尹同芳 覃賢德 梁燎原 林小波
廣東正業(yè)科技股份有限公司
紫外激光切割加工技術(shù),近年來(lái)在智能手機(jī)、平板電腦等輕、薄多功能電子產(chǎn)品中的撓性板、剛撓結(jié)合板上獲得廣泛應(yīng)用。其原因是傳統(tǒng)機(jī)加工已無(wú)法滿足高精度、外形公差嚴(yán)、低損傷的要求,同時(shí)激光切割技術(shù)還可達(dá)到切割邊窄,速度快,熱影響小,節(jié)省材料等優(yōu)點(diǎn)。這種外形加工技術(shù)已獲得眾多高端印刷板廠的認(rèn)可和推廣使用。
在激光技術(shù)的許多應(yīng)用領(lǐng)域中,光束質(zhì)量至關(guān)重要。激光材料加工[1],光學(xué)信息處理、存儲(chǔ)和記錄,激光的醫(yī)學(xué)臨床應(yīng)用等領(lǐng)域,對(duì)光束質(zhì)量有很高的要求。在激光加工中尤其對(duì)發(fā)散角和聚焦光斑的要求很高[2]。激光光束質(zhì)量不僅影響激光加工設(shè)備的整體性能,也極大地影響激光技術(shù)的應(yīng)用水平。通常激光器發(fā)出的激光束的空間強(qiáng)度分布呈高斯分布,即高斯激光束。從激光器發(fā)出的激光束具有一定的發(fā)散角,在激光加工中,希望激光束盡可能接近平行光[2][3]。
擴(kuò)束鏡是能夠改變激光光束直徑和發(fā)散角的透鏡組件。只有通過(guò)擴(kuò)束鏡的調(diào)節(jié)使激光光束變?yōu)闇?zhǔn)直(平行)光束,才能利用聚焦鏡獲得細(xì)小的高功率密度光斑[3]。本文對(duì)比了不同擴(kuò)束鏡對(duì)切割質(zhì)量的影響,采用擴(kuò)束鏡1獲得了高質(zhì)量的光束,得到了良好的切割效果,滿足了客戶對(duì)切割的要求。
圖1 擴(kuò)束鏡原理示意圖
通常,對(duì)激光進(jìn)行擴(kuò)束的折射結(jié)構(gòu)形式有伽利略式和開(kāi)普勒式兩種[4][5]。如圖1(a)所示,本文采用的擴(kuò)束鏡2采用伽利略式系統(tǒng)。伽利略式系統(tǒng)的共焦點(diǎn)為虛焦點(diǎn),避免了空氣的擊穿效應(yīng),且光學(xué)系統(tǒng)的軸向尺寸小于開(kāi)普勒式系統(tǒng),但該系統(tǒng)的擴(kuò)束倍數(shù)單一、不可調(diào)。擴(kuò)束鏡1的原理如圖1(b)所示,通過(guò)移動(dòng)透鏡f1和f2之間的距離改變擴(kuò)束倍數(shù),改變透鏡f3與f4之間的距離來(lái)改變光束的發(fā)散角,該系統(tǒng)的擴(kuò)束倍數(shù)可調(diào),滿足光學(xué)系統(tǒng)中不同光學(xué)元器件之間的孔徑匹配要求[6]。
本文所采用的兩種擴(kuò)束鏡的基本參數(shù)如表1所示,其中擴(kuò)束鏡1采用變倍設(shè)計(jì),擴(kuò)束倍數(shù)從2X~8X可調(diào)。擴(kuò)束鏡2采用伽利略系統(tǒng)形式,擴(kuò)束鏡倍數(shù)不可調(diào),擴(kuò)束倍數(shù)為5X,且擴(kuò)束鏡1的入光孔徑比擴(kuò)束鏡2大,方便光路調(diào)節(jié),此時(shí)98%的光能通過(guò)。
表1 不同擴(kuò)束鏡基本參數(shù)對(duì)比
經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡前后,光束發(fā)散角的關(guān)系為
式中,θ1、θ2為進(jìn)入擴(kuò)束鏡前、后的光束發(fā)散角,R1,R2為進(jìn)入擴(kuò)束鏡前、后的光束半徑,K為擴(kuò)束鏡的擴(kuò)束倍數(shù),即經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡后,光束的發(fā)散角與擴(kuò)束倍數(shù)成反比[7]。
如表2所示為加擴(kuò)束鏡前后光束質(zhì)量對(duì)比。擴(kuò)束鏡前激光器發(fā)出光束的直徑為1.3 mm,光束發(fā)散角為1.9 m rad,真圓度為100%。經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡1后光束直徑為4.2 mm,發(fā)散角為0.2 m rad,真圓度為97%。而采用擴(kuò)束鏡2輸出后光束直徑為3.5 mm,發(fā)散角為1.0 m rad,真圓度為96%。經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單計(jì)算可以得出,在采用擴(kuò)束鏡1后光束尺寸得到了改善,擴(kuò)大了3倍;發(fā)散角被相應(yīng)的壓縮,整形效果良好。在采用擴(kuò)束鏡2后光束尺寸亦得到了改善,擴(kuò)大了2.6倍。兩種擴(kuò)束鏡出射的光束真圓度都在95%以上。兩種擴(kuò)束鏡理論擴(kuò)束倍數(shù)為5X,經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡后理論發(fā)散角為0.4 m rad,這說(shuō)明擴(kuò)束鏡1的發(fā)散角基本符合式(1)。
表2 加擴(kuò)束鏡前后光束質(zhì)量對(duì)比
