郭思琪, 鄒學(xué)軍, 董玉瑛, 崔玉波
(大連民族大學(xué) 環(huán)境與資源學(xué)院, 遼寧 大連 116600)
Cr(VI)作為水體中優(yōu)先控制污染物,具有溶解性高、毒性強(qiáng)、能致畸、致突變的特點(diǎn)[1],來源主要是紡織、印染、制革、電鍍、木材防腐等工業(yè)廢水的不合理排放[2]。傳統(tǒng)去除工業(yè)廢水中Cr(VI)的方法主要有物理吸附法、離子交換法、微生物法、電化學(xué)處理法等[3];而以上方法大多成本較高,且易造成二次污染。因此,如何高效、經(jīng)濟(jì)地處理含Cr(VI)工業(yè)廢水已成為目前水污染治理方面的重要課題[4]。
近年來,光催化還原法具有效率高,成本低,污染小的優(yōu)點(diǎn),受到廣泛關(guān)注[5]。區(qū)別于高能耗的傳統(tǒng)重金屬污染治理方式,光催化還原技術(shù)可利用太陽光能將工業(yè)廢水中Cr (Ⅵ) 還原成人體所需的微量元素Cr (Ⅲ)[6],無二次污染且具有高效性。
WO3是一種典型的n型半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度低(2.4~2.8 eV)、性質(zhì)穩(wěn)定、無二次污染等特點(diǎn),被認(rèn)為是有前景的可見光光催化劑[7]。但WO3存在電子傳輸能力低、氧化還原性弱、降解穩(wěn)定性低等缺點(diǎn),使其廣泛應(yīng)用受到了限制[8]。因此,解決此問題的研究主要集中于對其進(jìn)行改性。目前,采用不同半導(dǎo)體復(fù)合以提高WO3催化性能方面已有許多報道。陳亮等[9]用共沉淀法制備的新型CeO2-WO3復(fù)合氧化物催化劑對NOx表現(xiàn)出良好的還原性。侯靜靜等[10]以水熱法制備的MoS2/WO3復(fù)合半導(dǎo)體光催化劑對羅丹明B的光催化活性較WO3有顯著提高。喻洋等[11]采用噴霧干燥-高溫煅燒兩步法制備的介孔TiO2/WO3空心球復(fù)合材料對甲基藍(lán)吸附能力極佳,在可見光下幾乎完全去除污染物。由此可見,采用半導(dǎo)體復(fù)合方式改性WO3催化活性為一種有效的方法。
稀土釩酸鹽因其特殊的4f電子外層結(jié)構(gòu)在光催化領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用[12]。在鑭系元素中,La3+半徑最大,易形成高配位數(shù)且穩(wěn)定的單斜相結(jié)構(gòu),提高光催化性能[13]。鑒于此,通過水熱法制備LaVO4/WO3復(fù)合納米片光催化劑,并對合成產(chǎn)物進(jìn)行表征,以含Cr(VI)廢水為研究對象,探討了LaVO4/WO3復(fù)合納米片光催化劑在可見光下還原水中Cr(VI)效果并研究了其可能的光催化還原機(jī)理。
試劑:鎢酸鈉 (Na2WO4·2H2O)、氫氧化鈉(NaOH)、偏釩酸銨(NH4VO3)、硝酸鑭(La(NO3)3·6H2O)、硝酸鈉 (NaNO3)、草酸(H2C2O4)、重鉻酸鉀(K2Cr2O7)、無水乙醇。以上試劑均為分析純(AR),購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司,實(shí)驗(yàn)用水為去離子水。
稱取6.5 mmol NaOH與6.5 mmol NH4VO3溶解于10 mL去離子水中, 攪拌15 min后向其中加入13 mL 0.5 mol/L的La (NO3)3,攪拌10 min。最后將所得溶液移入反應(yīng)釜中,保持200℃水熱反應(yīng)48 h,自然冷卻到室溫。用去離子水和無水乙醇清洗,后在60°C下烘干[14],即得LaVO4。
