黃綠色鏑摻雜七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)熒光粉的表征及其X射線(xiàn)存儲(chǔ)特性

侯 爽， 劉春光， 楊 健， 李勝男， 張 猛， 祝漢成， 嚴(yán)端廷， 徐長(zhǎng)山， 劉玉學(xué)

(東北師范大學(xué) 物理學(xué)院， 吉林 長(zhǎng)春 130024)

1 引 言

近年來(lái)，由于數(shù)字化靜態(tài)和動(dòng)態(tài)X射線(xiàn)圖像目標(biāo)檢測(cè)技術(shù)在醫(yī)學(xué)和工業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域的應(yīng)用，旋涂在其系統(tǒng)成像板上的X射線(xiàn)熒光粉材料越來(lái)越引起人們的關(guān)注[1-2]。其中，靜態(tài)X射線(xiàn)成像質(zhì)量主要依賴(lài)于X射線(xiàn)熒光粉的X射線(xiàn)存儲(chǔ)特性，如光激勵(lì)發(fā)光和X射線(xiàn)成像等性能。

目前，商用的X射線(xiàn)熒光粉主要是BaFBr∶Eu2+等稀土離子摻雜鹵化物。雖然該熒光粉光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度大、靈敏度和轉(zhuǎn)換效率高，但是熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性差，并且在制備過(guò)程中易污染環(huán)境[3-5]。而稀土離子摻雜氧化物X射線(xiàn)熒光粉克服了上述缺點(diǎn)，目前的研究主要集中在進(jìn)一步提高其X射線(xiàn)存儲(chǔ)特性[6]。例如，我們課題組采用自蔓延燃燒法獲得了綠色發(fā)射的鋱摻雜七鋁酸十二鈣(C12A7∶Tb3+)X射線(xiàn)熒光粉，研究了X射線(xiàn)成像質(zhì)量與具有納米籠腔結(jié)構(gòu)的C12A7籠中陰離子種類(lèi)的依賴(lài)關(guān)系和X射線(xiàn)存儲(chǔ)機(jī)理。我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明C12A7基質(zhì)中的籠子(電荷量平均約為+1/3)相當(dāng)于一個(gè)類(lèi)F+色心，可以作為電子陷阱，俘獲電子[7-9]，但目前只獲得了可實(shí)現(xiàn)綠色X射線(xiàn)成像熒光粉(Tb3+摻雜C12A7)材料。因此，目前迫切需要獲得其他波段發(fā)射的稀土摻雜七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)成像熒光粉材料，這既可以進(jìn)一步驗(yàn)證該系列材料的X射線(xiàn)存儲(chǔ)機(jī)理，又可以開(kāi)發(fā)出可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量X射線(xiàn)成像的新型稀土摻雜氧化物X射線(xiàn)熒光粉。

采用自蔓延燃燒法結(jié)合高溫?zé)崽幚矸椒ㄖ苽淞绥C離子摻雜濃度不同的七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)熒光粉材料。從激發(fā)和發(fā)射光譜發(fā)現(xiàn)，該系列X射線(xiàn)熒光粉在350 nm激發(fā)下，可觀(guān)察到位于486 nm和575 nm的兩個(gè)發(fā)光峰，分別來(lái)源于Dy3+離子的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2躍遷。當(dāng)鏑摻雜濃度為0.3%時(shí)，兩個(gè)發(fā)光峰的發(fā)射強(qiáng)度最大。熱釋發(fā)光和光激勵(lì)發(fā)光實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在氮?dú)鈿夥障拢? 300 ℃熱處理C12A7∶0.3%Dy3+后，籠中OH-基團(tuán)減少，導(dǎo)致其光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度顯著增大，并產(chǎn)生了更多的深陷阱。通過(guò)使用氮?dú)鈿夥諢崽幚砗蟮腃12A7∶0.3%Dy3+粉末制成的成像板，以包覆有絕緣層細(xì)電線(xiàn)為成像目標(biāo)，發(fā)現(xiàn)在合適的X射線(xiàn)吸收劑量下(0.54 Gy)，可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的X射線(xiàn)成像。

