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    單斜PbWO4納米帶相關性質的研究

    2018-10-20 19:11:22鄭春華高玲玲莊慧慧
    讀與寫·教師版 2018年12期

    鄭春華 高玲玲 莊慧慧

    摘要:20世紀90年代以來,人們對閃爍晶體的研究和開發(fā)呈現(xiàn)出了極大的興趣。作為一種重要的無機材料,金屬鎢酸鹽在光致發(fā)光、微波、光纖、閃爍體、濕度感應、磁性以及催化劑等方面都有著廣泛的應用前景。本文研究長達毫米數(shù)量級的單斜鎢酸鉛納米帶的相關性質,實驗表明在低溫條件下具有優(yōu)良的藍綠色發(fā)光性能,在室溫下制作的光傳感器具有高靈敏快響應特性。

    關鍵詞:鎢酸鹽納米晶體;光學性質;濕敏性

    中圖分類號:TB383.1 文獻標識碼:A 文章編號:1672-1578(2018)12-0276-01

    1.引言

    PbWO;晶體作為歐洲原子核研究組織大型強子對撞機首選探測材料,成為國內(nèi)外的研究熱點。但是它在室溫下的發(fā)光效率很低,發(fā)光性能和抗輻照硬度都與樣品有關。鎢酸鉛晶體在通常情況下可同時存在白鎢礦結構和斜鎢礦結構,而且?guī)追N結構相可在一種晶體中出現(xiàn)。鎢酸鉛晶體又是一種物理性質結構敏感的晶體,這就給研究其光譜現(xiàn)象的物理本質帶來困難。

    2.PbWO4納米帶的光學性質

    2.1 單斜PbWO4納米帶的能帶分析

    根據(jù)能帶理論PbWO4晶體的導帶由W6+的5d電子和Pb2+的6p電子組成,價帶由Pb2+的6s電子和O2-的2s電子。根據(jù)文獻報道,在PbWO4晶體帶隙中存在著(WO43-和Pb+-VO電子空穴中心。當溫度低于40K時用紫外光(325nm)或X射線照射晶體時將會產(chǎn)生(WO43-電子中心和一些空穴中心,而當溫度大于40K且小于180K時將會產(chǎn)生Pb+-VO電子中心。(WO43-和Pb+-VO中心離導帶底的能量差值分別為0.05eV和0.55eV。

    2.2 單斜PbWO4納米帶的反射譜

    在300-2400nm范圍內(nèi)測反射光譜,如圖2.1,從反射光譜可以看到PbWO4有三個吸收帶,分別為300~335nm、335~380nm和426~480nm。其中300~380nm吸收帶是由于O2p躍遷到W5d軌帶所致,這是由于價帶到導帶的電子躍遷,而426~480nm吸收帶則來源于表面缺陷。

    光學散射反射光譜可以用來估算納米結構的能隙。因為單個的納米晶粒尺寸遠遠小于由納米顆粒制備的膜層厚度,所以理想的散射光譜中的散射因子可以認為是常數(shù),Kubelka-Munk函數(shù)為吸收系數(shù)(α)與散射因子(S)的比值,其與反射系數(shù)的關系為=(1-R)2/2Ra

    畫出K-M函數(shù)與能量的曲線圖,將曲線的線性部分反推到零點,得到3個值,分別為3.87、3.33和2.43eV,各自對應于300~335nm、335~380nm和426~480nm吸收帶。我們認為其光學帶隙應為3.33eV而3.87eV是由于樣品中含有很多小尺寸的納米顆導致的量子尺寸效應造成的。至于2.43eV則是由于Pb+-VO電子中心引起的。

    2.3 單斜PbWO4納米帶的發(fā)射譜

    為了探討單斜PbWO4納米帶的光學性質,用激光器(325nm)照射樣品,如圖2.2。PL譜顯示在室溫下有一個以420nm為中心的藍光帶,隨著溫度的降低,出現(xiàn)了一個以495nm為中心的藍綠光帶。文獻表明,PbWO4晶體的發(fā)射譜應包含藍光帶(420nm)和綠光帶(480~520nm),其中藍光帶來源于本證激發(fā),而綠光帶則是由表面缺陷引起的。我們認為圖中的藍光帶來源于電子在導帶與價帶之間的躍遷,而藍綠帶則來源于電子從Pb+-VO中心向價帶的躍遷。當溫度大于200K時,電子從導帶躍遷至價帶放出光子發(fā)藍光。當溫度低于200K時,Pb+-VO電子中心被電離,從導帶俘獲電子;當溫度低于50K時,(WO43-電子中心被電離,也從導帶俘獲電子,然后馳豫到Pb+-VO電子中心,并且溫度越低,電子中心被電離得越多,從導帶俘獲電子也越多。最后這些電子從Pb+-VO電子中心躍遷到價帶。因此在100K、30K和10K時我們得到了藍綠光(495nm),隨著溫度降低,發(fā)光強度增大。這兩個發(fā)光帶分別對應于圖2.2中的335~380nm和426~480nm這兩個吸收帶。從以上的光致發(fā)光譜我們可以看出,單斜PbWO4納米帶在低溫下有很強的熒光效應。

    3.鎢酸鉛納米晶的濕敏性

    在25℃下用PbWO4納米材料制作的濕敏膜的絕對電阻隨環(huán)境相對濕度的變化曲線。在相對濕度從20%升高到80%過程中,濕敏元件的電阻值則從310MΩ減小到4MΩ,也就是相對電阻從1下降到0.01,降幅達到兩個數(shù)量級,因此我們認為Pb-WO4納米材料制作的濕敏元件具有優(yōu)異的濕敏特性,同時我們發(fā)現(xiàn)當相對濕度從20%升高到40%過程中,電極電阻急劇下降,而相對濕度從40%升高到80%過程中,元件的電阻基本沒有太大的變化。這說明PbWO4納米材料制作的濕敏元件在相對濕度較小時具有較好的濕敏特性。

    4.結語

    本文主要研究了單斜鎢酸鉛納米帶的相關性質,實驗表明在低溫下具有非常優(yōu)異的熒光效應,且鎢酸鉛膜電極具有很好的濕敏特性。

    參考文獻:

    [1]張中太,張俊英,無機光致發(fā)光材料及應用[M].化學工業(yè)出版社,北京,2005.

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