表面吸附K原子的多層FeSe/SrTiO3(001)薄膜的抗磁響應(yīng)的原位測(cè)量?

陳傳廷 姚鋼 段明超 管丹丹 李耀義2) 鄭浩2)王世勇2) 劉燦華2)? 賈金鋒2)

1)(上海交通大學(xué)物理與天文學(xué)院,人工結(jié)構(gòu)及量子調(diào)控教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200240)

2)(人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心,南京 210093)

(2018年8月12日收到;2018年9月14日收到修改稿)

1 引 言

近年的研究發(fā)現(xiàn),在SrTiO3(001)單晶表面上生長(zhǎng)的單層FeSe薄膜(單層FeSe/STO)具有高達(dá)65—109 K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(Tc)[1?5],這比FeSe體相的Tc(約9 K)有了極大幅度的提升[6].該體系的界面超導(dǎo)增強(qiáng)機(jī)制引起了廣泛的研究興趣,各種因素,包括FeSe/STO界面增強(qiáng)的電子-聲子耦合[7?10]、自旋漲落[11?13]、襯底對(duì)FeSe薄膜晶格的拉伸應(yīng)力[11,13,14]以及襯底對(duì)FeSe薄膜的電子摻雜效應(yīng)[15?17]等,都受到了研究者們的關(guān)注,但至今尚未有定論.在此基礎(chǔ)之上,研究者們也在嘗試著尋找其他類似的高Tc的FeSe衍生材料,其中的代表性體系之一是在多層FeSe薄膜上吸附K原子(K/FeSe).由于K原子的電負(fù)性很強(qiáng),極容易將一部分電子轉(zhuǎn)移給FeSe薄膜,因而有可能誘導(dǎo)出高溫超導(dǎo).在最近的多個(gè)角分辨光電子能譜(angle-resolved photoemission spectroscopy,ARPES)和掃描隧道顯微鏡(scanning tunneling microscope,STM)的實(shí)驗(yàn)中[18?23],的確在K/FeSe體系的費(fèi)米能級(jí)(EF)處觀察到了一個(gè)類超導(dǎo)能隙(superconducting-like energy gap),而且該能隙大小隨著K覆蓋量的增加先增大后飽和或者減小,能隙閉合的最高溫度約為44—46 K[18,20,23].但是,K/FeSe體系的超導(dǎo)特性尚未在零電阻或邁斯納效應(yīng)等物性測(cè)量實(shí)驗(yàn)當(dāng)中得到證實(shí).其主要原因在于吸附在多層FeSe薄膜表面的K原子的化學(xué)活性太強(qiáng),樣品一旦從超高真空腔中取出,立刻會(huì)被大氣污染,而且也無法找到合適的保護(hù)層覆蓋其上.所以,對(duì)于以往只能對(duì)各種超導(dǎo)薄膜材料進(jìn)行非原位測(cè)量的物性測(cè)量手段,都無法應(yīng)用于對(duì)K/FeSe的電學(xué)或磁學(xué)特性的測(cè)量.

鑒于此,本研究利用獨(dú)自研發(fā)的一套特殊的掃描隧道顯微鏡(STM Plus,STM+),成功地對(duì)一塊表面吸附了K原子的多層FeSe薄膜樣品進(jìn)行了一系列系統(tǒng)的研究,不但用STM觀察到了該K/FeSe樣品的成膜質(zhì)量和K原子在表面的分布狀況,用STS(scanning tunneling spectroscope)測(cè)量到了類超導(dǎo)能隙隨著K原子覆蓋量的變化,而且還用原位雙線圈互感測(cè)量技術(shù),觀測(cè)到了該樣品起源于邁斯納效應(yīng)的抗磁響應(yīng),并由此確定了該樣品的Tc=23.9 K,其超導(dǎo)序參量可能具有S±配對(duì)對(duì)稱性.

