超薄體MOSFETs和FinFETS基礎(chǔ)

Jerry+G.Fossum

基于計(jì)算機(jī)與通信網(wǎng)絡(luò)化的信息技術(shù)對(duì)芯片的性能提出了更高的要求，希望芯片具有更快的處理速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和更高的傳輸速率，經(jīng)典的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已經(jīng)難以滿足發(fā)展需求。目前，新型CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）器件結(jié)構(gòu)以及新的互連工藝技術(shù)大大促進(jìn)了金屬——氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管發(fā)展，出現(xiàn)了用SOI（絕緣襯底上的硅）材料的超薄MOSFET器件、應(yīng)變硅器件、FinFETS（鰭式場(chǎng)效晶體管）、甚至利用硅單晶不同晶向制作器件，推動(dòng)了信息技術(shù)的發(fā)展。

本書詳述了FD/SOI MOSFETs和3D FinFET，內(nèi)容涵蓋了短溝道效應(yīng)，量子效應(yīng)和UTB器件的應(yīng)用（浮體DRAM和傳統(tǒng)SRAM），提供納米FinFET器件和納米薄/厚盒平面FD/ SOI MOSFET設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測(cè)了納米級(jí)UTBCMOS潛在的性能。本書內(nèi)容包括4章：1.引言；2.UTBMOSFETs的特征；3.平面全耗盡SOIMOSFETs國(guó)；4.FinFET。

本書詳述了下一代兩個(gè)主流半導(dǎo)體工業(yè)器件UTBMOSFET和FinFET的理論、設(shè)計(jì)和應(yīng)用，每章后面有練習(xí)題，適合一年級(jí)研究生以及高年級(jí)本科生作為教材使用，同時(shí)也適合COMS領(lǐng)域?qū)I(yè)工程師參考。

作者Jerry G.Fossum是佛羅里達(dá)大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程系特聘名譽(yù)教授，IEEE院士，主要研究領(lǐng)域是納米COMS器件以及硅基太陽(yáng)能電池。

杜利東，助理研究員

（中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所）

Du Lidong，Assistant Professor

（Institute of Electronics， CAS）endprint