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      高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井傾角影響校正研究

      2018-04-11 05:58:41郭晨彤成志剛李國(guó)利王鈺楠
      關(guān)鍵詞:斜井電荷電導(dǎo)率

      仵 杰,郭晨彤,楊 林,成志剛,李國(guó)利,王 謙,王鈺楠

      (1.西安石油大學(xué) 光電油氣測(cè)井與檢測(cè)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西 西安 710065;2.中國(guó)石油集團(tuán) 測(cè)井有限公司,陜西 西安 710077)

      仵杰,郭晨彤,楊林,等.高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井傾角影響校正研究[J].西安石油大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2018,33(2):44-50,57.

      WU Jie,GUO Chentong,YANG Lin,et al.Correction of dipping effect on high resolution array induction logging[J].Journal of Xi'an Shiyou University (Natural Science Edition),2018,33(2):44-50,57.

      引 言

      隨著油氣勘探的不斷深入,大斜度、構(gòu)造高傾角地層井的數(shù)量與日俱增。當(dāng)?shù)貙觾A角大于30°時(shí),測(cè)井響應(yīng)傾角影響逐漸增大,影響電阻率測(cè)井解釋的準(zhǔn)確性。許多學(xué)者研究了感應(yīng)測(cè)井中的傾角影響信號(hào)處理校正方法。Howell[1]首先提出將反褶積的方法用于感應(yīng)測(cè)井傾斜影響校正。Sheng[2]利用電磁理論推導(dǎo)出了斜井幾何因子解析式,應(yīng)用于高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)[3]的傾角影響校正,設(shè)計(jì)體積和電荷影響校正濾波器,但其電荷影響校正十分復(fù)雜,很難有效用于實(shí)際測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)校正。肖加奇等[4-5]通過階躍模型響應(yīng)數(shù)值差分提取體積和電荷影響幾何因子,設(shè)計(jì)體積和電荷影響濾波器,但測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)處理時(shí)需要估計(jì)模型,正演配合實(shí)現(xiàn)傾角影響校正,過程復(fù)雜,處理速度慢。本文將針對(duì)陣列感應(yīng)(MIT)提出的體積解析幾何因子和數(shù)值電荷幾何因子相結(jié)合的傾角影響校正新方法[6]應(yīng)用于高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)的傾角校正中,研究濾波器設(shè)計(jì)和測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)處理算法,通過計(jì)算機(jī)模擬仿真驗(yàn)證研究成果的有效性。

      1 斜井幾何因子特性分析

      感應(yīng)測(cè)井相對(duì)于其他測(cè)井方法的最大不同在于可以用幾何因子來近似描述儀器的響應(yīng)函數(shù),為測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)信號(hào)處理方法提供了理論基礎(chǔ)。當(dāng)儀器與地層有一定夾角時(shí),直井中的幾何因子不再適用,必須提出新的幾何因子。目前有兩種幾何因子,一種是利用電磁場(chǎng)理論推導(dǎo)出的解析幾何因子,另一種是利用階躍模型差分法提取的數(shù)值幾何因子。

      1.1 解析體積幾何因子與數(shù)值體積幾何因子比較

      Sheng等[2]提出的解析體積幾何因子是基于擾動(dòng)理論的Born近似,其全空間積分乘以地層電導(dǎo)率不等于均勻地層的視電導(dǎo)率。本文基于直井Gianzero幾何因子推導(dǎo)出斜井Gianzero幾何因子式

      (1)

      (2)

      式(1)和(2)中

      (3)

      (4)

      式(1)和(2)分別對(duì)應(yīng)全空間的解析體積幾何因子和解析電荷幾何因子,其中L為發(fā)射線圈與接收線圈的距離;k為電磁波傳播的波數(shù),φ為方位角;RT、RR為發(fā)射、接收線圈到地層環(huán)(ρ,z)之間的距離;zT、zR為發(fā)射、接收線圈的縱向坐標(biāo)。數(shù)值幾何因子的提取方法見文獻(xiàn)[4]。圖1給出了高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)的7個(gè)陣列,傾角60°時(shí),對(duì)ρ和φ積分后的解析體積幾何因子與數(shù)值體積幾何因子。計(jì)算數(shù)值幾何因子的階躍地層電導(dǎo)率為0.1 S/m和0.01 S/m。

      從圖1知,兩種幾何因子的形態(tài)一致,但幅值不同,解析和數(shù)值幾何因子的最大峰的數(shù)值分別為2.60 S/m和2.25 S/m。數(shù)值幾何因子是通過模型測(cè)井響應(yīng)提取的,受模型對(duì)比度的影響,實(shí)際地層可能出現(xiàn)任意對(duì)比度,很難用于測(cè)井信號(hào)處理,而解析幾何因子僅與背景電導(dǎo)率有關(guān),可以用直井方法實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理。因此體積影響信號(hào)處理中,本文選擇解析體積幾何因子。

