潘晶雯, 羅 靜, 姜廣緒, 鞠麗梅, 張少亮
(1. 陸軍裝甲兵學(xué)院車輛工程系, 北京 100072; 2. 陸軍裝甲兵學(xué)院教研保障中心, 北京 100072; 3. 中國(guó)能源建設(shè)集團(tuán)規(guī)劃設(shè)計(jì)有限公司, 北京 100120)
多鐵性層合柱是一類應(yīng)用于智能器件中的常見(jiàn)多鐵性結(jié)構(gòu)形式。對(duì)于層合柱,界面是關(guān)鍵部位,它起著磁電耦合的應(yīng)變介導(dǎo)作用[1]。在動(dòng)態(tài)載荷環(huán)境中,多鐵性智能結(jié)構(gòu)常處于振動(dòng)的工作狀態(tài),而在力-電-磁耦合作用下,其界面容易產(chǎn)生機(jī)械損傷、電學(xué)損傷、磁學(xué)損傷等界面損傷。界面損傷會(huì)在一定程度上削弱界面和結(jié)構(gòu)的功能,也勢(shì)必影響層狀多鐵性器件的力-電-磁響應(yīng)特性。因此,振動(dòng)條件下含損傷界面的智能結(jié)構(gòu)力學(xué)研究成為近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)[2-10]。
目前,界面損傷模型一般都是解耦的線性模型,而忽略了不同種類損傷之間的耦合作用。在含弱界面的多鐵性層合結(jié)構(gòu)研究中,損傷耦合條件下進(jìn)行力學(xué)分析更符合實(shí)際情況?;诖?,筆者利用平面問(wèn)題中的弱界面耦合廣義線彈簧模型對(duì)含弱界面的多鐵性空心層合柱振動(dòng)行為進(jìn)行分析,以探究空心層合柱內(nèi)徑變化影響界面損傷系數(shù)和損傷耦合系數(shù)對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的作用規(guī)律,為空心柱狀智能元器件的尺寸設(shè)計(jì)提供一定的理論依據(jù)。
在高溫、高壓條件下,多鐵性材料制造時(shí)2種材料之間因相互滲透或者擴(kuò)散,而在接觸面產(chǎn)生界面層,即弱界面[3],這種作用使得界面層同時(shí)含有鐵電、鐵磁成分。因此,在無(wú)力、電、磁損傷存在的情況下,該類界面層一般具有磁電彈性質(zhì),其平面問(wèn)題的本構(gòu)關(guān)系為[11]
σr=Mu,
(1)
式中:σr=[σrBrDr]T,為廣義應(yīng)力,其中σr、Br、Dr分別為徑向的正應(yīng)力、磁感應(yīng)強(qiáng)度、電位移;u=[urφrφr]T,為廣義位移,其中ur、φr、φr分別為徑向的機(jī)械位移、磁勢(shì)、電勢(shì);
為將界面層的材料系數(shù)矩陣與廣義位移偏導(dǎo)運(yùn)算聯(lián)立得到的矩陣,其下標(biāo)中的逗號(hào)后表示對(duì)相應(yīng)坐標(biāo)求偏導(dǎo)運(yùn)算所針對(duì)的變量,c33、μ33、ε33、h33、e33、d33分別為界面層的彈性常數(shù)、磁導(dǎo)率、介電系數(shù)、壓磁系數(shù)、壓電系數(shù)、磁電系數(shù)。
在機(jī)械載荷和電磁場(chǎng)作用下,含弱界面的多鐵性層合柱的耦合廣義線彈簧模型為[12]
σr|Γ=βΓ(u|Γ+-u|Γ-),
(2)
式中:
(3)
為廣義剛度矩陣,其中β2為機(jī)械損傷系數(shù),β3為磁學(xué)損傷系數(shù),β4為電學(xué)損傷系數(shù),β5、β6和β7分別為力-磁損傷耦合系數(shù)、力-電損傷耦合系數(shù)和力-磁-電損傷耦合系數(shù);u|Γ+、u|Γ-分別為弱界面上鐵磁側(cè)、鐵電側(cè)的廣義位移。
由于βi(i=2,3,…,7)的量綱彼此不同,為便于分析,將式(3)改寫為
(4)
圖1為一個(gè)含弱界面的空心多鐵性層合柱的橫截面,其中外部為鐵電層,內(nèi)部為鐵磁層,中間為弱界面。以橫截面圓心O為原點(diǎn)建立極坐標(biāo)系,θ為半徑r和極軸Ox的夾角。鐵磁層內(nèi)、外半徑分別為r0、r1,鐵電層內(nèi)、外半徑分別為r1、r2。于是,鐵磁層、鐵電層的厚度分別為tm=r1-r0,te=r2-r1。
