基于環(huán)形壓控振蕩器的電荷泵鎖相環(huán)設(shè)計

何知龍++郭裕順

摘 要：在闡述了電荷泵鎖相環(huán)的工作原理、分析和設(shè)計方法的基礎(chǔ)上，結(jié)合環(huán)路穩(wěn)定性和相位噪聲兩方面因素對鎖相環(huán)電路進行了建模及分析。介紹了鎖相環(huán)的系統(tǒng)級參數(shù)設(shè)計到電路設(shè)計的完整流程。首先利用Verilog-A語言建立了一個考慮各電路模塊主要非理想因素的較為精確的鎖相環(huán)行為級模型，然后進行單元電路的設(shè)計，考慮了溫度變化對環(huán)形壓控振蕩器和鎖相環(huán)系統(tǒng)的影響并分別進行了溫度補償。采用Cadence公司的Spectre-RF系列軟件進行仿真，最后得到的鎖相環(huán)輸出頻率范圍為150 MHz～350 MHz，相位噪聲為-113.8 dBc/Hz（振蕩頻率為240 MHz，頻偏為2 MHz時），均方根抖動為3.65 ps，鎖定時間小于3 μs，可為高速數(shù)字電路產(chǎn)生低抖動的片上時鐘信號。

關(guān)鍵詞：鎖相環(huán)；行為級模型；溫度補償；相位噪聲

中圖分類號：TN453 文獻標(biāo)識碼：A 文章編號：2095-1302（2016）11-00-04

0 引 言

鎖相環(huán)（Phase Lock Loop，PLL）具有數(shù)據(jù)時鐘恢復(fù)、消除時鐘抖動、頻率合成等多種用途。自從1965年P(guān)LL集成電路問世以來，PLL設(shè)計技術(shù)越來越成熟，從分立器件到集成電路，從雙極型工藝到CMOS技術(shù)[1]。當(dāng)前PLL的研究熱點主要集中在低相位噪聲、低雜散、高集成度、低電壓、低功耗還有溫度補償?shù)确矫?。在具體設(shè)計時，上述這些因素需要相互折衷以滿足特定的應(yīng)用要求。

本文的目的在于設(shè)計一個為高速數(shù)字電路產(chǎn)生低抖動片上時鐘信號的PLL，要求輸出的頻率范圍為150～350 MHz，均方根抖動（jitter_rms）小于5 ps，鎖定時間小于3 s。

1 PLL系統(tǒng)級建模及設(shè)計

鎖相環(huán)是一個反饋系統(tǒng)，本文所采用的三階電荷泵鎖相環(huán)主要由鑒頻鑒相器（PFD）、電荷泵（CP）、低通濾波器（LPF）、壓控振蕩器（VCO）和分頻器（DIV）組成，其組成如圖1所示。PFD將參考信號和分頻輸出信號兩者的相位差轉(zhuǎn)化為開關(guān)脈沖以控制CP的充放電，CP再將這種間斷的電流提供給LPF，為其進行充放電來增大或者減小壓控電壓，從而動態(tài)控制VCO的振蕩頻率，使其最終達到平衡，鎖定后壓控電壓保持不變，環(huán)路鎖定在一個固定的輸出頻率上。

為了在設(shè)計過程中及時了解鎖相環(huán)的整體性能，本文采用基于Verilog-A的行為建模方法，用Verilog-A建立了一個考慮各電路模塊主要非理想因素的較精確的行為級模型[2]，包括如下非理想因素：

（1）PFD、Divider模塊的傳輸時延和同步相位抖動，信號的上升時間和下降時間[3]。

（2）在環(huán)路鎖定過程中，由于剛開始CP輸出壓控電壓比較小，電流源MOS管還未完全飽和，CP電流隨壓控電壓線性增加直至電流源MOS管飽和，電流值ICP不變，整個過程可以在Verilog-A的行為級代碼中用一個分段函數(shù)來表示，即

（1）

其中輸出壓控電壓Vctrl的單位為V，ICP的單位為A，其對應(yīng)的函數(shù)圖像如圖2所示。

（3）環(huán)路鎖定之后CP充放電流源的電流不匹配，是因為在環(huán)路鎖定后，由于電荷泵的非理想效應(yīng)，在inc_high（充電電流源開關(guān)MOS管信號）和dec_high（放電電流源開關(guān)MOS管信號）同時為高電平（即充放電電流源MOS管同時導(dǎo)通）的導(dǎo)通時間內(nèi)引入了充放電流不匹配的凈電流輸出mismatch_current[4]。

（4）由于MOS管在關(guān)斷狀態(tài)下漏電、低通濾波器中的電容漏電等，所以在行為級模型里，當(dāng)inc_high和dec_high同時為低電平時，引入漏電流leak_current。