      圖1 斜井體積幾何因子(傾角60°)Fig.1 Volume geometric factors of dip (60°)

      1.2 解析電荷幾何因子和數(shù)值電荷幾何因子的比較

      圖2是60°傾角時(shí)的解析與數(shù)值電荷幾何因子比較。圖2中的數(shù)值電荷幾何因子有2個(gè),分別由上升和下降階躍模型提取。

      從圖2知,解析與數(shù)值電荷幾何因子差別很大。解析電荷幾何因子僅與背景電導(dǎo)率有關(guān),不能體現(xiàn)地層邊界電荷堆積的特征,實(shí)際使用時(shí)要估計(jì)表征電荷堆積的函數(shù)[2]。數(shù)值幾何因子是從階躍上升和下降模型測(cè)井響應(yīng)中通過差分提取縱向幾何因子,然后適當(dāng)運(yùn)算得到的[3],準(zhǔn)確反映了地層邊界附近的電荷堆積對(duì)7個(gè)子陣列的影響特征。上升數(shù)值電荷幾何因子與下降數(shù)值電荷幾何因子完全對(duì)稱,反映電荷堆積的現(xiàn)象。因此本文選擇數(shù)值幾何因子研究去除電荷影響的信號(hào)處理方法。

      圖2 解析與數(shù)值電荷幾何因子比較(傾角60°)Fig.2 Comparison of analytical charge geometric factors with numerical charge geometric factors (60°)

      1.3 對(duì)比度對(duì)電荷幾何因子的影響

      數(shù)值電荷幾何因子反映界面的電荷堆積影響,是否受電導(dǎo)率和對(duì)比度的影響?如果不知道影響規(guī)律,很難用于實(shí)際斜井測(cè)量信號(hào)處理。下面分析階躍模型電導(dǎo)率和對(duì)比度的影響特征。

      1.3.1對(duì)比度固定而電導(dǎo)率改變對(duì)數(shù)值電荷幾何因子的影響取階躍模型電導(dǎo)率對(duì)比度為10,選取不同電導(dǎo)率計(jì)算分析電導(dǎo)率變化對(duì)數(shù)值電荷幾何因子的影響特征,分別記為低電導(dǎo)率階躍模型(0.1/0.01)和高電導(dǎo)率階躍模型(1.0/0.1)。圖3給出了2種階躍模型對(duì)應(yīng)下經(jīng)過趨膚效應(yīng)校正后的最短子陣列1和最長(zhǎng)子陣列7的數(shù)值電荷幾何因子響應(yīng)特征。

      從圖3知,子陣列1的兩條數(shù)值電荷幾何因子幾乎完全重合,說明其不受電導(dǎo)率變化的影響;子陣列7的數(shù)值電荷幾何因子,中間基本重合,兩邊有微小差別,電導(dǎo)率大時(shí)幾何因子的旁瓣減小。圖3說明對(duì)比度不變時(shí),可以忽略電導(dǎo)率變化對(duì)數(shù)值電荷幾何因子的影響。

      圖3 相同電導(dǎo)率對(duì)比度下的電荷幾何因子Fig.3 Charge geometric factors with the same conductivity contrast

      1.3.2電導(dǎo)率對(duì)比度變化對(duì)數(shù)值電荷幾何因子的影響取3種電導(dǎo)率對(duì)比度:5(0.05/0.01)、10(0.1/0.01)和100(0.1/0.001),提取數(shù)值電荷幾何因子,如圖4所示。

      總體看,3種對(duì)比度曲線特征趨勢(shì)相同,對(duì)比度越大電荷幾何因子數(shù)值越大。仔細(xì)比較,子陣列1僅在層界面有點(diǎn)差別,離開層界面差別快速減??;子陣列7在發(fā)射與屏蔽之間幾乎不變,其余位置有點(diǎn)分離。下面的電荷濾波器設(shè)計(jì)中取對(duì)比度為10對(duì)應(yīng)的數(shù)值電荷幾何因子。

      圖4 不同電導(dǎo)率對(duì)比度下的電荷幾何因子Fig.4 Charge geometric factors with different conductivity contrast

      2 傾角校正方法研究

      斜井校正的目的是消除傾角對(duì)測(cè)井響應(yīng)的體積和電荷影響,恢復(fù)到直井時(shí)的測(cè)井響應(yīng)。針對(duì)解析和數(shù)值幾何因子的特點(diǎn),筆者提出了解析體積幾何因子和數(shù)值電荷幾何因子相結(jié)合的斜井校正新方法,并成功應(yīng)用于中國(guó)石油測(cè)井集團(tuán)公司制造的陣列感應(yīng)測(cè)井儀MIT中的斜井校正[6-7]。本文針對(duì)以上的分析,研究如何將該方法應(yīng)用于高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)的傾角影響校正。

