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    多晶硅精煉提純過(guò)程中鋁硅合金的低溫電解分離

    2013-09-14 00:45:10李佳艷李超超李亞瓊
    材料工程 2013年11期
    關(guān)鍵詞:電流效率多晶硅陰極

    李佳艷,李超超,李亞瓊,譚 毅

    (1大連理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧 大連 116024;2大連理工大學(xué) 遼寧省太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧 大連 116024)

    光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展激發(fā)了制造業(yè)對(duì)太陽(yáng)能電池材料的巨大需求。多晶硅作為硅太陽(yáng)能電池的主要材料,其提純成本和產(chǎn)品質(zhì)量成為光伏產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展的重要因素[1-3]。

    冶金法是一種低成本、低能耗的多晶硅提純方法。合金精煉法作為其中一種,其過(guò)程為:先向硅中加入鋁[4-8]、銅[9-12]、錫[13]、鐵[14]等金屬中的一 種或幾種與硅形成硅合金熔體;再通過(guò)控制降溫速度,利用雜質(zhì)在初晶硅與合金熔體之間的分凝效應(yīng)進(jìn)行提純。采用合金精煉法能夠有效降低多晶硅中雜質(zhì)含量,但是如何分離硅、鋁是目前此方法實(shí)際應(yīng)用的難點(diǎn)問(wèn)題。

    農(nóng)業(yè)面源污染已成為水體氮、磷的重要污染源。我國(guó)農(nóng)業(yè)面源污染治理中面臨的突出問(wèn)題有以下幾個(gè)方面:一是農(nóng)業(yè)面源污染范圍廣,程度高,覆蓋全國(guó)農(nóng)業(yè)主產(chǎn)區(qū)。第一次全國(guó)污染普查結(jié)果顯示其呈繼續(xù)延蔓的態(tài)勢(shì)[1]。二是雖然初步明確農(nóng)業(yè)面源污染氮磷是主體,但對(duì)化肥減控心存擔(dān)憂,資源浪費(fèi)嚴(yán)重。三是目前對(duì)于農(nóng)業(yè)面源污染的研究多集中在對(duì)污染物受納水體的河道、湖泊、水庫(kù)等的綜合治理上,這些均屬于面源污染的末端治理,而末端治理對(duì)于污染源頭區(qū)的環(huán)境改善無(wú)濟(jì)于事。探索流域源頭生態(tài)防控途徑成為流域環(huán)境研究和污染防控技術(shù)研發(fā)的新前沿。

    改革開(kāi)放以來(lái),在倡導(dǎo)獨(dú)立自主和引進(jìn)外資技術(shù)方面,我們一度出現(xiàn)過(guò)反復(fù)。在部分階段和時(shí)期,我們?cè)詾橛觅Y金可以買來(lái)先進(jìn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)我國(guó)技術(shù)的更快突破。但是現(xiàn)實(shí)情境卻是,西方國(guó)家對(duì)我們的技術(shù)封鎖從來(lái)沒(méi)有停止過(guò)。如果我們不能掌握核心技術(shù),最終只能受制于人,只能用極高的代價(jià)獲取并不是最先進(jìn)的甚至是即將淘汰的技術(shù)。

    目前,對(duì)于硅鋁合金相的分離方法主要有酸洗[4]、過(guò)濾[15,16]、感應(yīng)熔煉[17]等方法。酸洗能有效去除初晶硅中金屬雜質(zhì),但需要消耗大量酸試劑與金屬,造成環(huán)境污染、增加能耗。過(guò)濾方法能在熔體凝固過(guò)程中分離初晶硅與合金熔體,但操作溫度高,設(shè)備復(fù)雜;采用具有溫度梯度的感應(yīng)熔煉方法能得到富集的多晶硅相,但不利于柱狀多晶硅的連續(xù)穩(wěn)定生長(zhǎng)。

