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      SDS-PVP復(fù)合體系中PVP對(duì)ZnO微納結(jié)構(gòu)材料氣敏性能的影響

      2018-04-03 06:52:17陳炳蓉劉成有
      關(guān)鍵詞:工作溫度氣敏靈敏度

      陳炳蓉 ,于 海,劉成有

      眾所周知,聚合物與表面活性劑相互作用形成的復(fù)合體系能改變納米材料微結(jié)構(gòu),其主要原理是利用復(fù)合體系在溶液中形成的納米級(jí)軟模板,為合成形貌繁多、性能各異的納米材料提供生長(zhǎng)平臺(tái)[1-2].研究這種復(fù)合體系為材料展現(xiàn)的良好物理化學(xué)性能及其作用機(jī)理成為提升當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)之一.近年來(lái),提高半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料性能的各種方法都普遍應(yīng)用一種或多種表面活性劑、多類復(fù)合體系等作為調(diào)節(jié)材料形貌的溶液添加劑[3-4].在復(fù)合體系研究和應(yīng)用中,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)與十二烷基硫酸鈉(SDS)都具有較好的溶解性和生物相容性[5],是最常用的復(fù)合體系之一[6-7].但SDS-PVP復(fù)合體系對(duì)半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料性能影響卻較少被提及.本文以氧化鋅(ZnO)為例,研究SDS-PVP復(fù)合體系中PVP對(duì)氣敏材料性能的影響,為全面研究SDS-PVP復(fù)合體系提升半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料性能提供實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ).

      ZnO作為相容、穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)特性代表[8],卻存在氣敏靈敏度低、選擇性差、工作溫度高等氣敏性能缺欠.若能利用SDS-PVP復(fù)合體系,合成活性組分更多或更利于氣體吸附擴(kuò)散的ZnO新形貌敏感材料,提升受體功能和傳導(dǎo)功能就更簡(jiǎn)單廉價(jià).同時(shí),對(duì)提升其他金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏性能的研究具有積極的啟發(fā)作用.

      本文采用水熱法,以 Zn(NO3)2提供Zn2+,用水作溶劑,在氨水環(huán)境,分別加入相同質(zhì)量的SDS和不同比例PVP,制備出不同形貌的ZnO微納結(jié)構(gòu)材料.通過(guò)XRD、SEM、氣敏檢測(cè)分析其物相、結(jié)構(gòu)、形貌以及氣敏性能,并研究了在復(fù)合體系中PVP對(duì)ZnO微納結(jié)構(gòu)以及氣敏性能的影響和有可能的影響機(jī)理.

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      1.1 實(shí)驗(yàn)原材料

      六水合硝酸鋅(Zn(NO3)2·6H2O),氨水(NH3·H2O),十二烷基硫酸鈉(SDS),聚乙烯吡咯烷酮(PVP),去離子水,所有試劑均購(gòu)于國(guó)藥且為分析純.

      1.2 材料的制備

      ZnO微納結(jié)構(gòu)材料是通過(guò)水熱法制備的.首先向 0.891g六水合硝酸鋅(Zn(NO3)2·6H2O)、0.162g十二烷基硫酸鈉(SDS)及三組不同質(zhì)量(0.324g、0.162g、0g)的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)各自加入60ml去離子水,用磁力攪拌器攪拌(速度為2000rpm).各組同時(shí)第一次加入0.134ml氨水(NH3·H2O)攪拌.15min后,再加入等量氨水,再攪拌15min,得到白色懸濁液(PH≈9).分別轉(zhuǎn)入到三個(gè)反應(yīng)釜中保持95℃水熱反應(yīng)70min,記為S1(1∶2)、S2(1∶1)、S3(1∶0).用去離子水和乙醇各離心洗滌三次,在60℃干燥箱中烘干10h后,得到三組白色前驅(qū)體粉末.在500℃下退火5h,得到樣品記為ZnO(1∶2)、ZnO(1∶1)、ZnO(1∶0).

      1.3 材料的表征

      采用X射線衍射儀(測(cè)試條件為CuKα λ=1.54?,管電壓40kV,管電流250mA,掃描范圍2θ為10°~80°,掃描速度4°/min,對(duì)前驅(qū)體和退火樣品進(jìn)行物相分析.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM,Hitachi 54800加速電壓25kV)對(duì)樣品的表面結(jié)構(gòu)形貌進(jìn)行觀察及表征.

      1.4 平面結(jié)構(gòu)傳感器的制備及氣敏測(cè)試

      本實(shí)驗(yàn)的氣敏元件為平面型氣敏傳感器.將退火樣品分別倒入瑪瑙研缽研磨,加少量無(wú)水乙醇調(diào)至均勻糊狀,用細(xì)毛筆將糊狀樣品涂敷在陶瓷襯底的銀鈀電極片上(如圖1(a)),然后將傳感器放置在控溫臺(tái)上老化(溫度125℃,時(shí)間為1d,如圖1(b)).再通過(guò)靜態(tài)配氣法(CGS-1TP智能氣敏分析系統(tǒng),北京艾立特科技有限公司)進(jìn)行氣敏性能測(cè)試與分析(如圖1(c)).本文的氣敏傳感器靈敏度(S)定義為:S=Ra/Rg(還原氣體),Ra是干空氣中的傳感器電阻,Rg是目標(biāo)氣體和干燥空氣混合的傳感器電阻.

