基于Sentaurus Device的4H—SiC PiN二極管的仿真

孫佳哲 王磊

摘要：該文通過4H-SiC PiN二極管的模擬，給4H-SiC PiN二極管加了一個5V電壓，在室溫T=300K的情況下分析了4H-SiC PiN二極管的直流特性和溫度特性，從而介紹了Synopsys Inc.開發(fā)的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。

關鍵詞：4H-SiC PiN二極管；Si；SenTaurus Device

中圖分類號：TP31 文獻標識碼：A 文章編號：1009-3044（2014）33-8034-04

電子電流密度要大于空穴電流密度。當溫度在300K-450K的時候電流密度是隨著溫度的增加而增加，在T=450K附近的時候電流密度達到了最大值，當溫度在450K-600K的時候電流密度隨著溫度增加而減小。

3 總結

利用器件模擬軟件Sentaurus Device對4H-SiC PiN 二極管的直流特性進行模擬。通過模擬 4H-SiC PiN 二極管的直流正向 I-V 特性、開關特性，載流子密度等特性。器件的導通電壓為2.6V 左右，同時漂移區(qū)少子濃度（空穴）增至5e+17[cm-3]比漂移區(qū)摻雜濃度1e+15[cm-3]高出倆個數(shù)量級。通過模擬發(fā)現(xiàn) 4H-SiC PiN 二極管的正向導通電壓隨著溫度的升高而逐漸減小。

參考文獻：

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