      2.1 傾角校正信號(hào)處理研究

      圖5 地層信號(hào)、斜井測(cè)量信號(hào)及斜井處理信號(hào)的關(guān)系Fig.5 Relationship among formation signal,dip measuring signal and dip processing signal

      圖5中斜井測(cè)量信號(hào)與斜井處理信號(hào)之間的關(guān)系可用數(shù)學(xué)語言描述為

      (5)

      (6)

      (7)

      式(7)中,gj(z,σ,θ)為斜井縱向響應(yīng)函數(shù),同時(shí)包含電荷和體積影響。式(7)是設(shè)計(jì)斜井校正濾波器的基本方程。實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),式(6)表示的電荷和體積濾波器必須分別設(shè)計(jì),下面研究電荷濾波器和體積濾波器的設(shè)計(jì)方法。

      2.2 消除電荷影響的濾波器設(shè)計(jì)方法

      (8)

      式(8)是設(shè)計(jì)電荷濾波器的基本方程。由于上升和下降階躍模型具有不同的斜井響應(yīng)函數(shù),求解方程(8)變?yōu)橥瑫r(shí)求解以下2個(gè)方程

      (9)

      (10)

      (11)

      (12)

      2.3 消除體積影響的濾波器設(shè)計(jì)方法

      (13)

      (14)

      (15)

      至此,電荷和體積濾波器設(shè)計(jì)歸結(jié)為求解帶約束的方程組。實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí),可以利用直井中設(shè)計(jì)聚焦合成真分辨率濾波器的帶約束最小二乘最優(yōu)化方法設(shè)計(jì)最佳電荷和體積濾波器。

      3 傾角校正計(jì)算效果分析

      設(shè)計(jì)了高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)中消除傾角影響的電荷和體積濾波器,編程實(shí)現(xiàn)斜井測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)的處理算法,下面通過計(jì)算機(jī)仿真測(cè)試設(shè)計(jì)濾波器和算法的有效性。

      3.1 三層無侵地層

      三層模型是測(cè)試斜井校正效果最直接和最簡(jiǎn)單的模型。取三層模型的目的層電阻率為100 Ω·m,上下圍巖電阻率為10 Ω·m,層厚4 m,不考慮井眼和侵入影響。圖6給出傾角為60°時(shí)的校正效果分析。圖6(a)為斜井?dāng)?shù)據(jù)直井處理的結(jié)果,(b)為先傾角影響校正然后再直井處理結(jié)果。為了與直井比較,橫向坐標(biāo)均是垂深。從圖6知:

      (1)直井處理中(圖6(a)),在層界面出現(xiàn)明顯尖峰異常;在層中間,不同探測(cè)深度曲線分離,表現(xiàn)假“侵入”,10 in讀數(shù)目的層真值,不受傾角影響,其余曲線受傾角影響,最深影響最大;兩側(cè)圍巖不同探測(cè)深度曲線分離,8 m以后才基本重合。

      (2)傾角影響校正后(圖6(b)),6條不同探測(cè)深度曲線幾乎完全重合,與直井處理結(jié)果一致,說明傾角影響校正有效消除了傾角的影響。

      圖6 三層地層模擬結(jié)果(傾角60°,分辨率0.6 m)Fig.6 Simulation results of three-layer formation (dip angle,60°; resolution,0.6 m)

      3.2 十層無侵地層

      十層模型測(cè)試不同層厚時(shí)的傾角影響校正情況。取電阻率對(duì)比度為10的十層無侵地層模型,圍巖電阻率10 Ω·m,目的層電阻率100 Ω·m,層厚從0.3 m到3 m。圖7是傾角為60°時(shí)的校正效果分析。與圖6類似,橫軸為垂深,圖7(a)和圖7(b)分別為斜井?dāng)?shù)據(jù)直井處理的結(jié)果和傾角影響校正后的處理結(jié)果。

      圖7 十層地層模擬結(jié)果(傾角60°,分辨率0.6 m)Fig.7 Simulation results of ten-layer formation (dip angle,60°; resolution,0.6 m)

      從圖7知:

      (1)直接直井聚焦處理(圖7(a))時(shí),不管圍巖還是目的層,6條不同探測(cè)深度曲線均分離,顯示假“侵入”現(xiàn)象;層厚大于1.2 m時(shí),在目的層中,10 in曲線讀到地層真值,而90 in和120 in曲線雖然完全分辨層厚,但讀數(shù)只有50 Ω·m,遠(yuǎn)偏離真值,圍巖部分所有探測(cè)深度曲線均分離,受高阻目的層影響嚴(yán)重。

