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    P波段1200W脈沖功率LDMOSFET研制

    2017-10-14 12:13:36張曉帆徐守利郎秀蘭李曉東
    電子元件與材料 2017年6期
    關(guān)鍵詞:輸入阻抗工作電壓巴倫

    張曉帆,徐守利,郎秀蘭,李曉東

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    P波段1200W脈沖功率LDMOSFET研制

    張曉帆,徐守利,郎秀蘭,李曉東

    (中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,河北石家莊 050051)

    基于自主開發(fā)的LDMOS工藝平臺,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并設(shè)計(jì)了器件的外匹配電路。該器件工作電壓50 V,在工作脈寬1 ms、占空比10%的工作條件下,在380~480 MHz帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)寬帶輸出功率大于1200 W,功率增益大于18 dB,漏極效率大于50%,抗駐波能力大于5:1,表現(xiàn)出了良好的RF性能,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)P波段LDMOS器件1200 W的突破。

    P波段;脈沖功率;LDMOSFET;巴倫;推挽;內(nèi)匹配

    硅脈沖功率橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(LDMOSFET)相比傳統(tǒng)硅BJT功率晶體管來說具有高增益、高線性、較強(qiáng)的抗燒毀和過驅(qū)動能力以及易于并聯(lián)大功率輸出的特點(diǎn)[1-2],使之在3.8 GHz以下射頻功率放大器領(lǐng)域成為替代硅BJT功率晶體管的核心器件,并且因其材料成本低和器件制造工藝技術(shù)成熟成為GaN微波功率器件強(qiáng)有力的競爭對手。特別在1000 MHz以下,由于功率LDMOSFET優(yōu)異的性能,低廉的價(jià)格,成熟的制造技術(shù),目前占主導(dǎo)地位。

    脈沖功率LDMOSFET器件經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展已達(dá)到較高水平,國外已開發(fā)出第八代產(chǎn)品,在VHF頻段單器件最高輸出功率達(dá)1400 W[3],工作頻率最高已經(jīng)達(dá)到3.8 GHz,國外器件在移動通訊基站等民用領(lǐng)域處于壟斷地位。國內(nèi)微波功率LDMOSFET器件處于研制階段,受電子裝備需求的牽引,研制了P波段36 V工作的420 W和350 W等產(chǎn)品,并實(shí)現(xiàn)了批量工程化應(yīng)用。但隨著裝備的小型化要求越來越高,對國產(chǎn)千瓦級器件提出了迫切要求,亟需工作電壓50 V、輸出功率千瓦以上的器件,但國內(nèi)尚未見P波段輸出功率大于1200 W的LDMOSFET器件的研制報(bào)道?;诖耍疚囊劳凶灾鏖_發(fā)的LDMOS工藝平臺,進(jìn)行P波段輸出功率大于1200 W的LDMOSFET器件的研制,以滿足裝備小型化的需要。本文研制的器件功率大于1200 W的同時(shí),保持了P波段50 V工作的LDMOS器件的增益和效率水平,綜合指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)P波段LDMOS器件1200 W的突破,且具有工程化應(yīng)用能力。此外,本文還詳細(xì)介紹了器件的內(nèi)外匹配電路設(shè)計(jì)過程。

    1 器件設(shè)計(jì)

    射頻功率LDMOS器件的輸出功率o為:

    式中:ds為工作電壓;Dsat為飽和壓降;D為漏極電流;D為漏極效率。從式(1)中可以看出,要提高器件的功率,需要提高工作電壓和電流,減小飽和壓降以及提高效率。而高工作電壓要求器件芯片具有更高的擊穿電壓,擊穿電壓至少大于2倍的工作電壓才能保證器件可靠工作,但擊穿電壓的提高會增大飽和壓降,降低效率,需要綜合考慮各參數(shù)。

