盛翠紅,周瑩瑩,張鵬飛,孫見成
(1.西安工程大學(xué) 紡織與材料學(xué)院,陜西 西安 710048;2.陜西省出入境檢驗檢疫局,陜西 西安 710068)
有機(jī)前驅(qū)體法合成氮化硼晶體及其性能
盛翠紅1,周瑩瑩1,張鵬飛2,孫見成1
(1.西安工程大學(xué) 紡織與材料學(xué)院,陜西 西安 710048;2.陜西省出入境檢驗檢疫局,陜西 西安 710068)
基于三氯環(huán)硼氮烷的合成原理,根據(jù)路易斯酸堿理論,利用氯化銨和三氯化硼合成三氯環(huán)硼氮烷,并對其進(jìn)行胺解,胺解產(chǎn)物聚合,然后氮化。利用紅外光譜、TG-DSC、掃描電鏡對氮化硼氮化前后的產(chǎn)物進(jìn)行對比、性能表征、外光形貌分析。結(jié)果表明,氮化后的氮化硼耐熱性能良好,根據(jù)電鏡照片可以看出制取的氮化硼為片狀結(jié)構(gòu),有微孔,也可考慮作為吸附材料使用。
三氯環(huán)硼氮烷;熱性能;聚合物;氮化
氮化硼是由氮原子和硼原子所構(gòu)成的晶體,氮化硼晶體結(jié)構(gòu)主要有三種:六方氮化硼(h-BN)、菱方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)。六方氮化硼化學(xué)穩(wěn)定性、絕緣性、潤滑性能良好,而且耐高溫、耐腐蝕,其結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。菱方氮化硼具有特殊的結(jié)晶形態(tài),在不同的溫度和壓力下可以轉(zhuǎn)化為其他的結(jié)構(gòu)[1, 2]。立方氮化硼硬度較大,僅次于金剛石,強(qiáng)度高,是加工刀具、磨料的良好材料。立方氮化硼多由六方氮化硼在高溫催化的作用下制得,產(chǎn)量低,成本高。
圖1 六方氮化硼結(jié)構(gòu)圖Fig.1 The structure of hexagonal boron nitride
基于氮化硼具有多種優(yōu)良性能,目前被廣泛應(yīng)用于溫度傳感器套,高溫物件制造,如火箭、燃燒室內(nèi)襯和等離子體噴射爐材料。也可作高溫潤滑劑、脫模劑、高頻絕緣材料和半導(dǎo)體的固相摻雜材料等。六方氮化硼轉(zhuǎn)化立方體,粉狀可以轉(zhuǎn)化為纖維狀,使其用途更加廣泛,如在軍工、冶金、化工、建材、及輕工等各個領(lǐng)域[3-5],可用作超硬材料,用于電絕緣器、天線窗、防護(hù)服、重返大氣層的降落傘以及火箭噴管鼻錐等[3]。但由于氮化硼纖維的研究工作起步較晚,制備過程也很復(fù)雜,涉及的反應(yīng)和影響因素較多,制備過程中有很多因素值得深入研究。
目前,氮化硼纖維的主要制備方法有兩種,一種是傳統(tǒng)的無機(jī)前驅(qū)體高溫粉體燒結(jié)法,另一種是有機(jī)前驅(qū)體法。前者是氣固非均相反應(yīng),難以制得均質(zhì)的氮化硼纖維[6],高性能氮化硼纖維的制備主要采用后者。有機(jī)前驅(qū)體制備氮化硼纖維的關(guān)鍵之一在于前驅(qū)體聚合物的合成。對于前驅(qū)體的選擇,國外學(xué)者已開展了研究,取得了很大的進(jìn)展。而國內(nèi)的相關(guān)研究工作也剛剛起步(國內(nèi)公開發(fā)表論文只有二三十篇)。而且,氮化硼前驅(qū)體纖維多采用的熔融紡絲方法,濕法紡絲制備前驅(qū)體的相關(guān)研究很少。
本論文主要利用氯化銨和三氯化硼合成三氯環(huán)硼氮烷,并對其進(jìn)行胺解,胺解產(chǎn)物聚合,然后氮化,制得氮化硼。同時利用紅外光譜、TG-DSC、掃描電鏡對制備的氮化硼氮化前后的產(chǎn)物進(jìn)行對比、性能表征、外光形貌分析,了解通過本實驗方法制得的氮化硼基本性能,為后續(xù)研究做好基礎(chǔ)。
Lewis酸堿理論:Lewis對酸堿提出了更廣泛的概念,規(guī)定能接受共用電子對的分子或離子是酸,能夠給出電子對的分子或離子是堿,即酸是電子對的接受體,而堿是電子對的給予體。三氯化硼分子中,硼原子的外層只有六個電子,有接受一對電子以滿足八隅體的傾向,因而是一個酸,易和含孤對電子的Lewis堿結(jié)合如有機(jī)胺。其化學(xué)反應(yīng)方程式見圖2。