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 樣品制備

本文采用自蔓延燃燒法合成了鏑離子摻雜濃度不同的C12A7∶x%Dy3+(x=0.1,0.3,0.5, 0.8)熒光粉粉末。初始材料采用阿拉丁試劑公司的Ca(NO3)2·4H2O(99.99%)、Al(NO3)3·9H2O(99.99%)、Dy(NO3)3·6H2O(99.99%)藥品，助溶劑采用CH4N2O(尿素)和C3H7NO2(β-丙氨酸)藥品。將上述材料按一定比例混合倒入坩堝中，在30 ℃下充分?jǐn)嚢琛４咳芑?，在筒狀坩堝爐中700 ℃點(diǎn)火燃燒。燃燒后，收集得到鏑摻雜濃度不同的C12A7初始粉末樣品。為了進(jìn)一步提高熒光粉的X射線(xiàn)成像質(zhì)量，選擇鏑摻雜濃度優(yōu)化的C12A7∶0.3%Dy3+粉末在氮?dú)鈿夥障? 300 ℃熱處理2 h。為了方便各種性能測(cè)試，所有粉末樣品在～10 MPa壓力下壓成直徑為13 mm的圓片。

2.2 樣品測(cè)試

采用日本理學(xué)電機(jī)工業(yè)株式會(huì)生產(chǎn)的D/ MAX-RA X射線(xiàn)衍射儀表征樣品的微結(jié)構(gòu)。利用美國(guó)FEI公司生產(chǎn)的Quanta FEG250型掃描電子顯微鏡獲得樣品的表面形貌照片。采用150 W的氙燈做光源的日本島津RF-5301PC的熒光分光光度計(jì)測(cè)試了樣品的激發(fā)譜、發(fā)射譜、余輝衰減曲線(xiàn)、光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)和熱釋發(fā)光曲線(xiàn)。采用808 nm激光為激勵(lì)光源記錄了光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)。熱釋發(fā)光曲線(xiàn)測(cè)試前，采用波長(zhǎng)為295 nm的紫外光照射樣品5 min，掃描范圍為300～500 K，加熱速率為0.15 K/s。在光激勵(lì)發(fā)光測(cè)試中，為了消除余輝發(fā)光的影響，紫外光照停止之后靜置一段時(shí)間(約10 min)后才開(kāi)始測(cè)試。X射線(xiàn)成像實(shí)驗(yàn)中，采用鉬靶X射線(xiàn)源，用C12A7∶0.3%Dy3+粉末壓制的圓片作為成像板，將用作成像目標(biāo)的細(xì)電線(xiàn)(外面包覆有絕緣層)放在X射線(xiàn)源和成像板之間。用參數(shù)為35 kV和1 mA的X射線(xiàn)源照射，在808 nm激發(fā)光的激勵(lì)下進(jìn)行X射線(xiàn)成像。成像板表面上形成的X射線(xiàn)圖像用尼康D750照相機(jī)以30 s的曝光時(shí)間進(jìn)行拍攝。

