郭張霞,田家林,裴暢貴
(中北大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,太原 030051)
在導(dǎo)彈技術(shù)發(fā)展過(guò)程中,工程人員常以初次飛行數(shù)據(jù)為依據(jù),對(duì)導(dǎo)彈進(jìn)行后期的研究與改進(jìn)工作。同時(shí)現(xiàn)代化戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)導(dǎo)彈技術(shù)性能要求不斷提高,工程人員越來(lái)越重視彈上飛行數(shù)據(jù)的收集與分析工作[1],在這種綜合環(huán)境下彈載信息采集設(shè)備便應(yīng)運(yùn)而生。對(duì)于這類(lèi)彈載電子設(shè)備除了要滿足產(chǎn)品自身的電氣性能指標(biāo)外,還應(yīng)具備在各種苛刻的機(jī)械動(dòng)態(tài)環(huán)境下正常工作的能力[2]。根據(jù)大量數(shù)據(jù)顯示,彈載電子設(shè)備在實(shí)際運(yùn)用中常受到來(lái)自振動(dòng)、沖擊、離心力以及結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的摩擦力等機(jī)械外力的破壞,其中危害最大的就是振動(dòng)與沖擊[3]。有研究結(jié)果表明:由振動(dòng)和沖擊引起的電子系統(tǒng)的失效比例高達(dá) 27%[4]。
為了使彈載信息采集設(shè)備可以在整個(gè)導(dǎo)彈飛行過(guò)程中保持正常工作的能力,使其能夠克服各種強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)沖擊的惡劣環(huán)境,就必須對(duì)其進(jìn)行抗沖擊與減振設(shè)計(jì)[5-6]。
多自由度振動(dòng)基本原理與單自由度相同,建立減振系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)方程如下[7]:
其中,[M]、[C]、[K]分別為減振對(duì)象質(zhì)量、阻尼與剛度矩陣,{y}、{x}分別為基礎(chǔ)支撐運(yùn)動(dòng)位移與減振對(duì)象(信息采集設(shè)備)振動(dòng)響應(yīng)位移。
令{u}為彈載設(shè)備相對(duì)基礎(chǔ)支撐的位移向量,則式(1)可轉(zhuǎn)化為:
彈載電子設(shè)備減振系統(tǒng)初步采用底部安裝4個(gè)減振器的減振方法[8-10],同時(shí)各減振器安裝位置對(duì)稱分布于兩個(gè)慣性主軸平面。
同時(shí)采用模態(tài)疊加法對(duì)式(2)進(jìn)行求解,可得模態(tài)矩陣:
其中,ξi為第i階模態(tài)特征向量,定義模態(tài)坐標(biāo){Q}={q1,q2,q3,q4,q5,q6},位移向量可表示為:
由式(5)可以看出振動(dòng)系統(tǒng)已解耦,因而可依據(jù)單自由度振動(dòng)公式計(jì)算得出qi,將其代入式(4)則可求得設(shè)備各敏感元件或組件振動(dòng)響應(yīng)結(jié)果。
對(duì)設(shè)備進(jìn)行結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化如圖1所示。
圖1 設(shè)備裝配關(guān)系簡(jiǎn)化前后
電源模塊包含二次電源電路板、隔離電源、濾波器與二次電源各1個(gè),如圖2(a)所示;光纖連接器模塊包含4個(gè)光纖連接器,如圖2(b)所示;探測(cè)器電路模塊包含1塊探測(cè)器電路主控板與6塊探測(cè)器電路板,如圖2(c)所示。
設(shè)備前10階模態(tài)參數(shù)如表1所示。
圖2 設(shè)備關(guān)鍵部位重點(diǎn)元器件編號(hào)說(shuō)明
