王青 汪榮昌
摘要:本文設計了3通道8bits時分復用SAR ADC,采用電荷再分配方法實現(xiàn)8位DAC,自校準比較器降低比較器的偏移誤差。所設計的模數(shù)轉換器采樣頻率1.6MHz,輸入電壓范圍為0-3.3V。該設計在Chartered 0.18μm工藝中實現(xiàn),后仿真表明,當以1.6MHz采樣頻率采樣30kHz正弦輸入信號時,INL和DNL分別在-1.00LSB/+1.11LSB和-0.72LSB/+0.95LSB內。
關鍵詞:數(shù)字PFC控制器;逐次逼近型模數(shù)轉換器;時分復用
中圖分類號:TP303+.3 文獻標識碼:A 文章編號:1007-9416(2018)01-0003-02
數(shù)字控制的功率因數(shù)校正(PFC,Power Factor Correction)器以其可編程性、對噪聲的魯棒性、對參數(shù)變化的低敏感性等優(yōu)點被越來越廣泛的選擇[1]。模數(shù)轉換器(ADC,Analog-to-Digital converter)是數(shù)字控制PFC整流器中一個重要的組成部分,它負責對整流器的反饋信號進行采樣,并將其提供給數(shù)字補償器[2]。
相比于高的采樣速度的流水線型ADC和高分辨率Σ-Δ型ADC,逐次逼近型(SAR,Successive Approximation Register) ADC具有低功耗、低成本和小的芯片面積,這使得它成為超大規(guī)模集成電路設計中一個有競爭力的選則[3]。
常規(guī)數(shù)字P FC整流器由于需要多個ADC對不同模擬量進行處理,使得成本較高。本文采用時分復用技術,只引入一個SAR ADC,來優(yōu)化優(yōu)化PFC芯片面積。
1 時分復用SAR ADC
圖1是時分復用SAR ADC的結構圖,包含DAC、比較器和一個數(shù)字邏輯電路。其中DAC的電容也作為采樣保持電容。在逐次逼近過程采用二進制搜索算法以獲得最佳數(shù)字值。模擬信號的采樣值與DAC所產(chǎn)生不同的參考電壓相比,比較的結果將決定DAC下一個輸出的反轉。當DAC的輸出與采樣信號相匹配,可以得到最佳的數(shù)字值。整個過程由數(shù)字控制邏輯電路來完成[3,4]。
1.1 DAC和采樣保持電路
電荷再分配法是DAC中經(jīng)常采用的方法,因為它的電容陣列同時可用作采樣保持電容,這樣可以降低功耗[4,5]。一個典型的8bits并聯(lián)電容陣列如圖2所示,它包含二進制加權電容、開關和一個比較器。其轉換過程可分為三個階段。第一階段是采樣階段,這期間所有電容的上極板被連接到Vcm,下極板連接到輸入電壓Vin,開關SP1和SPD關閉來采樣Vin和共模電壓Vcm。第二級是保持級,在此期間關閉上板開關,下板連接到地。從采樣階段到保持階段,電容上極板不釋放電荷,因此電荷保持守恒,即Qs=QH。這兩個階段中電容上極板的電荷為:
(1)
第三階段是再分配階段。首先最大電容的下極板連接在參考電壓Vref上,Vref是從兩個相同的串聯(lián)電容上分壓使Vp以1/2Vref步長增加。如果Vp比Vcm大則認為是邏輯1,電容連接到Vref。否則就認為是邏輯0,電容連接到地。最后,下一個電容有效位被切換到Vref以進一步轉換。該位重復n次循環(huán),直到所以數(shù)據(jù)完成轉換。
1.2 比較器
高速,低偏移,低功耗的比較器對SAR ADC非常有吸引力。雖然MOS晶體管技術可以實現(xiàn)高速低功耗,但是晶體管失配會導致比較器的失調電壓增加[6]。本文采用了一種自校準動態(tài)鎖存式低噪聲比較器。如圖3所示,由于采用了電荷泵電路替代前置放大器,所以此失調校準技術不需要靜態(tài)直流電流來消除偏移。與傳統(tǒng)的比較器相比,它不僅實現(xiàn)了低失調電壓,而且還實現(xiàn)了低功耗。在校準模式期間,比較器的所有輸入節(jié)點從信號輸入切換到共模電壓Vcm。在這種情況下,如果比較器的輸出為高電平,則電容器充電以提升Vc。否則Vc下降。C1/C2比值定義了校準的準確度。每個采樣周期對比較器進行校準,校準精度由C1/C2確定。
2 仿真結果
采用Chartered 0.18μm工藝實現(xiàn)所設計的ADC,其版圖如圖4所示,占版面積約為0.062mm2。在輸入30kHz信號時, INL在-1.00LSB/+1.11LSB之間(圖5),DNL在-0.72LSB/+0.95LSB之間(圖6)。
參考文獻
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