2 實(shí) 驗(yàn)

本研究的多層FeSe薄膜是用分子束外延技術(shù)在摻雜Nb(0.7 wt%)的STO(001)單晶襯底表面上生長(zhǎng)的.對(duì)STO單晶(尺寸為10 mm×2.8 mm×0.5 mm)通直流電加熱至550?C除氣約10 h,再將溫度升至980?C,并在富Se氛圍下退火約30 min,隨后將襯底溫度降至350?C進(jìn)行多層FeSe薄膜的生長(zhǎng)[24].FeSe薄膜是通過高純度的Se(99.999%)和Fe(99.995%)共沉積的形式(束流比約為20:1)生長(zhǎng)的.通過反射式高能電子衍射(reflection highenergy electron diffraction,RHEED)監(jiān)控薄膜的生長(zhǎng),得到生長(zhǎng)一層FeSe薄膜對(duì)應(yīng)的衍射條紋的強(qiáng)度變化時(shí)間為12.5 min.本實(shí)驗(yàn)所用FeSe薄膜連續(xù)生長(zhǎng)了44 min,因而其名義厚度為3.5層.FeSe薄膜生長(zhǎng)結(jié)束后被加熱至450?C退火1 h,以進(jìn)一步去除多余的Se原子,提高FeSe薄膜的平整度和結(jié)晶質(zhì)量.將多層FeSe薄膜樣品在液氦環(huán)境中的STM樣品臺(tái)上放置足夠長(zhǎng)時(shí)間后,快速(時(shí)間短于半分鐘)傳至室溫環(huán)境下的生長(zhǎng)腔中進(jìn)行1 min時(shí)長(zhǎng)的K吸附(保守估計(jì)樣品溫度可保持在150 K以下),然后再快速傳回至STM樣品臺(tái)進(jìn)行STM及原位雙線圈交流互感的測(cè)量.K原子的吸附速率約為0.075 ML/min,1 ML(monolayer)為FeSe最上層Se原子的面密度.

本研究所用的儀器設(shè)備是自行設(shè)計(jì)研制的一臺(tái)特殊的掃描隧道顯微鏡(STM Plus,STM+)[5,25,26].與普通STM相比,STM+的壓電陶瓷掃描管具有耳塞孔型排列的四個(gè)電極,配合相應(yīng)的耳塞插桿型四電極探針托,不但具備正常的STM和STS的測(cè)量功能,也可用于原位四探針電輸運(yùn)測(cè)量和雙線圈交流互感測(cè)量.圖1(a)的下半部是自行設(shè)計(jì)的線圈托(coil holder),其下端是耳塞插桿型排列的四電極插頭(earphone-like electrode plug),頂端是用絕緣膠固定的一段長(zhǎng)8 mm、直徑1.6 mm的陶瓷棒,用于纏繞線圈.圖1(b)是本實(shí)驗(yàn)中用的差分式線圈的纏繞示意圖及其工作原理圖.激勵(lì)線圈(drive coil)約300圈,繞在陶瓷棒中段,其兩端相隔大致同樣距離處纏繞著相互反向串聯(lián)的感應(yīng)線圈(pick-up coil),各約10圈.

圖1 雙線圈互感測(cè)量 (a)裝置示意圖;(b)原理圖Fig.1.Schematic diagrams of(a)the two-coil mutual inductance measurement instrument and(b)its measurement illustration.

實(shí)驗(yàn)中,將感應(yīng)線圈組的一端靠近樣品,如果樣品處于高溫下的正常態(tài),在激勵(lì)線圈中施加的交變電流可在感應(yīng)線圈組中產(chǎn)生方向相反、大小(近似)相等的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì);而當(dāng)溫度降低,樣品進(jìn)入超導(dǎo)態(tài)后,兩個(gè)感應(yīng)線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的平衡將因?yàn)槌瑢?dǎo)體對(duì)磁場(chǎng)的排斥(邁斯納效應(yīng))而被破壞,從而導(dǎo)致兩個(gè)感應(yīng)線圈的總輸出電壓出現(xiàn)凈增加.測(cè)量中,感應(yīng)線圈中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與激勵(lì)線圈中輸入電流之間相位差的期待值為90?,但由于激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈之間存在著寄生電容,會(huì)發(fā)生寄生相移,所以實(shí)際相位差為89?±5?.線圈托由STM壓電陶瓷滑塊驅(qū)動(dòng),可以使其頂部輕觸到樣品表面,以便提升超導(dǎo)抗磁信號(hào)的探測(cè)靈敏度,但又不會(huì)大范圍破壞薄膜樣品.

