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      石墨相氮化碳的改性及其在水處理中的應用研究進展

      2015-02-11 16:17:27安小英姜韻婕閆超劉麗
      應用化工 2015年7期
      關(guān)鍵詞:光生空穴光催化劑

      安小英,姜韻婕,閆超,劉麗

      (長安大學 環(huán)境科學與工程學院,陜西 西安 710054)

      氮化碳(C3N4)作為一種新型非金屬光催化劑,主要以α 相、立方相(c-C3N4)、準立方相(pc-C3N4)、石墨相(g-C3N4)4 種形式存在,g-C3N4因其擁有穩(wěn)定性高、電子結(jié)構(gòu)獨特、帶隙較窄(2.7 eV)等半導體的優(yōu)良特性,在光催化領(lǐng)域引起了多數(shù)學者的熱切關(guān)注[1]。然而,研究發(fā)現(xiàn)g-C3N4存在光生電子和空穴易復合導致光催化效率低等缺點,大大限制了其在環(huán)境治理中的應用[2]。

      1 g-C3N4 的改性

      1.1 形貌調(diào)控

      g-C3N4由于比表面積較小,作為光催化劑在應用中存在一定的局限性。眾所周知,活性位點數(shù)隨著g-C3N4的比表面積的增大而增加,更有利于光催化反應過程的發(fā)生。因此,制備具有較大比表面積納米結(jié)構(gòu)的g-C3N4在提高其光催化效率方面具有至關(guān)重要的意義。

      Zhao 等[3]用一種新型交聯(lián)雙峰介孔SBA-15 為硬模板合成了比表面積為145 m2/g 的介孔g-C3N4,而且擁有較大孔體積,對目標降解物甲基橙的光催化降解率是普通g-C3N4降解率的15.3 倍,這主要是因為合成的g-C3N4擁有大的比表面積,可以為其提供更容易獲得的活性位點。

      Wu 等[4]采用無模板濕化學法,以三聚氰胺作前驅(qū)體合成了棒狀、錐狀、多孔四棱柱狀三種不同形貌的g-C3N4,以羅丹明B 作為降解目標,研究了形貌對光催化效率的影響。研究結(jié)果表明,3 種形貌的比表面積分別為32.22,44.83,62.14 m2/g,其中多孔四棱柱狀的g-C3N4的光催化效果最好,原因主要是由于擁有最大的比表面和優(yōu)異的吸附性能。

      1.2 元素摻雜改性

      1.2.1 非金屬元素摻雜 通過非金屬元素對g-C3N4的摻雜后,可以使價帶寬化上移,禁帶寬度相應減少,拓寬吸收光譜范圍,從而可吸收一部分可見光,導致半導體的光催化效率提高。

      Ge 等[5]以硫脲為S 源,用溫和的加熱法成功制備了S 摻雜的g-C3N4,由XPS、DRS 表征結(jié)果發(fā)現(xiàn),S取代N 摻入g-C3N4骨架中形成窄帶隙的g-C3N4,對可見光的吸收明顯增強。在光解水產(chǎn)氫過程中,S摻雜g-C3N4生產(chǎn)氫氣的速度較純g-C3N4顯著提高,當S 的摻雜量為10% 時產(chǎn)氫速度最高,達到2.03 μmol/h。

      最近Li 等[6]以葡萄糖為碳源,通過水熱法合成了C 摻雜的g-C3N4(C/g-C3N4)。比較純g-C3N4與C/g-C3N4復合材料的吸收光譜,在800 nm 附近的可見光區(qū)域內(nèi),后者表現(xiàn)出廣闊的吸收范圍,這是由于在g-C3N4中摻雜C 后,拓展了可見光吸收范圍。光催化降解RhB 實驗數(shù)據(jù)分析可得,C/g-C3N4復合材料在光照2 h 后降解率高達97%,明顯高于純g-C3N4(73%)。

      1.2.2 金屬元素摻雜 金屬元素摻雜能夠優(yōu)化g-C3N4催化劑的結(jié)晶度,改善g-C3N4的電子結(jié)構(gòu),大大降低g-C3N4表面光生電子和空穴的復合率,提高量子效率,從而提高光催化效率。