圖2 TCB的合成原理方程式Fig.2 The synthesis principle of TCB
按照Lewis的酸堿理論,BCl3的硼原子雜化軌道為2S22P1,按照雜化軌道理論,為了形成穩(wěn)定的分子結(jié)構(gòu),能量相近的原子軌道成鍵時雜化,是體系的能量變低,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。在三氯化硼化學(xué)結(jié)構(gòu)中,硼原子有4個價軌道,但是只有3個價電子,是缺電子化合物,可以接受孤對電子,是一種強(qiáng)的Lewis酸。氯化銨是一種強(qiáng)的Lewis堿。三氯環(huán)硼氮烷合成的基本原理是Lewis酸和Lewis堿相遇發(fā)生中和反應(yīng)[6, 7],其化學(xué)方程式如下:
圖3 TCB的合成方程式Fig.3 The synthesis of TCB
三氯化硼和氯化銨反應(yīng)生成三氯環(huán)硼氮烷的反應(yīng)方式大致有兩種方式:固相反應(yīng)和液相反應(yīng)。曹義苗,李書同[6]等人采用固相反應(yīng),制得的氮化硼纖維長約40 cm,直徑約45 μm。其反應(yīng)過程大致如下:將干燥的氯化銨粉末裝入特定容器中,抽真空后加熱,將溫度升至150 ℃時通入三氯化硼和氮氣。鄧橙[8]采用液相反應(yīng)法,反應(yīng)過程大致如下:將氯化銨粉末放入有機(jī)溶液中(甲苯或二甲苯),形成氯化銨的混合漿液,然后慢慢通入三氯化硼氣體,整個過程要在氮氣環(huán)境下進(jìn)行。
本實驗主要采用固相反應(yīng)法,使三氯化硼和氯化銨在110 ℃條件下合成三氯環(huán)硼氮烷,隨后與異丙胺胺解反應(yīng)制得三胺基環(huán)硼氮烷,胺解后制得聚硼氮烷,并對各環(huán)節(jié)的產(chǎn)物結(jié)構(gòu)及特性進(jìn)行了表征。
2.1 實驗材料及實驗儀器
三氯化硼:廣州瑞合科技有限公司,純度99.9%;二甲苯:天津市天力化學(xué)試劑有限公司,純度99%;氯化銨:國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司,分析純;氮氣:寶雞寶光集團(tuán),純度99.9%;異丙胺:國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司,分析純;實驗儀器:FEI Quanta450 掃描電鏡,Perkin elmer 紅外光譜儀,德國耐馳TG-DSC,101-1A型電熱鼓風(fēng)干燥箱。
2.2 實驗過程
氮化硼的制備反應(yīng)過程需在氮氣保護(hù)的條件下進(jìn)行。首先,三氯化硼和氯化銨在110 ℃條件下合成三氯環(huán)硼氮烷(TCB),冷凝水溫度為0-5 ℃,反應(yīng)時間20 h。然后制得的(TCB)與異丙胺胺解反應(yīng)制得三胺基環(huán)硼氮烷,反應(yīng)前5 h在低溫浴中進(jìn)行(冰水混合物),后15 h在室溫下進(jìn)行。對制得的三胺基環(huán)硼氮烷進(jìn)行胺解,胺解產(chǎn)物在120 ℃條件下聚合,即可制得聚硼氮烷。將聚硼氮烷氮化后得到無色透明的氮化硼(BN)。并對所制得的產(chǎn)品進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。
3.1 合成TCB的紅外光譜圖
3.1.1 氣體硼源合成的樣品的紅外光譜
圖4為氣體硼源合成的樣品的紅外光譜圖,表1為樣品的紅外光譜特征頻率,從圖4及表1可知,在波數(shù)為674 cm-1附近出現(xiàn)了B-N六元環(huán)的吸收峰,說明三氯化硼和氯化銨反應(yīng)生成了硼氮六元環(huán)。在波數(shù)為3396 cm-1、3216 cm-1、1022 cm-1附近出現(xiàn)了N-H鍵的吸收峰,說明在氮氣的保護(hù)下,三氯化硼氮烷沒有被氧化,在波數(shù)為792 cm-1附近也出現(xiàn)了B-Cl鍵的吸收峰,在波數(shù)為1654 cm-1處出現(xiàn)了O-H鍵的吸收峰,這是由于在轉(zhuǎn)移的過程中少量TCB被氧化,不影響實驗結(jié)果。對比參考文獻(xiàn)[8]中的TCB的紅外光譜圖,本文在氮氣的保護(hù)下三氯化硼和氯化銨反應(yīng)生成了三氯化硼氮烷,但是三氯環(huán)硼氮烷對空氣和水分十分敏感,在轉(zhuǎn)移的過程中很容易被氧化,因此,操作過程中應(yīng)當(dāng)隔絕空氣和水分,保存的時候盡量在低溫下保護(hù),以免三氯環(huán)硼氮烷被氧化。