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

STM+的一大優(yōu)勢(shì)是可以對(duì)同一塊樣品進(jìn)行原位的結(jié)構(gòu)表征與物性測(cè)量.在實(shí)驗(yàn)中,首先用STM觀察了所生長(zhǎng)的FeSe薄膜的質(zhì)量以及之后在其表面上吸附的K原子的空間分布.圖2(a)是本次實(shí)驗(yàn)中生長(zhǎng)的FeSe薄膜的典型的STM圖,之后的所有實(shí)驗(yàn)都在該樣品上進(jìn)行.圖中所有的臺(tái)階高度均為約0.55 nm,對(duì)應(yīng)于1個(gè)單元層(unitcell layer,UC)FeSe薄膜的厚度.具有原子分辨率的STM圖顯示薄膜的質(zhì)量很高,各種在單層FeSe薄膜上常見的缺陷在多層FeSe薄膜上并不多見(圖2(b)).FeSe薄膜表面呈現(xiàn)出許多無規(guī)則的疇界,其兩側(cè)是不同生長(zhǎng)取向的疇區(qū),與文獻(xiàn)報(bào)道一致[17,27].薄膜各個(gè)平臺(tái)的平整度都很高,適合進(jìn)一步進(jìn)行K原子的吸附及其結(jié)構(gòu)與物性的測(cè)量.圖2(c)—(h)是該FeSe薄膜樣品表面上吸附了不同量的K原子后的STM圖.當(dāng)K原子覆蓋量(K coverage,Kc)非常低(小于0.23 ML)時(shí),每個(gè)K原子均呈現(xiàn)一個(gè)大小和高度相似的亮點(diǎn).隨著Kc的不斷升高,K原子從一開始稀疏無序的均勻分布(0.05 ML,圖2(c))逐漸出現(xiàn)短程有序的分布(0.11 ML,圖2(d)),再進(jìn)而形成局域性分布的√5×√5和2×2表面超結(jié)構(gòu)(0.17 ML),分別如圖2(e)中藍(lán)色與紅色小點(diǎn)所示.這一變化過程與文獻(xiàn)報(bào)道一致[19,22,23].√5×√5和2×2超結(jié)構(gòu)是K原子在FeSe薄膜上單層密致排布的結(jié)果,分別對(duì)應(yīng)于Kc=0.20 ML和Kc=0.25 ML.在Kc達(dá)到0.22 ML時(shí),從圖2(f)的STM圖可見,無法再分辨出所有的單個(gè)K原子了,這說明K原子已經(jīng)向面外方向堆積起來,形成了非晶結(jié)構(gòu)的K原子膜.雖然是非晶結(jié)構(gòu),但K原子膜還是比較平整的,其高度起伏不大(<150 pm),小于臺(tái)階高度.從不同位置的大范圍STM圖(0.28 ML,圖2(g)—(h))也可見,K原子膜非常均勻地覆蓋在FeSe薄膜表面.

圖2 STO襯底上生長(zhǎng)的多層FeSe薄膜在吸附了不同覆蓋量的K后的STM圖,I=100 pA (a)Kc=0,Vs=2.6 V;(b)Kc=0,Vs=1 V;(c)Kc=0.05 ML,Vs=2.0V;(d)Kc=0.11 ML,Vs=2.5 V;(e)Kc=0.17 ML,Vs=1.1 V,藍(lán)點(diǎn)和紅點(diǎn)分別標(biāo)示出了和2×2超結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域;(f)Kc=0.22 ML,Vs=1.9 V;(g)Kc=0.28 ML,Vs=2.0 V;(h)Kc=0.28 ML,Vs=2.0 VFig.2.STM images of the K-adsorbed multi-layer FeSe film grown on STO surface at different Kc,I=100 pA:(a)Kc=0,Vs=2.6 V;(b)Kc=0,Vs=1 V;(c)Kc=0.05 ML,Vs=2.0 V;(d)0Kc=0.11 ML,Vs=2.5 V;(e)Kc=0.17 ML,Vs=1.1 V,the blue and red dots denote localand 2×2 superstructures,respectively;(f)Kc=0.22 ML,Vs=1.9 V;(g)Kc=0.28 ML,Vs=2.0 V;(h)Kc=0.28 ML,Vs=2.0 V.

