LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術(shù)的SSD

LSI SandForce SF-2000閃存存儲(chǔ)處理器可加速業(yè)界最先進(jìn)閃存介質(zhì)的性能，并使可靠性實(shí)現(xiàn)最大化

北京2012年6月5日電/美通社亞洲/--在2012臺(tái)北國(guó)際電腦展上，LSI公司 (紐約證交所股票代碼：LSI)宣布演示其備受贊譽(yù)的存儲(chǔ)處理器 (FSP)，該產(chǎn)品采用 Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND閃存--目前SSD應(yīng)用中所使用的最先進(jìn)閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周舉行的2012年臺(tái)北國(guó)際電腦展上進(jìn)行互動(dòng)演示。

LSI SandForce FSP可為NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)提供同類(lèi)最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品證明，LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場(chǎng)推出成本更低的SSD產(chǎn)品，還可以加速閃存存儲(chǔ)在云計(jì)算、企業(yè)和客戶(hù)端應(yīng)用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶(hù)端和企業(yè)市場(chǎng)領(lǐng)域的出貨量將超過(guò)1億，與2011年相比出貨量增長(zhǎng)56%。

SSD目標(biāo)分析師Jim Handy指出：“SSD用戶(hù)都希望從領(lǐng)先的閃存技術(shù)中獲得巨大的成本優(yōu)勢(shì)，但大部分SSD控制器都無(wú)法管理最先進(jìn)和成本最低的閃存芯片的復(fù)雜性。通過(guò)支持最小的NAND工藝，LSI將幫助OEM廠(chǎng)商和終端用戶(hù)在云計(jì)算、企業(yè)和客戶(hù)端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中部署最具成本效益的閃存存儲(chǔ)處理器?！?/p>

隨著閃存存儲(chǔ)器的尺寸不斷縮小，引入最先進(jìn)的錯(cuò)誤校驗(yàn)功能已成為當(dāng)務(wù)之急。這是因?yàn)楠?dú)立單元已很難維持一定荷質(zhì)比，這會(huì)降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲(chǔ)的可靠性和耐用性，LSI的 Sand-Force SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內(nèi)可校正多達(dá)55位錯(cuò)誤，也成為業(yè)界首款可同時(shí)支持企業(yè)和客戶(hù)端市場(chǎng)的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個(gè)獨(dú)特的糾錯(cuò)引擎，盡管當(dāng)今和未來(lái)先進(jìn)NAND閃存技術(shù)對(duì)閃存錯(cuò)誤校驗(yàn)功能的要求不斷變化和提高，但是該引擎憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)完全可以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

LSI閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理 Michael Raam指出：“與 6家NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先制造商開(kāi)展合作，使我們能夠針對(duì)不斷縮小的芯片尺寸對(duì)閃存處理器進(jìn)行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計(jì)算和財(cái)富1000企業(yè)中關(guān)鍵任務(wù)型計(jì)算環(huán)境所需的卓越可靠性，使用壽命和功效，并且隨著用戶(hù)越來(lái)越認(rèn)可這些屬性，我們期望繼續(xù)看到SSD技術(shù)被廣泛采用?！?/p>

為了滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求，LSI Sand-Force FSP采用了高級(jí)NAND閃存管理技術(shù)。

DuraClass管理特性包括：

●DuraWriteTM：優(yōu)化閃存的程序周期數(shù)量，有效地提高閃存耐用性。

●RAISETM（獨(dú)立芯片冗余陣列）：驅(qū)動(dòng)器可靠性得到大幅提高，可實(shí)現(xiàn)單驅(qū)動(dòng)解決方案、RAID式的保護(hù)及恢復(fù)功能。

●高級(jí)耗損平衡和監(jiān)視：最佳耗損平衡算法可進(jìn)一步增強(qiáng)閃存耐用性。

●反復(fù)循環(huán)器：智能地執(zhí)行“垃圾收集”操作，清除無(wú)效數(shù)據(jù)，使閃存耐用性影響最小化。