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      淺談36對棒多晶硅還原爐電源系統(tǒng)及常見故障分析

      2014-05-06 07:59:42新疆大全新能源有限公司石河子市832000程智勇
      石河子科技 2014年3期
      關(guān)鍵詞:還原爐晶閘管檔位

      (新疆大全新能源有限公司,石河子市,832000) 程智勇

      目前,多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要有改良西門子法、硫化床法和硅烷法,其中改良西門子法以其技術(shù)的成熟性、產(chǎn)量的規(guī)?;仍颍匀皇菄鴥?nèi)最主流的生產(chǎn)工藝方法,改良西門子法是利用高純度的氫氣和三氯氫硅在1050℃左右的高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),使還原出的高純度硅沉積在硅芯上,漸漸長粗形成硅棒的過程,其主要化學(xué)方程式為:SiHcl3+H2→Si+Hcl,這里,硅芯既是發(fā)熱體,又是載體;硅棒一般生長到直徑在150~200mm時(shí),即可達(dá)到成品要求。因硅棒在生長過程中對電壓、電流的調(diào)節(jié)范圍較大,因此對電氣設(shè)備的要求較高。

      1 36對棒還原爐電源設(shè)備的主要組成情況

      目前,國內(nèi)較大多晶硅企業(yè)的還原爐主要有24對棒、36對棒和48對棒,我公司主要有24對棒和36對棒兩種還原爐,這里主要介紹一下36對棒還原爐的電源系統(tǒng),36對棒還原爐的電源系統(tǒng)主要由多檔位的變壓器、高壓啟動開關(guān)柜、交流調(diào)壓器、調(diào)功柜電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。

      2 多檔位變壓器

      生產(chǎn)中使用的多檔位變壓器額定容量為9900KVA的干式變壓器,能夠輸出5種電壓等級,分別為2500V、1400V、650V、400V、320V。

      3 高壓啟動系統(tǒng)

      高壓啟動系統(tǒng)主要是由高壓開關(guān)柜、交流調(diào)壓器構(gòu)成,該部分設(shè)備主要是為了使硅芯導(dǎo)電發(fā)熱從而達(dá)到產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的目的;36對硅芯被分為9組,每組由4對硅芯串聯(lián)組成純電阻電路,因?yàn)楣柙诔叵率遣粚?dǎo)電的,只有在高壓、高溫的情況下才會導(dǎo)電,交流調(diào)壓器主要是由一臺升壓變壓器組成,輸入電壓為交流380V,輸出一般有10KV、8KV、6.3KV、2KV等電壓等級(見圖),每個(gè)檔位的開通與斷開均是由晶閘管控制,當(dāng)其中一個(gè)檔位的晶閘管導(dǎo)通后,其它檔位的晶閘管必定是斷開的,因此在正常情況下,是不會存在兩種電壓同時(shí)開通所產(chǎn)生短路環(huán)流的情形;一般在6.3KV的電壓下,硅芯會被擊穿導(dǎo)電,然后在這個(gè)電壓等級下,閉合高壓斷路器使每一組硅芯導(dǎo)電,然后隨著硅芯的發(fā)熱,電阻阻值會漸漸下降,電壓也會隨之下降,通常情況下第一組硅芯被擊穿導(dǎo)電過程比較長一些,當(dāng)?shù)谝唤M硅芯導(dǎo)電后,它會成為一組發(fā)熱體,使?fàn)t體內(nèi)部溫度升高,這樣,后續(xù)的硅芯就越來越容易被擊穿導(dǎo)電,最終使所有的硅芯全部導(dǎo)電,達(dá)到產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的工藝要求。

      4 調(diào)功柜電氣系統(tǒng)

      硅芯被全部導(dǎo)電后,隨著爐體內(nèi)的氫氣和三氯氫硅流量的增加,熱量也會被大量帶走,這時(shí)要保證密閉容器中始終保持在1050℃~1080℃溫度范圍內(nèi),原來的高壓啟動系統(tǒng)只能提供較小的電流,已不能夠滿足工藝使用要求,因此必須切換到能提供大電流的調(diào)功柜電氣系統(tǒng)中,由多檔位變壓器提供電源,因此,每一回路的硅芯將被切換至調(diào)功柜系統(tǒng)來供電,當(dāng)全部切換完畢后,高壓啟動系統(tǒng)則被退出使用,調(diào)功柜系統(tǒng)進(jìn)入工作狀態(tài),調(diào)功柜的每一檔位的電壓等級輸出仍然是靠晶閘管的導(dǎo)通與閉合來實(shí)現(xiàn),調(diào)功柜的主回路是由兩只晶閘管反并聯(lián)的交流調(diào)壓結(jié)構(gòu),晶閘管起到開關(guān)的作用,隨著硅棒的生長變粗,硅棒表面積也來越大,還原反應(yīng)也會越來越劇烈,它所使用的電流也越來越大,根據(jù)硅棒的電阻阻值的變化,系統(tǒng)會逐步切換到較低的電壓等級,以便得到更大的電流;在使用大電流的同時(shí),純電阻電路會隨之而來產(chǎn)生大量電源諧波,干擾成分加大,這樣會造成變壓器使用效率降低,設(shè)備容易發(fā)熱并且損壞,在解決該問題時(shí),調(diào)功柜系統(tǒng)在設(shè)計(jì)上進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),采用兩檔疊層技術(shù),也就是兩檔不同電壓等級的電源都在導(dǎo)通使用,電源波形互相抵消互補(bǔ)的原理進(jìn)行諧波治理和無功補(bǔ)償,利用自身的控制性能來提高功率因數(shù)。

