中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)試驗(yàn)室 劉 磊 李新娥
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內(nèi)置式壓力測(cè)試方法的研究
中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)試驗(yàn)室劉磊李新娥
【摘要】為了完成在惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)試,本文基于實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)的內(nèi)置式壓力測(cè)試儀,提出并改進(jìn)了一種基于測(cè)試儀殼體電容充放電原理的微小電容檢測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)電路主要包括三個(gè)部分:信號(hào)調(diào)理電路、電源管理電路和數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)電路。通過(guò)理論分析與計(jì)算,確定了電路的各個(gè)參數(shù)。分析了在不同時(shí)刻的采樣波形和同一采樣周期內(nèi)電容不同充放電振蕩周期的數(shù)據(jù)采集情況,讀取系統(tǒng)采集的數(shù)據(jù)獲得了完整的壓力p-t曲線,驗(yàn)證了該內(nèi)置式壓力測(cè)試方法的有效性和可行性。
【關(guān)鍵詞】?jī)?nèi)置式;壓力測(cè)試;檢測(cè)系統(tǒng)
在惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)試,如火炮膛內(nèi)壓力的測(cè)試[1],在測(cè)試過(guò)程中瞬時(shí)高溫可達(dá)3000oC,并且火藥燃燒伴隨巨大的電磁噪聲及震動(dòng)。這對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的環(huán)境適應(yīng)性要求極高[2],而且需要將測(cè)試系統(tǒng)置于炮膛內(nèi)部。為了適應(yīng)這種高溫度、高壓力、強(qiáng)磁場(chǎng)的測(cè)試環(huán)境,需要設(shè)計(jì)一種微小體積、低功耗、高可靠性的內(nèi)置式壓力測(cè)試系統(tǒng)。
本實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)的內(nèi)置式壓力測(cè)試儀[3],由外部殼體及其內(nèi)部的測(cè)試電路構(gòu)成,結(jié)構(gòu)如圖1所示。其中外筒與內(nèi)筒構(gòu)成同軸圓柱型電容器,當(dāng)測(cè)壓儀受到外部壓力作用時(shí),其外殼發(fā)生彈性形變,導(dǎo)致殼體電容發(fā)生變化,微小電容檢測(cè)系統(tǒng)通過(guò)檢測(cè)并存儲(chǔ)電容兩端電壓值的變化情況,通過(guò)運(yùn)算即可實(shí)現(xiàn)對(duì)外部壓力的測(cè)量[4,5]。
圖1 內(nèi)置式壓力測(cè)試儀實(shí)體結(jié)構(gòu)示意圖
基于測(cè)試儀殼體電容充放電原理的微小電容檢測(cè)系統(tǒng)框圖如圖2所示,主要包括有單片機(jī)、電源管理模塊、信號(hào)調(diào)理電路、8M高速晶振、面板和串行接口。信號(hào)調(diào)理電路負(fù)責(zé)將系統(tǒng)采集到的電容信號(hào)轉(zhuǎn)變成相應(yīng)的電壓信號(hào),再將相應(yīng)的變化情況記錄下來(lái),其中對(duì)于信號(hào)的采集、處理和存儲(chǔ)均由單片機(jī)完成。電源管理模塊兒為整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)提供穩(wěn)定的工作電壓,并且在單片機(jī)的控制下實(shí)現(xiàn)功耗的控制。面板提供電路模塊與外界的連接。
圖2 檢測(cè)系統(tǒng)整體框圖
2.1信號(hào)調(diào)理電路
信號(hào)調(diào)理電路是整個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)的核心部分,完成電容信號(hào)到電壓信號(hào)的轉(zhuǎn)變,故信號(hào)調(diào)理電路的設(shè)計(jì)直接影響檢測(cè)系統(tǒng)的性能。其主要由運(yùn)算放大器、RC充放電電路、電壓跟隨器和電壓比較器組成。其中運(yùn)算放大器和電壓比較器由單片機(jī)內(nèi)置模塊提供,同軸圓柱殼體作為RC充放電電路的電容,電壓跟隨器采用高帶寬的OPA365,模擬開(kāi)關(guān)采用高響應(yīng)速率的ADG719。
2.2電源管理電路
考慮到測(cè)試環(huán)境對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求,電池的選用原則是:容量盡可能大,體積小且能夠在-40oC環(huán)境下正常工作3~4小時(shí),具有極強(qiáng)的抗沖擊能力。本電路中選用的是兵器213所研制的可充電耐低溫聚合物鋰離子電池,該電池空載電壓4.2V,容量40mAh,體積僅為0.8cm3。
電源管理電路采用芯片LP5996,電路的主要作用體現(xiàn)在減小系統(tǒng)功耗上。其中芯片的VCC和VDD分別為模擬電路供電電壓和數(shù)字電路供電電壓,EN1和EN2為VDD 和VCC的使能端,EN1連接電池始終處于使能狀態(tài),使數(shù)字電路持續(xù)供電,而EN2接單片機(jī)的I/O口,受單片機(jī)控制,使模擬電路只需要在采樣期間才受到供電。
2.3晶振
為了滿足測(cè)試系統(tǒng)較高的采樣頻率,必須外接高頻晶體振蕩器,該電路使用的是SG-310-SCF8M,晶振的ST管腳同樣接單片機(jī)的一個(gè)I/O口,當(dāng)ST使能高電平時(shí),輸出時(shí)鐘頻率為8MHz,其工作電流僅為1.5 mA。
使用上位機(jī)軟件對(duì)存儲(chǔ)在單片機(jī)Flash中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取,讀取后的P-t曲線如圖3所示。
本文設(shè)計(jì)了一種基于測(cè)試儀殼體電容充放電原理的微小電容檢測(cè)系統(tǒng)。詳細(xì)介紹了系統(tǒng)電路,簡(jiǎn)單分析了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),證明了檢測(cè)系統(tǒng)的可行性,為內(nèi)置式壓力的測(cè)試提供了理論基礎(chǔ)與設(shè)計(jì)方法,為最終在惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)試提供了基礎(chǔ)性的研究與設(shè)計(jì)。
圖3 讀值后的P-t曲線
不足之處是通過(guò)對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn)測(cè)試系統(tǒng)的噪聲較大,并且無(wú)法非常準(zhǔn)確的對(duì)每一部分噪聲的具體數(shù)值進(jìn)行定量分析,只能進(jìn)行粗略的計(jì)算,對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)的分析還有待進(jìn)一步深入。
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劉磊(1990—),男,內(nèi)蒙古赤峰人,碩士,研究方向:動(dòng)態(tài)測(cè)試與智能儀器。
作者簡(jiǎn)介: