朱弘釗,劉紹帥,2
(1.華北電力大學(xué)高電壓及電磁兼容北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京市 102206;2.華北電力大學(xué)數(shù)理實(shí)驗(yàn)室,北京市 102206)
目前對(duì)±800kV特高壓直流換流站電磁干擾環(huán)境的研究較多,但輸電線路對(duì)換流站閥廳內(nèi)的檢修大廳磁場(chǎng)干擾方面的研究較少。換流站閥廳內(nèi)部輸電線路工頻電流較大,且線路較多,容易對(duì)閥廳檢修大廳內(nèi)的人體、設(shè)備及通信系統(tǒng)產(chǎn)生較強(qiáng)的磁場(chǎng)輻射[1],因此在檢修大廳建設(shè)之前需要對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算并設(shè)計(jì)磁場(chǎng)屏蔽措施[2-5]。本文以糯扎渡直流工程普洱±800kV特高壓換流站檢修大廳磁場(chǎng)屏蔽工程為實(shí)例,推導(dǎo)出磁場(chǎng)計(jì)算一般性公式,并設(shè)計(jì)出較為合理、經(jīng)濟(jì)的屏蔽措施。
普洱換流站閥廳內(nèi)部檢修大廳及輸電線路模型如圖1所示。按照設(shè)計(jì)要求,輸電線路電流水平為1000 A,因此,可算出檢修大廳磁場(chǎng)強(qiáng)度,并判斷是否超出設(shè)計(jì)限值。建立三維坐標(biāo)系,以檢修大廳左下角地面標(biāo)高處為坐標(biāo)原點(diǎn)(0,0,0)。經(jīng)圖紙實(shí)測(cè),檢修大廳尺寸為:x方向長(zhǎng)41.8 m,y方向長(zhǎng)73.4 m,z方向高為26 m。
根據(jù)文獻(xiàn)[6],磁場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算公式為
式中:I為導(dǎo)線上的導(dǎo)流;μ0為真空磁導(dǎo)率。
結(jié)合式(1),只要給出長(zhǎng)直輸電導(dǎo)線兩端點(diǎn)空間坐標(biāo)以及被測(cè)點(diǎn)空間坐標(biāo),即可推導(dǎo)出長(zhǎng)直導(dǎo)線在導(dǎo)線外任意一點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度公式(2)。如圖2所示,長(zhǎng)度L、線電流i的導(dǎo)線在P點(diǎn)位置磁感應(yīng)強(qiáng)度公式為
根據(jù)式(2),需將輸電線路按直線分段,測(cè)量出每段直線兩邊端點(diǎn)的坐標(biāo)、被測(cè)點(diǎn)P點(diǎn)坐標(biāo)和電流i的值,即可計(jì)算出P點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。由設(shè)計(jì)圖紙查詢出所需坐標(biāo)值,電流取設(shè)計(jì)最大值1000 A,用matlab編程計(jì)算出結(jié)果。以實(shí)際的檢修大廳儀器設(shè)備位置和人體位置做參考,取大廳被測(cè)點(diǎn)P標(biāo)高h(yuǎn)1=0.5 m、h2=1.0 m、h3=1.5 m 3個(gè)水平標(biāo)高以對(duì)比計(jì)算磁感應(yīng)強(qiáng)度。
經(jīng)計(jì)算得出,在h1=0.5 m、h2=1.0 m、h3=1.5 m 3個(gè)水平標(biāo)高上磁感應(yīng)強(qiáng)度等值線圖,如圖3~5所示。由圖3~5可知,每個(gè)水平面上磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值都出現(xiàn)在大廳南側(cè)墻體上,且越接近南側(cè)墻體,等值線越密集,磁感應(yīng)強(qiáng)度增值速度越快。應(yīng)工程要求,需找出整個(gè)檢修大廳內(nèi)部磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值及其存在的部位。對(duì)比得出在大廳高度h=8.0 m時(shí),磁感應(yīng)強(qiáng)度出現(xiàn)最大值 Bmax=110.98 μT(見圖6)。
圖6 h=8.0 m大廳磁感應(yīng)強(qiáng)度(μT)等值線圖(磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值Bmax=110.98 μT)Fig.6 Isograms of magnetic field intensity at h=8.0 m(Bmax=110.98 μT)
經(jīng)過計(jì)算模擬分析,檢修大廳的磁場(chǎng)強(qiáng)度超過相關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)范的限值(80 μT)[7]。因此,需要對(duì)檢修大廳采取電磁屏蔽措施。采用對(duì)大廳的側(cè)面墻體安裝金屬板、大廳地面安裝金屬網(wǎng)的方法來屏蔽磁場(chǎng)干擾;還需計(jì)算金屬板、網(wǎng)的尺寸和材質(zhì)對(duì)屏蔽效能的影響,以便根據(jù)屏蔽要求選取合適的屏蔽方案。