    針對(duì)目前研究最廣泛的鋁硅合金提純體系,本實(shí)驗(yàn)采用AlCl3-NaCl-KCl低溫熔鹽體系,利用電解法實(shí)現(xiàn)多晶硅與金屬鋁的分離、高純鋁的回收。結(jié)合電子掃描電鏡、X射線衍射儀等檢測(cè)手段,研究電解溫度、電流密度、電解時(shí)間等參數(shù)對(duì)電流效率、沉積鋁形貌的影響。從而得到低溫熔鹽電解方法的最優(yōu)實(shí)驗(yàn)參數(shù),為合金精煉法提純多晶硅的廣泛應(yīng)用起到推動(dòng)作用,促進(jìn)合金精煉法的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

    1 電化學(xué)分離鋁硅合金的原理

    根據(jù)鋁精煉原理[18]:在陽(yáng)極合金的各種金屬元素中,只有鋁在陽(yáng)極上溶解,而如銅、鐵、硅等比鋁不活潑的金屬元素并不溶解,仍留在合金內(nèi)。陽(yáng)極上的電化學(xué)溶解反應(yīng)如公式(1)所示。在電解液遷往陰極的各種陽(yáng)離子中,鋁的電極電位比較正,故Al3+優(yōu)先在陽(yáng)極上獲得電子,析出金屬鋁。析出反應(yīng)如公式(2)所示。

    選用鋁硅合金作為陽(yáng)極電極,不銹鋼為陰極。對(duì)鋁硅合金、不銹鋼電極表面使用砂紙打磨至光滑,然后拋光處理,再用酒精、蒸餾水等經(jīng)超聲清洗干凈,吹干后稱重;對(duì)石墨電極使用砂紙打磨至表面光滑,再用酒精、蒸餾水等經(jīng)超聲清洗干凈,吹干。

    電流密度50mA/cm2、電解時(shí)間60min、陽(yáng)極成分Si-50%Al的條件下,在180~260℃范圍內(nèi)改變反應(yīng)溫度進(jìn)行電解實(shí)驗(yàn)。電流效率隨電解溫度的變化如表3所示。由表3可知,隨著溫度的升高,電流效率增加。當(dāng)電解溫度為200℃時(shí),電流效率最高為93.7%。但當(dāng)溫度高于200℃時(shí),電流效率逐漸降低。當(dāng)溫度為260℃時(shí),電流效率最低,為78.7%。這是因?yàn)殡S著溫度的升高,電解質(zhì)的流動(dòng)性增強(qiáng),導(dǎo)電性提高,有利于鋁的沉積。但是溫度過(guò)高時(shí),會(huì)造成鋁與陰極基體之間的黏結(jié)性變差,甚至導(dǎo)致沉積層與基體分離,從而降低電流效率。

    圖1 電化學(xué)分離鋁硅流程Fig.1 Flowchart of electrochemical separation of aluminum-silicon alloy

    2 實(shí)驗(yàn)

    2.1 原料

    溫度 200℃、電流密度 50mA/cm2、電解時(shí)間60min的條件下,討論不同陽(yáng)極成分:Si-30%Al,Si-50%Al,Si-70%Al對(duì)電流效率的影響,結(jié)果如表5所示。由表可知,隨著鋁硅合金中硅含量的增加,電流效率逐漸減小。這主要是隨著電解程度的加深,陽(yáng)極初晶硅顆粒的脫落,顆粒上會(huì)附著鋁,造成鋁在陽(yáng)極上的流失。并且,陽(yáng)極硅含量的增多,也造成了陽(yáng)極電阻的增大,使槽電壓升高,能耗增加。

    良性前列腺增生與勃起功能障礙的機(jī)制聯(lián)系及相關(guān)藥物研發(fā)進(jìn)展……………………… 李萬(wàn)偉,蔣 茂,薛曉文,等(3·206)