3 結(jié)果與討論

圖1給出了Dy3+摻雜濃度不同的C12A7∶Dy3+初始粉末樣品的XRD譜和發(fā)射光譜。從XRD譜中可以發(fā)現(xiàn)，所有樣品的衍射峰均與C12A7的標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS No. 09-0413)中的數(shù)據(jù)相一致，沒(méi)有觀(guān)察到其他雜質(zhì)相的衍射峰存在。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在鏑摻雜濃度小于或等于0.8%的條件下，采用燃燒法制備的鏑摻雜的C12A7粉末樣品均為純相。由于Dy3+、A13+、Ca2+的離子半徑分別為0.091，0.039，0.099 nm，Dy3+和Ca2+離子半徑相近，因此摻雜樣品為純相的結(jié)果可認(rèn)為是Dy3+離子易于取代C12A7晶格中Ca2+離子格位造成的[10]。從350 nm紫外光激發(fā)下的發(fā)射光譜可發(fā)現(xiàn)藍(lán)色和黃色兩個(gè)發(fā)射峰，位于486 nm的藍(lán)光發(fā)射峰來(lái)源于Dy3+離子4F9/2→6H15/2的磁偶極躍遷，而位于575 nm的黃光發(fā)射峰是來(lái)源于Dy3+離子4F9/2→6H13/2的電偶極躍遷[11-14]。由發(fā)射光譜還可以觀(guān)察到，隨著鏑摻雜摩爾分?jǐn)?shù)從0.1%增加到0.8%，這些發(fā)光峰的強(qiáng)度呈現(xiàn)了先增加后減小的變化規(guī)律；當(dāng)鏑摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0.3%時(shí)，樣品的藍(lán)光和黃光發(fā)射強(qiáng)度最大，即對(duì)應(yīng)為濃度最優(yōu)化的初始粉末樣品。圖1(b)中的插圖給出了C12A7∶0.3%Dy3+粉末樣品的激發(fā)光譜。從激發(fā)譜可觀(guān)察到，當(dāng)監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)為575 nm時(shí)，位于295，325，350，365，384 nm的激發(fā)峰均來(lái)源于Dy3+離子的f-f躍遷，即分別對(duì)應(yīng)著6H15/2→4D7/2，6P3/2，6P7/2，4P5/2，4I13/2躍遷[10]。

圖1 鏑摻雜濃度不同的C12A7∶x%Dy3+(x=0.1, 0.3, 0.5, 0.8)初始樣品的XRD譜(a)和發(fā)射譜(b)(λex=350 nm)。圖1(b)插圖為C12A7∶0.3%Dy3+初始樣品的激發(fā)譜(λem=575 nm)。

對(duì)C12A7∶0.3%Dy3+粉末樣品，圖2給出了在295 nm紫外光照射5 min后的余輝衰減曲線(xiàn)(監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)：575 nm)和在295 nm紫外光照射樣品5 min后，再靜置10 min的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)(激勵(lì)波長(zhǎng)：808 nm)。從余輝衰減曲線(xiàn)可發(fā)現(xiàn)，樣品的余輝時(shí)間為10 min左右。測(cè)試樣品的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)時(shí)，在808 nm激發(fā)下，可觀(guān)察到位于575 nm的光激勵(lì)發(fā)光；同時(shí)發(fā)現(xiàn)光激勵(lì)發(fā)光信號(hào)幾乎沒(méi)有疊加樣品的余輝發(fā)光信號(hào)。

圖2 C12A7∶0.3%Dy3+初始樣品在295 nm紫外光照射5 min后的余輝衰減曲線(xiàn)(監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)：575 nm)(a)和在295 nm紫外光照射5 min后、黑暗中靜置10 min后的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)(激勵(lì)波長(zhǎng)：808 nm)(b)。

為進(jìn)一步提高樣品的光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度，我們?cè)诘獨(dú)鈿夥铡? 300 ℃溫度下，熱處理燃燒法制備的C12A7∶0.3%Dy3+粉末材料2 h。圖3(a)給出了熱處理后樣品的XRD譜，從圖中并沒(méi)有觀(guān)察到其他雜質(zhì)相的出現(xiàn)，說(shuō)明熱處理后的樣品仍然保持具有納米籠腔結(jié)構(gòu)的C12A7晶體結(jié)構(gòu)。圖3(b)和3(c)分別給出了粉末樣品熱處理前后的掃描電鏡圖。從兩圖可以發(fā)現(xiàn)，在氮?dú)鈿夥障聼崽幚砬皹悠返钠骄Я３叽缫堰_(dá)到微米量級(jí)，而經(jīng)過(guò)氮?dú)鈿夥障聼崽幚順悠返木Я３叽邕M(jìn)一步增大，即樣品的結(jié)晶性進(jìn)一步變好。

