南 楠,周玉嫚,佑曉露,齊 琨
(中原工學(xué)院紡織學(xué)院,河南鄭州 450007)
納米材料由于其本身比表面積大、纖維直徑小、體積小[1],使其在過濾材料、醫(yī)學(xué)、電池和傳感器等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景[2]。靜電紡絲是制備微納米纖維最簡單和有效的方法,但是,傳統(tǒng)納米材料中的納米纖維是隨機(jī)排列的,其較差的可加工性和力學(xué)性能限制了其在多個領(lǐng)域的應(yīng)用[3-4]。為了克服傳統(tǒng)納米材料的缺陷并為其開拓新領(lǐng)域的應(yīng)用,我們課題組設(shè)計(jì)了一種雙重共軛靜電紡絲裝置[5-6],可以獲得連續(xù)取向有捻的納米纖維紗,保留了納米纖維大比表面積、高孔隙率的優(yōu)勢,提高了納米纖維的力學(xué)性能,并可進(jìn)一步加工。
導(dǎo)電聚合物復(fù)合層具有重量輕、成本低、加工性好等優(yōu)點(diǎn),已被廣泛應(yīng)用為應(yīng)變敏感材料[7]。聚吡咯(PPy)可應(yīng)用于生物、離子檢測、超電容及防靜電材料與傳感器等領(lǐng)域,但是由于聚吡咯的本身結(jié)構(gòu)剛硬,難以用純的聚吡咯進(jìn)行電紡[8]。為了克服這一缺點(diǎn),常將其與其他可紡性好的聚合物混合制得,或通過在納米材料表面進(jìn)行原位聚合的方法制備導(dǎo)電納米材料。原位聚合法制備聚吡咯具有操作過程簡單,成本低廉等優(yōu)勢[9]。
本文以靜電紡取向PAN納米纖維紗為基體[10],然后在纖維表面通過原位液相沉積法聚合導(dǎo)電PPy,獲到PPy/PAN復(fù)合導(dǎo)電納米纖維紗。表征和測試了導(dǎo)電納米纖維紗的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能。
聚丙烯腈粉末PAN(分子量5萬,購自浙江杭州灣腈綸有限公司),N-N二甲基甲酰胺(DMF,分析純,阿拉丁試劑),吡咯單體(Py,阿拉丁試劑),三氯化鐵(FeCl3分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),無水乙醇(分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)。
將聚丙烯腈(PAN)粉末溶于N-N二甲基甲酰胺中,經(jīng)磁力攪拌器上攪拌溶解后得到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的PAN紡絲液,溫度為60 ℃,時(shí)間為3h。
制備連續(xù)PAN納米纖維紗的雙重共軛靜電紡裝置如圖1所示,包括紡絲針頭、供液裝置、金屬喇叭和卷繞裝置等。兩組針頭對稱排列在以喇叭為中心的兩側(cè),分別與高壓發(fā)生器的正負(fù)極相連,金屬喇叭不接地。儲液裝置中的溶液被勻速地輸送到紡絲針頭中,經(jīng)電場力的拉伸形成納米纖維,經(jīng)絕緣棒的牽引,納米纖維在喇叭處聚集成倒錐形中空納米纖維網(wǎng),并進(jìn)一步牽伸取向成纖維束,經(jīng)喇叭旋轉(zhuǎn)加捻獲得有捻的納米纖維紗,并被連續(xù)地卷繞到卷繞裝置上[11]。聚丙烯腈溶液濃度10wt%,電壓為23 kV,紡絲溶液總流量為2.0 mL/h,正負(fù)噴頭溶液流量比3:1,正負(fù)針頭間的距離16 cm,噴頭距離喇叭口邊緣的垂直距離4 cm,針頭內(nèi)徑0.41 mm,喇叭轉(zhuǎn)速35 r/min。
圖1 雙重共軛靜電紡納米纖維成紗裝置示意圖
納米纖維紗原位液相沉積處理:先將PAN納米纖維紗線浸漬于90mmol/L的FeCl3去離子水溶液中30min,使納米纖維紗中的纖維表面吸附大量氧化劑,然后將均勻吸附有氧化劑的納米纖維紗線懸掛于90mmol/L的Py去離子水溶液中,在0℃冰浴條件下聚合反應(yīng),最后將紗線從溶液中取出,用無水乙醇沖洗后放入60℃真空烘箱中干燥2 h,即得到PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗線。