稱取4.04 g Na2WO4·2H2O溶解于25 mL去離子水中,向其中逐滴加入25 mL HCl,攪拌15 min。將0.274 g草酸溶于50 mL去離子水中,后與上述溶液混合,攪拌30 min。將LaVO4分別以不同質(zhì)量比(1%、2%、3%、4%、5%)加入其中繼續(xù)攪拌(純WO3的制備過程省略此步驟)。后將所得溶液移入60 mL反應(yīng)釜中,保持90℃水熱反應(yīng)3 h,自然冷卻至室溫。用去離子水和無水乙醇清洗,在60℃下烘干。最后在馬弗爐中以5℃/min速率升溫至500℃煅燒1 h,即得到LaVO4/WO3復(fù)合納米片。
采用LabX - 6000 X 射線粉末衍射儀( Cu Kα,λ=1.5406 )進(jìn)行晶型分析,掃描范圍為20°~70°,掃描步速為0.02°/s; 光催化劑表面形貌使用JSM-5600LV型掃描電子顯微鏡(日本電子光學(xué)公司)進(jìn)行測試;采用X-射線光電子能譜儀(日本島津公司)分析光催化劑的化學(xué)組成和化學(xué)價態(tài);光催化劑的吸光性能使用紫外可見漫反射光譜儀(PerkinElmer公司)進(jìn)行測試,掃描波長范圍為200~700 nm。
向200 mL 50 mg/L的K2Cr2O7溶液中加入0.01 g催化劑,在暗反應(yīng)下攪拌60 min,以達(dá)到吸附-脫附平衡狀態(tài),將此時的混合溶液作為零時刻樣品。將混合溶液置于500W氙燈下15 cm處照射,每隔30 min取出2 mL樣液,離心15 min,在340 nm處測定上層清液的吸光值。
如圖1為不同LaVO4含量光催化劑的XRD圖譜。由圖1可知,LaVO4/WO3復(fù)合納米片的主要強(qiáng)峰出現(xiàn)在2θ為23.10°、23.58°、24.34°、34.15°處,分別對應(yīng)(002)、(020)、(200)、(202)晶面,與WO3(JCPDS No.83-0950)標(biāo)準(zhǔn)圖譜吻合,表明復(fù)合納米片晶型結(jié)構(gòu)為單斜晶型[15],狹窄的衍射峰表明了其結(jié)晶度較好。與WO3相比,LaVO4/WO3復(fù)合納米片衍射峰的峰強(qiáng)有所增加但峰位未發(fā)生明顯移動,推測是因?yàn)長aVO4的衍射峰較弱且與WO3的(120)和(112)晶面所對應(yīng)的衍射峰位較為接近,發(fā)生衍射峰位的部分融合或重疊導(dǎo)致[16]。由Scherrer公式和Bragg公式[17]計算出樣品的粒徑和晶胞參數(shù),見表1。計算結(jié)果表明,LaVO4負(fù)載WO3后,WO3粒徑尺寸、晶胞參數(shù)均增大,說明LaVO4的負(fù)載能促進(jìn)WO3晶粒的生長。這可能是因?yàn)長a3+離子半徑(0.103 nm)與W6+(0.068 nm)相差較大,部分La3+進(jìn)入到WO3晶格中,使其發(fā)生晶格缺陷[18],從而促進(jìn)了WO3晶粒的成長。Zheng等[19]研究表明,光催化劑的晶格缺陷可作為活性位點(diǎn),促進(jìn)光生載流子的分離。由此可知,LaVO4的負(fù)載可增強(qiáng)WO3光催化活性。
圖1 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑的XRD圖
表1 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑的晶粒尺寸及晶胞參數(shù)表 nm
圖2為WO3和3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片的SEM圖。由圖2(a)可見,WO3粒子大小不均勻,粒徑約為30~100 nm。主體呈零散方塊狀,棱角明顯;部分呈納米顆粒狀附在其上,有團(tuán)聚現(xiàn)象。由圖2(b)可知,3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片粒徑約為250~500 nm,呈排列疏松的薄圓片狀,顆粒之間界限清晰,分散性強(qiáng)。晶粒的團(tuán)聚可能會遮蓋具有光催化性能的晶面,而LaVO4的負(fù)載能夠改變WO3的團(tuán)聚現(xiàn)象,彌補(bǔ)這一缺陷,使得復(fù)合納米片的光催化性能得以提高。除此之外,SEM結(jié)果表明LaVO4能增大WO3的粒徑,這可能與La3+進(jìn)入WO3晶格之中使其發(fā)生晶格畸變有關(guān),與XRD分析結(jié)果一致。