圖3 (a)經(jīng)過(guò)氮?dú)鈿夥障聼崽幚砗蟮腃12A7∶0.3%Dy3+樣品的XRD譜和氮?dú)鈿夥諢崽幚砬?b)、后(c)的C12A7∶0.3%Dy3+樣品的掃描電鏡圖。熱處理溫度：1 300 ℃；熱處理時(shí)間：2 h。

圖4為在氮?dú)鈿夥障隆? 300 ℃熱處理2 h后的C12A7∶0.3%Dy3+樣品的發(fā)射光譜(激發(fā)波長(zhǎng)：350 nm)。與前文中未熱處理的樣品相比，熱處理后的樣品發(fā)光信號(hào)的信噪比明顯提高，發(fā)光強(qiáng)度顯著增大。由于熱處理前后樣品的平均晶粒尺寸均在微米數(shù)量級(jí)，晶粒尺寸較大，故晶粒尺寸的變化對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的影響可以排除。C12A7的前期工作表明，在空氣氣氛下合成初始樣品的過(guò)程中，由于空氣中含有水蒸氣，故稀土摻雜的C12A7初始樣品中含有處于籠中的OH-陰離子基團(tuán)。而在缺氧的氣氛下(如真空或氮?dú)鈿夥障?高溫?zé)崽幚順悠罚墒刮挥贑12A7籠子中OH-離子基團(tuán)減少。通常樣品的發(fā)光猝滅主要來(lái)源于高能振動(dòng)基團(tuán)OH-，由于在氮?dú)鈿夥障赂邷責(zé)崽幚淼臉悠分泻休^少的OH-基團(tuán)，故使發(fā)光峰強(qiáng)度大于熱處理前的樣品，以上結(jié)果與文獻(xiàn)報(bào)道中高能振動(dòng)基團(tuán)OH-對(duì)發(fā)光有明顯的猝滅作用相符合[15-17]。

圖4 氮?dú)鈿夥障拢? 300 ℃熱處理2 h后C12A7∶0.3%Dy3+樣品的發(fā)射譜。

圖5(a)給出了在氮?dú)鈿夥障隆? 300 ℃熱處理2 h后的C12A7∶0.3%Dy3+樣品的余輝衰減曲線(xiàn)。從圖中可以看出，當(dāng)停止295 nm紫外光照射后，經(jīng)過(guò)氮?dú)鈿夥障聼崽幚砗髽悠返挠噍x發(fā)光強(qiáng)度相比于未熱處理的樣品的余輝發(fā)光強(qiáng)度有所增加，但余輝發(fā)光時(shí)間仍大約為10 min左右量級(jí)。余輝衰減曲線(xiàn)表明，在C12A7中較淺的陷阱對(duì)余輝發(fā)光有貢獻(xiàn)。為了消除余輝發(fā)光對(duì)光激勵(lì)發(fā)光的影響，圖5給出了在295 nm紫外光照射5 min后，又等待10 min才開(kāi)始激勵(lì)熱處理后樣品的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)。從圖中可以看到，經(jīng)過(guò)氮?dú)鈿夥仗幚砗髽悠返墓饧?lì)發(fā)光強(qiáng)度顯著增大，這可能是在氮?dú)鈿夥諢崽幚砗笫沟脴悠分信c氧空位相關(guān)的深陷阱增加所導(dǎo)致的。根據(jù)我們前期的工作，C12A7基質(zhì)中的納米空籠子可看作電子陷阱，在氮?dú)鈿夥障聼崽幚砗蟮臉悠房赡茉黾恿穗娮酉葳宓臄?shù)量，導(dǎo)致樣品的光激勵(lì)發(fā)光增強(qiáng)[8]。

圖5 (a)氮?dú)鈿夥障? 300 ℃熱處理后C12A7∶0.3%Dy3+樣品在295 nm紫外光照射5 min停止后的余輝衰減曲線(xiàn)(監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)：575 nm)；(b)氮?dú)鈿夥障? 300 ℃熱處理后C12A7∶0.3%Dy3+樣品在295 nm紫外光照射5 min停止后、再在黑暗中靜置10 min后的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)(監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)：575 nm;激勵(lì)光波長(zhǎng)：808 nm)。

