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      粘片工藝對(duì)MEMS器件應(yīng)力的影響研究

      2016-09-08 02:22:53段寶明李蘇蘇
      新技術(shù)新工藝 2016年6期
      關(guān)鍵詞:施膠點(diǎn)狀熱應(yīng)力

      吳 慧,段寶明,秦 盼,謝 斌,李蘇蘇

      (北方電子研究院有限公司214所,安徽 蚌埠 233042)

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      粘片工藝對(duì)MEMS器件應(yīng)力的影響研究

      吳慧,段寶明,秦盼,謝斌,李蘇蘇

      (北方電子研究院有限公司214所,安徽 蚌埠 233042)

      粘片工藝是電路封裝過程的重要工藝,粘片工藝的質(zhì)量直接影響IC的導(dǎo)熱性和可靠性。對(duì)于MEMS器件,粘片質(zhì)量還可能造成MEMS器件運(yùn)動(dòng)部件和功能部件的損壞。試驗(yàn)表明,MEMS器件與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件在工藝上的差距較大,采用傳統(tǒng)的工藝方式,對(duì)MEMS器件內(nèi)部的質(zhì)量塊有較大的影響,通過選擇適合的貼片膠,優(yōu)化粘片工藝方式,可以降低粘接工序造成的應(yīng)力,從而保證MEMS器件的合格率。

      MEMS;粘片;應(yīng)力

      粘片工藝是電路封裝過程的一個(gè)重要工藝。尤其是在MEMS器件中,粘片工藝不僅影響MEMS的導(dǎo)熱性和可靠性,還可能造成MEMS器件運(yùn)動(dòng)部件和功能部件的損壞[1]。

      MEMS器件的應(yīng)力來源有2種:1)當(dāng)多晶硅被沉積時(shí),大量應(yīng)力產(chǎn)生在膜層中;2)來自于MEMS器件與基板(或管殼)的粘接材料。MEMS封裝的界面應(yīng)力是由芯片及封裝之間的粘接材料和材料的熱膨脹系統(tǒng)不匹配引起的,封裝中過剩的應(yīng)力是造成器件可靠性下降的主要原因之一。在MEMS器件的封裝過程中,時(shí)常發(fā)生晶圓測(cè)試合格的MEMS器件,在封裝后的測(cè)試數(shù)據(jù)出現(xiàn)改變或不合格的現(xiàn)象[2]。

      在粘片過程中,為了保證合適的粘接強(qiáng)度,對(duì)粘片膠的點(diǎn)膠位置、施膠的方式、膠點(diǎn)的大小(施膠面積)和厚度等都有嚴(yán)格的要求。本文通過計(jì)算膠點(diǎn)的最佳厚度和粘片膠的最佳施膠方式,改進(jìn)工藝方式,優(yōu)化粘片膠的固化條件,給出了對(duì)MEMS器件應(yīng)力影響較小的粘片工藝方式。

      1 粘片工藝概述[3]

      粘片又稱固晶,是通過介質(zhì)(膠體或合金片)把

      芯片粘接在基板(或管殼)的指定區(qū)域,形成熱通路或電通路,為后序的鍵合提供條件的工序。粘片工藝是IC器件和MEMS器件封裝工藝中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。在IC貼片中,該工藝主要影響IC的導(dǎo)熱性和可靠性;在MEMS電路中,粘片工藝還會(huì)造成MEMS器件運(yùn)動(dòng)部件和功能部件的損壞。

      粘片工藝通常采用膠體粘片(粘片膠)和焊料片(合金焊片)粘片等2種。使用膠體粘片不僅具有工藝靈活、簡(jiǎn)單、工藝溫度低和不需要助焊劑等優(yōu)點(diǎn),而且其工藝設(shè)備也相對(duì)便宜、簡(jiǎn)單,無論是工藝操作、工藝要求,還是成本,都比較低,所以應(yīng)用更為廣泛。本文主要介紹膠體粘片工藝。

      2 不同工藝方式對(duì)MEMS器件產(chǎn)生的應(yīng)力

      2.1不同的施膠量對(duì)MEMS器件產(chǎn)生的應(yīng)力

      在考察施膠方式的同時(shí),還對(duì)施膠厚度與施膠面積對(duì)于應(yīng)力的影響進(jìn)行了試驗(yàn)。以厚度為600μm,外形尺寸為5 000μm×5 000μm的MEMS器件為試驗(yàn)對(duì)象,分別做了施膠厚度和施膠面積的試驗(yàn)(見圖1和圖2),結(jié)果分別見表1和表2。

      圖1 施膠厚度對(duì)器件應(yīng)力結(jié)構(gòu)間應(yīng)力的影響

      施膠厚度/μmMEMS器件的最大應(yīng)力/kPa2082603057204045205037106032307028308025809023101002170