金屬板對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽效能主要分為3部分:反射損耗、吸收損耗和多次反射損耗[6,8-9]。公式為
根據(jù)閥廳內(nèi)作為場(chǎng)源的線路及檢修大廳墻體位置,取r=3 m、r=5 m做參考,并選擇金屬板為鋼和鋁2種材質(zhì)進(jìn)行比較(見圖7)。
圖7 金屬板屏蔽效能曲線Fig.7 Shielding effectiveness curves of metal plate
選取鋁質(zhì)金屬板時(shí),屏蔽效能隨屏蔽體厚度增加變化幅度較小,但在屏蔽體厚度為2~8 mm時(shí),屏蔽效果較好,為30~45 dB,高于此厚度的金屬鋼板的屏蔽效果;但在厚度大于8 mm時(shí),屏蔽效果增加較少,并小于同厚度的金屬鋼板的屏蔽效果。根據(jù)設(shè)計(jì)要求屏蔽效能取40 dB,考慮其實(shí)際施工成本,選取厚度為5 mm的鋁質(zhì)金屬板。
對(duì)于大廳地面加金屬網(wǎng)屏蔽[6,8-9],金屬網(wǎng)屏蔽效能SH可用式(4)計(jì)算。
式中:Z0為真空波阻抗;a為網(wǎng)孔正方形的邊長(zhǎng);d為組成金屬網(wǎng)的網(wǎng)線的直徑;σ為金屬網(wǎng)的電導(dǎo)率;Zs為近似網(wǎng)孔阻抗。
取d=3、5、7、9 mm 4種網(wǎng)線直徑,計(jì)算磁場(chǎng)屏蔽效果隨網(wǎng)孔邊長(zhǎng)變化曲線,如圖8所示。
圖8 金屬網(wǎng)屏蔽效能曲線Fig.8 Shielding effectiveness curves of metal mesh
由圖8可以看出,當(dāng)金屬網(wǎng)線直徑不變時(shí),金屬網(wǎng)屏蔽效能隨網(wǎng)孔尺寸的增大而減小,而當(dāng)網(wǎng)孔尺寸不變時(shí),金屬網(wǎng)線直徑越大,屏蔽效能越好??紤]實(shí)際施工成本,選取直徑d=5 mm、網(wǎng)孔尺寸a=20 mm金屬網(wǎng)做大廳地面屏蔽。
利用軟件Ansoft HFSS[10]建立檢修大廳模型,如圖9所示。
圖9 HFSS軟件模擬檢修大廳模型Fig.9 Model of maintenance hall simulated by HFSS software
大廳側(cè)壁用厚5 mm鋁質(zhì)板,地面采用直徑5 mm、網(wǎng)孔尺寸20 mm×20 mm銅質(zhì)網(wǎng)。磁場(chǎng)入射波沿z軸正方向入射,并取坐標(biāo)(20 m,0.01 m,8 m)處做磁場(chǎng)屏蔽效能參考點(diǎn)。經(jīng)HFSS軟件計(jì)算,參考點(diǎn)屏蔽效能為48.483 dB,與理論計(jì)算結(jié)果較為一致,且滿足屏蔽設(shè)計(jì)要求。
目前國內(nèi)換流站閥廳的屏蔽效能基本按照40 dB來設(shè)計(jì),在檢修大廳側(cè)壁采用厚5 mm鋁質(zhì)金屬板較好;大廳地面采用銅質(zhì)金屬網(wǎng),網(wǎng)線直徑取5 mm,網(wǎng)孔邊長(zhǎng)取20 mm,此時(shí)屏蔽效能約大于40 dB。在實(shí)際應(yīng)用中,墻體采用雙層板屏蔽,屏蔽效能會(huì)更好,但施工成本也會(huì)相應(yīng)增加。本文通過理論計(jì)算和HFSS軟件模擬結(jié)合的方式,分析了閥廳內(nèi)部檢修大廳磁場(chǎng)屏蔽效能的計(jì)算方法,其結(jié)論為檢修大廳的屏蔽提供了一種最為經(jīng)濟(jì)適用的方案,對(duì)閥廳磁場(chǎng)屏蔽設(shè)計(jì)及施工具有指導(dǎo)意義。
[1]崔翔.2002年國際大電網(wǎng)會(huì)議系列報(bào)道:電力系統(tǒng)電磁兼容研究進(jìn)展[J].電力系統(tǒng)自動(dòng)化,2003,27(4):1-5.
[2]趙婉君.高壓直流輸電工程技術(shù)[M].北京:中國電力出版社,2004.
[3]DL/T 5223—2005高壓直流換流站設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)定[S].北京:中國電力出版社,2005.
[4]Q/DG 1-A103—2008±800kV高壓直流換流站設(shè)計(jì)技術(shù)導(dǎo)則[S].北京:中國電力工程顧問集團(tuán)公司,2008.
[5]張先偉,鐘偉華.±800kV特高壓換流站閥廳及控制樓電磁屏蔽[J].電力建設(shè),2012,33(2):36-39.
[6]馮慈章,馬西奎.工程電磁場(chǎng)導(dǎo)論[M].北京:高等教育出版社,2002.
[7]DL/T 275—2012±800kV特高壓直流換流站電磁環(huán)境限值[S].
[8]王澤忠.工程電磁場(chǎng)[M].北京:清華大學(xué)出版社,2004.
[9]Jackson J D.1975 Classical Electrodynamics[M].2nded.New York:Wiley interscience.
[10]Ansoft.HFSS 10.0 [EB/OL]:http//www.ansoft.com/product/hf/hfss/.