圖2 WO3和3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片的SEM圖
為了確定LaVO4/WO3復(fù)合納米片的成分,對3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片進(jìn)行XPS測試,結(jié)果如圖3所示。圖3(a)為3% LaVO4/WO3的全譜掃描圖,由圖3(a)可知,該樣品含W、O、C、V、La 5種元素,說明LaVO4成功摻雜入WO3之中,與預(yù)期結(jié)果一致。而C元素可能來源于樣品測試時吸附的空氣中的CO2[20],非樣品所固有。
由圖3(b)可知,O1s峰由兩部分組成,結(jié)合能分別為530.5和531.0 eV,分別對應(yīng)晶格氧(結(jié)合能為529.5 ~530.5 eV)和吸附氧(結(jié)合能為531.0 eV)[21],后者對應(yīng)W-O和V-O鍵中的結(jié)合能。由圖3(c)可知,在約523.68和516.37 eV處的兩個峰,分別屬于V2p5/2和V2p3/2,表明3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片中V 為+5價[22]。如圖3(d)所示,La 3d在834.26和851.15 eV處有兩個峰,分別對應(yīng)La 3d5/2和La 3d3/2[23],表明La以+3價形式存在。W 4f圖譜如圖3(e)所示,擬合后W 4f主雙峰的結(jié)合能位于約32.4 eV和34.5 eV處,對應(yīng)W6+的4f7/2和4f5/2[24],與晶格結(jié)構(gòu)中W6+的結(jié)合能相符,說明W主要以+6價形式存在。次雙主峰的結(jié)合能為33.2 eV和35.3 eV,對應(yīng)于W5+的4f7/2和4f5/2[25],說明少量W以+5形式存在。Leghari等[26]的研究表明,在光照條件下,W6+可以束縛光生電子,并轉(zhuǎn)化成W5+,可以有效分離電子和空穴。由此可推測LaVO4的負(fù)載使得WO3自身具有的氧空位得到擴(kuò)散,生成W5+。此時,原本全部是W6+的5 d軌道將部分被W5+占據(jù)[27],此后5 d軌道將用于傳遞電子從而減小了光生電子和空穴的復(fù)合幾率,提高了光催化活性。XPS分析結(jié)果表明,LaVO4與WO3成功負(fù)載。
圖3 3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片XPS圖譜
如圖4(a)為不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑樣品的DRS圖。由圖4(a)可知,LaVO4在紫外和可見光區(qū)吸收值均較高,以不同質(zhì)量比負(fù)載WO3后,WO3吸收邊有一定的紅移,說明LaVO4的復(fù)載能夠擴(kuò)大WO3光吸收范圍,提高其對可見光吸收能力[28]。利用公式(αhν)1/2=A(hν-Eg)作圖得到圖4(b),對光譜吸收邊做切線延長至x軸得到其禁帶寬度[29],見表2。(其中α,ν,A,h和Eg分別為吸收系數(shù),光的頻率,比例常數(shù),普朗克常數(shù)和帶隙能)。
由表2可知,LaVO4的負(fù)載能夠明顯窄化WO3禁帶寬度,這可能是LaVO4摻入WO3晶格中引起晶格缺陷所致,與上述XRD和XPS分析結(jié)果一致。禁帶寬度的大小影響光催化的催化性能,理論上禁帶寬度越窄,光催化性越強(qiáng)[30]。因此,3%LaVO4/WO3復(fù)合納米片中可能是其中最有效的光催化劑。
