顱腦創(chuàng)傷大鼠腦電圖和誘發(fā)電位動態(tài)監(jiān)測及亞低溫治療研究

武俏麗 黃慧玲，＊ 張雪青 王 辰 莫麗冬 蔡 英

天津市環(huán)湖醫(yī)院，1神經(jīng)外科研究所；2電生理室；天津300060；＊通訊作者

目的：應(yīng)用腦電圖和誘發(fā)電位對顱腦創(chuàng)傷（TBI）大鼠進(jìn)行動態(tài)監(jiān)測，并探討亞低溫對其影響。方法：健康成年SD雄性大鼠40只，隨機(jī)分為4組：正常對照組：未行任何外加干預(yù)措施；假手術(shù)組：只開骨窗不鉆孔；常溫TBI組：應(yīng)用液壓沖擊儀建立顱腦創(chuàng)傷模型，打擊力1.5～1.7atm，作用時間21～23ms；亞低溫治療組：傷后即刻連續(xù)給予冰毯物理降溫，維持肛溫31～33℃，持續(xù)6h后復(fù)溫至37℃。每組10只。各組分別于傷后6h、24h、7天，動態(tài)監(jiān)測體感誘發(fā)電位（SEP）和腦電信號（EEG）。結(jié)果：（1）亞低溫治療TBI大鼠后SEP的變化：正常對照組和假手術(shù)組數(shù)據(jù)及波形無顯著差異；與假手術(shù)組比較，TBI組6h即出現(xiàn)P1波和N1波潛伏期延長，傷側(cè)長于健側(cè)，至第7天時兩側(cè)P1波和N1波潛伏期延長差異不顯著，但仍長于假手術(shù)組；與TBI組比較，亞低溫組24h時傷側(cè)P1波和N1波潛伏期開始縮短，且差異有顯著性，但與健側(cè)無顯著性差異，第7天時接近假手術(shù)組。（2）亞低溫治療TBI大鼠后EEG的變化：除正常對照組和假手術(shù)組，TBI組和亞低溫組各時間點的EEG均表現(xiàn)為α節(jié)律減慢，功率下降或消失，且額葉、頂葉或顳葉的慢波（δ波和θ波）增多。與假手術(shù)組比較，TBI組6h絕對功率譜值降低明顯，至第7天仍低于假手術(shù)組；亞低溫治療24h和7天時絕對功率值升高，尤以24h組升高明顯：24hTBI組（156.90±72.41），亞低溫組（298.72±216.29）；7天TBI組（141.00±136.14），亞低溫組（149.87±106.35）；但仍低于正常對照組。結(jié)論：亞低溫治療可縮短受傷區(qū)SEP潛伏期，改善皮層誘發(fā)電位，并顯著改善腦創(chuàng)傷后的腦電活動。