圖3總結(jié)了不同K覆蓋量下用STS測(cè)量到的FeSe薄膜在費(fèi)米面附近的dI/dV數(shù)據(jù)及其分析結(jié)果.圖3(a)展示的是在一塊15 mm×15 nm區(qū)域內(nèi)的不同位置處所采集到的dI/dV譜取平均的結(jié)果.當(dāng)多層FeSe薄膜表面沒有吸附K原子或者K原子的覆蓋量還很低(Kc60.05 ML)時(shí),dI/dV譜并未出現(xiàn)能隙.當(dāng)覆蓋量達(dá)到0.1 ML及以上后,dI/dV譜在費(fèi)米面附近出現(xiàn)能隙,不過其相干峰并不是很明顯,只能從譜線突拐處判斷相干峰的大致位置.通過多項(xiàng)式擬合出背底并以其進(jìn)行歸一化后,可更為清晰地觀察到相干峰,如圖3(b)所示.將兩相干峰能量大小的平均值取為能隙的大小,則如圖3(c)所示,隨著K覆蓋量的增加,能隙先略微增大,在Kc=0.22 ML處達(dá)到最大值12.2 meV,隨后在0.28 ML處又下降至10.5 meV.從這一系列的STS數(shù)據(jù)分析得到的結(jié)果與已有的文獻(xiàn)報(bào)道非常相似[19,22,23].但需要指出的是,由于本實(shí)驗(yàn)中生長(zhǎng)制備出的FeSe薄膜的層厚不均,未能明確地確定圖3中在不同K覆蓋量下測(cè)量到的dI/dV譜線所對(duì)應(yīng)的FeSe薄膜的確切層厚.考慮到即便是同樣的K覆蓋量,不同層厚的FeSe薄膜所具有的能隙大小可能不同[19,22,23],所以圖3(c)所示的能隙隨K覆蓋量的變化趨勢(shì),很難與已有文獻(xiàn)報(bào)道進(jìn)行嚴(yán)格的定量比較.

圖3 在吸附了不同K覆蓋量的多層FeSe薄膜表面上測(cè)得的dI/dV數(shù)據(jù)及其分析結(jié)果 (a)不同Kc時(shí)FeSe薄膜樣品表面的dI/dV譜,每條譜線是對(duì)不同位置的5—8條原始譜線數(shù)據(jù)的平均結(jié)果,譜線沿垂直方向做了適當(dāng)?shù)钠揭?(b)將(a)圖中的dI/dV譜通過多項(xiàng)式擬合背底并歸一化后的結(jié)果,箭頭表示相干峰的位置;(c)超導(dǎo)能隙隨K覆蓋量的變化Fig.3.(a)dI/dV spectra of the K-adsorbed multi-layer FeSe film at different Kc,each spectrum is averaged from 5–8 spectra taken at different position,the spectra are vertically shifted for a better view;(b)dI/dV spectra after renormalizing to a polynomial background,arrows denotes the energy positions of the coherence peaks;(c)variation of the energy gap determined from the energy positions of the coherence peaks as a function of K coverage.

由于在Kc=0.22 ML時(shí),K原子在FeSe表面上覆蓋得非常致密,研究者們普遍認(rèn)為在這個(gè)覆蓋度左右,K原子對(duì)FeSe的電子摻入量基本上達(dá)到了極值,所以我們選擇了在該覆蓋度下對(duì)表面吸附K原子的多層FeSe薄膜進(jìn)行雙線圈交流互感的原位測(cè)量.圖4(a)中的藍(lán)色與黑色點(diǎn)線分別是感應(yīng)線圈輸出電動(dòng)勢(shì)Vp的實(shí)部ReVp與虛部ImVp隨溫度的變化關(guān)系.ImVp中出現(xiàn)的峰值可能起源于與渦旋-反渦旋對(duì)的釋放機(jī)制相關(guān)的能量耗散[28,29].為了清晰地獲取超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度,ReVp曲線在拐點(diǎn)附近的區(qū)域被局部放大,如圖4(b)所示.在相對(duì)高溫的區(qū)域(高于23.9 K),ReVp幾乎沒有變化,而當(dāng)溫度下降至23.9 K之后,ReVp開始出現(xiàn)明顯的上升.如前所述,當(dāng)超導(dǎo)樣品的溫度下降至Tc以下時(shí),由邁斯納效應(yīng)引起的抗磁屏蔽作用將極大地改變激勵(lì)線圈在樣品附近產(chǎn)生的磁力線的分布,使得對(duì)稱反繞于激勵(lì)線圈兩端的兩個(gè)感應(yīng)線圈中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的(相對(duì))平衡開始被打破,從而導(dǎo)致所測(cè)量的ReVp開始上升.因此,圖4(a)及其局部放大了的圖4(b)中觀察到的ReVp值隨溫度下降而明顯上升的現(xiàn)象,即反映出了源于邁斯納效應(yīng)的超導(dǎo)抗磁響應(yīng),該樣品的Tc值也由此而確定為23.9 K.