該多鐵性層合柱位于徑向電場(chǎng)中,其內(nèi)、外表面的徑向電場(chǎng)分量的大小分別為E1和E2。在鐵磁層的內(nèi)表面加以接地,而在鐵電層的外表面加以φ0eiωt的交流電壓,其中φ0為提供電勢(shì)的振幅,ω為交流電壓的角頻率,t為時(shí)間。為了簡(jiǎn)便,在后面的說(shuō)明中消去時(shí)間因子,則多鐵性層合柱的邊界條件為
(5)
(6)
另外,在設(shè)置層合柱的內(nèi)、外表面的邊界條件后,也需對(duì)弱界面的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行連續(xù)性假設(shè),則有
σr(r1)=βΓ(u(2)(r1)-u(1)(r1))。
(7)
2.2.1 壓電部分
壓電部分的基本方程如下:
(8)
(9)
(10)
(11)
彈性力學(xué)的平衡方程為
(12)
(13)
(14)
將式(13)進(jìn)行積分可得
(15)
將式(15)代入式(10),可得
(16)
將式(8)、(9)代入式(12),可得
(17)
式中:A1為積分常數(shù);η=ωr/v2,為定義的無(wú)量綱量,v2為常數(shù)(見(jiàn)附錄A);α2、λ2為常數(shù)(見(jiàn)附錄A)。
二階非齊次微分方程的解為[13]
A1λ2(γ1h(η)+γ2l(η)),
(18)
式中:A2、A3為積分常數(shù);Jα2(η)、Yα2(η) 為α2階第一類和第二類Bessel函數(shù);γ1、γ2為常數(shù)(見(jiàn)附錄A);h(η)、l(η)為已知函數(shù)(見(jiàn)附錄B)。
將式(18)代入式(8)中,化簡(jiǎn)后可得
(19)
對(duì)式(16)進(jìn)行積分,化簡(jiǎn)后可得
φr(2)=f21(η)A1+f22(η)A2+A3f23(η)+A4;
(20)
對(duì)式(14)進(jìn)行積分可得
(21)
將式(21)代入式(11),可得
(22)
式中:g21(η)、g22(η)、g23(η),f21(η)、f22(η)、f23(η)均為已知函數(shù)(見(jiàn)附錄B);A4、B1、B2為積分常數(shù)。
2.2.2 壓磁部分
壓磁部分的計(jì)算推導(dǎo)與壓電部分相似。同理,其基本方程為
(23)
(24)
(25)
(26)
推導(dǎo)得到如下結(jié)果:
(27)
(28)
(29)
C1λ1(γ11h1(ξ)+γ22l1(ξ)),
(30)
(31)
(32)
式中:C1、C2、C3、C4、D1、D2為積分常數(shù);Jα1(ξ)、Yα1(ξ) 為α1階第一類和第二類Bessel函數(shù),其中ξ=ωr/v1,為定義的無(wú)量綱量,α1、v1為常數(shù)(見(jiàn)附錄A);λ1、γ11、γ22為常數(shù)(見(jiàn)附錄A);g11(ξ)、g12(ξ)、g13(ξ)、h1(ξ)、l1(ξ)、f11(ξ)、f12(ξ)、f13(ξ)均為已知函數(shù)(見(jiàn)附錄B)。
2.2.3 振動(dòng)分析
將式(8)-(11)、(20)、(22)和式(27)-(32)代入式(5)-(7)中,得到代數(shù)方程
MF=C。
(33)
式中:
F=(A1,A2,A3,A4,B1,B2,C1,C2,C3,C4,D1,D2)T;
C=(0,0,0,0,0,φ0,0,0,0,0,0,0)T;
M=(mij)12×12,矩陣中各元素表達(dá)式見(jiàn)附錄C。
根據(jù)式(15)、(33),電位移可以表示為
(34)
式中:N=(nij)12×12,其中nij=mij(i=01,02,…,12;j=02,03,…,12),n0101=n0201=…=n0501=0,n0601=φ0,n0701=n0801=…=n1201=0。
假設(shè)鐵電層和鐵磁層的材料分別為BaTiO3和CoFe2O4[11,14]。另外,假設(shè)鐵電層與鐵磁層具有相同的厚度,即t=te=tm=0.01 m。