（5）VCO的壓控增益KVCO與壓控電壓Vctrl的相關(guān)性[5]，即KVCO不再是恒定的常數(shù)，其隨Vctrl呈現(xiàn)類似拋物線的曲線特征，可以將KVCO隨Vctrl的變化等效為一個二次函數(shù)，設(shè)這個二次函數(shù)為y=ax2+bx+c，可在VCO Verilog-A行為模型代碼中用這個二次函數(shù)來表征KVCO隨Vctrl的變化情況，在cadence中仿真電路級VCO模塊其壓控增益KVCO隨Vctrl的變化，取一些離散點導(dǎo)入Matlab中并用二次函數(shù)擬合，如圖3所示。由圖3可以看到擬合出來的二次函數(shù)可以較好的模擬實際電路級中KVCO隨Vctrl的變化情況。圖4所示為考慮各電路模塊的非理想因素之后的Verilog-A行為模型PLL與實際晶體管級PLL環(huán)路鎖定過程中的壓控電壓Vctrl變化波形圖對比，圖5所示為圖4鎖定之后的局部放大圖，圖6所示為傳統(tǒng)Verilog-A行為模型PLL與實際晶體管級PLL環(huán)路鎖定過程中的壓控電壓Vctrl變化波形圖對比。對比圖4及圖6可以看出，與傳統(tǒng)理想行為模型PLL相比，較精確的行為模型PLL不管是環(huán)路的鎖定過程、鎖定時間還是鎖定之后壓控電壓的周期性紋波都和實際晶體管級PLL較吻合。

2 PLL主要電路模塊設(shè)計

本文設(shè)計的環(huán)形VCO電路如圖7所示，其中圖7（a）表示環(huán)形VCO全電路結(jié)構(gòu)圖，圖7（b）表示圖7（a）中的延遲單元inv。該環(huán)形VCO使用了電流控制環(huán)形壓控振蕩器，并且是電壓轉(zhuǎn)換為電流（V-I）的結(jié)構(gòu)。由于采用電流鏡結(jié)構(gòu)（圖7（a）中的M5、M6），振蕩器偏置電流受電源電壓波動的影響較小，從而減小了電源噪聲對環(huán)形VCO相位噪聲的影響。本文采用圖7（b）所示的延遲單元結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)集合了飽和單端反相器型CMOS環(huán)形VCO和非飽和差分對型CMOS環(huán)形VCO兩者共同的優(yōu)點，M1，M2構(gòu)成反相器，M3，M4亦如此，從而形成差分輸入差分全擺幅輸出的反相器延遲單元，既克服了單端反相器電源和地等共模噪聲的影響，又提供了全擺幅的輸出振蕩信號，從而優(yōu)化了相位噪聲。M5，M6在這里構(gòu)成了正反饋加速管子的充放電從而減小延遲單元的延遲時間使振蕩頻率更高，并且這里的正反饋加速了管子的轉(zhuǎn)換時間，使充放電管子的轉(zhuǎn)換時間減小從而更快到達飽和。眾所周知，在飽和狀態(tài)下的噪聲注入比在轉(zhuǎn)換狀態(tài)下對相位噪聲的影響更小，因此進一步優(yōu)化了VCO的相位噪聲。輸出端加負載電容C1，C2的目的是減小襯底噪聲對頻率抖動的影響，M2，M4管的源襯電容和漏襯電容很大程度上決定了延遲單元時間常數(shù)RC中C的取值，而源、漏襯電容值隨襯底的電勢發(fā)生變化，當(dāng)襯底有噪聲時，襯底電容發(fā)生改變因而出現(xiàn)頻率抖動，而固定電容C1，C2的加入可以減小這種影響。

該環(huán)形VCO電路的振蕩頻率容易隨溫度發(fā)生變化，當(dāng)PLL的環(huán)路鎖定在某一個固定頻率時，壓控電壓Vctrl保持不變，但當(dāng)溫度發(fā)生變化時，比如溫度升高導(dǎo)致VCO的振蕩頻率降低，這時環(huán)路為了維持鎖定，需要增大Vctrl的值（壓控增益Kvco>0）從而保持VCO的振蕩頻率不變，當(dāng)將Vctrl的值增大到一定程度時，可能會使壓控電壓Vctrl脫離調(diào)諧曲線的線性范圍，甚至在調(diào)諧曲線上找不到所需頻率，導(dǎo)致環(huán)路永久失鎖。為此我們?yōu)樗黾恿艘粋€溫度補償電路[6-9]，在溫度升高時，M5～M7的偏置電流增加，這樣就能增加為延遲單元充電的電流，減小延遲時間，提高振蕩頻率。溫度補償電路的設(shè)計通過給圖7（a）中的M7管的襯底單獨提供一個偏置電壓（圖7（a）中的Vd）實現(xiàn)。該偏置由一個NPN管串聯(lián)一個電流源Idc構(gòu)成，由于NPN管基極發(fā)射極電壓Vbe的負溫度系數(shù)特性，所以端電壓Vd呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性，即此偏置電壓Vd隨溫度的升高而增加。由于溫度升高給襯底提供的偏置電壓增加從而使M7管的閾值電壓減小，而M7管的過驅(qū)動電壓增加導(dǎo)致M7管的漏電流增加，從而補償了因溫度升高導(dǎo)致的M7管漏電流減小現(xiàn)象。

