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      淺談內(nèi)層411.6μm底銅制作工藝

      2014-01-13 09:32:12劉庚新熊厚友張興望李偉保
      印制電路信息 2014年10期
      關(guān)鍵詞:原稿線寬內(nèi)層

      劉庚新 熊厚友 張興望 李偉保

      (勝華電子(惠陽)有限公司,廣東 惠州 516257)

      1 前言

      隨著電子技術(shù)的發(fā)展線路板上集成的電子元器件越來越多,對線路的電流導通能力和電流承載能力越來越高,在縮小線路線寬的同時又要提高線路電流的承載力,只能是相應的提高線路的銅厚,一般的內(nèi)外層的線路銅厚大于102.9 μm即稱為厚銅板,其主要特點:承載大電流,減少熱應變和散熱,主要應用于高端電源線路板及大功率設備電路板,本文主要通過試驗介紹一種內(nèi)層411.6 μm(12 oz)高厚底銅的生產(chǎn)作業(yè)方式,確認411.6 μm銅厚內(nèi)層蝕刻的線路補償以及制作能力。

      2 試驗設置

      (1)選擇銅厚為411.6 μm的基材2PNL;

      (2)對原稿設計不同三組補償0.2 mm、0.25 mm、0.3 mm制作不同原稿的對應試驗底片。如表1。

      3 實驗步驟

      表1 設計的線寬/線距及補償后線寬/線間 單位:mm

      (1)做1PNL正常內(nèi)層前處理和壓膜,曝光能量9格,正常顯影。

      (2)蝕刻速度首先102.9 μm速度兩次,然后68.6 μm速度和34.3 μm速度各一次,壓力溫度等正常條件。此條件失敗,0.2 mm的補償太小,蝕刻后百倍鏡測試出現(xiàn)線間距小于0.25 mm的情況,需要加大蝕刻量,故將補償0.2 mm修改為0.33 mm重新試做,線路的試驗補償為25.4 mm、0.3 mm、0.33 mm。

      (3)第2PNL在第1PNL基礎(chǔ)上調(diào)整蝕刻速度為首先102.9 μm速度2次,然后68.6 μm一次,最后34.3 μm速度兩次。具體的試驗后線路線寬數(shù)據(jù)表2。

      表2 線寬/線間數(shù)據(jù)分析(線寬間距按原稿±20%管控;變異量是指底片設計值和實際測試值的差異)單位:mm

      4 數(shù)據(jù)分析

      4.1 線寬數(shù)據(jù)

      (1)目前補償無法滿足上線寬達到原稿20%的要求,上線寬比設計小0.51 mm。(2)求單邊線寬和間距管控,只能生產(chǎn)原稿在0.76 mm以上線路,且補償0.25 mm合理。(3)如果按下線寬管控,線路可以作到0.69 mm以下,補償0.2 mm即可以達到線寬間距要求中值。

      4.2 蝕刻因子和位置對比

      蝕刻因子小于3,說明蝕刻條件不夠合理,還可以增加蝕刻量。

      5 線路品質(zhì)分析(圖1)

      圖1 對不同補償?shù)木€路的殘足切片及分析圖

      分析:(1)殘足的厚度和長度與原稿和補償沒有明顯關(guān)系;(2)厚度平均為0.22 mm,R值0.064 mm。長度平均0.16 mm,R值0.064 mm。

      6 壓合疊構(gòu)及可靠性分析

      (1)對第1PNL采用10張1067 RC75%壓合(圖2);(2)壓合后可靠性分析(圖3):

      7 總結(jié)

      目前酸性蝕刻0.4 mm銅厚線路補償及最小線寬間距要求如表4。

      圖2 目前壓合疊構(gòu)

      圖3 對不同線路部分做288℃,10s,3次做熱沖擊實驗分析

      表3 線路殘足的厚度與長度數(shù)據(jù)(長度代表一邊殘足的長,厚度代表殘足最厚的值)單位:mm

      (1)客戶要求上線寬,廠設計最小補償為0.38 mm,且最小原稿線寬間距要求為0.89 mm/0.89 mm。

      (2)客戶要求單邊線寬,廠設計補償為0.25 mm,且最小原稿線寬間距要求為0.76 mm/0.76 mm。

      (3)客戶要求下線寬,廠設計補償為0.20 mm,且最小原稿線寬間距要求為0.68 mm/0.68 mm。

      (4)壓合后熱沖擊實驗OK,填膠檢查及外觀均無異常,說明壓合品質(zhì)正常??紤]到板厚均勻性和離子遷移,建議以后量產(chǎn)用較厚的PP或者先填膠后壓合。

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