    為了實(shí)現(xiàn)單器件千瓦級功率輸出,器件選擇50 V高壓工作,為此自主開發(fā)了50 V的LDMOS工藝平臺,平臺采用擴(kuò)散通源、硅化物合金柵、屏蔽柵場板和多層金屬布線等工藝,通過優(yōu)化LDD區(qū)長度及多層場板技術(shù),研制成功了擊穿電壓大于110 V,功率密度達(dá)到10 W/cm的芯片。

    根據(jù)公式(1),提高器件的輸出功率,除了工作電壓外,另外一個(gè)重要因素就是工作電流,而工作電流D由公式(2)決定[5]:

    式中:0為溝道載流子遷移率;ox為柵氧單位面積電容;gs為柵源電壓;T為閾值電壓;為器件總柵寬;為器件溝道長度。從公式(2)中可以看出,工藝確定后,器件電流主要取決于器件總柵寬。

    綜合1200 W的功率輸出要求,以及器件穩(wěn)定性、多芯片合成相位一致性、散熱、合成損耗及寬帶工作等因素,根據(jù)10 W/cm的功率密度,進(jìn)行功率冗余20%的余量進(jìn)行設(shè)計(jì),確定了器件總柵寬,器件采用8芯片合成,單芯片面積3 mm×3 mm。圖1為芯片照片。

    圖1 器件管芯

    1.2 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

    基里爾告訴記者,BPC希望滿足各國的市場需求,對于中國能否繼續(xù)保持100美元/噸的差價(jià),市場沒有更多的利好信息。他說:“我看到很多市場大出口商尚在調(diào)整銷售方向,就是因?yàn)檫@個(gè)差距太大了,所以大家都在關(guān)注巴西市場。我們覺得,中國與BPC之間的新價(jià)格將會對中國市場和國際市場帶來一些新的推進(jìn)。”目前來看,包括加拿大在內(nèi)的一些大供應(yīng)商的供給壓力很大?;餇栂Mc中國盡快達(dá)成大合同價(jià)格共識,給予中國市場一定數(shù)量的保障。

    器件要求1200 W以上的輸出功率,需要較大的總柵寬,導(dǎo)致器件阻抗較低,對器件的阻抗匹配提出了很高的要求,同時(shí)大輸出功率要求器件具有良好的散熱能力?;谏鲜鲆?,器件采用8芯片推挽合成,器件每側(cè)具有4個(gè)參數(shù)一致的芯片,兩側(cè)共8個(gè)芯片燒結(jié)于雙腔體管殼,形成平衡推挽結(jié)構(gòu),為了提升器件阻抗便于外電路匹配,同時(shí)在各芯片之間較好地進(jìn)行功率分配,器件輸入端采取“T”型輸入預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)。

    千瓦級輸出功率對器件散熱提出了極高的要求,為了降低熱阻,提升散熱能力,器件采用高熱導(dǎo)率的材料制作的管殼,同時(shí)增大單芯片面積,8個(gè)芯片布滿管殼腔體,另外對芯片厚度進(jìn)行了減薄,有效地降低了器件熱阻,提升了散熱能力。

    1.3 器件內(nèi)匹配設(shè)計(jì)

    器件輸出阻抗高于輸入阻抗,經(jīng)ADS仿真,在中心工作頻率點(diǎn),器件單側(cè)輸入阻抗實(shí)部約0.4 Ω,輸出阻抗實(shí)部約1.3 Ω,輸入阻抗過低,如果不加預(yù)匹配,寬帶匹配很難實(shí)現(xiàn),同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)千瓦功率輸出,采用多芯片合成,需要在各芯片之間實(shí)現(xiàn)功率均分,為此,器件采用輸入“T”型內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò),電路結(jié)構(gòu)原理圖見圖2,“T”型網(wǎng)絡(luò)電路圖見圖3,其輸出阻抗較高,且管殼空間有限,輸出不進(jìn)行預(yù)匹配。

    圖2 器件輸入內(nèi)匹配電路原理圖

    圖3 器件輸入電路圖

    LDMOS芯片的輸入阻抗可等效為電阻和電容,圖3中Cin和Rin為由器件芯片輸入阻抗等效的電阻和電容,加入“T”型網(wǎng)絡(luò)后,“T”型網(wǎng)絡(luò)中L2可分為兩部分:L20和L21,通過調(diào)整電感量,L21可以將芯片阻抗的容抗部分抵消掉,此時(shí)器件輸入等效電路見圖4。