      金瑞瑞等[7]利用硝酸鐵為鐵源采用熱解法一步合成了Fe 摻雜g-C3N4。實驗結(jié)果表明,F(xiàn)e 以Fe3+形式鑲嵌在g-C3N4結(jié)構(gòu)中,形成Fe─N 配位鍵并優(yōu)化了g-C3N4的能帶結(jié)構(gòu),降低了帶隙能,提高了對可見光的吸收。實驗表明,摻雜后的光催化材料在可見光條件下降解RhB 過程表現(xiàn)出良好的光催化性能,當摻入0.14%的Fe 時,光降解率最高,是純g-C3N4的3.2 倍。

      1.2.3 元素共摻雜 Hu 等[8]用雙氰胺、硝酸鐵、磷酸氫二銨分別作為前驅(qū)體合成Fe、P 共摻雜g-C3N4。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),F(xiàn)e 沒有以氧化物的形式存在,但與N 形成Fe─N 鍵并均勻的插入g-C3N4間隙中,而P以晶格單元的形式位于g-C3N4的間隙位置。在Fe和P 共同摻雜的協(xié)同作用下,通過抑制g-C3N4晶體的生長,擴大了比表面積,減少了帶隙能,提高了光生電子和空穴的分離,使Fe-P/g-C3N4擁有高效的光催化性能。

      Zhao 等[9]用熔鹽法合成了一種新型的帶隙可調(diào)的K-Na 共摻雜的石墨相氮化碳(MS(x)-CN)。實驗結(jié)果表明,K、Na 離子均插入g-C3N4的晶格中,通過調(diào)節(jié)反應前驅(qū)體的質(zhì)量比可以將g-C3N4的CB和VB 的勢能分別從-1.09,1.55 eV 調(diào)節(jié)到-0.29,2.55 eV;同時抑制了g-C3N4晶格的生長,擴大了比表面積。K、Na 摻雜后明顯改善了g-C3N4在可見光下對羅丹明B 催化性能和礦化作用。

      1.3 貴金屬表面沉積

      在g-C3N4表面沉積定量的貴金屬會形成異質(zhì)結(jié),引起載流子的重新分布,從而減少光生電子與空穴的復合,最終提高光催化劑的光量子效率,增強光催化性能。

      Di 等[10]通過實驗研究發(fā)現(xiàn)Au 沉積在g-C3N4表面,擁有良好的光催化活性。主要是因為形成的Au-半導體異質(zhì)結(jié)可以有效促進g-C3N4光生電子的轉(zhuǎn)移,從而導致光催化性能的提升。

      Ge 等[11]用簡單的加熱法在g-C3N4表面均勻負載了貴金屬Ag。實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)在可見光照射下,Ag/g-C3N4對甲基橙的降解率和產(chǎn)氫速率較純g-C3N4有顯著提高,且(1.0%)Ag/g-C3N4的產(chǎn)氫速率是純g-C3N4的11.7 倍。這是由于Ag 粒子的沉積,Ag/g-C3N4對可見光的吸收范圍和強度均有增強,同時提高了光生電子-空穴對的轉(zhuǎn)移,使光催化效率提高。

      1.4 表面酸性處理

      Zhang 等[12]分別用鹽酸和硝酸浸泡g-C3N4,實現(xiàn)其表面酸性質(zhì)子化。實驗結(jié)果表明,用酸對其表面處理后,將g-C3N4表面的負電荷轉(zhuǎn)變?yōu)檎姾桑宜崽幚砗蟮膅-C3N4表現(xiàn)出更大的比表面積和較高的吸附性能,從而提高了光催化活性。

      1.5 復合改性

      1.5.1 寬帶隙半導體復合 g-C3N4與寬帶隙半導體復合,形成p-n 異質(zhì)結(jié),使光生電子聚集在寬帶隙半導體的導帶上,而空穴聚集在g-C3N4半導體的價帶上,在電子傳遞過程中,有效分離載流子,從而提高復合光催化劑的穩(wěn)定性和光催化效果。