3.1.2 聚硼氮烷氮化前和氮化后對比
三胺基環(huán)硼氮烷胺解后再聚合,得到聚硼氮烷,隨后聚硼氮烷氮化制得氮化硼(BN),圖5為聚硼氮烷氮化前和氮化后的紅外光譜的對比圖,從圖5的紅外光譜圖中可以看出在波數(shù)位于2983 cm-1的C-H鍵的吸收峰已完全消失。氮化前,波數(shù)在3421 cm-1以及3120 cm-1處的N-H鍵的雙峰變?yōu)閱畏?,波?shù)位于3216 cm-1處。波數(shù)位于1461 cm-1處的B-N鍵的吸收峰得到增強(qiáng)。說明加熱到900 ℃聚硼氮烷被氮化,在氮化的過程中發(fā)生脫胺反應(yīng)。
此外,由三氯環(huán)硼氮烷和異丙胺取代反應(yīng)制得的聚硼氮烷前驅(qū)體,這種前驅(qū)體可熔融紡絲,且紡出的絲性能優(yōu)異。
3.1.3 聚硼氮烷的TG-DSC(加熱溫度到900 ℃)
將聚硼氮烷的TG-DSC溫度做到900 ℃,升溫速率為10 ℃/min。從TG圖中可以看出,在100℃以后開始出現(xiàn)質(zhì)量損失,100 ℃~400 ℃之間質(zhì)量損失較快,500 ℃之后基本沒有質(zhì)量損失,加熱到900 ℃,陶瓷產(chǎn)率約53%。從DSC圖中可以看出,在100 ℃-400 ℃之間有一個吸熱峰,說明聚硼氮烷在這個過程中發(fā)生相變,聚硼氮烷中的有機(jī)物質(zhì)開始自交聯(lián)反應(yīng)生成小分子氣體異丙胺、甲烷、氫氣等氣體。在500 ℃之后質(zhì)量損失較小,但是從DSC曲線中可以看出,曲線一直上升,說明物質(zhì)一直吸熱,物質(zhì)之間的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。
表1 樣品的紅外光譜特征頻率Tab.1 Characteristic frequency of infrared spectrum of the sample
圖4 氣體硼源合成的樣品的紅外光譜圖Fig.4 ΙR spectra of the sample synthesized from a gas boron sourc
圖5 聚硼氮烷氮化前和氮化后對比圖Fig.5 Comparison of polyborazine before and after nitridation
本次TG-DSC測聚硼氮烷的分解特性,溫度加熱到900 ℃,由于TG-DSC是在氮氣保護(hù)下分析材料在加熱的過程中質(zhì)量變化以及化學(xué)變化等特性,所以這也是聚硼氮烷氮化的過程,只不過氮化溫度為900 ℃。做完TG-DSC后,得到的是半氮化的氮化硼,觀察發(fā)現(xiàn)其為黑色,說明還有碳元素的存在,由于熱重分析實驗升溫速率為10 ℃/min,沒有保溫時間,對聚硼氮烷的氮化過程也有一定的影響。
將半氮化的聚硼氮烷做熱重分析,升溫速率為10 ℃/min,加熱至900 ℃。從圖7聚硼氮烷氮化后的TG-DSC圖中可觀察到,質(zhì)量沒有變化,但是DSC曲線有變化,說明經(jīng)過900 ℃的氮化,聚硼氮烷大部分無機(jī)化。
從圖7可以看出經(jīng)過900 ℃的高溫氮化,氮化硼已經(jīng)沒有質(zhì)量損失,TG圖為一條直線,說明其熱穩(wěn)定性很好,900 ℃以內(nèi)使用不會有質(zhì)量損失。DSC圖基本處于一直上升狀態(tài),說明氮化硼在加熱的過程中一直吸熱。在50 ℃左右有一個吸熱峰,在650 ℃左右也出現(xiàn)一個吸熱峰,說明在這兩個溫度發(fā)生相變。
圖6 聚硼氮烷的TG-DSC(加熱溫度到900℃)Fig.6 TG-DSC of polyborazine(heating to 900 ℃)
圖7 聚硼氮烷氮化后的TG-DSC圖Fig.7 TG-DSC of polyborazine
圖8 BN的電鏡照片F(xiàn)ig.8 SEM photos of BN
