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      40.5 kV 氣體絕緣母線溫升控制方法

      2019-08-06 00:56:12李學(xué)斌
      武漢工程大學(xué)學(xué)報 2019年4期
      關(guān)鍵詞:黑度單相外殼

      楊 明,鄒 斌,李學(xué)斌

      湖北省電力裝備有限公司,湖北 武漢 430035

      應(yīng)用于高海拔地區(qū)大型光伏發(fā)電工程的氣體絕緣母線(gas insulated busbar,GIB)是中國電建集團(tuán)水電總院立項(xiàng)并牽頭,西北院設(shè)計、湖北裝備公司制造生產(chǎn)、黃河上游公司應(yīng)用的大型應(yīng)用型科技項(xiàng)目。GIB 是一種采用SF6 和N2 混合氣體絕緣、外殼與導(dǎo)體同軸布置的大電流電力傳輸設(shè)備。由于采用了壓縮氣體作為絕緣介質(zhì),設(shè)備尺寸和布置間距大大縮小,能在最大程度上減少設(shè)備布置所需的空間以及相應(yīng)的土建工程量。GIB無開斷和滅弧要求,制造相對簡單,其主要特點(diǎn)有:氣體絕緣全封閉結(jié)構(gòu),不受高海拔自然環(huán)境條件影響;載流量大,傳輸能力強(qiáng),損耗低;安裝簡單,運(yùn)行維護(hù)方便;可靠性高,抗震能力強(qiáng),使用壽命長。由于GIB 傳輸電流大(2 000~4 000 A),而要使GIB 占用安裝空間更小。零部件的溫度過高可能使材料的物理、化學(xué)性能發(fā)生變化,導(dǎo)致產(chǎn)品的機(jī)械性能和電氣性能下降,最后導(dǎo)致GIB 不能正常運(yùn)行,影響到整個輸電線路。因此,GIB 產(chǎn)品的散熱和溫升控制是重要的研究內(nèi)容。

      1 理論計算

      1.1 熱計算理論

      GIB 的外殼和導(dǎo)體都是發(fā)熱體,外殼和導(dǎo)體的電阻損耗所產(chǎn)生的熱量使其溫度升高,并向周圍的環(huán)境散熱。當(dāng)發(fā)熱量與散熱量相等時,GIB 處于熱穩(wěn)定狀態(tài),這時外殼和導(dǎo)體溫度不再發(fā)生變化,即穩(wěn)定溫度場。對于GIB 導(dǎo)體而言,其損耗在熱穩(wěn)定情況下,一部分以輻射方式傳給外殼,另一部分以自然對流方式傳給外殼,三者應(yīng)滿足第一熱平衡方程[1]:

      式(1)中,Pm為單位長度單相導(dǎo)體損耗;QmF為單位長度單相導(dǎo)體輻射散熱量;QmD為單位長度單相導(dǎo)體自然對流散熱量。上面3 個參數(shù)單位均為W/m。就外殼而言,它除了本身損耗外,還接收來自導(dǎo)體的熱量以及太陽輻射能量。這些熱量在熱穩(wěn)定情況下,全部以輻射和自然對流方式傳給環(huán)境。由此可建立第二熱平衡方程式[1]:

      式(2)中,PK為單位長度單相外殼損耗;Qt為戶外敷設(shè)的GIB 受太陽輻射能量;QkF為單位長度單相外殼輻射散熱量;QkD為單位長度單相外殼自然對流散熱量。上述4 個變量單位均為:W/m。

      當(dāng)GIB 的運(yùn)行條件、敷設(shè)方式、截面尺寸、材料、絕緣氣體等條件確定時,式(1)和式(2)中各項(xiàng)都只是導(dǎo)體溫度和外殼溫度的非線性函數(shù),求解可得GIB 的導(dǎo)體平均溫度和外殼平均溫度[1]。

      式(3)中,λe為當(dāng)量導(dǎo)熱系數(shù);θm為導(dǎo)體溫度,單位℃;θk為外殼溫度,單位℃;Rkn為外殼內(nèi)半徑,單位m;Rmw為導(dǎo)體外半徑,單位m。

      式()中,C0為黑體輻射系數(shù),其值為 (K),Dmw為導(dǎo)體外徑;εe為全組物體的相當(dāng)黑度。導(dǎo)體外表面黑度,表面光滑鋁一般為0.04~0.06,表面涂無光澤漆一般為0.85~0.9。