      Liu 等[13]用沉淀-浸漬法合成g-C3N4/ZnO 的前驅(qū)體,在高溫下煅燒形成g-C3N4/ZnO 復合體。實驗結(jié)果表明在可見光照射下,g-C3N4/ZnO 具有較好的穩(wěn)定性,而且在光催化降解羅丹明B 的實驗中與純g-C3N4比較,表現(xiàn)出更好的光催化性質(zhì)。主要是由于ZnO 分布于g-C3N4表面有利于異質(zhì)結(jié)的形成,而且光生電子由g-C3N4的導帶射入ZnO,促進了Cr6+的還原和自由基·O-2、·OH 的氧化。

      Yang 等[14]用鹽酸對C3N4表面質(zhì)子化,制備了具有高催化活性的BiOBr/g-C3N4異質(zhì)結(jié)復合材料。當BiOBr 與g-C3N4的復合比為7 ∶3 時,表現(xiàn)出良好的光催化活性,分別比純g-C3N4、BiOBr 的催化活性高出35.03 和33.72 倍。

      1.5.2 窄帶隙半導體復合 g-C3N4與窄帶隙半導體復合基本上與寬帶隙半導體復合相同,使光生電子轉(zhuǎn)移到窄帶隙半導體的導帶,而空穴遷移到g-C3N4的價帶上,降低電子-空穴對的復合。并且有可能拓展光催化劑吸收光譜范圍,從而提高光催化活性。

      Jiang 等[15]用原位生長法在介孔g-C3N4表面復合了Ag3PO4粒子。合成的介孔g-C3N4體現(xiàn)出大的比表面積,并且Ag3PO4均勻的分散在g-C3N4表面,更有利于載流子的分離與轉(zhuǎn)移。研究結(jié)果表明,制備的復合材料由于降低了電子-空穴對的復合,同時擴寬了光吸收范圍,表現(xiàn)出很高的光催化效率。

      1.5.3 碳材料復合 碳材料如石墨烯、碳納米管等有較低的費米能級和優(yōu)良的電子傳導性,在電子傳遞過程中能有效的捕獲光生電子,減少光生電子-空穴對的復合,而且可以為有機物提供吸附位點,將其與g-C3N4復合可以有效增強光催化活性。

      Chai 等[16]用簡單的吸附法合成的C60/C3N4表現(xiàn)出良好的光催化活性。通過在可見光條件下降解羅丹明B 的實驗表明,C60的摻雜量為1%(相對于C3N4的質(zhì)量比)時,復合材料具有最優(yōu)的催化效果。

      Xiang 等[17]用氧化石墨烯作為前驅(qū)體,水合肼作還原劑,煅燒三聚氰胺,通過浸漬-還原法合成了石墨烯/g-C3N4復合材料。研究結(jié)果表明石墨烯作為電子導電通道,有效分離g-C3N4的光生電子和空穴對,從而提高了在可見光照射下g-C3N4的產(chǎn)氫活性。制備的復合光催化材料的產(chǎn)氫率較純g-C3N4高出3.07 倍。

      1.6 染料光敏化

      將具有光活性的化合物吸附在g-C3N4表面,形成π-π 共軛鍵,在光照射下,化合物的電子被激發(fā),并注入g-C3N4導帶,促使g-C3N4導帶電位負移,擴大光吸收范圍,提升光催化效果。

      Xu 等[18]研究了赤蘚紅B 染料(EB)敏化MoSxg-C3N4(EB-MoSx-g-C3N4)納米結(jié)構(gòu)光催化產(chǎn)氫效果。在可見光照射下,使EB 光生電子發(fā)生有效轉(zhuǎn)移,從而EB-MoSx-g-C3N4光解產(chǎn)氫效率有顯著提高,在545 nm 單色光處,產(chǎn)氫量子效率高達8.3%。

      2 在水處理中的應用

      2.1 降解染料廢水

      染料廢水具有成分復雜、有機物濃度高、色度大、難降解等特點,排入水體中,造成嚴重污染。用光催化技術(shù)降解染料廢水,可使有機污染物降解的更徹底,而且染料本身具有光敏性,降解過程中可以提升光能利用率。

      Li 等[19]用制備的Ag-AgBr/g-C3N4復合材料降解甲基橙。研究結(jié)果表明,當Ag-AgBr 與g-C3N4的質(zhì)量比為30%時,在可見光條件下反應15 min,對甲基橙的降解率可達90%,與純g-C3N4相比表現(xiàn)出更高的光催化效率。