如圖2所示為采用光束質(zhì)量分析儀(BG-USB-SP6-20)測(cè)量出的激光能量分布圖,(a)圖,(c)圖和(e)圖分別為激光器,經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡1和擴(kuò)束鏡2的平面圖,(b)圖,(d)圖和(f)圖是其對(duì)應(yīng)的三維圖。從圖中可以看出經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡后激光能量分布更均勻。經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡1后比擴(kuò)束鏡2后激光能量分布更均勻。
圖2 激光能量分布平面圖和三維圖
聚焦光斑的大小可由下式描述:
λ是波長(zhǎng),F(xiàn)是聚焦鏡焦距長(zhǎng)度,M2是光束質(zhì)量因子,D是進(jìn)入聚焦鏡的光斑直徑,θ是光束發(fā)散角,π是常數(shù)。進(jìn)入聚焦鏡的光束直徑越大,光束發(fā)散角越小,聚焦光斑越小。由2式可以得出采用擴(kuò)束鏡1的聚焦光斑約為13.5μm,采用擴(kuò)束鏡2的聚焦光斑約為16.1μm。
切縫寬度,是衡量切割質(zhì)量的主要指標(biāo)之一,如圖3所示為在激光頻率為80 kHz,功率為3 W,切割速度為180 mm/s條件下,采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片。從(a)圖和(b)圖的對(duì)比中我們可以看出采用擴(kuò)束鏡1比擴(kuò)束鏡2切割覆蓋膜切割縫寬更窄,其中,采用擴(kuò)束鏡1的切縫寬度為15.6μm,而采用擴(kuò)束鏡2的切縫寬度為18.5μm。由于切縫寬度同光斑直徑有很大的關(guān)系,采用擴(kuò)束鏡1的光束直徑比擴(kuò)束鏡2大,光束發(fā)散角小,聚焦光斑小,因此切縫寬度更窄[8]。
圖3 采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片
炭化是檢驗(yàn)切割覆蓋膜的重要指標(biāo),它直接影響到后續(xù)的使用,如圖4所示為在激光頻率為50 kHz,功率為3 W,切割速度為180 mm/s條件下,采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片。從(a)圖和(b)圖的對(duì)比中我們可以看出采用擴(kuò)束鏡1比擴(kuò)束鏡2切割覆蓋膜炭化輕微,更均勻。因?yàn)榻?jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡1的光束能量密度更集中,使得炭化區(qū)較窄。此外,光束的質(zhì)量將直接影響切割質(zhì)量,其中光束能量的均勻性顯得尤為明顯,擴(kuò)束鏡1優(yōu)化了光束質(zhì)量,光束的能量密度更均勻,因此,炭化更均勻[9]。
圖4 采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片
熱影響區(qū)寬度,是衡量切割質(zhì)量的另一重要指標(biāo),如圖5所示為在激光頻率為50 kHz,功率為3 W,切割速度為180 mm/s條件下,采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片。從圖中可以看出,采用擴(kuò)束鏡1切割覆蓋膜熱影響區(qū)小,且對(duì)稱均勻,切縫上側(cè)熱影響區(qū)寬度為86.2μm,切縫下側(cè)熱影響區(qū)寬度為84.8μm。采用擴(kuò)束鏡2切割覆蓋膜熱影區(qū)寬度不均勻上側(cè)熱影響區(qū)大,測(cè)得的結(jié)果為切縫上側(cè)熱影響區(qū)寬度為162.8μm,切縫下側(cè)熱影響區(qū)寬度為73.6μm。這是由于經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡1的能量密度更集中,使得熱影響區(qū)較窄更均勻[10]。
圖5 采用不同擴(kuò)束鏡切割覆蓋膜的金相顯微鏡照片
本文從理論和實(shí)驗(yàn)上證明擴(kuò)束鏡對(duì)激光切割質(zhì)量有較大的影響,不同擴(kuò)束鏡對(duì)切割質(zhì)量影響差異較大。理論上,擴(kuò)束鏡可以減小光束發(fā)散角,準(zhǔn)直效果好,增大入射到聚焦鏡的光斑直徑,光斑直徑越大,聚焦光斑則越小,能量密度更大;實(shí)驗(yàn)上,不同擴(kuò)束鏡對(duì)切割質(zhì)量有較大的影響,采用擴(kuò)束鏡1比擴(kuò)束鏡2切割覆蓋膜切割線寬更窄,炭化區(qū)較小,熱影響區(qū)較小,且對(duì)稱均勻。
本研究結(jié)果應(yīng)用到多臺(tái)UV激光切割機(jī)上,多家高端撓性板廠使用,實(shí)踐的效果相當(dāng)不錯(cuò),切割邊平直均勻,切割縫很窄(約16μm),邊緣炭化輕微,熱影響區(qū)域僅幾十微米,且均勻?qū)ΨQ。
本文是在劉澤民技術(shù)顧問(wèn)的悉心指導(dǎo)下完成的,在此表示衷心的感謝!
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