翟艷男,程繼航,湯艷坤,石靜苑,焦 陽
(空軍航空大學,長春130022)
隨著集成電路的迅速發(fā)展,各種器件對電源的要求也在不斷提高。片上電荷泵作為一種內(nèi)部電源成為研究熱點[1-4],它被應用于需要高壓的領域,如串口通信電路、EEPROM、動態(tài)隨機存儲器等等。例如,在EEPROM中,電荷泵用于對懸浮柵器件進行寫入或者擦除操作。如果電荷泵泵壓速度慢,EEPROM就不能實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)改寫,數(shù)據(jù)可能會丟失、誤傳,影響器件性能。因此,減小電壓上升時間成為設計片上電荷泵的重點。
通過對靜態(tài) CTS 電荷泵[5]、浮阱電荷泵[6]、交叉耦合電荷泵[7]、Dickson 電荷泵[8-9]等電路進行研究和分析,并且考慮到工藝庫文件的限制,選定Dickson電荷泵作為設計基礎,運用電荷在電容中積累產(chǎn)生高壓。對Dickson電荷泵進行靜態(tài)分析和動態(tài)分析[10-11]可以看出,無論是二極管還是MOS管連接的Dickson電荷泵,它們輸出電壓的上升時間都與電源電壓、傳輸管閾值電壓、電荷泵級數(shù)、耦合電容、負載電容、驅(qū)動時鐘的周期以及節(jié)點初始電壓等參數(shù)有密切關系。
本文從研究時鐘信號以及電荷泵初始電壓入手,設計了一個16級MOS管Dickson電荷泵升壓電路系統(tǒng)。電路對傳統(tǒng)的Dickson電荷泵進行改進,并由占空比約為30%的高頻時鐘信號驅(qū)動,以實現(xiàn)快速升壓的目的。
圖1 MOS管Dickson電荷泵
考慮到對芯片面積的影響,電荷泵核采用16級MOS管Dickson電荷泵模型,如圖1所示,用柵漏相接的NMOS管作為二極管,用源漏相接的NMOS管作為電容,C1、C2…CN是耦合電容,Cout是負載電容,VA是第一個節(jié)點的電壓,Vh是輸出電壓。由于二極管的單向?qū)ㄌ匦?,電荷只能從左邊傳到右邊。隨著電荷泵級數(shù)的增加,電荷會一級一級的傳到輸出端,從而得到高壓Vh。
本文采用華虹NEC 0.35 μm CMOS工藝模型,用HSPICE軟件對MOS管電荷泵進行仿真。仿真環(huán)境設定如下:仿真溫度25℃,仿真時間為600 μs。輸入電壓Vin為5 V。時鐘信號clk和clk_n是占空比為50%非交疊時鐘,信號如下:v1 clk gnd pulse(0 μs 5 μs 50 μs 2 ns 2 ns 0.25 μs 0.5 μs);v2 clk_n gnd pulse(0 μs 5 μs 50.25 μs 2 ns 2 ns 0.25 μs 0.5 μs)。仿真結(jié)果如圖2所示。
圖2 MOS管電荷泵仿真波形
從圖2(a)完整波形中可以看出MOS電荷泵輸出電壓振蕩上升,最終輸出穩(wěn)定電壓信號。從圖2(b)VA起始電壓放大波形中可以看出,在第一個時鐘周期(j=1)里,VA(1)=5.64 V。從圖2(c)輸出電壓Vh的放大波形圖中可以看出,Vh從50 μs開始升壓,0 V升壓到20 V需要77.68 μs。
對Dickson電荷泵進行理論分析,在不考慮體效應的情況下,只有當時鐘周期的個數(shù)j很大時,每個節(jié)點的電壓Vk才能達到下面的理想值而在第一個時鐘周期里,即j=1時刻,各節(jié)點處的電壓Vk(1)只能達到
可見,每個節(jié)點的電壓要想達到理論值,需要經(jīng)過一定的時鐘周期。如果增加每個節(jié)點的初始電壓值,就可以明顯減小電壓上升時間。因此本文提出在MOS電荷泵中引入NMOS預充管,使每個節(jié)點的電壓預充到一定值,減小節(jié)點電壓達到理論值的時間。分別對電荷泵加入不同數(shù)目預充管進行仿真分析,研究預充管的數(shù)目對升壓時間的影響
仿真結(jié)果表明,加入偶數(shù)個預充管可以提高電荷泵升壓速度。預充管數(shù)目與升壓時間(0 V升高到20 V)的關系如表1所示。
表1 預充管數(shù)目與升壓時間的關系
從表1中可以看出:加入的預充管的個數(shù)越多升壓越快;分別加入2個和4個預充管,升壓時間減少的十分明顯,加入4個預充管使升壓時間減小了7.334 μs;在加入6個以上預充管,升壓時間減少就沒那么明顯了。為了在減小升壓時間的同時不過多的增加電路面積,本文只在電荷泵電路的前四級加入預充管,改進的Dickson電荷泵模型如圖3所示。其中 M2、M3、M4、M54個 NMOS管作為預充管使用。M1管輸入高電平導通,M2~M5管也導通,節(jié)點電壓被預充到一定值。