此外,通過禁帶寬度可以繼續(xù)探討能帶結(jié)構(gòu)位置。根據(jù)電負(fù)性理論,LaVO4、WO3及LaVO4/WO3復(fù)合納米片中的價帶能量和導(dǎo)帶能量可由價帶導(dǎo)帶公式計算[31](公式(1)~(2))。
ECB=X-Ee-0.5Eg
(1)
EVB=ECB+Eg
(2)
式中:ECB為導(dǎo)帶最低電位,eV;X為半導(dǎo)體的電負(fù)性;Ee為自由電子的電勢,大約為4.5 eV;Eg為半導(dǎo)體禁帶寬度,eV;EVB為價帶最高電位,eV;計算結(jié)果同見表2。
表2 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑的禁帶寬度、導(dǎo)帶和價帶值 eV
圖5為不同光催化劑對Cr(VI)的還原效果及動力學(xué)曲線圖,表3為擬合的一級動力學(xué)方程結(jié)果。由表3可知,ln(C0/C)與時間t線性關(guān)系較好(R2≥0.97),表明LaVO4/WO3復(fù)合納米片對Cr(VI)的還原滿足一級反應(yīng)動力學(xué)方程[32]。由圖5(a)可知,純WO3在可見光下照射2.5 h后,Cr(VI)還原率僅為11%,光催化還原性較弱;而LaVO4以不同質(zhì)量比(1%、2%、3%、4%、5%)復(fù)載WO3后,WO3光催化還原性有明顯提高,其對Cr(VI)的還原率可以分別達(dá)到55%、66%、92%、89%、85%。該結(jié)果表明,Cr(VI)的還原率隨LaVO4負(fù)載量增加呈先增大后減小的趨勢。當(dāng)LaVO4負(fù)載量為3%時,Cr(VI)還原率達(dá)到最佳值,為92%,是WO3還原率的8.3倍,此時復(fù)合納米片的還原速率為0.9757/h。這表明3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片是其中最有效的光催化劑,與DRS分析結(jié)果一致。復(fù)合納米片光催化還原性的增強(qiáng)可能是因?yàn)長aVO4進(jìn)入WO3晶格之中,使其發(fā)生氧空位擴(kuò)散現(xiàn)象。WO3的氧空位屬于正電中心,帶正電荷,可以束縛自由電子[33]。WO3氧空位的擴(kuò)散,使得被其束縛的電子數(shù)目增加, 從而減少光生電子與空穴的復(fù)合[34],增強(qiáng)了復(fù)合納米片光催化還原能力。此外,WO3氧空位含量的增加使得界面電子的遷移和分離速率有所提高[35],可以促進(jìn)自由電子與光催化劑表面污染物質(zhì)的氧化還原反應(yīng),更進(jìn)一步提高了光催化劑的光催化活性。然而過多的LaVO4會覆蓋在WO3表面,減小WO3的光催化有效面積,使進(jìn)行光催化的反應(yīng)活性位點(diǎn)減少[36],影響其對可見光的吸收,使得WO3的光催化還原能力有所減弱。
表3 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑對水體中Cr(VI)還原反應(yīng)動力學(xué)方程
圖4 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑的可見紫外漫反射光譜圖及對應(yīng)的禁帶寬度圖
圖5 不同LaVO4含量復(fù)合納米片光催化劑在可見光下對Cr(VI)的還原效果及動力學(xué)曲線圖