表1 設(shè)備前10階模態(tài)諧振點(diǎn)
在模態(tài)分析階段提取前2000 Hz以內(nèi)的共振頻率值及相應(yīng)振型。初步設(shè)置結(jié)構(gòu)阻尼為:0.025。分布云圖如圖3所示。
圖3 設(shè)備的應(yīng)力與位移分布云圖
仿真結(jié)果分析:X向最大應(yīng)力部位左側(cè)螺釘連接處(27.316 Mpa)最大位移部位光源發(fā)生模塊右上端(0.102 mm);Y向最大應(yīng)力部位右側(cè)螺釘連接處(14.86 Mpa)最大位移部位上蓋中間靠近光纖連接器處(0.039 mm);Z向最大應(yīng)力部位安裝板中間部位(14.07 Mpa)最大位移部位上蓋中間靠近光纖連接器處(0.029 mm)。
2.4.1 電源模塊振動(dòng)力學(xué)分析
其響應(yīng)應(yīng)力與位移分布云圖如下頁(yè)圖4所示。
仿真結(jié)果分析:X向最大應(yīng)力部位二次電源左下方(3.22 Mpa)最大位移部位二次電源電路板右下方(0.010mm);Y向最大應(yīng)力部位二次電源下方中間(4.01 Mpa)最大位移部位二次電源電路板右上方(0.012 mm);Z向最大應(yīng)力部位二次電源下方中間(0.17 Mpa)最大位移部位隔離電源右下端(0.0085 mm)。
由此可以得出電源模塊在設(shè)備主箱體上的安裝部位在Y方向剛度最弱,X方向其次,Z方向最強(qiáng),可知,受Y方向振動(dòng)時(shí)最容易對(duì)設(shè)備電源模塊造成疲勞破壞。
2.4.2 電源模塊隨機(jī)振動(dòng)響應(yīng)曲線分析
完成仿真計(jì)算后,對(duì)設(shè)備電源模塊各元器件的振動(dòng)響應(yīng)量級(jí)進(jìn)行記錄,如表2所示。
圖4 設(shè)備電源模塊的應(yīng)力與位移分布云圖
表2 設(shè)備電源模塊各元器件響應(yīng)振動(dòng)量級(jí)參數(shù)表
由表2看出,設(shè)備電源模塊受Y方向振動(dòng)時(shí)的響應(yīng)量級(jí)明顯高于其他兩個(gè)方向,從而可以進(jìn)一步驗(yàn)證,電源模塊在設(shè)備主箱體上的安裝部位在Y方向上剛度最弱,X方向其次,Z方向最強(qiáng)。受Y向振動(dòng)時(shí),隔離電源最容易發(fā)生振動(dòng)破壞。
隔離電源其3個(gè)方向上的振動(dòng)響應(yīng)功率譜曲線如圖5所示。
圖5 不同方向隔離電源振動(dòng)功率譜響應(yīng)曲線
其中,隔離電源受Y方向振動(dòng)時(shí)的響應(yīng)量級(jí)最大,在20 Hz~2000 Hz范圍內(nèi)發(fā)生了3次共振,其中最高共振峰所對(duì)應(yīng)的諧振頻率為1046.9 Hz;受X方向振動(dòng)時(shí)隔離電源共發(fā)生了2次共振,其諧振頻率分別為1242 Hz與1815.4 Hz,與設(shè)備模態(tài)分析結(jié)果基本吻合。
經(jīng)數(shù)據(jù)處理,設(shè)備受Y向振動(dòng)時(shí),各元器件的振動(dòng)響應(yīng)功率譜密度對(duì)比曲線如圖6所示。
圖6 受Y向振動(dòng)時(shí)各元器件響應(yīng)功率譜密度對(duì)比曲線
綜上所述,從設(shè)備電源模塊總體振動(dòng)響應(yīng)結(jié)果來(lái)看,對(duì)電源模塊影響最為嚴(yán)重的振動(dòng)方向?yàn)閅方向,其次為X方向,最小為Z方向,從電源模塊各元器件的響應(yīng)曲線來(lái)看,各元器件受同一方向振動(dòng)時(shí)的響應(yīng)曲線規(guī)律相同。
采用的整體減振與局部減振相結(jié)合的減振方案。
對(duì)于印制電路板的抗振加固設(shè)計(jì),主要有兩種方式:一是增加印制板厚度;二是對(duì)印制板背部添加加強(qiáng)筋。