由3.1、3.2節(jié)可知:當(dāng)內(nèi)徑r0=0.08 m時(shí),弱界面損傷系數(shù)及損傷耦合系數(shù)對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的影響很小。因此,有必要研究層合柱的徑厚比n=r0/t對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的影響。
圖8為在不同的弱界面損傷系數(shù)及損傷耦合系數(shù)存在的情況下,徑厚比n對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的影響變化曲線??梢钥闯觯弘S著n的不斷增大,各損傷系數(shù)及損傷耦合系數(shù)對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的影響呈下降趨勢(shì);當(dāng)n≈8時(shí),各系數(shù)對(duì)振動(dòng)頻率的影響已很小,且趨于穩(wěn)定。
針對(duì)多鐵性復(fù)合材料力電磁耦合的特征,利用含弱界面多鐵性層合柱的耦合廣義線彈簧模型,對(duì)指定參數(shù)的空心多鐵性層合柱進(jìn)行了振動(dòng)分析。結(jié)果表明:當(dāng)空心層合柱的徑厚比n≈8時(shí),界面損傷系數(shù)及損傷耦合系數(shù)對(duì)機(jī)械振動(dòng)頻率的影響很小。此結(jié)論可為空心柱狀各鐵性智能器件的尺寸優(yōu)化設(shè)計(jì)提供一定的理論依據(jù)。
附錄A:常數(shù)
(A-1)
(A-2)
(A-3)
(A-4)
式中:Γ(x)為Gamma函數(shù)。
附錄B:已知函數(shù)
(B-1)
(B-2)
式中:pFq[{a1,…,ap},{b1,…,bq},x]為廣義超幾何函數(shù),其中p為包含a1,…,ap的參數(shù),q為包含b1,…,bq的參數(shù),這里p=1,q=2。
(B-3)
式中:
Ω21(η)=η-1Γ(1-α2)J-α2(η)Jα2(η);
Ω22(η)=ηα2pFq[{α2/2},{1+α2,1+
α2/2},-η2/4]Ω20(η);
Ω20(η)= [Yα2-1(η)-Yα2+1(η)-
(Jα2-1(η)-Jα2+1(η))cot(α2π)];
Ω23(η)=η-1Γ(1+α2)Jα2(η)×
(Yα2(η)-Jα2(η)cot(α2π));
Ω24(η)=η-α2(Jα2-1(η)-Jα2+1(η))×
pFq[{-α2/2},{1-α2,1-α2/2},-η2/4];
Ω25(η)=η-1(γ1h(η)+γ2l(η));
(B-4)
式中:
(B-5)
式中:
Ω10(ξ)= Yα1-1(ξ)-Yα1+1(ξ)-
(Jα1-1(ξ)-Jα1+1(ξ))cot(α1π);
Ω11(ξ)=ξ-1Γ(1-α1)J-α1(ξ)Jα1(ξ);
Ω12(ξ)=ξα1pFq[{α1/2},{1+α1,1+
α1/2},-ξ2/4]Ω10(ξ);
Ω13(ξ)=ξ-1Γ(1+α1)Jα1(ξ)(Yα1(ξ)-
Jα1(ξ)cot(α1π));
Ω14(ξ)=ξ-α1(Jα1-1(ξ)-Jα1+1(ξ))×
pFq[{-α1/2},{1-α1,1-α1/2},-ξ2/4];
(B-6)
式中:
附錄C:矩陣元素
m0101=m0102=m0103=m0104=m0105=m0106=0,
m0110=m0111=m0112=0;
m0201=m0202=m0203=m0204=m0205=m0206=
m0207=m0208=m0209=m0210=0,
m0301=m0302=m0303=m0304=m0305=m0306=0,
m0311=m0312=0;
m0406=m0407=m0408=m0409=m0410=
m0411=m0412=0;
m0506=m0507=m0508=m0509=m0510=
m0511=m0512=0;
m0604=1,m0605=m0606=m0607=
m0608=m0609=m0610=m0611=m0612=0;
m0704=m0705=m0706=0,
m0808=m0809=m0810=m0811=m0812=0;
m0906=m0907=m0908=m0909=