基于以上分析,對3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片在可見光下還原水中Cr(VI)體系提出了可能的反應(yīng)機(jī)理,見圖6,其中主要的反應(yīng)方程式見方程式(3)~(5)。在可見光作用下,LaVO4和WO3被激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對,如方程式(3)所示。由圖6可知,在3% LaVO4/WO3復(fù)合納米片中,WO3價帶(3.11 eV)和導(dǎo)帶(1.08 eV) 位置均遠(yuǎn)遠(yuǎn)正于LaVO4(價帶1.87 eV,導(dǎo)帶0.63 eV),所以在可見光輻射下,光生電子從LaVO4導(dǎo)帶躍遷到WO3導(dǎo)帶上,光生空穴被激發(fā)從WO3價帶躍遷到LaVO4價帶。一方面,光生空穴與吸附在復(fù)合納米片表面的水分子反應(yīng)生成氧氣和H+[37],如方程式(4)所示。研究表明,酸性條件有利于水體中Cr(VI)的還原[38],所以光生空穴的氧化反應(yīng)對LaVO4/WO3復(fù)合納米片的光催化還原能力有促進(jìn)作用。
圖6 3%LaVO4/WO3復(fù)合納米片在可見光下對水中Cr(VI)的還原機(jī)理圖
LaVO4/WO3+hv→e-+h+
(3)
H2O+4h+→O2+4H+
(4)
Cr2O72-+6e-+12H+→2Cr3++6H2O
(5)
另一方面,光生電子具有強(qiáng)還原性,可將Cr(VI)還原成人體所需的微量元素Cr(III),無二次污染且具有高效性。此外,部分光生電子與W6+結(jié)合,使得WO3氧空位得到擴(kuò)散,生成W5+。此時,原本全部是W6+的5 d軌道將部分被W5+占據(jù)。此后,5 d軌道將用于傳遞電子,從而減小了光生電子和空穴的復(fù)合幾率。Wang等[39]的研究表明,在可見光照射下,W5+會產(chǎn)生自由電子,這些自由電子與W5+反應(yīng),在催化劑表面生成W6+和·O2-。W6+和W5+之間的轉(zhuǎn)化過程構(gòu)成一個循環(huán)系統(tǒng),生成大量的超氧自由基(·O2)。超氧自由基的生成可抑制光生電子與空穴的復(fù)合[40],可進(jìn)一提高復(fù)合納米片的光催化還原能力。LaVO4和WO3之間的能帶結(jié)構(gòu)促進(jìn)了光生電子的轉(zhuǎn)移,能夠有效減少光生電子與空穴的復(fù)合作用率,有利于提高LaVO4/WO3復(fù)合納米片的光催化還原性能。
(1)通過水熱法成功制備了LaVO4/WO3復(fù)合納米片光催化劑。其呈排列疏松的薄圓片狀,尺寸約為250~500 nm,具有可見光響應(yīng)范圍較大、電子-空穴對的分離效率較高、光催化還原性較強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
(2)LaVO4能進(jìn)入WO3晶格之中,使其產(chǎn)生晶格缺陷;晶格缺陷可作為活性位點(diǎn),促進(jìn)光生載流子的分離,提高WO3的光催化活性。而過多的LaVO4會覆蓋在WO3表面,使得光催化的反應(yīng)活性位點(diǎn)減少,WO3的光催化還原能力減弱。
(3)LaVO4能使WO3的氧空位得到擴(kuò)散,W6+的5 d軌道將部分被W5+占據(jù),用于傳遞電子,從而減少了光生電子與空穴的復(fù)合;二者之間的能帶結(jié)構(gòu)能夠促進(jìn)光生電子的轉(zhuǎn)移,提高光生電子還原工業(yè)廢水中Cr(VI)的效率,進(jìn)而提高了復(fù)合納米片的光催化還原能力。
(4)LaVO4/WO3復(fù)合納米片光催化劑在可見光作用下,在還原工業(yè)廢水中Cr(VI)實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出比WO3更高的光催化還原性,當(dāng)LaVO4以3%的質(zhì)量比負(fù)載WO3時對Cr(VI)的還原率最高,可達(dá)92%,其還原效率是純WO3的8.3倍。
(5)本研究為重金屬工業(yè)廢水,特別是難降解重金屬污染物的綠色治理技術(shù)的研發(fā)提供了理論參考。