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    安森美半導(dǎo)體推出高性能場截止型IGBT,用于高能效電源轉(zhuǎn)換

    2012-03-31 17:37:19
    電子設(shè)計(jì)工程 2012年11期
    關(guān)鍵詞:安森美能效電子產(chǎn)品

    應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出新系列的場截止型(Field Stop)絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT),目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案,適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用,包括電磁爐、電飯煲及其他廚房小家電應(yīng)用。

    能源價(jià)格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素,持續(xù)帶動更高性能功率分立元器件的需求,尤其是在大功率電磁感應(yīng)及變頻器的應(yīng)用。這些新的額定電壓1 200 V的IGBT采用深溝槽技術(shù)及先進(jìn)的晶圓薄化及加工處理技術(shù),提供極低的關(guān)閉損耗,同時(shí)在導(dǎo)通期間維持低通態(tài)電壓,因而提供更低的開關(guān)損耗及導(dǎo)電損耗。這些器件提供15 A、20 A及25 A額定電流等不同選擇,且與極低正向壓降及軟恢復(fù)快速整流器組合封裝,符合客戶對高能效的嚴(yán)格要求,同時(shí)為他們提供高空間利用率的完整方案。

    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。

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