劉光亞,方治昊
(湖北工業(yè)大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院,湖北 武漢430068)
近年來,軟開關(guān)技術(shù)在開關(guān)電源中得到發(fā)展,軟開關(guān)不對稱半橋是其中應(yīng)用較為廣泛的一種電路拓?fù)?在橋式電路中,與全橋電路相比,半橋電路拓?fù)漭^為簡單,可以省去一組開關(guān)管以及相應(yīng)的驅(qū)動電路,因此在成本方面的優(yōu)勢較為明顯,實際應(yīng)用較為廣泛[1].對稱半橋在高頻應(yīng)用場合開關(guān)損耗較大,嚴(yán)重降低了效率.而采用軟開關(guān)不對稱半橋可以降低開關(guān)損耗,通過提高開關(guān)頻率來減小變壓器的體積.此外,軟開關(guān)不對稱半橋還能減小線路的電磁干擾.軟開關(guān)不對稱半橋利用寄生電容和變壓器漏感諧振實現(xiàn)ZVS(零電壓開關(guān)),極大地降低了開關(guān)損耗.與對稱半橋相比,不對稱半橋軟開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和成本并沒有增加,因此是一種性價比較高的軟開關(guān)電路拓?fù)洌?].
24 V/12 A開關(guān)電源包括主電路、驅(qū)動電路、控制電路、保護(hù)電路、輔助電路等部分[3].輸入220 V交流電壓經(jīng)過EMI濾波和整流濾波之后,得到約300 V的直流電壓加在半橋變換器上,用脈寬調(diào)制電路產(chǎn)生的PWM波去驅(qū)動功率MOSFET開關(guān)管,在功率變壓器的次級得到準(zhǔn)方波電壓,再經(jīng)過整流濾波及反饋控制后可在輸出端得到穩(wěn)定的直流24 V電壓(圖1).
50 Hz、220 V的交流電先經(jīng)過EMI濾波器,再經(jīng)單相全橋整流電路整流后得到帶有脈動的直流電壓,然后經(jīng)過電感濾波得到較為平直的直流電壓[4].全橋整流電路原理見圖2.
當(dāng)S1與S4導(dǎo)通時,W2電壓為正半周,對VD1、VD4加正向電壓,VD1、VD4導(dǎo)通,電路中構(gòu)成W2、VD1、U0、VD4回路,在U0上形成上正下負(fù)的半波整流電壓;當(dāng)S3與S2導(dǎo)通時,W2電壓為負(fù)半周,對VD3、VD2加正向電壓,VD3、VD2導(dǎo)通,電路中構(gòu)成W2、VD3、U0、VD2回路,在U0上形成上正下負(fù)的另外半波整流電壓.輸出電壓U0由原邊上正下負(fù)的正弦電壓變?yōu)槊}動的直流電壓,再經(jīng)電感L濾波,變?yōu)檩^為平直的直流電壓.
設(shè)計開關(guān)電源功率約為300 W,由于半橋式變換器主要適用于中低頻率,故選用半橋式變換器[5].不對稱半橋電路與傳統(tǒng)半橋電路相比,主電路拓?fù)浠鞠嗤?,幾乎不需要添加輔助器件.不對稱半橋充分利用電路自身的特性,通過開關(guān)管MOSFET的寄生電容及變壓器的漏感在兩個開關(guān)管的死區(qū)時間里發(fā)生諧振,實現(xiàn)零電壓開通[6].
圖3 不對稱半橋變換器原理圖
不對稱半橋主電路見圖3,一次側(cè)由兩個開關(guān)S1與S2、變壓器的漏感Lr和隔直電容Cc構(gòu)成,二次側(cè)包括中心抽頭的變壓器、整流二極管NS1與NS2以及輸出電感L0和電容C0所組成的濾波電路,其中開關(guān)管S1與S2的控制信號互補,主電路通過開關(guān)管MOSFET的寄生電容及變壓器的漏感在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生諧振實現(xiàn)ZVS[7].
不對稱半橋電路的開關(guān)狀態(tài)分為以下階段:
1)線性充放電階段;
2)諧振暫態(tài)階段;
3)電感放電階段;
4)能量傳送階段;
5)線性充放電階段;
6)諧振暫態(tài)階段;
7)電感放電階段;
8)能量傳送階段.不對稱半橋的ZVS波形見圖4.
不對稱半橋電路部分器件選型如下:
24 V/12 A開關(guān)電源的功率約300 W,工作頻率為50 k Hz,功率變壓器選用鐵氧體EC_40型鐵芯,其部分參數(shù)為:磁導(dǎo)率2000,飽和磁感強度3 000 Gs,居里溫度200℃,窗口面積6.82 c m2,鐵心的截面積2.5 c m2;導(dǎo)線選用25 mm×0.15 mm的多股線2股并繞;開關(guān)管MOSFET選擇FQP9 N50;整流二極管選擇FCH20 A20;輸出濾波電容選擇470 u F/35 V的電解電容;隔直電容選擇1 uf/400 V的CBB電容.
圖4 不對稱半橋ZVS波形
控制電路首先將輸出端檢測的電壓信號放大、比較,然后送入PWM控制器中,PWM控制器通過調(diào)節(jié)脈沖信號的寬度或者頻率,將脈沖信號送入MOSFET開關(guān)管,最后得到穩(wěn)定的輸出.控制電路主要由采樣、比較、PWM控制器等部分組成.
圖5 控制與驅(qū)動部分框圖
不對稱半橋通過兩組互補的驅(qū)動脈沖信號控制,并且要保證適當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時間來實現(xiàn)電路的ZVS,ST公司的半橋驅(qū)動芯片L6384是專門針對不對稱半橋的驅(qū)動芯片,外圍電路簡單,占用空間小.
通過上述分析,利用MATLAB7.0對主電路進(jìn)行建模仿真,以驗證不對稱半橋軟開關(guān)的實現(xiàn),主電路Si mulink仿真模型見圖6.
圖6 主電路Si mulink仿真模型
圖7為輸出電壓24 V波形,圖8和圖9分別為開關(guān)管S1與S2的電壓與驅(qū)動脈沖波形,由波形可以看出在開關(guān)脈沖發(fā)出時,開關(guān)管電壓已經(jīng)提前降低到零電位,說明開關(guān)管S1與S2實現(xiàn)了零電壓開通,降低了電路損耗.
仿真結(jié)果表明:本開關(guān)電源利用不對稱半橋電路開關(guān)管的寄生電容和變壓器的漏感諧振,實現(xiàn)了零電壓開通,降低了電路損耗,并得到24 V直流電壓輸出,結(jié)構(gòu)合理,符合設(shè)計要求.
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