圖3 改進的電荷泵核電路
仿真環(huán)境不變,對改進的電荷泵核進行仿真。時鐘信號仍然是占空比為50%非交疊時鐘。對仿真波形進行放大,VA起始波形如圖4所示。從圖中可以看出,在第一個時鐘周期里(j=1),VA(1)=6.750 V,而傳統(tǒng)的MOS管Dickson電荷泵VA(1)=5.64 V??梢?,改進的電荷泵第一級電壓提高了2.11 V。
圖4 改進的電荷泵核VA起始電壓放大波形
傳統(tǒng)的Dickson電荷泵采用占空比等于50%的兩相非交疊時鐘驅(qū)動信號,信號每次變化時,電容的充電電流和放電電流都同時打開,這無疑將引起電荷泄漏及充放電流失配等不利因素[12]。因此,本文提出使用占空比約等于30%的時鐘信號驅(qū)動電荷泵,時鐘信號理論波形如圖5所示。該信號增加了x和y兩段都為零的工作過程,此時電荷泵所有的電容都被復位,電容在完全放電之后再進行充放電操作,避免了兩個電容充放電不匹配的現(xiàn)象發(fā)生。
圖5 改進的驅(qū)動時鐘信號
圖6 時鐘產(chǎn)生電路的結(jié)構框圖
本文設計的時鐘產(chǎn)生電路由基準電壓源、電壓放大器、壓控振蕩器和時序電路四個模塊組成,其結(jié)構框圖如圖6所示。各模塊的內(nèi)部結(jié)構如圖7所示。從圖7中可見,基準電壓源使用電流鏡產(chǎn)生參考電流,以得到精確的電流值,再用電阻進行分壓,以產(chǎn)生對電源電壓不敏感的參考電壓Vref。在電壓放大器中加入了使能控制信號Vce,當Vce為高電平時,電路迅速復位,VinVCO被下拉到低電平,輸出信號clka和clkb均為低電平。當Vce為低電平時,Vref被放大,從而得到振蕩器驅(qū)動信號VinVCO,同時時序電路開始工作。振蕩電路是升壓系統(tǒng)的主要部分,如果不能起振,電荷泵就無法正常工作。為了提高電荷的轉(zhuǎn)換效率,本文采用穩(wěn)定的參考電壓作為驅(qū)動的壓控振蕩器(VCO)。在VinVCO的驅(qū)動下,壓控振蕩器產(chǎn)生同頻率、等幅值、初相角不同的周期振蕩信號clk1和clk2;振蕩信號clk1和clk2經(jīng)時序電路整形產(chǎn)生方波信號,并經(jīng)過調(diào)整產(chǎn)生本文所需要的占空比約為30%的時鐘信號clka和clkb。
圖7 時鐘產(chǎn)生電路內(nèi)部結(jié)構圖
對時鐘電路進行仿真,電源電壓5 V,使能信號Vce為0 V,仿真時間為250 μs。圖8為時鐘產(chǎn)生電路一段放大仿真波形。
圖8 時鐘產(chǎn)生電路放大仿真波形
從波形中可以看出,振蕩器輸出周期振蕩信號clk1和clk2,clk1和 clk2隨后被整形為方波信號clk3和clk4,clk3和clk4再被調(diào)整為兩相非交疊時鐘信號clka和clkb。clka周期為0.481 μs,頻率為2.079 MHz,高電平時間為 0.139 μs,clka 的占空比為28.900%。clkb周期為0.485 μs,頻率為2.062MHz,高電平時間為 0.166 μs,clkb 的占空比為34.230%。clka和clkb的平均頻率為2.071 MHz,平均占空比為31.565%,時鐘電路產(chǎn)生占空比約為30%的時鐘信號,符合設計指標的要求。
仿真環(huán)境不變,采用本文設計的占空比約為30%的時鐘信號驅(qū)動帶有預充管的電荷泵核,仿真輸入信號如下:v1Vcegnd pwl(0 μs 0 μs 2 μs 0 μs 2.002 μs 5 μs 50 μs 50.005 μs 0 μs 280 μs 0 μs 280.05 μs 5 μs)。仿真結(jié)果如圖 9 所示。
圖9 電荷泵系統(tǒng)仿真波形
從圖9(a)完整波形中可以看出使能信號Vce高電平有效,Vce經(jīng)過短暫的高電平給電路復位后,變?yōu)榈碗娖?,電荷泵處于開啟模式。電荷泵系統(tǒng)每個節(jié)點的電壓都振蕩上升,最終輸出穩(wěn)定電壓。從圖9(b)輸出電壓Vh的放大波形中可以看出,電荷泵輸出的高壓信號Vh在107.625 μs就升壓到20 V。即在電荷泵開啟以后,僅僅經(jīng)過57.625 μs就可以升壓到20 V。表1中傳統(tǒng)的MOS管電荷泵從0 V升壓到20 V需要77.68 μs??梢?,同樣升壓到20 V改進的電荷泵比傳統(tǒng)的電荷泵快了20.055 μs。