傳統(tǒng)的未加溫度補償電路環(huán)形VCO與本文采用的溫度補償電路環(huán)形VCO在溫度T=130℃時的仿真閉環(huán)PLL的環(huán)路鎖定過程如圖8所示，圖8中曲線（a）表示傳統(tǒng)未加溫度補償電路環(huán)形VCO構(gòu)成的PLL環(huán)路鎖定過程，可以看到在極端溫度環(huán)境下（T=130℃）環(huán)路根本無法鎖定。曲線（b）表示本文采用的溫度補償電路環(huán)形VCO構(gòu)成的PLL環(huán)路鎖定過程，可以看到環(huán)路依舊正常鎖定。這驗證了本文對環(huán)形VCO采用溫度補償電路的必要性。

3 PLL系統(tǒng)的溫度補償

對環(huán)形VCO的溫度補償解決了因極端溫度引起的頻率丟失問題，使得VCO在-40℃～130℃的溫度范圍中依舊能夠線性工作在150 MHz～350 MHz的調(diào)諧頻率范圍內(nèi)，但通過仿真發(fā)現(xiàn)，溫度越高，VCO振蕩在相同的頻率時，壓控增益Kv越小，具體變化情況如表1所列。在其他環(huán)路參數(shù)不變的情況下，環(huán)路帶寬會變小，這樣VCO的相位噪聲貢獻會變大，從而惡化了PLL輸出的相位噪聲，嚴(yán)重時會使環(huán)路相位裕度減小，系統(tǒng)趨向于不穩(wěn)定。近似環(huán)路帶寬的公式如下所示：

由于壓控增益Kv隨溫度升高而減小，可以考慮提供一個PTAT電流即正溫度系數(shù)的電流來補償溫度改變引起的環(huán)路帶寬變化[10]?？汕蟮靡幌盗袦囟妊a償所需的電流值，如表1中的第三行所列。

ICP可用一次函數(shù)ICP=kT+b來比較精確的擬合，其中k=0.5 A/℃，b=285 A。圖9中同時繪出表1中ICP的數(shù)據(jù)散點圖和一次函數(shù)ICP=0.5×T+285的圖像，可以看到一次函數(shù)基本上和離散數(shù)據(jù)散點圖吻合，即電荷泵提供的PTAT電流只要滿足ICP=0.5×T+285就可以比較精確地對PLL的環(huán)路帶寬進行溫度補償。

為了使電荷泵輸出的電流滿足ICP=0.5×T+285，可以先提供一個正溫度系數(shù)的電流ICP1=0.5×T，再提供一個零溫度系數(shù)的電流ICP2=285 A，之后將兩路電流并聯(lián)相加ICP=ICP1+ICP2。正溫度系數(shù)參考電流源的電路結(jié)構(gòu)如圖10（a）所示，零溫度系數(shù)參考電流源的電路結(jié)構(gòu)如圖10（b）所示。

傳統(tǒng)鎖相環(huán)未對PLL系統(tǒng)進行溫度補償，當(dāng)T=130℃時，由表1可知Kvco=466 MHz/V（之前設(shè)置的Kvco為600 MHz/V），其他環(huán)路參數(shù)不變，環(huán)路帶寬變?yōu)?.6 MHz（之前為2 MHz），仿真此時PLL輸出的相位噪聲[11-13]曲線如圖11（a）所示，可以看到此時的系統(tǒng)環(huán)路帶寬減小為1.6 MHz，對應(yīng)的周期抖動均方根值jitter_rms =4.063 ps。本文設(shè)計的鎖相環(huán)加入PLL系統(tǒng)的溫度補償電路后，再次仿真此時PLL輸出的相位噪聲曲線如圖11（b）所示，可以看到系統(tǒng)的環(huán)路帶寬又恢復(fù)為2 MHz（與常溫下的系統(tǒng)環(huán)路帶寬一致），此時對應(yīng)的周期抖動均方根值jitter_rms =3.646 ps。可以看到加入PLL系統(tǒng)的溫度補償電路，PLL輸出的相位噪聲、周期抖動均方根值均與常溫下T=27℃時保持一致，其性能不會隨溫度的升高而惡化。

4 結(jié) 語

本文闡述了電荷泵鎖相環(huán)的基本工作原理、系統(tǒng)建模與設(shè)計方法，分析了其中主要電路模塊VCO的設(shè)計。為提高鎖相環(huán)的性能，設(shè)計中分別采取了一些有針對性的改進措施。從鎖相環(huán)的環(huán)路穩(wěn)定性和相位噪聲入手，設(shè)計了一個用于高速數(shù)字時鐘的鎖相環(huán)系統(tǒng)，最后基于CMOS工藝給出了具體電路的設(shè)計和仿真結(jié)果。

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