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      毫米波多層交叉耦合SIW濾波器設計

      2018-04-03 07:11:15南京郵電大學電子與光學工程學院韋皓宇錢國明
      電子世界 2018年5期
      關鍵詞:品質因數(shù)基片諧振腔

      南京郵電大學電子與光學工程學院 韋皓宇 錢國明

      1 引言

      近年來無線通信的飛速發(fā)展對通信設備的輕量化、小型化提出了更高的要求。緊湊型的微波通帶濾波器(BPF)在電路中的起重要作用,其性能優(yōu)劣和結構大小影響整個系統(tǒng)的質量。高品質因數(shù)、高功率容量、低損耗的金屬波導濾波器由于體積較大,在結構緊湊的平臺上應用受限。微帶濾波器體積小、易集成,但損耗大、Q值低,無法滿足高頻電路設計要求。

      基片集成波導(SIW)是于近年提出的一種新型波導結構[1],在損耗低的介質基片邊緣等間距地排列金屬化通孔,并在上下底面使用金屬層覆蓋,在介質基片上實現(xiàn)傳統(tǒng)金屬波導的功能,具有矩形波導品質因數(shù)高、易設計的特性,同時具有體積小、重量輕、易集成等傳統(tǒng)矩形不具備的優(yōu)點[2]。

      2 交叉耦合SIW濾波器的理論與設計

      2.1 SIW諧振腔

      圖1 所示是一個典型的基片集成波導諧振腔。

      在上下底面均為金屬層的介質基片中,用金屬化通孔排列在側面構成電壁,把電磁場限制在由金屬層和四周金屬化孔圍成的腔體中。在圖1.1中,d、s分別表示金屬通孔的直徑和間隔。當滿足:s<λ/4,s<4d時,能量泄露基本被抑制。其中,λ為介質波長。這時可把SIW腔體視為一個由介質填充的金屬腔[2],它的諧振頻率可由公式(1)得出:

      其中,aeff,beff是諧振腔的有效邊長。

      圖1 基片集成波導諧振腔

      圖2 四階交叉耦合SIW濾波器

      圖3 外部品質因數(shù)的提取

      圖4 諧振腔耦合關系的提取

      圖5 多層交叉耦合濾波器幾何參數(shù)圖(單位:mm)

      2.2 耦合結構

      圖2所示我們所設計的四級交叉耦合SIW濾波器。其拓撲結構如圖a所示,圖2中Mij表示第i和j級諧振器間的耦合系數(shù)。主耦合、交叉耦合分別采用實線和虛線表示。

      濾波器設計目標:中心頻率26GHZ,passband為25.5G~26.5G,retrun loss小于20db,通帶插入損耗小于2db。

      根據設計指標,使用梯度優(yōu)化算法,綜合得到所選拓撲結構的耦合矩陣:

      外部品質因數(shù)可由以下公式計算:

      從耦合矩陣可以得到諧振腔間的耦合系數(shù):

      Kij反映諧振腔之間耦合關系的強弱,由連接諧振腔之間的感性或容性的槽孔尺寸決定。

      傳統(tǒng)濾波器使用解析法直接求出諧振腔和耦合結構的實際尺寸,但由于交叉耦合拓撲結構復雜,沒有可供使用的解析方程直接求解。我們通過調整諧振腔間耦合結構尺寸,計算耦合系數(shù)并使之與提取出的耦合矩陣相吻合,最終滿足設計要求。

      外部品質因數(shù)Qe可以提取自諧振頻率點反射系數(shù)的群時延[3]:

      如圖3所示,在仿真軟件中建立電流饋針的端口諧振腔模型,改變L,W1,W2參數(shù)控制耦合強度使群時延與理論值相等,我們得到了外部耦合結構的初始尺寸。

      圖6 多層交叉耦合SIW濾波器仿真結果

      耦合矩陣中,諧振腔的耦合系數(shù)有正負之分。M23,M34,M14符號相同,他們同屬磁耦合。拓撲結構中,2-3和1-4號諧振腔是兩對共面的諧振腔,通過腔體公用通孔壁上的感性槽實現(xiàn)磁耦合。3-4是異面諧振腔,他們之間實現(xiàn)磁耦合的方式為在公共金屬層上開出一條矩形感性槽。為實現(xiàn)耦合,感性槽應處于上下兩諧振腔的磁場都較強的位置。

