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    BUCK變換器課程教學(xué)內(nèi)容設(shè)計(jì)

    2017-04-06 14:07:27梅建偉田艷芳雷均劉杰魏海波
    關(guān)鍵詞:故障診斷

    梅建偉 田艷芳 雷均 劉杰 魏海波

    摘要:在分析BUCK變換器來由的基礎(chǔ)上,本文給出了直流變換電路的控制方法和工作原理,結(jié)合BUCK變換器關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電壓和電流波形,對(duì)其三種工作狀態(tài)進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析和推導(dǎo),同時(shí)對(duì)電感和電容的選型進(jìn)行了計(jì)算,在工程應(yīng)用中常常出現(xiàn)的問題進(jìn)行了解析,并且給出了解決問題的辦法,該教學(xué)內(nèi)容促進(jìn)了BUCK變換器工程應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞:BUCK;電流臨界;故障診斷

    本科教學(xué)建設(shè)與改革項(xiàng)目資助:面向電動(dòng)車輛工程方向的自動(dòng)化專業(yè)人才培養(yǎng)模式研究與探討,項(xiàng)目編號(hào):JX201603-1.

    G712;TM46

    (續(xù)26期)

    (四)三種工況分析

    1.臨界狀態(tài)

    臨界狀態(tài)時(shí): , ;

    臨界電感為:

    2.電流工作狀態(tài)

    當(dāng)電感的電感量 時(shí),電流斷續(xù);

    當(dāng)電感的電感量 時(shí),電流連續(xù);

    3.電容量大小計(jì)算

    臨界狀態(tài)時(shí):電容元件的充電電流的平均值為: ;

    電容元件兩端電壓的變化量: ;

    其中 ,故:

    如果電容電壓的波動(dòng)量為: ,此時(shí)輸出電容的最小值為: ;

    (五)實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)的問題分析

    1.MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制

    BUCK變換器的MOSFET的源極是快速二極管的陰極,因此驅(qū)動(dòng)電路的地與主回路的地信號(hào)必須隔離,否則將造成電路短路,具體實(shí)現(xiàn)方式有以下三種方式:

    (1) 驅(qū)動(dòng)電路的電源采用隔離電源方式

    圖4 采用獨(dú)立電源形式驅(qū)動(dòng)電路 圖5 基于IR2117S的驅(qū)動(dòng)電路

    脈沖信號(hào)經(jīng)過光耦隔離以后,再經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片以后驅(qū)動(dòng)MOSFET,其中PWM3信號(hào)接到MOSFET的柵極,隔離光耦以后的地位GND3,GND3接到MOSFET的源極,驅(qū)動(dòng)芯片的電源由隔離電源U3提供,U3輸入電源和輸出電源的地是隔離地信號(hào)。

    (2) 采用具有自舉功能的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)

    采用帶有自舉功能的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)MOSFET,該類型最典型的芯片是IR系列的驅(qū)動(dòng)芯片,比如單管驅(qū)動(dòng)芯片IR2117S,其典型應(yīng)用電路如圖5所示。

    (3) 采用脈沖變壓器隔離驅(qū)動(dòng)方式

    該驅(qū)動(dòng)方式在論文《全控型器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)工程教學(xué)內(nèi)容設(shè)計(jì)》一文中有較為詳細(xì)的描述。

    2.電感發(fā)熱

    一般來說在BUCK變換器中,電感發(fā)熱的原因主要有以下兩種,一是線圈發(fā)熱,主要是線圈的電阻產(chǎn)生損耗,優(yōu)化措施時(shí)增大線徑,如果電流信號(hào)的頻率達(dá)到幾十K以上,此時(shí)采用多股細(xì)銅線進(jìn)行并聯(lián),比如利茲線;二是鐵芯發(fā)熱,應(yīng)該采用高頻導(dǎo)磁能力強(qiáng)和抗飽和能力強(qiáng)的鐵芯材料。