      圖1 氣敏元件的制備及測(cè)試儀器

      2 分析與討論

      2.1 XRD的測(cè)試結(jié)果

      圖2為前驅(qū)體和退火樣品的X衍射圖譜.圖2(a)是前驅(qū)體S1(1∶2)的XRD圖譜,在 2θ=20.3°、27.2°、33°、59.7°處的衍射峰與Zn(OH)(2JCPDS:1-360)晶面(110)、(111)、(211)、(421)相對(duì)應(yīng).前驅(qū)體S3(1∶0)所示的XRD圖譜在2θ=31.7°、34.4°、36.2°、47.5°、56.5°、62.8°、67.8°、68.9°處的衍射峰與 ZnO(JCPDS:79-207)晶面(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)、(201)相對(duì)應(yīng).另外還保留了Zn(OH)2上述對(duì)應(yīng)晶面的衍射峰.前驅(qū)體S2(1∶1)所示的XRD圖譜的主要衍射峰與上述Zn(OH)2、ZnO對(duì)應(yīng)晶面也都吻合,但峰值超前兩者.這說(shuō)明分別加入相同質(zhì)量SDS和與其不同比例PVP的復(fù)合體系對(duì)前驅(qū)體的生長(zhǎng)方式、結(jié)構(gòu)有明顯的影響.

      退火樣品的XRD圖譜中(圖2(b)),原屬Zn(OH)2的衍射峰完全消失,在 2θ =31.8°、34.4°、36.3°、47.5°、56.6°、62.9°、67.9°、69.1°處出現(xiàn)了新的衍射峰,這些衍射峰依次與六方紅鋅礦結(jié)構(gòu)的 ZnO(JCPDS:79-206)的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)、(201)晶面相對(duì)應(yīng),結(jié)果表明:三組ZnO微納結(jié)構(gòu)均具有紅鋅礦結(jié)構(gòu),空間群為:P63mc(no.186),晶格參數(shù)為:a=b=0.32568nm,c=0.521251nm.沒(méi)有發(fā)現(xiàn)與其他雜質(zhì)相對(duì)應(yīng)的衍射峰,這表明樣品的純度和結(jié)晶度都良好.說(shuō)明在退火過(guò)程中前驅(qū)體中Zn(OH)2完全轉(zhuǎn)為ZnO.另外,退火后樣品的XRD衍射峰變尖銳,表明結(jié)晶良好.

      圖2 樣品的XRD衍射圖譜

      2.2 形貌分析

      圖3顯示了掃描電鏡(FESEM)對(duì)退火樣品不同放大倍數(shù)的典型形貌和結(jié)構(gòu)的表征.

      圖 3a(d)、3b(e)、3c(f)分別為 ZnO(1∶0)、ZnO(1∶1)、ZnO(1∶2)低(高)倍圖,各圖中各自沒(méi)有其他形態(tài),說(shuō)明產(chǎn)品的均勻性較好.可見(jiàn),樣品ZnO(1∶0)是由邊緣呈弧狀的二維超薄納米片團(tuán)聚后自組裝而成的直徑約為1μm左右的不規(guī)則球.其微結(jié)構(gòu)(圖3d)是由眾多邊緣呈弧形的二維彎曲的超薄納米片組裝而成的,邊緣厚度約為10~30 nm.樣品ZnO(1∶1)中,團(tuán)聚驟減,大多不規(guī)則二維超薄納米片分散程度較好,舒展成較平坦的局域面.樣品ZnO(1∶2)中,二維超薄納米片團(tuán)聚直徑和程度都增大.三者比較,ZnO(1∶1)微納結(jié)構(gòu)團(tuán)聚數(shù)量最少,粒狀微結(jié)構(gòu)中二維超薄納米片邊緣較直.表明在SDS-PVP復(fù)合體系中,相同質(zhì)量SDS和與其不同比例PVP匹配,對(duì)樣品微結(jié)構(gòu)的團(tuán)聚程度影響很大,適當(dāng)比例時(shí)(如,ZnO(1∶1)),二維納米片分散程度較好,且納米片形貌改變不大.