為了研究氮?dú)鈿夥障聼崽幚韺?duì)樣品中陷阱深度的影響，圖6給出了熱處理前后C12A7∶0.3%Dy3+樣品的熱釋發(fā)光曲線(xiàn)。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，未熱處理樣品只有一個(gè)位于325 K的熱釋發(fā)光峰。然而，氮?dú)鈿夥諢崽幚砗蟮臉悠烦霈F(xiàn)了兩個(gè)分別位于340 K和395 K的熱釋發(fā)光峰。上述結(jié)果說(shuō)明氮?dú)鈿夥障聼崽幚硎笴12A7基質(zhì)中產(chǎn)生了更深的陷阱。通常我們可以用Urbach方程來(lái)

圖6 在氮?dú)鈿夥障拢? 300 ℃熱處理2 h前后C12A7∶0.3%Dy3+樣品在295 nm紫外光照射5 min，靜置10 min后的熱釋發(fā)光曲線(xiàn)(監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)：575 nm)。

計(jì)算樣品中的陷阱深度[18-19]：

E=Tm/500,

(1)

其中Tm(K)是熱釋發(fā)光峰的峰值溫度。經(jīng)過(guò)計(jì)算，未熱處理樣品中陷阱深度為0.65 eV，氮?dú)鈿夥? 300 ℃熱處理2 h后的樣品中兩陷阱的深度分別為0.68 eV和0.79 eV。根據(jù)Sushko等的報(bào)道， C12A7基質(zhì)中帶正電荷的空籠子相當(dāng)于一個(gè)類(lèi)F+色心，可看作電子陷阱，其陷阱深度為0.6～1.1 eV[20]。因此，我們可以把熱處理后樣品中存在的兩個(gè)陷阱歸屬于位于不同局域環(huán)境的空籠子。上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果與前面熱處理樣品的光致發(fā)光增強(qiáng)源于C12A7基質(zhì)中籠中陰離子基團(tuán)的種類(lèi)和數(shù)目發(fā)生變化的結(jié)論相一致[8]。對(duì)于經(jīng)過(guò)氮?dú)鈿夥諢崽幚砗蟮臉悠?，籠中的OH-基團(tuán)減少，籠中的O2-增多，使C12A7中的空籠子的數(shù)目增加，即電子陷阱增加，這將大大利于X射線(xiàn)存儲(chǔ)性能的提高。

圖7 氮?dú)鈿夥障拢? 300 ℃熱處理2 h后的C12A7∶0.3%Dy3+樣品吸收不同劑量的X射線(xiàn)后，黑暗中靜止30 min用808 nm激勵(lì)監(jiān)測(cè)575 nm的光激勵(lì)發(fā)光曲線(xiàn)。插圖是光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度與X射線(xiàn)吸收劑量的依賴(lài)關(guān)系。

為了研究在氮?dú)鈿夥障聼崽幚順悠返腦射線(xiàn)吸收劑量對(duì)熒光粉光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度的影響，圖7給出了氮?dú)鈿夥障聼崽幚順悠返墓饧?lì)發(fā)光曲線(xiàn)隨X射線(xiàn)吸收劑量的變化。從圖中可以看出，隨著X射線(xiàn)吸收劑量從0.18 Gy增加到7.20 Gy，光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度逐漸增加。這是由于X射線(xiàn)劑量增加使更多的發(fā)光中心(Dy3+)被激發(fā)，從而使更多被激發(fā)的電子被陷阱俘獲造成的。插圖給出了氮?dú)鈿夥障聼崽幚順悠返墓饧?lì)發(fā)光強(qiáng)度隨X射線(xiàn)吸收劑量的變化關(guān)系。從插圖中可觀(guān)察到，隨著X射線(xiàn)吸收劑量增加，光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度增加幅度越來(lái)越小。當(dāng)X射線(xiàn)吸收劑量接近7.20 Gy時(shí)，光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度最大并達(dá)到飽和。