采用日本電子公司JSM-6360 型掃描顯微鏡觀察所制備納米纖維紗線的表面形貌。測試條件:恒溫20 ℃,相對濕度65%,加速電壓15 kV,測試前樣品進(jìn)行鍍金處理。利用測量系統(tǒng)測量統(tǒng)計(jì)納米纖維的直徑,每個試樣測100個不同點(diǎn)。
為了進(jìn)一步確定納米纖維表面成功接枝了聚吡咯,先把所制備的纖維樣品在50 ℃條件下干燥處理8 h后,再利用尼高力 NEXUS670 型紅外-拉曼光譜儀進(jìn)行測定。分辨率為2 cm-1,每個樣品掃描100次。制備5.0 mg纖維粉末和200 mg 溴化鉀混合壓片以用于紅外光譜測試。
在室溫條件下,采用KEITHLEY2400數(shù)字源表測試單位長度PPy/PAN復(fù)合納米纖維紗的電阻。利用下列公式計(jì)算其電導(dǎo)率:
式中,σ—電導(dǎo)率,S/cm;R—紗線的電阻,;S—紗線的橫截面積,cm2;L—紗線的長度,cm。
圖2為PAN納米纖維紗(a-b)和PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗(c-d)的掃描電鏡照片??梢钥闯黾働AN納米纖維紗條干較為均勻,表面光滑,有少許毛羽,具有均勻的捻回分布,紗中纖維沿捻回方向平行排列,高度取向,平均直徑大約為302nm。而原位液相沉積聚吡咯(PPy)以后,纖維直徑明顯變大,且纖維表面的聚吡咯微粒并未破壞纖維的結(jié)構(gòu),PAN/PPy納米纖維紗線表面比較光滑,纖維直徑比較均勻仍平行排列,維持較均勻的捻回分布,高倍電鏡顯示原位接枝聚吡咯(PPy)后的納米纖維呈現(xiàn)凹凸不平的表面形貌,纖維表面均勻的覆蓋著聚吡咯(PPy)顆粒層,表明通過原位聚合的方法已經(jīng)成功制備了PAN/PPy復(fù)合納米紗線。
a
b
d
對比圖3中PAN納米纖維和PAN/PPy復(fù)合導(dǎo)電納米纖維的紅外光譜曲線,可以看出,在PAN納米纖維中2925cm-1是亞甲基(CH2)的伸縮振動,2243cm-1對應(yīng)的是PAN中腈基(C≡N)的特征峰。而PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗在2243cm-1和2925cm-1處的特征峰明顯減弱,并且在1541cm-1、1448cm-1和1155cm-1處出現(xiàn)了分別歸屬于合成的聚吡咯的吡咯環(huán)中的C=C伸縮振動峰,C-N伸縮振動峰,C-H伸縮振動峰,說明聚吡咯已經(jīng)在PAN納米纖維的表面成功合成。
圖3 PAN納米纖維和PAN/PPy復(fù)合納米纖維的紅外光譜
圖4為不同Py單體濃度條件下的PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗的電導(dǎo)率,顯示了Py單體濃度對PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗導(dǎo)電性的影響。由圖4可見,隨著Py單體濃度的增加,PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗導(dǎo)電率先是呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,當(dāng)Py單體濃度為75 mmol/L時(shí),電導(dǎo)率達(dá)到最大值,為10.5 S/cm,此時(shí)PAN/PPy復(fù)合納米纖維紗導(dǎo)電性能最佳。
圖4 Py單體濃度對復(fù)合紗線導(dǎo)電率的影響
通過靜電紡絲技術(shù)和原位液相聚合法制備了PPy/PAN復(fù)合導(dǎo)電納米纖維紗。研究了其形貌結(jié)構(gòu),原位液相沉積聚吡咯后的復(fù)合納米纖維紗線仍具有均勻的捻回分布,纖維直徑增大,聚吡咯顆粒均勻包覆在PAN納米纖維的表面,顯示了優(yōu)秀的力學(xué)性能和導(dǎo)電性。這種導(dǎo)電納米纖維復(fù)合紗在傳感器、智能紡織品和電子等領(lǐng)域,具有廣闊的應(yīng)用前景。