通過以上的雙線圈交流互感測(cè)量,我們成功地從實(shí)驗(yàn)上證實(shí)了吸附K原子的多層FeSe薄膜樣品的超導(dǎo)特性.不過,該樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度雖然比之FeSe體材料的要高出了近兩倍,但與STM及ARPES等實(shí)驗(yàn)中觀察到的最高的能隙閉合溫度(44—46 K)相比[18,20],還是有明顯的差距.產(chǎn)生這方面差異的原因,首先是無法排除樣品生長(zhǎng)條件的不同而導(dǎo)致樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度不同的可能性,包括STO襯底的處理方式,FeSe薄膜樣品的退火溫度與時(shí)間,K原子的吸附時(shí)間、溫度與均勻度等,都有可能影響FeSe薄膜的質(zhì)量及有效電子密度.其次,在雙線圈交流互感測(cè)量當(dāng)中,出現(xiàn)信號(hào)上升時(shí)對(duì)應(yīng)的是超導(dǎo)電流的出現(xiàn),因此它所給出的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度在電輸運(yùn)測(cè)量中對(duì)應(yīng)的是出現(xiàn)零電阻時(shí)的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度,而非起始轉(zhuǎn)變溫度;對(duì)于STM或ARPES等電子譜上能隙閉合所對(duì)應(yīng)的溫度,則往往是起始轉(zhuǎn)變溫度.對(duì)于二維超導(dǎo)體而言,其零電阻轉(zhuǎn)變溫度可能會(huì)比起始轉(zhuǎn)變溫度有明顯的降低.比如,在非原位測(cè)量到的單層FeSe薄膜的電輸運(yùn)測(cè)量中[1,2],就發(fā)現(xiàn)零電阻和起始轉(zhuǎn)變溫度分別為23.5 K和40.2 K,這兩者之間的相差值與本次實(shí)驗(yàn)所發(fā)現(xiàn)Tc和ARPES所觀察到的能隙閉合溫度間的差值相仿.

圖4 Kc=0.22 ML時(shí)多層FeSe薄膜的雙線圈交流互感測(cè)量結(jié)果 (a)在樣品變溫的過程中測(cè)量到的感應(yīng)線圈兩端的輸出電壓的實(shí)部(ReVp)和虛部(ImVp);(b)局部放大后的ReVp(T),由此得Tc～23.9 K;(c)由(a)圖中的數(shù)據(jù)計(jì)算得到的不同溫度下的倫敦穿透深度λ;(d)不同溫度下的λ與零溫時(shí)λ之間的差值在低溫段隨溫度的變化關(guān)系;在指數(shù)坐標(biāo)中,其關(guān)系成線性曲線;紅色曲線是用冪指數(shù)函數(shù)擬合T/Tc<0.4范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)的結(jié)果Fig.4.Two-coil mutual inductance measurement results of the K-adsorbed multi-layer FeSe film at Kc=0.22 ML:(a)Temperature dependence of the real(ReVp)and imaginary part(ImVp)of the output voltage in the pick-up coil;(b)zoom-in of ReVp(T)showing Tc ～23.9 K;(c)temperature dependence of London penetration depth λ calculated from the data in(a);(d)low-temperature variation of ?λ(T),the difference between λ(T)and λ(0),displayed in logarithmic coordinates.The red line is a polynomial fitting result within the temperature range of T/Tc<0.4.