      式(5)中,αkD為對流換熱系數(shù);Dkw為外殼外徑;θ0為環(huán)境空氣溫度;θk為外殼溫度。

      式(6)中,b 為輻射修正系數(shù),水平敷設(shè)的GIB 中相b=2,邊相b=1;S 為水平敷設(shè)的GIB 相間距,單位是m。

      式(7)中,E 為太陽輻射通量,單位為W/m2;A 為外殼外表面吸收率,光滑鋁為0.26,淺色油漆位0.12~0.26,深色油漆為0.97~0.99,F(xiàn) 為外殼水平投射面積,單位為m2/m。

      1.2 GIB 的熱計算

      GIB 設(shè)計溫度限值:導(dǎo)體,105 ℃;外殼可觸及部位,70 ℃;外殼不可觸及部位,80 ℃。額定電流:2 500 A;試驗(yàn)電流:2 750 A;額定電壓:40.5 kV;GIB 相間距:0.5 m;環(huán)境溫度:40 ℃;導(dǎo)體外表面黑度:0.29;外殼內(nèi)表面黑度:0.29;外殼外表面黑度:0.5;A0=2.76e-2、U0=16.96e-6。

      按照以上參數(shù)進(jìn)行計算熱計算,確定了GIB導(dǎo)體和外殼尺寸,包括導(dǎo)體外徑、外殼內(nèi)徑、導(dǎo)體和外殼厚度。

      2 GIB 溫升型式試驗(yàn)

      2.1 溫升試驗(yàn)要求

      主回路的溫升試驗(yàn)應(yīng)該在裝有清潔的新開關(guān)裝置上進(jìn)行,且如果適用的話,在試驗(yàn)前充以用作絕緣的合適液體或處于最低功能壓力(密度)的氣體。試驗(yàn)應(yīng)在戶內(nèi)、大體上無空氣流動的環(huán)境下進(jìn)行,受試開關(guān)裝置本身發(fā)熱引起的氣流除外。進(jìn)行單相試驗(yàn)時,外殼中電流應(yīng)代表最苛刻的條件。對于特備大型的開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備,它們的對地絕緣對溫升沒有明顯的影響,對地絕緣可以顯著地降低[2-3]。

      接到主回路的臨時連接線,應(yīng)該使試驗(yàn)時與實(shí)際運(yùn)行時的連接相比較,沒有明顯的熱量從開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備散出或向開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備傳入[2-3]。

      試驗(yàn)應(yīng)該持續(xù)足夠長的時間以使溫升達(dá)到穩(wěn)定。如果在1 h 內(nèi)溫升不超過1 K,可認(rèn)為達(dá)到這一狀態(tài)。開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備各部分溫升不應(yīng)該超過GB/T 11022-2011 高壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的共用技術(shù)要求中表三的規(guī)定值[2-3]。

      2.2 GIB 第一次溫升試驗(yàn)結(jié)果

      試驗(yàn)條件為:

      試驗(yàn)電流:2 750 A(武高所規(guī)定試驗(yàn)電流=110%額定電流)

      試驗(yàn)相數(shù):單相

      連接排規(guī)格:(3×100)mm×10 mm×3 000 mm銅排;試驗(yàn)設(shè)備:TP9032U 多路溫度記錄儀(測量范圍:-100~400 ℃);

      測試參數(shù):各測點(diǎn)溫升。

      由表1 可以看出第一次溫升試驗(yàn)值溫度均超過技術(shù)要求,溫升試驗(yàn)未通過。

      表1 第一次溫升試驗(yàn)結(jié)果Tab.1 Results of the first experiment K

      3 溫升控制

      3.1 影響溫升的因素

      GIB 外殼尺寸和導(dǎo)體尺寸是影響溫升的因素之一,為了達(dá)到最小體積輸送最大的電流,要求GIB 的尺寸不可能太大,在基于理論計算的前提下,確定了GIB 外殼尺寸和導(dǎo)體尺寸,按照相關(guān)尺寸制造出的GIB 產(chǎn)品進(jìn)行的溫升試驗(yàn)無法通過。故而,影響溫升的核心因素不是GIB 外殼尺寸和導(dǎo)體尺寸,而是其它原因。

      導(dǎo)體的電阻率也是影響溫升的因素之一。目前,鋁導(dǎo)體的電阻率基本不能達(dá)到理論值,而且不同廠家生產(chǎn)的鋁導(dǎo)體電阻率也不一樣,不能保證溫升在技術(shù)范圍之內(nèi)[1,4-6]。