    圖4 L21抵消Cin后的器件輸入電路圖

    器件輸入阻抗為[6]:

    (4)

    式(2)中,當(dāng)1=20時(shí),器件輸入阻抗為:

    從公式(3)中可以看出,設(shè)計(jì)時(shí),選取合適的1、2及,器件的輸入阻抗虛部消除,實(shí)部由in變換至,調(diào)整2和的大小可以實(shí)現(xiàn)不同的阻抗變比,但是高阻抗變比和寬帶寬是一對矛盾,需要結(jié)合外匹配電路進(jìn)行平衡和折中,出于兼顧帶寬的考慮,一般“T”型網(wǎng)絡(luò)的阻抗變比控制在3倍左右,在實(shí)現(xiàn)時(shí),電容C采用MOS電容,結(jié)合計(jì)算、使用ADS仿真和測試數(shù)據(jù),本文研制的器件容值控制在200~300 pF,電感L1和L2通過鍵合金絲實(shí)現(xiàn),通過改變鍵合線數(shù)量和弧度來調(diào)整電感量的大小,圖5為裝配好的器件照片。

    圖5 器件照片

    Fig.5 The graph of the device

    2 外匹配電路設(shè)計(jì)

    由于工作波長較長,無法直接通過預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)將器件匹配至50 Ω,預(yù)匹配后的器件需通過外電路將輸入、輸出端匹配至50 Ω。電路采用推挽結(jié)構(gòu),推挽電路能有效提升器件阻抗,同時(shí)也可以獲得優(yōu)良的偶次諧波抑制比。輸入、輸出電路采用巴倫(Balun)實(shí)現(xiàn)平衡推挽結(jié)構(gòu),同時(shí)巴倫還參與阻抗匹配,見圖6。通過適當(dāng)優(yōu)化選取巴倫電纜長度和特性阻抗,在一定帶寬內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)一定的阻抗變比。通過仿真優(yōu)化,兼顧帶寬性能和阻抗變比,本文輸入、輸出均采用特性阻抗25 Ω的半剛性電纜,長度50 mm,見圖6。在輸入端,通過巴倫可將50 Ω端口阻抗變換至推挽結(jié)構(gòu)下實(shí)部24 Ω,對應(yīng)單側(cè)12 Ω,見圖7。每側(cè)再通過微帶-電容匹配網(wǎng)絡(luò)將12 Ω的阻抗匹配至器件的輸入阻抗,見圖8,輸出端匹配過程相同。

    圖6 巴倫仿真圖

    圖7 巴倫仿真結(jié)果

    圖8 外匹配電路原理圖[7]

    3 電路調(diào)試及測試結(jié)果

    通過仿真選定巴倫后,50 Ω端口經(jīng)巴倫變換后阻抗約為12 Ω,需要通過電容帶線網(wǎng)絡(luò)匹配至器件的輸入、輸出阻抗,此時(shí)改變電容位置時(shí),相當(dāng)于帶線的長度也同時(shí)發(fā)生了變化,當(dāng)器件阻抗低時(shí),電容位置對電路影響非常大,通過仿真給出大致方向的同時(shí)需要精心、細(xì)致地調(diào)試,特別是調(diào)試靠近器件引線的電容時(shí),需要格外小心。此外,由于器件輸出功率大,初始調(diào)試,電路失配會造成器件結(jié)溫過高,需先在窄脈沖、小占空比下,逐步增加工作電壓進(jìn)行調(diào)試。調(diào)試好的測試電路見圖9。

