丁 翔, 董 芳
(1.北京有色金屬研究總院, 北京 100088; 2.中國民用航空飛行學院洛陽分院, 河南 洛陽 471000)
實驗原料是從市場上購買的化學純的SbCl3、Na2S晶體以及四甲基氫氧化氨溶液.使用時無須進一步提純.
稱量0.002 5 moL SbCl3倒入裝有45 mL去離子水的容器中,攪拌15 min后,加入15 mL的四甲基氫氧化氨溶液,繼續(xù)攪拌15 min,然后加入0.003 75 moL Na2S, 攪拌10 min后把混合溶液倒入80 mL的套有聚四氟乙烯的不銹鋼反應釜中,經(jīng)170±10 ℃密閉加熱48 h后,得到黑色懸浮液,多次離心用去離子水沖洗后,最后在空氣中晾干,得到黑色Sb2S3納米線.
電鏡制樣過程為:取少量樣品倒入適量酒精,在超聲波處理下分散,然后滴在覆蓋有碳膜的銅網(wǎng)上晾干.
圖1是兩張樣品的電鏡照片,顯示樣品外觀形貌.其中圖1(a)是一張樣品的低倍掃描電鏡照片,從圖中我們可以看到,樣品中含有大量的一維線狀物質(zhì),這些一維線狀物質(zhì)的長度達到幾個毫米,為了進一步說明納米線的形貌,我們選取其中的一根做透射電鏡分析.圖1(b)是單根樣品的透射電鏡照片,從照片中可以看到這單根樣品的幾何寬度約為60 nm,在電鏡操作過程中,我們沿著這根樣品的軸向轉(zhuǎn)動樣品,發(fā)現(xiàn)樣品的寬度幾乎沒有什么變化,這說明樣品的軸截面是圓形,樣品實質(zhì)上是納米線,60 nm實際上是它的直徑,我們又大量的選取其他樣品做透射電鏡實驗,發(fā)現(xiàn)他們的直徑很均勻,分布很窄,幾乎都是60 nm左右.圖1說明我們合成出了大量的直徑約為60 nm的超長納米線.
(a)樣品的掃描電鏡照片 (b)單根樣品的透射照片圖1 樣品的電鏡照片
為了確定納米線的化學組成,我們選取單根納米線做能譜成分分析實驗,如圖2所示.
圖2 單根納米線EDX能譜
圖2是單根納米線的能譜,從圖中可以看到納米線中只含有S峰和Sb峰,沒有其他元素的峰存在,說明納米線是由S和Sb兩種元素組成的.為了進一步確定其化學組成,我們進行了定量EDX分析,發(fā)現(xiàn)S和Sb兩種元素比例是61∶39 接近于 3∶2,因此納米線的化學式有可能是Sb2S3,這樣從化學成分上可以說明我們合成出來的納米線是Sb2S3納米線.
為了確定納米線的晶體結(jié)構(gòu),我們對樣品分別做了粉末X-ray射線衍射實驗、高分辨像和選區(qū)電子衍射實驗,用多種途徑來確定納米線的晶體結(jié)構(gòu).
圖3 Sb2S3納米線粉末X射線衍射花樣
為了進一步確定Sb2S3納米線的晶體結(jié)構(gòu),我們對單根納米線做了高分辨像和選區(qū)電子衍射實驗.
圖4 納米線高分辨像,插圖為相應的選區(qū)電子衍射花樣
能帶寬度是半導體材料的一個重要物理參數(shù),關于Sb2S3體材料能帶寬度有不同的報道,分別有0.92 eV、1.55 eV、164 eV、和1.72 eV, 相差很大.關于Sb2S3納米材料帶隙寬度的報道很少,這里我們利用Sb2S3納米線光吸收特性估算他的能帶寬度.
圖5 Sb2S3納米線紫外-可見光吸收光譜
納米線的紫外-可見光吸收光譜用來說明納米線的能帶信息,圖5是Sb2S3納米線的紫外-可見光吸收光譜,因為前面的系列實驗包括EDX成分分析實驗、X射線衍射實驗、高分辨像和選區(qū)電子衍射實驗,從成分和結(jié)構(gòu)上說明我們的納米線樣品是很純粹的、單一的Sb2S3正交相,因此我們基本上可以排除雜質(zhì)干擾,認為這張實驗光譜能夠真實的反應納米線的光吸收特性.從上圖我們可以看到,納米線的最強吸收峰值在波長約為800 nm 的光波處,根據(jù)下面經(jīng)驗公式:
這里hv是相應的光子能量,α是吸收系數(shù),Eg是帶隙寬度,從這個公式中我們可以推算出Eg≈1.5 eV.
通過SbCl3與Na2S在四甲基氫氧化氨水溶液中水熱反應制備出了大量直徑約為60 nm,長度可達到幾個毫米單晶Sb2S3納米線,納米線是沿著[001]方向生長的.
納米線紫外-可見光吸收實驗顯示,納米線主吸收峰在波長為800 nm的波段,可以推算出Sb2S3納米線帶隙寬度Eg≈1.5 eV.
[1] Y.Huang,X.F.Duan,Y.Cui,et al.Helical microtubes of graphitic carbon[J]. Science,2001,294(9):1 313-1 317.
[2] A.Bachtold,P.Hadley,T.Nakanishi,et al.Logic circuits with carbon nanotubes transistors[J]. Science,2001, 294(9):1 317-1 320.
[3] R.Martel,T.Schmidt,H.R.Shea,et al.Single-and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors[J].Appl.Phys.Lett.,1998,73(17):2 447-2 449.
[4] B.Roy,B.R.Chakbraborty,R.Bhattacharya,et al.Electrical and magnetic properties of antimony telluride[J].Solid State Commun,1978,25(8):617-620.
[5] O.Savadogo,K.C.Mandal.Studies on new chemically deposited photoconducting antimony trisulphide thin film[J].Sol.Energy Mater.Sol.Cells,1992,26(1-2):117-136.
[6] D.Arivuoli,F.D.Gnanam,P.Ramasamy.Growth and microhardness studies of chalcogenides of arsenic,antimony and bismuth[J].J.Mater.Sci.Lett.,1988,7(7):711-713.
[7] X.W.Zheng,Y.Xie,L.Y. Zhu,et al. Growth of Sb2E3(E=S, Se) polygonal tubular crystals via a novel solvent-relief-self-seeding process[J].Inorg.Chem.,2002,41(3):455-461.
[8] P.Arun,A.G.Vedeshwar.Phase modification ky instantaneous heat treatment of Sb2S3films and their potential for photothermal optical recording[J].J.Appl.Phys.,1996,79(8):4 029-4 056.
[9] C.D. Lokhande. A chemical method for preparation of metals sulfide thin-films[J].Mater.Chem.Phys.,1991,28(1):145-149.
[10]Y.Yu,C.H.Jin,R.H.Wang,et al.High-quality ultralong Bi2S3nanowires:growth,structure,and properties[J].J.Phys.Chem.B,2005,109(40):18 772-18 776.
[11]Y.Yu,R.H.Wang,Q.Chen,et al.High-quality ultralong Sb2S3nanoribbons on large scale[J].J.Phys.Chem.B,2005,109(49):23 312-23 315.