由圖4(a)所示的ReVp(T)和ImVp(T)兩組數(shù)據(jù),套用無限大尺寸模型下的計(jì)算公式[30],可得到超導(dǎo)樣品的穿透深度λ隨溫度變化的曲線,結(jié)果如圖4(c)所示.在本實(shí)驗(yàn)中,線圈的直徑是1.6 mm,而FeSe薄膜的面內(nèi)尺寸是2.8 mm×6 mm,所以這就導(dǎo)致計(jì)算出來的λ值偏大.但是它們之間的相對(duì)值(相對(duì)于零溫下的穿透深度λ0)仍是正確的.穿透深度在低溫段的演化關(guān)系,往往與超導(dǎo)體的配對(duì)對(duì)稱性相關(guān).為此,我們將穿透深度的變化量?λ=λ(T)?λ0,隨溫度變化的關(guān)系展示在對(duì)數(shù)坐標(biāo)上,可發(fā)現(xiàn)它們具有非常明確的冪指數(shù)關(guān)系,如圖4(d)所示.若選取溫度范圍在T/Tc<0.4的數(shù)據(jù)進(jìn)行冪指數(shù)函數(shù)的擬合[31,32],?λ∝(T/Tc)n,可得到指數(shù)參數(shù)為n=1.972,非常接近于2.以往的研究表明[33,34],對(duì)于傳統(tǒng)的S波超導(dǎo)體,其穿透深度在低溫區(qū)的冪指數(shù)關(guān)系是n>3,只有當(dāng)出現(xiàn)磁性雜質(zhì)散射時(shí),其低溫演化才會(huì)漸進(jìn)成二次冪指數(shù)關(guān)系;而對(duì)于S±波超導(dǎo)體或者D波超導(dǎo)體,若是雜質(zhì)散射明顯,處于臟極限(dirty limit)狀態(tài),即便不存在磁性雜質(zhì),其穿透深度與溫度之間在低溫段亦是二次冪指數(shù)關(guān)系.對(duì)于表面吸附K原子的多層FeSe薄膜而言,其雜質(zhì)散射中心主要是失去了一部分電子的K+離子,這是沒有磁性的;同時(shí),也沒有任何研究表明該體系的能隙結(jié)構(gòu)上具有D波節(jié)點(diǎn).因此,其穿透深度在低溫區(qū)的二次冪指數(shù)變化關(guān)系,只能是由于該體系的超導(dǎo)配對(duì)函數(shù)具有S±波對(duì)稱性,且處于臟極限狀態(tài).值得一提的是,在與單層FeSe/STO體系以及吸附K的多層FeSe薄膜具有非常相似的電子能帶結(jié)構(gòu)和費(fèi)米面(僅在布里淵區(qū)的M點(diǎn)具有電子型能帶)的(Li1?xFex)OHFe1?yZnySe體系中,Du等[35]通過詳細(xì)分析該物質(zhì)表面的磁性與非磁性雜質(zhì)散射所引發(fā)的準(zhǔn)粒子干涉(quasi-particle interference),得出該體系也是S±波超導(dǎo)體.這似乎表明,對(duì)于以不同方式接受電子摻入并使得超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度得以提升的各種FeSe層狀結(jié)構(gòu)體系,其超導(dǎo)特性具有很強(qiáng)的共性.不過,對(duì)比單層FeSe薄膜所具有的65—100 K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度,摻入電子的多層FeSe薄膜的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度還是明顯偏低的,這表明對(duì)于單層FeSe薄膜而言,電子轉(zhuǎn)移并非是其界面超導(dǎo)增強(qiáng)機(jī)制的惟一因素.

4 結(jié) 論

本研究利用自行研制的STM+,對(duì)表面吸附了K原子的多層STO/FeSe薄膜的超導(dǎo)電性進(jìn)行了一系列的原位測(cè)量.STS測(cè)量結(jié)果表明,超導(dǎo)能隙隨著K原子吸附量的增加先增大,隨后又稍有下降.原位雙線圈互感測(cè)量結(jié)果則表明,該樣品在溫度下降到23.9 K時(shí)表現(xiàn)出明顯的抗磁響應(yīng).由此,我們確定了該樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度,從而從物性測(cè)量的角度首次證實(shí)了表面吸附K原子的多層FeSe薄膜的超導(dǎo)特性.同時(shí),從抗磁響應(yīng)數(shù)據(jù)算得的穿透深度隨著溫度變化在低溫段顯示出二次冪指數(shù)關(guān)系,這說明該體系的序參量很可能具有S±配對(duì)對(duì)稱性.