      Akhundi 等[20]在溫和條件下合成磁性g-C3N4/AgBr/Fe3O4復合光催化劑,當Fe3O4與g-C3N4/AgBr的質(zhì)量比為1 ∶4,反應60 min 時,對RhB 的降解性能明顯提高,降解率是g-C3N4的5.3 倍,而且光催化劑可以高效回收并重復利用。

      2.2 降解重金屬廢水

      重金屬排入水體中,存在毒性持續(xù)性、難生物降解等特點,而且隨食物鏈進入生物體中累積易致癌。光催化技術(shù)以其低成本、低耗能、無二次污染等優(yōu)勢被廣泛用于降解重金屬廢水。

      Zhang 等[12]用5 mol/L 的鹽酸和硝酸處理后的g-C3N4將水溶液中的Cr(VI)還原為無毒的Cr(III)。研究結(jié)果表明,用5 mol/L 硝酸處理后的g-C3N4不僅可以去除沉積在g-C3N4表面的被還原后的Cr(III)離子,還可以提高g-C3N4-HNO3在重復利用過程中的光催化活性。

      2.3 降解氯酚類有機廢水

      氯酚類有機物作為近年來水體中重要的一類有機污染物,由于毒性大、分布廣、治理難等特點引起了人們的重視。

      Li 等[21]用混合煅燒合成的g-C3N4/Bi2O3降解水體中的對氯苯酚(4-CP)。由表征結(jié)果可以看出尺寸為20 ~500 nm 的Bi2O3分散在g-C3N4表面形成異質(zhì)結(jié)。實驗數(shù)據(jù)分析得出,在可見光照射下,反應5 h 后,g-C3N4(53.2%)/Bi2O3對4-CP 的降解率高達85%。

      Wang 等[22]用水熱法制備了C3N4/BiOIO3,通過兩者的協(xié)同作用,復合光催化表現(xiàn)出對可見光的強吸收,同時促進電荷分離,最終光催化性能增強。實驗結(jié)果表明,隨著光照時間的增加,吸收峰在284 nm 處逐漸減弱,180 min 后,71%的2,4-二氯酚被降解,比純C3N4明顯提升。

      2.4 降解內(nèi)分泌干擾物

      近年來,內(nèi)分泌干擾物成為一種典型的有機污染物,給生活帶來方便的同時,可以在生物體內(nèi)累積,產(chǎn)生巨大的危害性。光催化技術(shù)作為一種綠色友好型材料在環(huán)境內(nèi)分泌干擾物的降解中被廣泛應用。

      Xia 等[23]采用EG 輔助溶劑熱法成功復合了g-C3N4與BiOBr 半導體光催化劑。實驗結(jié)果表明,g-C3N4均勻的分散在BiOBr 表面,形成粒徑1 ~2 μm 的球狀復合材料,以無色有機物典型的代表雙酚A(BPA)作為降解目標,與純g-C3N4和BiOBr 相比,在光降解過程中表現(xiàn)出高效的光催化性能。

      3 結(jié)束語

      g-C3N4由于其合成方法簡單、無毒、穩(wěn)定性好等獨特的性能,且作為一種典型的窄帶隙光催化半導體,在水處理領(lǐng)域得到廣泛研究與應用。但目前在合成、改性、應用等方面還存在一些問題:①在合成g-C3N4的過程中,雖然可以通過直接煅燒三聚氰胺、尿素等前驅(qū)體合成g-C3N4,但由實驗驗證得到C、N 比與理論值相差較大,所以應該進一步研究出更簡單、有效的合成方法;②結(jié)合多種改性方法對g-C3N4進行改性,優(yōu)化其電子結(jié)構(gòu),拓展光吸收范圍,進一步提高光催化性能;選擇良好的g-C3N4載體,實現(xiàn)其固定化和重復利用性;③進一步研究g-C3N4光催化機理,為改性方法的選擇提供更多的理論知識,使g-C3N4在環(huán)境處理如:空氣污染治理、水污染處理、光解產(chǎn)氫等領(lǐng)域提供更多的適用性。

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