      M12的負值表示電耦合。其實現(xiàn)方式為:在1、2腔體間的金屬面上開一容性圓孔,圓孔開在兩諧振腔電場較強的位置。

      我們在仿真軟件中建立包含耦合結構的兩個相鄰諧振腔,仿真模式為本征模,耦合系數(shù)可以由前兩個模式的頻率計算得出[4]:

      其中f1、f2是諧振腔第一模式和第二模式的諧振頻率。

      如圖4所示,通過調節(jié)感性窗的長度W和容性圓孔的半徑R控制諧振腔間耦合量的大小,在相鄰諧振腔的耦合系數(shù)與結構的物理參量之間建立了曲線關系。在之前提取的耦合矩陣的基礎上,初步確定了各耦合結構的具體初值。

      3.仿真優(yōu)化

      根據上文分析我們得到了由耦合矩陣確定的濾波器初始結構參數(shù),在Ansoft HFSS仿真軟件中建立模型。我們使用Ferro-A6作為基板材料,其介電常數(shù)為5.9、損耗角正切0.0015。諧振腔體的厚度為0.384mm,金屬通孔直徑為0.18mm。

      經過優(yōu)化后,模型的詳細幾何參數(shù)如圖5所示。

      仿真結果如圖6所示,可以看出在25.5ghz到26.5ghz的通帶內,插入損耗小于1.5db,回波損耗大于18db,上下阻帶各存在一傳輸零點,分別位于25.2ghz和27.18ghz。

      4.結論

      提出了一個毫米波波段的基于SIW技術的四階交叉耦合濾波器,采用LTCC工藝將諧振腔垂直放置,異面諧振腔之間通過容性圓孔和感性槽耦合,顯著減小了電路面積。文章詳細闡述了諧振腔間耦合系數(shù)的提取過程,并利用HFSS軟件建模仿真,濾波器中心頻率為26GHZ,在1G的通帶內插損小于1.5dB。仿真結果表明該交叉耦合濾波器傳輸性能良好,體積緊湊,易于集成,可廣泛應用于微波和毫米波系統(tǒng)。

      [1]D.Deslandes,K.Wu.Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form.IEEE Microwave Wireless Compon,2001,11:68-70.

      [2]X.P.Chen and K.Wu,”Substrate Integrated Waveguide Cross-Coupled Filter With Negative Coupling Structure,”in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.56,no.1,pp.142-149, Jan.2008.

      [3]H.J.Tang,W.Hong,J.X.Chen,G.Q.Luo and K.Wu,”Development of Millimeter-Wave Planar Diplexers Based on Complementary Characters of Dual-Mode Substrate Integrated Waveguide Filters With Circular and Elliptic Cavities,”in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.55,no.4,pp.776-782,April 2007.

      [4]Zhang-Cheng Hao,Wei Hong,Ji-Xin Chen,Xiao-Ping Chen and Ke Wu,”Compact super-wide bandpass substrate integrated waveguide(SIW)filters,”in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.53,no.9,pp.2968-2977,Sept.2005.

      [5]D.Jia,Q.Feng,Q.Xiang and K.Wu,”Multilayer Substrate Integrated Waveguide(SIW)Filters With Higher-Order Mode Suppression,”in IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.26,no.9,pp.678-680,Sept.2016.

      [6]D.L.Diedhiou,E.Rius,J.F.Favennec and A.El Mostrah,”Ku-Band Cross-Coupled Ceramic SIW Filter Using a Novel Electric Cross-Coupling,”in IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.25,no.2,pp.109-111,Feb.2015.

      [7]S.Sirci et al.,”Design and Multiphysics Analysis of Direct and Cross-Coupled SIW Combline Filters Using Electric and Magnetic Couplings,”in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.63,no.12,pp.4341-4354,Dec.2015.

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