,也都堪稱(chēng)零點(diǎn)電壓測(cè)試盲點(diǎn)問(wèn)題。問(wèn)題在于,y軸測(cè)試盲區(qū)和x軸測(cè)試盲區(qū)性質(zhì)不同,解決問(wèn)題方式也不同。15 kΩ電阻并聯(lián)雙向PN結(jié)(看不到15 kΩ電阻時(shí))是x軸測(cè)試盲區(qū),消除盲區(qū)方法是調(diào)高坐標(biāo)系。同樣方法如果用在盲區(qū)[11]~[22],會(huì)適得其反,造成更大的盲區(qū)。不立足于兩軸測(cè)試盲區(qū),很容易犯這種錯(cuò)誤。

      針對(duì)【盲區(qū)26】實(shí)例,有一種方法。在另外一個(gè)小窗口中提取0.2V區(qū)間小信號(hào)VI曲線,通過(guò)調(diào)高坐標(biāo)系,顯現(xiàn)雙向PN結(jié)2個(gè)拐點(diǎn)之間線段的電阻。但是這個(gè)方法只是對(duì)一部分x軸測(cè)試盲區(qū)有效,對(duì)y軸測(cè)試盲區(qū)無(wú)效。因?yàn)樾〈翱谡{(diào)低坐標(biāo)系,0.2V區(qū)間無(wú)法反映PN結(jié)特性。

      5cVI曲線實(shí)測(cè):采用5cVI曲線測(cè)試這個(gè)盲區(qū)問(wèn)題,VI曲線層次分明。100 Ω(綠線)和1kΩ(白線)坐標(biāo)系,只能看到雙向PN結(jié);10 kΩ(黃線)坐標(biāo)系,消除x軸測(cè)試盲區(qū),雙向PN結(jié)截止區(qū)段VI曲線趨近坐標(biāo)45°線,15 kΩ電阻顯現(xiàn);100 kΩ(粉線)和470 kΩ(藍(lán)線)坐標(biāo)系,x軸測(cè)試盲區(qū)轉(zhuǎn)化成為y軸測(cè)試盲區(qū)。此時(shí)只能看到15 kΩ電阻形式的VI曲線,反而看不到雙向PN結(jié)(圖18)。

      可見(jiàn),分析VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題必須立足于兩軸測(cè)試盲區(qū),從坐標(biāo)系這個(gè)視角看問(wèn)題。否則,處理問(wèn)題會(huì)顧此失彼。

      3.3 5cVI曲線測(cè)試3種器件并聯(lián)結(jié)點(diǎn)實(shí)例

      上面總結(jié)的30種盲區(qū)形式中,最多的是器件兩兩并聯(lián)。圖19是一幅5cVI曲線實(shí)測(cè)圖,圖中結(jié)點(diǎn)包括電容、電阻和反向PN結(jié)3種器件,充分展現(xiàn)5cVI曲線的測(cè)試優(yōu)勢(shì)。結(jié)合坐標(biāo)系,觀察5cVI曲線電容圖形的傾角,可以看出電阻阻值。

      4 結(jié)語(yǔ)

      通過(guò)對(duì)VI曲線測(cè)試盲區(qū)問(wèn)題理論分析,5cVI曲線必然是一種有效方法。5cVI曲線實(shí)踐應(yīng)用,也充分證明這一點(diǎn)。5cVI曲線是理論指導(dǎo)實(shí)踐的一個(gè)生動(dòng)案例。

      圖18 5cVI曲線消除VI曲線測(cè)試盲區(qū)實(shí)例

      圖19 5cVI曲線測(cè)試3種器件并聯(lián)結(jié)點(diǎn)實(shí)例

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