    基于中國(guó)能源強(qiáng)度在地理空間上集聚分布的客觀事實(shí),本文借助探索性空間數(shù)據(jù)分析方法進(jìn)一步考察變量的空間自相關(guān)性。對(duì)能源強(qiáng)度的全域自相關(guān)性進(jìn)行檢驗(yàn),如表3所示,ln ei、ln gdp、ln fdi的全局Moran's I指數(shù)值均顯著為正,即在全域范圍內(nèi)存在顯著的空間正自相關(guān)性。因此,在建立模型時(shí)應(yīng)充分考慮地區(qū)觀測(cè)值之間的空間溢出效應(yīng)。

    其實(shí),數(shù)字出版產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與傳統(tǒng)出版的發(fā)展是相輔相成的。傳統(tǒng)出版的發(fā)展會(huì)為數(shù)字出版的發(fā)展提供廣闊的平臺(tái);數(shù)字出版的發(fā)展也會(huì)相應(yīng)地帶動(dòng)傳統(tǒng)出版的發(fā)展。如果讀者在閱讀完電子圖書(shū)后,很喜歡此書(shū),他會(huì)再次購(gòu)買紙質(zhì)圖書(shū)進(jìn)行閱讀,因?yàn)閮煞N閱讀方式會(huì)有不同的閱讀感受。所以,有的圖書(shū)需要電子和紙質(zhì)兩種介質(zhì)共同存在。電子圖書(shū)適合快速閱讀或消遣閱讀,而紙質(zhì)圖書(shū)更適合慢速閱讀或反復(fù)閱讀。所以,數(shù)字出版物與傳統(tǒng)出版物是相互促進(jìn)、共同發(fā)展的。

    在電解液 AlCl3-NaCl-KCl中,溫度200℃、電流密度50mA/cm2、電解時(shí)間60min、陽(yáng)極成分 Si-50%Al條件下進(jìn)行電解實(shí)驗(yàn)。由于電化學(xué)腐蝕時(shí)間較短,實(shí)驗(yàn)結(jié)束后陽(yáng)極產(chǎn)物由兩部分組成:一部分為陽(yáng)極鋁硅合金,另一部分為富硅的陽(yáng)極泥。

    圖2 電解實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.2 Schematic diagram of the experimental apparatus

    2.2 實(shí)驗(yàn)方法

    溫度180℃、陽(yáng)極成分Si-50%Al、電解時(shí)間60min的條件下,在30~60mA/cm 范圍內(nèi)改變電流密度進(jìn)行電解實(shí)驗(yàn)。不同電流密度對(duì)應(yīng)的電流效率列于表1。隨著電流密度的增加,陰極電流效率增加。當(dāng)電流密度小于50mA/cm2時(shí),電流效率高于80%;電流密度為50mA/cm2時(shí),電流效率最大達(dá)到90.2%;當(dāng)電流密度增加至60mA/cm2時(shí),電流效率開(kāi)始急劇下降。這主要是由于電流密度較大時(shí),陰極會(huì)沉積生成枝晶狀的鋁,而枝晶狀的鋁容易脫落,因此造成電流密度的降低,如表1所示。

    式中:η為電流效率;F為法拉第常數(shù);n為沉積鋁的物質(zhì)的量,單位為mol;Q為通電量,單位為C。

    3 結(jié)果與討論

    3.1 電流密度對(duì)電流效率的影響

    用APS3005S型穩(wěn)流穩(wěn)壓電源做電解電源,1,2分別接電源正負(fù)極,將配制好的AlCl3-NaCl-KCl熔鹽作為電解液,插入不銹鋼陰極、鋁硅合金陽(yáng)極、溫度計(jì)等進(jìn)行電解實(shí)驗(yàn)。為了研究實(shí)驗(yàn)條件對(duì)電流效率以及電沉積質(zhì)量的影響,分別對(duì)電解溫度:180,200,220,240,260℃;電流密度:30,40,50,60mA/cm2;電解時(shí)間:30,60,90,120min;陽(yáng)極合金成分:Si-70%Al(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同),Si-50%Al,Si-30%Al;電極極距:1.5cm的實(shí)驗(yàn)參數(shù)進(jìn)行討論。沉積結(jié)束后立即取出富硅的陽(yáng)極泥以及附著鋁的陰極,進(jìn)行蒸餾水、酒精清洗,干燥。對(duì)陽(yáng)極泥進(jìn)行熒光分析,檢測(cè)其中硅含量;對(duì)清潔干燥后的陰極進(jìn)行稱重計(jì)算電流效率,并利用掃描電鏡、X射線衍射儀進(jìn)行沉積物形貌及物相的分析。其中,陰極產(chǎn)物電流效率的計(jì)算根據(jù)法拉第定律,如公式(3)所示:

    表1 AlCl3-NaCl-KCl熔鹽體系中電流密度與電流效率的關(guān)系Table 1 Relationship between current density and current efficiency in AlCl3-NaCl-KCl melt

    制備得到的金屬鋁沉積層形貌如圖3所示。電流密度與沉積鋁的形貌關(guān)系見(jiàn)表2。當(dāng)電流密度為30~50mA/cm2時(shí),沉積鋁為球狀,尺寸為10~40μm;當(dāng)電流密度達(dá)到60mA/cm2時(shí),沉積鋁為球狀和針狀混合型。隨著電流密度的增加,球狀沉積鋁顆粒的尺寸逐漸減小,表層致密度增加;當(dāng)電流密度較大時(shí),出現(xiàn)針狀沉積鋁。這主要是由于低電流密度下鋁沉積速度慢,利于鋁的結(jié)核與生長(zhǎng),所以低電流密度下鋁晶粒的尺寸較大;較大電流密度下鋁沉積較快,鋁晶粒來(lái)不及長(zhǎng)大,因此尺寸較??;當(dāng)電流密度超過(guò)一定值后,會(huì)形成針狀晶粒。

    表2 電流密度與鋁沉積層性能關(guān)系Table 2 Relationship between current density and aluminum morphology

    圖3 不同電流密度下鋁沉積層的SEM圖(a)i=30mA/cm2;(b)i=40mA/cm2;(c)i=50mA/cm2;(d)i=60mA/cm2Fig.3 SEM images of aluminum electrodeposited at different current densities(a)i=30mA/cm2;(b)i=40mA/cm2;(c)i=50mA/cm2;(d)i=60mA/cm2

    3.2 溫度對(duì)電流效率的影響

    根據(jù)以上原理,可以采用電解法分離鋁硅合金。選用低溫熔鹽電解體系(AlCl3-NaCl-KCl[19,20]、有機(jī)溶劑[21,22]、離子液體[23-25]等電解液),鋁硅合金作為陽(yáng)極進(jìn)行恒電流沉積。電解后,硅以陽(yáng)極泥形式存在,鋁以陰極產(chǎn)物沉積;陽(yáng)極、陰極產(chǎn)物分別通過(guò)酸洗、清洗等提純手段進(jìn)行處理,最終得到高純硅與高純鋁,其流程如圖1所示。

    表3 溫度與電流效率的關(guān)系Table 3 Relationship between temperature and current efficiency

    3.3 沉積時(shí)間對(duì)電流效率的影響

    電流密度50mA/cm2、溫度200℃、陽(yáng)極成分Si-50%Al的條件下,在30~120min區(qū)間選擇不同的電解時(shí)間進(jìn)行電解實(shí)驗(yàn),電解時(shí)間與電流效率之間的關(guān)系,如表4所示。由表4可知,隨著電解時(shí)間增加,鋁沉積物的質(zhì)量增加。當(dāng)電解時(shí)間為60min時(shí),電流效率最大為93.7%。電解時(shí)間進(jìn)一步增大,電流效率變化并不明顯,而當(dāng)電解時(shí)間為120min時(shí),由于陰極上沉積鋁產(chǎn)生脫落現(xiàn)象,導(dǎo)致電流效率降低。

    表4 沉積時(shí)間與電流效率的關(guān)系Table 4 Relationship between time and current efficiency

