巢 明,林秋華,郝育聞,商云晶
(大連理工大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)部,遼寧大連116024)
雙極結(jié)型晶體管的特性曲線是“模擬電子線路”課程中的重要內(nèi)容。眾所周知,雙極結(jié)型晶體管輸出特性曲線劃分為放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)[1-5]。事實(shí)上,以上三個(gè)區(qū)域并沒有覆蓋整個(gè)輸出特性坐標(biāo)平面,如圖1所示。在深度飽和線與縱坐標(biāo)軸之間的陰影區(qū)域內(nèi)沒有任何特性曲線,晶體管是不可能工作在此區(qū)域的,可以稱為盲區(qū)。
在教學(xué)中,筆者發(fā)現(xiàn)學(xué)生對(duì)雙極結(jié)型晶體管在飽和區(qū)的特性經(jīng)常出現(xiàn)誤解。以圖1為例,對(duì)于基本的共發(fā)射組態(tài)電路,當(dāng)IB電流由0逐漸增加到80μA時(shí),工作點(diǎn)由A逐漸移向E點(diǎn);當(dāng)IB電流繼續(xù)增加,由于晶體管已經(jīng)完全飽和,工作點(diǎn)應(yīng)基本保持在E點(diǎn)不動(dòng)。然而有相當(dāng)一部分學(xué)生錯(cuò)誤認(rèn)為,由于晶體管會(huì)進(jìn)入飽和區(qū),工作點(diǎn)會(huì)進(jìn)一步移動(dòng),達(dá)到陰影區(qū)域內(nèi)的F點(diǎn)。
圖1 輸出特性曲線(陰影部分為盲區(qū))
通過(guò)與學(xué)生的交流,筆者分析造成這種誤解的原因包括以下幾點(diǎn):
(1)由于課時(shí)的縮減,必須對(duì)授課內(nèi)容有所取舍。由于此章的重點(diǎn)是放大區(qū)的特性,因此對(duì)飽和區(qū)的細(xì)節(jié)問(wèn)題沒有講解。
(2)學(xué)生沒有意識(shí)到分區(qū)實(shí)際上是由無(wú)數(shù)特性曲線上的點(diǎn)構(gòu)成的集合,因此特性曲線沒有達(dá)到的點(diǎn),不屬于任何分區(qū)。在教學(xué)中三區(qū)劃分的觀念非常深入人心,思維慣性導(dǎo)致學(xué)生誤認(rèn)為輸出特性曲線覆蓋了坐標(biāo)平面上的所有區(qū)域,而實(shí)際上圖1的陰影區(qū)域內(nèi)沒有任何特性曲線。
(3)教材中對(duì)飽和區(qū)的標(biāo)注方式容易引起學(xué)生的誤解。圖2所示為“模擬電子線路”教材中對(duì)雙極結(jié)型晶體管飽和區(qū)的常見標(biāo)注方法[1-5],這里通常使用虛線區(qū)分飽和區(qū)和放大區(qū)。有些學(xué)生誤認(rèn)為飽和區(qū)包括本文所稱的左側(cè)的盲區(qū)。
圖2 教材中對(duì)飽和區(qū)的常見標(biāo)注方法
基于以上分析,筆者在教學(xué)中使用圖3來(lái)講解三個(gè)工作區(qū)的劃分。注意到圖中標(biāo)注了臨界飽和界限與深度飽和線,并用陰影更清楚地標(biāo)識(shí)出飽和區(qū)的位置,將其與盲區(qū)分別開來(lái)。由于盲區(qū)并不是公認(rèn)的概念,因此圖上不應(yīng)進(jìn)行任何標(biāo)注。
圖3 一種比較明確的標(biāo)注方法
筆者提及“模擬電子線路”教材中對(duì)飽和區(qū)常見的標(biāo)注方法,認(rèn)為這些標(biāo)注方法沒有很好地區(qū)分飽和區(qū)和盲區(qū),容易造成學(xué)生誤解。高校教學(xué)縮短課堂教學(xué)時(shí)間,提升學(xué)生自學(xué)和實(shí)踐能力是目前教學(xué)改革的重要方向之一。筆者認(rèn)為相關(guān)教材也應(yīng)該考慮到這種趨勢(shì),增加更多的細(xì)節(jié)說(shuō)明,將原本需要教師講解的內(nèi)容加入教材,將容易混淆的概念在教材中加以澄清,以方便學(xué)生自學(xué)使用。因此筆者將更明確的富含細(xì)節(jié)的標(biāo)注方式應(yīng)用在本校的自編教材中。
[1]童詩(shī)白,華成英《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第三版)》[M]北京:高等教育出版社,2004
[2]康華光,陳大欽《電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分(第四版)》[M]北京:高等教育出版社,1999
[3]王淑娟,蔡惟錚,齊明 等《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》[M]北京:高等教育出版社,2009
[4]吳丙申,卞祖富《模擬電路基礎(chǔ)》[M]北京理工大學(xué)出版社,2009
[5]Robert L.Boylestad,Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory 9th Edition[M]London:Pearson Education,2009