      同時,裝配環(huán)境(包括溫度,濕度,潔凈度等)對整個GIB 產(chǎn)品的溫升試驗(yàn)也有一定的影響。

      根據(jù)式(4)可以發(fā)現(xiàn),影響溫升的關(guān)鍵因素則在于導(dǎo)體和外殼的表面黑度數(shù)據(jù)選擇(與金屬材料表面處理方式關(guān)系很大)。光滑的鋁合金表面黑度一般不大于0.1,氧化或磨砂處理后為0.2~0.3,表面涂漆[7]后則可達(dá)0.8~0.9。表面黑度的取值對熱平衡計算結(jié)果影響極大,對GIB 外形尺寸和材料的選擇起關(guān)鍵作用。

      3.2 降低溫升的方法GIB

      結(jié)合 熱計算理論,可知導(dǎo)體的輻射系數(shù)直接影響導(dǎo)體的散熱,綜合考慮影響溫升的因素,我們采取了在母線導(dǎo)體和外殼外表面涂黑色輻射散熱降溫涂料[7-13],如圖1 所示,增加導(dǎo)體的輻射系數(shù)的方法進(jìn)行溫升控制。涂料厚度為200 μm,根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù),表面涂漆后導(dǎo)體的黑度可達(dá)0.8~0.9。

      3.3 GIB 第二次溫升試驗(yàn)結(jié)果

      試驗(yàn)條件為:

      試驗(yàn)電流:2 750 A(110%額定電流)

      試驗(yàn)相數(shù):單相

      連接排規(guī)格:(3×100)mm×10 mm×3 000 mm銅排

      試驗(yàn)設(shè)備:TP9032U 多路溫度記錄儀(測量范圍:-100~400 ℃)

      圖1 涂黑色輻射散熱降溫涂料后的GIB 樣機(jī)Fig.1 GIB prototype coated with black radiation cooling paint

      測試參數(shù):各測點(diǎn)溫升

      第二次溫升試驗(yàn)結(jié)果顯示,試驗(yàn)值溫度均滿足技術(shù)要求(見表2),溫升試驗(yàn)順利通過,并出具了型式試驗(yàn)報告。

      表2 第二次溫升試驗(yàn)結(jié)果(摘自武高所試驗(yàn)報告)Tab.2 Results of the second Reat rum test(extracted from test report of Wuhan high pressure test institute) K

      通過對第一次試驗(yàn)結(jié)果與第二次試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對比(見表3),在對GIB 導(dǎo)體和外殼外表面涂黑色輻射散熱降溫涂料,可以顯著降低設(shè)備運(yùn)行時各部位的溫升,有效的控制設(shè)備各測點(diǎn)的溫升處于國家標(biāo)準(zhǔn)值以下。

      表3 溫升試驗(yàn)數(shù)據(jù)對比Tab.3 The contrast of Reat rum test data K

      4 結(jié) 語

      對應(yīng)用于高海拔地區(qū)大型光伏發(fā)電工程的GIB 試驗(yàn)中出現(xiàn)的溫升問題進(jìn)行了分析和研究,結(jié)合GIL、GIS 相關(guān)高壓設(shè)備的溫升控制經(jīng)驗(yàn),采取在母線導(dǎo)體和外殼外表面涂黑色輻射散熱降溫涂料的方法,增加導(dǎo)體的黑度,進(jìn)而提高了整個導(dǎo)體的散熱性能,順利通過了溫升試驗(yàn)。第二次試驗(yàn)結(jié)果表明:在不改變GIB 產(chǎn)品幾何尺寸時,涂黑色輻射散熱降溫涂料,增加導(dǎo)體黑度可以將溫升控制在技術(shù)要求內(nèi),驗(yàn)證了增加導(dǎo)體黑度進(jìn)而可以控制整個溫升的可行性。該試驗(yàn)只是在試驗(yàn)狀態(tài)下驗(yàn)證了涂黑色輻射散熱降溫涂料可有效控制溫升。考慮到產(chǎn)品實(shí)際運(yùn)行時,導(dǎo)體長時間發(fā)熱,下一步需對涂覆在導(dǎo)體表面的涂料是否有脫落的可能及其對整個設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的影響程度進(jìn)行研究。對于溫升控制,在不改變GIB 產(chǎn)品占用小空間的前提下,除了增加導(dǎo)體的輻射系數(shù)以外,還可以從降低導(dǎo)體電阻率、研制新型合金材料等方面進(jìn)行研究,尤其是研制具有較低電阻率、良好散熱性能的新型合金材料更具有發(fā)展前景。

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