      5 常見故障分析

      5.1 多檔位變壓器鐵芯多點(diǎn)接地

      產(chǎn)生該故障的主要原因?yàn)椋?)變壓器在運(yùn)輸搬運(yùn)過程中,造成鐵芯夾具的穿芯螺桿與絕緣套管磨損破裂,使穿芯螺桿與鐵芯直接接觸;2)在變壓器組裝過程中,由于工作人員的疏忽,將一些螺絲、墊片、甚至小工具掉入夾縫當(dāng)中而未被發(fā)現(xiàn),出廠檢驗(yàn)時(shí)是合格的,到了現(xiàn)場檢測時(shí)就產(chǎn)生了多點(diǎn)接地現(xiàn)象;3.易導(dǎo)電的灰塵較大,使鐵芯與外殼框架產(chǎn)生表面放電現(xiàn)象;

      解決方法:針對故障1現(xiàn)象,解決措施是將穿芯螺桿拆除,更換絕緣套管;針對故障2現(xiàn)象,解決措施是反復(fù)仔細(xì)檢查,并吹掃灰塵,在用搖表測絕緣時(shí),應(yīng)仔細(xì)聽聲音,當(dāng)轉(zhuǎn)動搖表時(shí)會產(chǎn)生輕微的放電聲,找到放電位置后,清除里面的異物,可消除故障。

      5.2 多檔位變壓器繞組線圈絕緣層開裂

      產(chǎn)生該故障的主要原因?yàn)椋捍朔N故障常發(fā)生在低壓側(cè)線圈繞組,因?yàn)榈蛪簜?cè)電流較大,發(fā)熱量大,造成線圈溫度偏高,尤其是夏季,局部可達(dá)到80℃以上的溫度,絕緣層如果太厚的話就會產(chǎn)生開裂現(xiàn)象,我公司曾經(jīng)發(fā)生過該故障現(xiàn)象,具體維修方法是將變壓器上方銅母排拆除,鐵芯上軛夾具拆除,卸去穿芯螺桿,這時(shí)就可以將鐵芯上軛拆除,硅鋼片要幾片一組一起拔出,然后碼放整齊,切勿落入灰塵,拆完硅鋼片后,將低壓側(cè)線圈繞組吊出,將開裂的絕緣側(cè)剝離掉,此時(shí)要小心拆除,盡量不要將銅皮漏出,以免增加后續(xù)處理絕緣的難度,拆除完后將繞組端面用銼和砂紙修平整,不要有尖銳的棱角,然后將F級絕緣紙整體纏繞5~6層,再用玻璃絲帶進(jìn)行重疊壓層纏繞一層,捆扎牢固,再用絕緣樹脂將繞組端面進(jìn)行均勻涂抹,晾干后進(jìn)行安裝,安裝硅鋼片時(shí)要一片一片的安裝,切勿將硅鋼片受力扭曲變形,影響使用效果。

      5.3 調(diào)功柜輸出端接地故障

      主要表現(xiàn)在單相或多相負(fù)載接地,多數(shù)原因是由于硅芯通電后斷裂碰壁,或者石墨底座處聚四氟乙烯套管絕緣能力下降導(dǎo)致漏電,先報(bào)警后停爐,解決措施是停爐重新安裝硅芯或更換聚四氟乙烯絕緣套管。

      5.4 調(diào)功柜晶閘管擊穿

      晶閘管被擊穿損壞主要因?yàn)椋?.晶閘管與散熱水包接觸面沒有壓緊,或是與母排緊固時(shí)受力不均勻,導(dǎo)致晶閘管接觸不好,不導(dǎo)通,這樣,大電流全部加到同一側(cè)另外的晶閘管上,造成別的晶閘管過電流燒穿;2.調(diào)功柜通風(fēng)散熱不好,空氣不對流,柜內(nèi)空間溫度高,二次回路故障或誤動作,無法對主回路中的元器件起到保護(hù)作用。

      6 結(jié)束語

      由于國外對我國多晶硅行業(yè)一直處于技術(shù)封鎖,因此,這就需要我國多晶硅行業(yè)的研究人員繼續(xù)努力研究,早日打破國外的技術(shù)封鎖,研發(fā)出更加適用、節(jié)能、先進(jìn)的還原爐電源系統(tǒng)來。

      [1]毛濤濤等,淺談大功率多晶硅電源系統(tǒng)[J],有色節(jié)能,文章編號1008-5122(2010)06-0500-04

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