設計了一個能夠快速升壓的穩(wěn)定的電荷泵電路結(jié)構。通過在MOS管Dickson電荷泵中加入了四級預充管結(jié)構,使電容能夠快速充電,增加了節(jié)點的起始電壓,提高了電荷泵的升壓速度。設計的時鐘產(chǎn)生電路產(chǎn)生占空比約為30%的時鐘信號,通過采用這種信號驅(qū)動電荷泵核,進一步提高了電荷泵升壓速度。電荷泵僅需要57.625 μs就可以升壓到20 V,比MOS管Dickson電荷泵升壓到20 V快了20.055 μs。仿真結(jié)果表明本文設計的電荷泵系統(tǒng)具有升壓速度快、可靠性高等特點。它不僅可作為EEPROM的內(nèi)部模塊使用,還可用于需要高速擦、寫的電子產(chǎn)品中。
[1]Feng P,Li Y L,Wu N J.A High Efficiency Charge Pump Circuit for Low Power Applications[J].Journal of Semiconductors,2010,31(1):015009-1-015009-5.
[2]錢香,朱芙菁.可變增益電荷泵的分析與設計[J].電子器件,2012,35(1):83-89.
[3]Yu Y Y,Tang Y,Wan X G,et al.Application of Charge Pumping Technology on High-Voltage MOSFET Reliability Investigation[J].Chinese Journal of Electron Devices,2009,32(6):1023-1026.
[4]Cao H M,Yang Y T,Lu T J,et al.A Fast-Settling CMOS Charge Pump[J].Chinese Journal of Electron Devices,2008,31(5):1475-1478.
[5]Maksimovic D,Dhar S.Switched Capacitor DC-DC Converters for Low Power on-Chip Applications[EB/OL].IEEE PESC99.30th Annual,1999,1:54-59.
[6]Cheng K H,Chang C Y,Wei C H.A CMOS Charge Pump for Sub-2.0 V Operation[R].IEEE Int Symp on Ckts and Sys,2003(2):89-92.
[7]Tawfiqu H,Torsten L.A 5 V Charge Pump in a Standard 1.8V 0.18 μm CMOS Process[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2005(2):1899-1902.
[8]Dickson J.On-Chip High-Voltage Generation in NMOS Integrated Circuits Using an Improved Voltage Multiplier Technique[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1976,11(6):374-378.
[9]Richard J F,Savaria Y.High Voltage Charge Pump Using Standard CMOS Technology[J].IEEE Regular Session G:High Voltage Techniques and Continuous Time Filtering,2004:317-320.
[10]Mantooth H A,Duliere J L.A Unified Diode Model for Circuit Simulation[J].IEEE Trans on Power Electronics,1997,12(5):816-823.
[11]Toru T,Tomoharu T.A Dynamic Analysis of the Dickson Charge Pump Circuit[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1997,32(8):1231-1240.
[12]Andersson O.Class D Hearing Aid Amplifier with Feedback[P].United States Patent,1998.5815581.