      圖3 退火樣品的SEM圖像

      2.3 氣敏性能分析

      將樣品 ZnO(1∶0)、ZnO(1∶1)、ZnO(1∶2)分別放入CGS-1TP智能氣敏分析系統(tǒng)中,對(duì)其氣敏性能進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,結(jié)果如圖4所示.調(diào)節(jié)平面型氣敏傳感器的工作溫度測(cè)量各樣品最佳工作溫度.圖4(a)為在100ppm乙醇?xì)夥罩胁煌墓ぷ鳒囟扰c靈敏度的對(duì)應(yīng)曲線.樣品靈敏度都先隨工作溫度升高而增加,達(dá)到峰值,再隨其升高而降低.樣品最佳工作溫度都是200℃.ZnO(1∶0)、ZnO(1∶1)和ZnO(1∶2)材料的最佳靈敏度分別為2.7、3.5和1.7.由此可知,PVP能有效地改善ZnO的靈敏度.圖4(b)為樣品在最佳工作溫度200℃時(shí)各自分別在100ppm的乙醇、氨水、甲醛、甲醇和苯的氣氛環(huán)境下的靈敏度對(duì)比.由圖4可知,樣品都在乙醇?xì)夥罩徐`敏度最高,其次是苯氣體,其他氣體響應(yīng)相對(duì)低,這說(shuō)明ZnO(1∶1)樣品對(duì)比其他組在乙醇?xì)夥罩芯哂休^好的選擇性和靈敏度,PVP有效地改善了材料的選擇性.圖4(c)為樣品在最佳工作溫度200℃時(shí),一定濃度范圍內(nèi)(10~800ppm)的乙醇?xì)夥罩?,靈敏度與濃度實(shí)時(shí)響應(yīng)恢復(fù)的對(duì)比曲線.可見(jiàn),在10~50ppm范圍內(nèi),ZnO(1∶1)樣品靈敏度急劇增加程度最大.在100~800ppm范圍內(nèi),靈敏度緩慢增加到200ppm,此后變化變小,表明各傳感器逐漸飽和.

      圖4 三組退火樣品的最佳工作溫度(a)、選擇性(b)及濃度響應(yīng)(c)曲線的對(duì)比

      通過(guò)上述對(duì)比,ZnO(1∶1)樣品具有相對(duì)良好的靈敏度和選擇性.筆者對(duì)其穩(wěn)定性和重復(fù)性進(jìn)行了測(cè)量,如圖5所示.ZnO(1∶1)樣品具有良好的穩(wěn)定性(如圖5(a))和重復(fù)性(如圖5(b)).

      圖5 ZnO(1∶1)樣品傳感器在最佳工作溫度200℃下(a)100ppm乙醇?xì)夥罩许憫?yīng)和恢復(fù)的穩(wěn)定性曲線;(b)在不同濃度乙醇?xì)夥罩袑?shí)時(shí)響應(yīng)的重復(fù)性曲線

      2.4 PVP的影響機(jī)理

      依據(jù)上述數(shù)據(jù),SDS-PVP復(fù)合體系中PVP主要是通過(guò)改變ZnO微納結(jié)構(gòu)材料的形貌影響傳感器的氣敏性能的.參考PVP-SDS復(fù)合體系近期的研究成果[9-11],筆者提出等量匹配結(jié)構(gòu)優(yōu)化性能的機(jī)理解釋(如圖6).

      圖6 SDS-PVP等量匹配結(jié)構(gòu)優(yōu)化性能的機(jī)理

      首先,本實(shí)驗(yàn)樣品是分別依托SDS、SDS-PVP(1∶1)、SDS-PVP(1∶2)為軟模板獲得的.在堿性環(huán)境中,只加入SDS(本實(shí)驗(yàn)濃度為9.36mmol/L,大于轉(zhuǎn)折點(diǎn)濃度9.0mmol/L),溶液中開(kāi)始形成膠束[11](圖6(a)).電離出十二烷基硫酸根離子帶負(fù)電荷,通過(guò)靜電吸附作用優(yōu)先吸附在ZnO晶核粒子的極性晶面,但其體積較大,一旦吸附上就阻礙了臨近粒子的相互作用,降低體系反應(yīng)速率和晶體沿縱軸正方向生長(zhǎng)的速度,且生長(zhǎng)時(shí)間短,促進(jìn)了晶面簇狀各向異性生長(zhǎng),當(dāng)加入不同比例的PVP(5.4g/L、2.7g/L)時(shí),PVP-SDS團(tuán)簇形成,具有強(qiáng)解離的“擬聚陰離子”結(jié)構(gòu)[11],且在兩個(gè)臨界濃度之間[12].此時(shí),SDS-PVP(1∶1)對(duì)比 SDS-PVP(1∶2)的模板,SDS的濃度相對(duì)PVP大,PVP舒展程度高(圖6(b)),促進(jìn)了ZnO納米片的分散生長(zhǎng),為形成活性組分較多和利于氣體吸附擴(kuò)散的ZnO敏感材料起到了積極的作用.另外,由于生長(zhǎng)溫度低,生長(zhǎng)時(shí)間短,得到的超薄二維納米片,進(jìn)一步優(yōu)化了ZnO的微結(jié)構(gòu),提升受體功能和傳導(dǎo)功能.而后者PVP的濃度大于SDS,PVP團(tuán)聚程度高(圖6(c)),抑制樣品的分散生長(zhǎng).

      3 結(jié)論

      本實(shí)驗(yàn)比較了添加不同比例SDS-PVP的復(fù)合體系對(duì)ZnO氣敏性能的影響,結(jié)果表明:mSDS∶mPVP=1∶1時(shí),ZnO的靈敏度提高、選擇性增強(qiáng).對(duì)其他金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏性能的研究,積極形成較多的活性組分,提升各自的氣敏性能提供了更有潛力的思路.

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