    3.4 陽(yáng)極成分對(duì)電流效率的影響

    試劑NaCl,KCl(天津市科密歐化學(xué)試劑有限公司,分析純)使用前于400℃下干燥5h。稱取一定質(zhì)量的無(wú)水AlCl3(天津市科密歐化學(xué)試劑有限公司,分析純)與 NaCl,KCl配制成摩爾比為66∶17∶17的AlCl3-NaCl-KCl電解液。將電解液移入三口燒瓶中加熱至溶解,并用石墨為電極在10mA/cm2電流密度下預(yù)電解12h直至溶液變?yōu)槌吻宓S色液體。

    表5 Si-Al合金成分與電流效率的關(guān)系Table 5 Relationship between Si-Al alloy composition and current efficiency

    3.5 陰、陽(yáng)級(jí)產(chǎn)物的表征

    實(shí)驗(yàn)裝置圖如圖2所示。

    陽(yáng)極合金SEM如圖4所示,表層金屬鋁被電解腐蝕,剩下硅及少量鋁,硅呈現(xiàn)板狀形貌。而對(duì)電解液中的陽(yáng)極泥進(jìn)行收集、熒光檢測(cè),得到硅含量為90.4%的富硅相。對(duì)分離后的硅進(jìn)行酸洗后可作為太陽(yáng)能電池材料。

    綜上所述,雙歧桿菌對(duì)NEC具有預(yù)防和治療作用,通過(guò)添加雙歧桿菌可抑制腸道炎性因子TNF-α的表達(dá),促進(jìn)炎性因子IL-10的表達(dá),從而減輕新生SD大鼠NEC腸損傷,降低新生大鼠NEC發(fā)生率。證明雙歧桿菌對(duì)內(nèi)毒素致新生SD大鼠腸損傷具有一定的保護(hù)作用,并為尋求治療NEC提供新的方法。

    圖4 電解前后陽(yáng)極鋁硅合金SEM圖(a)電解前;(b)電解后Fig.4 SEM images of Si-Al alloy for anode electrode(a)before electrochemical process;(b)after electrochemical process

    在不銹鋼陰極表面沉積一層銀白色、具有金屬光澤的鍍層,金屬鍍層與基體結(jié)合緊密。沉積物表面較為平整,無(wú)裂痕產(chǎn)生。圖5為實(shí)驗(yàn)前電極基板和實(shí)驗(yàn)后沉積鋁的XRD圖。如圖5所示,基板為FeCr0.29Ni0.16C0.06和Cr的峰;電解實(shí)驗(yàn)后,不銹鋼電極上已經(jīng)被一層沉積物質(zhì)覆蓋,由XRD結(jié)果可以看出沉積物主要成分為金屬鋁。熒光分析得到陰極產(chǎn)物中鋁含量:92.7%,氧含量:7.3%,其中氧為鋁在空氣中氧化所致。電沉積收集的金屬鋁經(jīng)重熔后可重復(fù)進(jìn)行合金精煉提純多晶硅,或經(jīng)偏析提純處理后應(yīng)用于鋁合金制造行業(yè)。

    圖5 電極基板及陰極鋁XRD圖Fig.5 XRD patterns of cathode electrode and electrodeposit

    4 結(jié)論

    (1)采用電解法在 AlCl3-NaCl-KCl低溫熔鹽體系中能實(shí)現(xiàn)鋁硅合金中多晶硅的分離、高純鋁的回收。

    (2)金屬鋁回收的最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件為:電解溫度200℃,電流密度50mA/cm2,電解時(shí)間60min,陽(yáng)極鋁硅合金成分Si-50%Al。電流效率為93.7%,陰極產(chǎn)物中鋁含量:92.7%,氧含量:7.30%;富硅陽(yáng)極泥中含有90.4%的硅。

    (3)電化學(xué)分離得到的多晶硅可應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的制備行業(yè);電沉積得到的金屬鋁可重復(fù)應(yīng)用于鋁硅合金精煉提純多晶硅或鋁合金制備。

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