聚硼氮烷在氮氣保護(hù)下,按6 ℃/min從室溫升至1000 ℃,保溫1 h,然后自然冷卻至室溫。這次試驗在管式爐中進(jìn)行,升溫速率及保溫時間有一定的控制,觀察實驗結(jié)果,絕大多數(shù)聚硼氮烷完成無機(jī)化,氮化后為透明樹脂狀氮化硼,只有少量黑色游離碳。
3.2 BN的電鏡照片
從圖8可以看出氮化后的BN表面呈片狀結(jié)構(gòu),有的地方微孔很多,此種結(jié)構(gòu)也可作為吸附材料開發(fā)使用。
(1)氮化硼前驅(qū)體在制取的過程中容易被氧化,保存的過程中需要隔絕空氣,所以工業(yè)化有一定的難度。
(2)聚硼氮烷在加熱到900 ℃時被氮化,在氮化的過程中發(fā)生了脫胺反應(yīng)。
(3)從DSC圖中可以看出,在100 ℃-400 ℃之間有一個吸熱峰,在500 ℃之后質(zhì)量損失較小,氮化硼在加熱的過程中一直吸熱,物質(zhì)之間的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。
(4)氮化硼經(jīng)900 ℃的高溫氮化,已經(jīng)沒有質(zhì)量損失,且熱穩(wěn)定性很好。因此,900 ℃以內(nèi)使用不會有質(zhì)量損失。
(5)經(jīng)過實驗后觀察絕大多數(shù)聚硼氮烷完成無機(jī)化,氮化后為透明樹脂狀氮化硼,只有少量黑色游離碳。制取的氮化硼為片狀結(jié)構(gòu),有微孔,也可考慮作為吸附材料使用。
此外,該方法制取的過程中使用的溶劑為二甲苯,有一定的毒性,所以制取過程中需注意二甲苯對人體及大自然的危害。
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date: 2016-01-13.Revised date: 2016-03-17
Synthesis and Properties of Boron Nitride Crystals by Organic Precursor Method
SHENG Cuihong1,ZHOU Yingying1,ZHANG Pengfei2,SUN Jiancheng1
(1.College of Textile and Material,Xi'an Polytechnic University,Xi'an 710048,Shaanxi,China;2.Shaanxi Entry-Exit Ιnspection and Quarantine Bureau,Xi'an 710068,Shaanxi,China)
The synthesis principle of B-trichloroborazine(TCB)is described in detail in this paper.According to Lewis's theory of acid and alkali,B-trichloroborazine(TCB)was synthesized with boron chloride and ammonium chloride.Then poly[tri(isopropylamino)borazine](PTPiAB)was obtained from isopropyl amine and TCB by polymerization and nitridation.The nitrided products of the boron nitride were characterized by ΙR,TG-DSC and SEM.The results show that the heat resistance of boron nitride is good,and its structure is lamellar and porous,which makes it applicable for adsorption use.
B-trichloroborazine;thermal property;polymerization;nitridation
TQ174.75
A
1000-2278(2016)04-0389-05
10.13957/j.cnki.tcxb.2016.04.012
2016-01-13.。
2016-03-17。
通信聯(lián)系人:盛翠紅(1989-),女,碩士。
Correspondent author:SHENG Cuihong(1989-),female,Master.
E-mail:shengcuihong@qq.com