      圖2 施膠面積對(duì)器件應(yīng)力結(jié)構(gòu)間應(yīng)力的影響

      注:重疊比例越小,施膠面積越小。重疊比例=100%,為施膠面積與MEMS器件面積相等;重疊比例>100%,即施膠面積超出器件面積。

      表2 施膠面積對(duì)應(yīng)力的影響

      由上述試驗(yàn)結(jié)果可以看出,施膠厚度與粘接應(yīng)力呈反比,即厚度越大則應(yīng)力越?。欢┠z面積與MEMS器件面積大小呈非正態(tài)分布,當(dāng)施膠面積小于MEMS器件面積時(shí),施膠面積與粘接應(yīng)力明顯呈正比,即面積越小則應(yīng)力越小,在施膠面積與器件面積相等時(shí),應(yīng)力值最大,之后會(huì)逐漸緩慢呈微弱下降趨勢(shì)。

      2.2不同的施膠方式對(duì)MEMS器件產(chǎn)生的應(yīng)力

      以往的MEMS器件與封裝結(jié)構(gòu)為MEMS器件直接與腔體(或基板)進(jìn)行粘接,粘接面采用整面施膠環(huán)氧樹脂。由上述試驗(yàn)可以看出,這樣的結(jié)果使總體應(yīng)力較大?,F(xiàn)有的MEMS器件內(nèi)部包含有2塊可動(dòng)結(jié)構(gòu),整面施膠的粘接方法也會(huì)造成2塊可動(dòng)結(jié)構(gòu)之間存在較大的應(yīng)力差。為了降低因粘接造成的應(yīng)力,結(jié)合之前的試驗(yàn),考慮采用點(diǎn)狀粘接材料的方法替代原有的整面施膠的方法。

      傳統(tǒng)的100%整面施膠方式及相應(yīng)的熱應(yīng)力分布如圖3所示。

      圖3    整面施膠的MEMS器件組裝方式、熱應(yīng)力分布及2個(gè)質(zhì)量塊的最大應(yīng)力

      由圖3可以看出,整面施膠方式下的最大熱應(yīng)力為2 347Pa,應(yīng)力差為160Pa,不適合敏感結(jié)構(gòu)的MEMS器件。

      經(jīng)分析,考慮采用3種點(diǎn)狀施膠方式:1)X軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠;2)Y軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠;3)四角點(diǎn)狀施膠。3種點(diǎn)狀施膠方式、相應(yīng)的熱應(yīng)力分布以及3種點(diǎn)狀施膠方式下2個(gè)質(zhì)量塊的最大應(yīng)力圖分別如圖4~圖6所示。

      圖4    四角點(diǎn)狀施膠的MEMS器件組裝方式、熱應(yīng)力分布及2個(gè)質(zhì)量塊的最大應(yīng)力

      由圖4可以看出,四角點(diǎn)狀施膠方式下的最大熱應(yīng)力為374Pa,應(yīng)力差為7Pa,效果較為理想。

      圖5    X軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠的MEMS器件組裝方式、熱應(yīng)力分布及2個(gè)質(zhì)量塊的最大應(yīng)力

      由圖5可知,X軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠方式下的最大熱應(yīng)力為566Pa,應(yīng)力差為283Pa,差值過大。

      圖6    Y軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠的MEMS器件組裝方式、熱應(yīng)力分布及2個(gè)質(zhì)量塊的最大應(yīng)力

      由圖6可知,Y軸方向三點(diǎn)點(diǎn)狀施膠方式下的最大熱應(yīng)力為284Pa,應(yīng)力差為6Pa。

      因此,沿Y軸方向?qū)ΨQ的3點(diǎn)排布作為導(dǎo)電膠的粘貼方式,左、右質(zhì)量塊的應(yīng)力差值最小,是最佳的施膠方式。幾種施膠方式的應(yīng)力對(duì)比見表3。

      表3 幾種施膠方式的應(yīng)力對(duì)比

      2.3增加襯底以減小應(yīng)力

      為了進(jìn)一步減小粘接應(yīng)力對(duì)于MEMS器件的影響,引入了去藕隔離襯底結(jié)構(gòu),即在MEMS器件和陶瓷外殼之間增加一層起去耦作用的硅材料襯底,隔離襯底與陶瓷外殼粘接,MEMS器件再與隔離襯底粘接。關(guān)于MEMS器件、硅隔離襯底和陶瓷外殼的組裝方式,試驗(yàn)了4種情況(見圖7)。引入去耦隔離襯底后幾種施膠方式的應(yīng)力對(duì)比見表4。

      圖7 引入去耦隔離襯底的4種方式

      粘接方式2個(gè)可動(dòng)結(jié)構(gòu)的最大應(yīng)力/Pa2個(gè)可動(dòng)結(jié)構(gòu)間的最大應(yīng)力差/Pa未采用隔離襯底整面施膠2347160圖7a112.3348圖7b14.960.51圖7c5.850.45圖7d2.450.27

      從試驗(yàn)結(jié)果可以看出,采用了隔離襯底可以大大減小粘接應(yīng)力,而結(jié)合了點(diǎn)狀施膠方式,又可以進(jìn)一步降低粘接應(yīng)力,MEMS器件與隔離襯底,隔離襯底與陶瓷外殼之間均采用點(diǎn)狀施膠方式進(jìn)行粘接,可以獲得較為優(yōu)化的粘接應(yīng)力分布。