通常，在保證X射線(xiàn)成像質(zhì)量的條件下，X射線(xiàn)照射的時(shí)間越短越好。為了研究使用氮?dú)鈿夥諢崽幚砗驝12A7∶0.3%Dy3+粉末制成的成像板在吸收不同X射線(xiàn)劑量下對(duì)包覆有絕緣層的細(xì)電線(xiàn)的X射線(xiàn)成像的效果。將作為成像目標(biāo)的兩根細(xì)電線(xiàn)(一根折斷一根未折斷)放在X射線(xiàn)源和成像板之間，在X射線(xiàn)吸收劑量分別為0.18，0.54，2.70 Gy劑量的條件下，用808 nm激光作為讀出光照射成像板讀出細(xì)電線(xiàn)內(nèi)部的X射線(xiàn)成像圖片，如圖8所示。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)X射線(xiàn)吸收劑量為0.18 Gy時(shí)，得到的黃綠色熒光背景中成像較模糊，細(xì)電線(xiàn)內(nèi)部折斷裂紋較不清晰。當(dāng)X射線(xiàn)吸收劑量為0.54 Gy時(shí)，能夠在黃綠色熒光背景中得到較清晰的細(xì)電線(xiàn)內(nèi)部折斷裂紋的圖像，且絕緣層內(nèi)部的電線(xiàn)輪廓清晰。當(dāng)X射線(xiàn)吸收劑量為2.70 Gy時(shí)，雖然仍能夠清楚地觀(guān)察到細(xì)電線(xiàn)的折斷裂紋，但是由于過(guò)量X射線(xiàn)照射，明亮的黃綠色熒光背景使得電線(xiàn)的輪廓變得不清晰，影響了X射線(xiàn)的成像效果。以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，鏑摻雜的七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)熒光粉材料在數(shù)字化靜態(tài)X射線(xiàn)圖像目標(biāo)檢測(cè)技術(shù)中有潛在的應(yīng)用前景。

圖8 在不同X射線(xiàn)吸收劑量條件下的包覆有絕緣層細(xì)電線(xiàn)的X射線(xiàn)成像照片。(a)0.18 Gy；(b)0.54 Gy；(c)2.70 Gy。成像板由熱處理后的C12A7∶0.3%Dy3+熒光粉粉末壓制而成。

4 結(jié) 論

采用自蔓延燃燒法結(jié)合高溫?zé)崽幚矸椒ㄖ苽淞绥C離子摻雜濃度不同的七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)熒光粉材料，較系統(tǒng)地研究了鏑摻雜濃度對(duì)熒光粉光致發(fā)光、熱釋發(fā)光和光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該系列熒光粉在350 nm激發(fā)下，可觀(guān)察到位于486 nm和575 nm的兩個(gè)發(fā)光峰，其分別來(lái)源于Dy3+離子的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2躍遷。當(dāng)鏑摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0.3%時(shí)，兩個(gè)發(fā)光峰的發(fā)射強(qiáng)度最大。通過(guò)在氮?dú)鈿夥障赂邷責(zé)崽幚砑夹g(shù)，進(jìn)一步優(yōu)化了C12A7∶0.3%Dy3+熒光粉的光學(xué)和存儲(chǔ)性能。與未熱處理樣品相比，熱處理后樣品的籠中OH-基團(tuán)減少，光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度顯著增大，并產(chǎn)生了更多的深陷阱。通過(guò)使用氮?dú)鈿夥諢崽幚砗驝12A7∶0.3%Dy3+粉末制成的成像板，以包覆有絕緣層細(xì)電線(xiàn)為成像目標(biāo)，發(fā)現(xiàn)在合適的X射線(xiàn)吸收劑量下(0.54 Gy)，可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的X射線(xiàn)成像。以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，鏑摻雜的七鋁酸十二鈣X射線(xiàn)熒光粉材料在數(shù)字化靜態(tài)X射線(xiàn)圖像目標(biāo)檢測(cè)技術(shù)中有潛在的應(yīng)用前景。