      (2)傾角影響校正后(圖7(b)),6條不同探測(cè)深度曲線幾乎完全重合,與直井處理結(jié)果一致,層厚0.9 m時(shí)近似讀到地層真值,層厚1.2~2.7 m,有點(diǎn)過校正。與圖7(a)比較,傾角影響明顯得到消除。

      3.3 Oklahoma地層

      Oklahoma地層是一個(gè)非常苛刻的多層地層,電阻率從低阻4 Ω·m到高阻1 500 Ω·m,對(duì)比度從2到130,層厚從0.6 m到5 m,常用來檢測(cè)測(cè)井信號(hào)處理方法的適應(yīng)性。計(jì)算分析了傾角60°和75°兩種情況時(shí)傾角校正效果,如圖8所示。圖中同時(shí)給出了直接處理結(jié)果。從圖8知:

      (1)直接處理結(jié)果中(圖8(a)和圖8(c)),最淺10 in曲線分辨層厚清楚,其余探測(cè)深度曲線隨傾角增大分離明顯。在深度110 m至115 m的5 m厚地層中,75°時(shí),120 in曲線度數(shù)(40 Ω·m) 明顯偏離真值(100 Ω·m)。在深度120 m至130 m的10 m厚高阻地層中,60 in至120 in曲線異常。

      圖8 Oklahoma地層模擬結(jié)果(分辨率0.6 m)Fig.8 Simulation results of Oklahoma formation (different dip angle,resolution,0.6 m)

      (2)經(jīng)過傾角校正后(圖8(b)和圖8(d)),與校正前比較,傾角影響明顯消除,不同探測(cè)深度曲線重合,部分高對(duì)比度地層有點(diǎn)過校正,這是由于電荷影響校正使用了固定對(duì)比度的數(shù)值電荷幾何因子。

      3.4 基于實(shí)際斜井測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)的建模與校正

      圖9是某油田(x110-x140 m,地層傾角55°)高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)的實(shí)際測(cè)井曲線(120 in)及對(duì)應(yīng)的等效地層模型。用正演程序計(jì)算測(cè)井響應(yīng),然后進(jìn)行直井處理和傾角校正處理,如圖10所示。從圖10知:

      (1)直井處理結(jié)果(圖10(a))在層交界面兩側(cè)和薄層,不同探測(cè)深度曲線不重合,出現(xiàn)了假“侵入”現(xiàn)象。

      (2)傾角影響校正處理后(圖10(b)),不同探測(cè)深度曲線重合,層厚分辨清晰,傾角影響完全消除。

      圖9 某油田實(shí)際測(cè)井曲線與模型化圖Fig.9 Real logging data and modelling data of an oilfield

      圖10 實(shí)際測(cè)井曲線處理結(jié)果(傾角55°)Fig.10 Processing results of a real logging curve(dip angle,60°)

      4 結(jié) 論

      (1)推導(dǎo)出類似直井Gianzero幾何因子的斜井Gianzero解析體積和電荷幾何因子。通過比較分析趨膚效應(yīng)校正處理以后的解析斜井幾何因子與數(shù)值幾何因子響應(yīng)特性,揭示兩種幾何因子的優(yōu)缺點(diǎn)。解析斜井體積幾何因子僅與背景電導(dǎo)率有關(guān),容易用直井方法設(shè)計(jì)濾波器,消除斜井體積影響;數(shù)值電荷幾何因子體現(xiàn)地層邊界電荷堆積的特征,解析電荷幾何因子不直接反映電荷堆積的現(xiàn)象。同時(shí)分析了電導(dǎo)率及其對(duì)比度對(duì)數(shù)值電荷因子的影響規(guī)律,為使用數(shù)值電荷幾何因子消除電荷影響提供理論依據(jù)。

      (2)針對(duì)高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)建立解析體積幾何因子和數(shù)值電荷幾何因子相結(jié)合的斜井校正新方法。研究體積影響和電荷影響分離的斜井影響校正方法,推導(dǎo)出設(shè)計(jì)體積濾波器和電荷濾波器的基本方程及約束條件。

      (3)通過無侵三層、十層和Oklahoma地層及某油田實(shí)際測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)模型的計(jì)算機(jī)仿真數(shù)據(jù)處理測(cè)試并分析了斜井影響校正效果。針對(duì)高分辨率陣列感應(yīng)測(cè)井(HDIL)設(shè)計(jì)的傾角影響校正濾波和測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)處理算法在傾角小于75°范圍可以有效消除測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)中的傾角影響。

      (4)進(jìn)一步實(shí)際斜井測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)傾角影響校正應(yīng)用中,還要研究井眼、侵入與傾角影響的關(guān)系。

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