3.2.1 增加電路板的厚度
3種厚度印制板的模態(tài)仿真結(jié)果如表3、表4所示。
表3 不同印制電路板厚度固有頻率對(duì)比
表4 不同印制電路板厚度隨機(jī)振動(dòng)響應(yīng)對(duì)比
增加印制板厚度可有效提高探測(cè)器電路模塊的抗振性能。
3.2.2 背部添加加強(qiáng)筋
根據(jù)前期振動(dòng)響應(yīng)分析結(jié)果可以看出,探測(cè)器印制電路板上端剛性較弱,底部由于直接與插針相連,剛度一定程度上有所提高,因此,加強(qiáng)筋的安裝位置如圖7所示。
圖7 加強(qiáng)筋安裝示意圖
隨機(jī)振動(dòng)分析結(jié)果如表5所示,其加速度與位移響應(yīng)云圖分別如圖8、圖9所示。
表5 不同印制電路板厚度隨機(jī)振動(dòng)響應(yīng)對(duì)比
圖8 探測(cè)器印制電路板振動(dòng)加速度響應(yīng)對(duì)比
圖9 探測(cè)器印制電路板振動(dòng)位移響應(yīng)對(duì)比
對(duì)印制電路板背部添加加強(qiáng)筋可有效提高探測(cè)器模塊的抗振性能。
綜上所述,隨著印制板厚度的增加,探測(cè)器印制電路板的剛度不斷提高;對(duì)印制電路板背部添加加強(qiáng)筋同樣可以增大探測(cè)器印制電路板的剛度。但在印制電路板的厚度過(guò)大時(shí),將大大增加探測(cè)器集成器件的焊接難度。經(jīng)綜合考慮,采用增加探測(cè)器印制板厚度為2 mm和背部添加加強(qiáng)筋相結(jié)合的方式進(jìn)行抗振設(shè)計(jì)。
設(shè)備減振器裝配圖如圖10所示。
圖10 設(shè)備外部減振器裝配圖及安裝位置
3.3.1 電源模塊減振分析
整體減振后電源模塊中4個(gè)元器件的振動(dòng)響應(yīng)量級(jí)如表6所示,同時(shí)對(duì)比表2,可以計(jì)算得出電源模塊各元器件的減振效率如表7所示。
表6 電源模塊各元器件振動(dòng)響應(yīng)量級(jí)
表7 電源模塊各元器件減振效率
表7中各元器件的減振效率均高于45%,滿足設(shè)計(jì)要求,其中Y向振動(dòng)的減振效率最高,X向減振效率其次,Z向減振效率最弱。為了更加詳細(xì)了解各元器件的減振情況,分別受X、Y、Z向振動(dòng)時(shí)各元器件的響應(yīng)功率譜密度對(duì)比曲線分別如下頁(yè)圖11所示。
根據(jù)彈載信息采集設(shè)備減振后電源模塊的振動(dòng)響應(yīng)結(jié)果,此種減振方案已經(jīng)滿足了減振設(shè)計(jì)要求。
在彈載信息采集設(shè)備的振動(dòng)分析及減振設(shè)計(jì)過(guò)程中取得如下研究成果。
1)對(duì)彈載信息采集設(shè)備三維模型進(jìn)行簡(jiǎn)化及等效建模,顯著提高了有限元仿真的計(jì)算效率,大大縮短了運(yùn)算時(shí)間。
圖11 振動(dòng)電源模塊各元器件響應(yīng)功率譜密度曲線
2)通過(guò)對(duì)彈載信息采集設(shè)備進(jìn)行模態(tài)分析與隨機(jī)振動(dòng)分析,得出設(shè)備各關(guān)鍵模塊的振動(dòng)響應(yīng)規(guī)律,即設(shè)備各關(guān)鍵模塊主要在高頻階段發(fā)生共振,這為信息采集設(shè)備減振系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
3)在彈載信息采集設(shè)備減振系統(tǒng)的仿真分析過(guò)程中,完成減振器的等效模擬及減振系統(tǒng)振動(dòng)特性分析,為以后減振系統(tǒng)的有限元仿真提供參考。
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