      3 粘接材料及固化條件對(duì)電路應(yīng)力的影響

      眾所周知,膠體需要具有較好的流動(dòng)性,以便于覆蓋整個(gè)表面,在施膠時(shí)達(dá)到既無孔洞也不發(fā)生分層的狀態(tài),否則將影響粘接后器件的剪切力及相應(yīng)的應(yīng)力。另外,通過多年的工作經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)除了膠體的選擇,其固化條件也可以改變膠體的流動(dòng)性。

      3.1貼片膠彈性模量對(duì)芯片應(yīng)力的影響

      彈性模量大的貼片膠為硬膠;反之,稱為軟膠。為了分析粘片膠彈性模量對(duì)芯片應(yīng)力的影響,假設(shè)使用一系列貼片膠,它們的熱膨脹系數(shù)相同。彈性模量與芯片中心點(diǎn)應(yīng)力值的關(guān)系曲線如圖8所示。

      圖8 彈性模量與芯片中心點(diǎn)應(yīng)力值的關(guān)系曲線

      由圖8可以看出,彈性模量越大的膠,熱應(yīng)力引起芯片的應(yīng)力更大,但當(dāng)彈性模量增大到一定的值(20GPa)之后,溫度變化導(dǎo)致的應(yīng)力就會(huì)減小,也就是說,很軟的膠對(duì)應(yīng)力有一定的吸收作用,非常硬的膠對(duì)芯片有較好的應(yīng)力隔離作用,但實(shí)際中沒有彈性模量大到上述情況的膠;所以,在滿足剪切應(yīng)力和氣密性等要求的前提下,應(yīng)盡可能地選用軟膠。

      3.2固化條件對(duì)MEMS芯片應(yīng)力的影響[4]

      同一膠體的固化條件并不是一成不變的,在膠體自身的失效溫度范圍內(nèi),通常可以通過增加溫度、減少時(shí)間,或者降低溫度、增加時(shí)間甚至改一步固化為兩步固化來完成。

      相同粘接方式、相同膠體在不同固化條件下的應(yīng)力對(duì)比見表5。

      表5 不同固化條件下的應(yīng)力對(duì)比

      從試驗(yàn)結(jié)果可以看出,溫度降低,時(shí)間延長(zhǎng),可以有效釋放氣體,降低膠體對(duì)MEMS器件的應(yīng)力,且采用兩步固化的方法,效果更加理想。

      4 結(jié)語

      在MEMS器件的封裝工藝中,膠體的選擇和工藝的優(yōu)化對(duì)器件的可靠性和有效性存在直接的影響,應(yīng)根據(jù)不同器件的具體要求有針對(duì)性地處理。為解決MEMS器件中的應(yīng)力問題,在粘接工藝中,通過增加襯底、采用多點(diǎn)施膠的工藝方式,可以使應(yīng)力值明顯降低,同時(shí),應(yīng)盡量選擇彈性模量較低的膠體,并降低固化溫度,延長(zhǎng)固化時(shí)間,從而進(jìn)一步減少工藝加工過程中對(duì)MEMS器件產(chǎn)生的應(yīng)力,保證器件的合格率。

      [1]UlrichRK,BrownWD. 高級(jí)電子封裝[M]. 李虹,張輝,郭志川,等譯.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2010.

      [2] 關(guān)榮鋒.MEMS器件貼片工藝研究[J]. 傳感器與微系統(tǒng),2008,27(4):24-26.

      [3] 劉漢誠(LauJH). 三維電子封裝的硅通孔技術(shù)[M]. 秦飛,曹立強(qiáng),譯. 北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2014.

      [4]HarperCA. 電子封裝與互連手冊(cè)[M]. 賈松良,等譯. 北京:電子工業(yè)出版社,2009.

      責(zé)任編輯鄭練

      ResearchontheImpactofDieAttachProcessonMEMSDevicesStress

      WUHui,DUANBaoming,QINPan,XIEBin,LISusu

      (NorthElectronicsResearchInstituteCo.,Ltd., 214Institution,Bengbu233042,China)

      ThedieattachisaveryimportantprocessintheICpackageflow.ThequalityofthedieattachprocessimpactsthethermalconductivityandreliabilityoftheICdirectly.ItmayalsohavedamagetothevibratoryandfunctionalstructureofMEMSdevice.ThereisabigdifferencebetweenMEMSdeviceandconventionalsemiconductordeviceinpackagingprocess.ThetraditionalpackagingprocesshasgreatinfluenceonqualityblocksinsideMEMSdevice.Thesuitabledieattachfilmandtheoptimizationofthedieattachprocesscanreducethestress,whichcanimprovetheyieldoftheMEMSdevice.

      MEMS,dieattach,stress

      TN305.94

      A

      吳慧(1977-),女,主管工藝師,工程師,大學(xué)本科,主要從事半導(dǎo)體及MEMS封裝工藝等方面的研究。

      2016-01-13

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