    對(duì)于大電流的情況,通常我們采用銅帶或者將兩個(gè)鐵芯疊在一起繞制線圈,增大線圈的過流能力和抗飽和能力。

    3.電感出現(xiàn)較大的刺耳聲音

    實(shí)際使用能經(jīng)常聽到電感元件出現(xiàn)較大的刺耳的聲音,通常產(chǎn)生的原因有如下兩種,一是電感量過小,此時(shí)增大鐵芯的尺寸或者線圈匝數(shù);二是鐵芯線圈的工作頻率與鐵芯的性質(zhì)不匹配,此時(shí)一般增大頻率或者在保證線圈發(fā)熱量沒有明顯改變的情況下減小開關(guān)器件的工作頻率。

    4.MOSFET發(fā)熱嚴(yán)重

    (1) 選用導(dǎo)通電阻比較小的MOSFET,在考慮其他電參數(shù)以及成本的情況下盡量選用RDS(on)小的MOSFET;(2) 選用柵極電荷小的MOSFET,柵極電荷越大,損耗越高,發(fā)熱越嚴(yán)重;(3) 在保證柵極驅(qū)動(dòng)波形沒有畸變的情況下(重載時(shí)),盡量增大柵極電阻;(4) 脈沖寬度過大;(5) 改用多個(gè)MOSFET進(jìn)行并聯(lián)的方式,實(shí)質(zhì)上增大了散熱面積,平攤了MOSFET發(fā)熱量。

    5.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系與理論值相差較大

    理論上,輸出電壓 ,實(shí)際系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)通常輸出電壓小于理論值,如果輸出電壓實(shí)際值與理論值相差太大,主要有以下原因:

    (1) 負(fù)載太重;(2) 電感量過??;(3) 頻率太低,或者在當(dāng)前的頻率下電感出現(xiàn)飽和現(xiàn)象;(4) 脈沖寬度的上限不足,無法達(dá)到設(shè)計(jì)要求;

    6.幾個(gè)關(guān)鍵器件的選型

    (1) 續(xù)流二極管

    a) 根據(jù)圖2所示的波形,計(jì)算二極管的幾個(gè)重要參數(shù),詳見《電力電子技術(shù)中電力二極管教學(xué)內(nèi)容設(shè)計(jì)》中的第5條。b) 由于該電路工作在高頻狀態(tài),根據(jù)開關(guān)工作時(shí)間,選擇快速二極管或者肖特基二極管;c) 當(dāng)二極管導(dǎo)通時(shí),其導(dǎo)通損耗為 ,因此盡量選擇導(dǎo)通壓降小的二極管;

    (2) 電感

    a) 根據(jù)圖2所示的波形,計(jì)算電感元件的電感量、電感元件電流的平均值和電感元件中電流的最大值;b) 由于該電路工作在高頻狀態(tài),選擇高頻導(dǎo)磁材料,比如鐵氧體、鐵硅鋁、鎳氫合金等;c) 由于電感中電流波動(dòng)大,鐵芯電感元件容易飽和,因此要選用抗飽和能力強(qiáng)的磁芯材料,比如鐵硅鋁;

    (3) 電容

    a) 根據(jù)項(xiàng)目要求的輸出電壓紋波,計(jì)算需要的電容量的最小值;b) 根據(jù)電容兩端電壓的波形,計(jì)算電容兩端電壓的最大值,一般電容的耐壓等于該電壓的兩倍;c) 盡量選用低等效電感和低等效電阻的電容元件;

    5.7 BUCK變換器空載運(yùn)行

    當(dāng)BUCK變換器在滿載工作時(shí),如果突然負(fù)載斷開,此時(shí)電容兩端的電壓泵升,同時(shí)電感中儲(chǔ)存的能量迅速轉(zhuǎn)移到電容中,使得電容兩端的電壓進(jìn)一步升高,容易造成該電路的損壞和引起較大的超調(diào)量,因此該電路通常情況下施加一定的假負(fù)載,即在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)較大阻值的電阻。

    參考文獻(xiàn):

    [1]王兆安,黃俊.電力電子技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2001.

    作者簡介:梅建偉(1978-),男,湖北麻城人,副教授,碩士研究生,研究方向:電力電子變換技術(shù)以及電機(jī)控制技術(shù)方面的研究。

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