    圖9 器件測試電路

    在工作電壓50 V、工作脈寬1 ms、占空比10%的條件下進(jìn)行了測試,380~480 MHz帶寬內(nèi),輸出功率1220~1320 W,帶內(nèi)功率分布見圖10,增益大于18 dB,效率52.1%~55.4%,帶內(nèi)分布見圖11。進(jìn)行了抗輸出失配能力測試,器件能通過5:1駐波,抗駐波能力良好。對器件進(jìn)行了紅外結(jié)溫測試,峰值結(jié)溫120℃,熱性能良好,見圖12。對器件進(jìn)行了150℃、48 h的高溫反偏、160 h的功率老煉等溫度和電應(yīng)力實(shí)驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)果表明器件可靠性良好。

    圖10 帶內(nèi)輸出功率和功率增益曲線

    圖11 帶內(nèi)效率曲線

    圖12 器件瞬態(tài)峰值結(jié)溫

    4 結(jié)論

    本文研制的器件功率大于1200 W,保持了P波段50 V工作的LDMOS器件的增益和效率水平,綜合指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先。此外還詳細(xì)介紹了器件的內(nèi)外匹配電路設(shè)計(jì)過程,研制的器件在380~480 MHz帶寬內(nèi),帶內(nèi)輸出功率大于1200 W,效率大于50%,抗駐波能力較強(qiáng),熱性能良好。實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)P波段LDMOSFET器件輸出功率千瓦級的突破,具備工程化應(yīng)用能力。

    [1] DRAGON C, COSTA J, LAMEY D, et al. A silicon MOS process for integrated RF power amplifiers [C]// Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. NY, USA: IEEE, 1996: 189-192.

    [2] MA G, BURGER W, DRAGON C, et al. High efficiency LDMOS power FET for low voltage wireless communications [C]//Electron Devices Meeting, 1996. IEDM '96, International. NY, USA: IEEE, 1996: 91-94.

    [3] NXP. RF power LDMOS transistors:document number: MRFE6VP61K25H. Rev. 4.1, 3/2014 product data sheet [EB/OL]. (2014-11-03) [2016-11-20]. http://www.nxp.com/ assets/documents/data/en/data-sheets/MRFE6VP61K25H.pdf.

    [4] 郎秀蘭, 段雪, 劉英坤, 等. P波段350W LDMOS功率管研制 [C]//全國半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會論文集. 北京:中國電子學(xué)會, 2010: 4-6.

    [5] TRIVEDI M, KHANDELWAL P, SHENAI K. Performance modeling of RF power MOSFETs [J]. IEEE Trans Electron Device, 1999, 46(8): 1794-1802.

    [6] 胡輝勇. 微波功率SiGe HBT關(guān)鍵技術(shù)研究 [D]. 西安: 西安電子科技大學(xué), 2006: 117-118.

    [7] 劉晗, 余振坤, 鄭新, 等. LDMOS功率器件在雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)中應(yīng)用研究與實(shí)踐 [J]. 微波學(xué)報(bào), 2010(8): 409-412.

    (編輯:陳渝生)

    Development of P band 1200 W pulse power LDMOSFET

    ZHANG Xiaofan, XU Shouli, LANG Xiulan, LI Xiaodong

    (The 13th Research Institute, China Electronic Technology Croup Co., Shijiazhuang 050051, China)

    A P band high power LDMOSFET device was developed under self-developing process platform, and its output matching circuit was designed. Under operating conditions ofds= 50 V, pulse width=1 ms, pulse operation=10%,the device can deliver the output power of more than 1200 W with at least 18 dB of power gain and more than 50% of drain efficiency at the frequency band of 380-480 MHz. The anti VSWR capability of the device is above 5:1. The good RF performances are presented. The device achieves a breakthrough in the domestic LDMOSFET of 1200 W output power at P band.

    P band; pulse power; LDMOSFET; Balun; push-pull; internal matching

    10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.06.015

    TN386

    A

    1001-2028(2017)06-0075-05

    2017-03-09

    張曉帆

    張曉帆(1983-),男,甘肅西和人,工程師,主要從事微波功率器件的研究和開發(fā)工作,E-mail: xiaofan622627@163.com 。

    網(wǎng)絡(luò)出版時(shí)間:2017-06-07 13:45

    http://kns.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20170607.1345.015.html

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