一種新的高密度電阻率法數(shù)據(jù)處理方法及其應(yīng)用

孫甲富,梁樹昌

(黑龍江省第一地質(zhì)勘察院,黑龍江牡丹江市157011)

一種新的高密度電阻率法數(shù)據(jù)處理方法及其應(yīng)用

孫甲富,梁樹昌

(黑龍江省第一地質(zhì)勘察院,黑龍江牡丹江市157011)

本文針對(duì)高密度電阻率法測(cè)量數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中因地面巖石不均勻造成斷面等值線呈振蕩式畸變的現(xiàn)象,提出了一種消除這種弊病的辦法,即反射系數(shù)法,介紹了在常見Execl應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)這種換算的計(jì)算方法以及在地質(zhì)找礦中的應(yīng)用實(shí)例。

高密度電阻率法;測(cè)深;反射系數(shù);視真電阻率

1 序言

高密度電阻率法實(shí)際上是直流高密度電阻率法的延伸,兩者的基本原理完全一致。它實(shí)際上是一種陣列勘探方法,野外測(cè)量時(shí)只需沿勘探線按一定間距(一般為等間距)將全部電極(幾十至上百根)一次置于測(cè)點(diǎn)上,然后利用程控電極轉(zhuǎn)換開關(guān)和微機(jī)工程電測(cè)儀便可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的自動(dòng)和快速采集。使用專業(yè)軟件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并可給出關(guān)于地電斷面分布的物理解釋的結(jié)果。顯然,這種采集電阻率數(shù)據(jù)的方法,使電法勘探的智能化程度大大向前邁進(jìn)了一步。

高密度電阻率法具有以下優(yōu)點(diǎn):

(1)電極布置一次性完成,不僅減少了因電極設(shè)置引起的故障和干擾,并且提高了效率;

(2)能夠選用多種電極排列方式進(jìn)行測(cè)量,可以獲得豐富的有關(guān)地電斷面的信息;

(3)野外數(shù)據(jù)采集實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化或半自動(dòng)化,提高了數(shù)據(jù)采集速度,避免了手工誤操作。

但是,在實(shí)踐應(yīng)用中我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)高密度電阻率法采集到數(shù)據(jù)或斷面等值線出現(xiàn)無(wú)規(guī)律的振蕩畸變。這時(shí)高密度電阻率法所取得資料就無(wú)法使用,以致該方法在很多情況下無(wú)法開展?；蛟S正是出于這樣的原因,當(dāng)前高密度電阻率法只是在地下水勘查中應(yīng)用較多,而在地質(zhì)找礦工作中應(yīng)用較少。為解決這個(gè)問題,有關(guān)學(xué)者采用數(shù)據(jù)濾波、比值換算等方法,收到了一定效果。但是濾波方法需要多次選擇濾波參數(shù)進(jìn)行試驗(yàn)(圖1),實(shí)際應(yīng)用中是無(wú)法像室內(nèi)預(yù)先知道選擇哪一組濾波后數(shù)據(jù)是符合實(shí)際地質(zhì)情況的,就是說這樣的數(shù)據(jù)處理具有不確定性或多解性,只能符合室內(nèi)的理論研究,不適宜野外應(yīng)用;比值方法的的處理效果實(shí)際上沒有真正的改觀。

針對(duì)上述現(xiàn)象,提出既能夠既能保持高密度電阻率法的優(yōu)點(diǎn),又能克服其上述缺點(diǎn)的辦法?恰好我們?cè)谘芯糠瓷湎禂?shù)法在電阻率電測(cè)深方法解釋應(yīng)用中取得了一定成果,同時(shí)覺得常規(guī)的電測(cè)深數(shù)據(jù)與高密度電阻率法數(shù)據(jù)有相似之處。所以,根據(jù)實(shí)際需要開始了反射系數(shù)法在高密度電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)處理的研究與應(yīng)用。

高密度電阻率法數(shù)據(jù)實(shí)際上與電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)具有相同的特點(diǎn),只是高密度電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)較電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)采集密度大,效率高而已,從理論上來講它們是一致的。因此,將電阻率測(cè)深方法的反射系數(shù)法引用到高密度電阻率測(cè)深方法數(shù)據(jù)處理上來,其理論根據(jù)也是一致的。

本著以實(shí)際應(yīng)用效果為主的原則,首先在實(shí)踐中開展對(duì)比應(yīng)用,然后再對(duì)其理論進(jìn)行研究分析,正所謂“實(shí)踐—理論—再實(shí)踐”。實(shí)踐表明,采用反射系數(shù)法處理高密度電阻率法采集的數(shù)據(jù)編繪的視真電阻率斷面等值線圖,與反射系數(shù)法處理電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)編繪的斷面等值線,同樣具有直觀明了的優(yōu)點(diǎn)。

圖1 高密度數(shù)據(jù)濾波處理對(duì)比

2 基本原理簡(jiǎn)介

2.1 高密度電阻率測(cè)深產(chǎn)生畸變分析

現(xiàn)以重慶地質(zhì)儀器廠生產(chǎn)的DU K-2B型高密度電法測(cè)量系統(tǒng)的單邊三極連續(xù)滾動(dòng)式測(cè)深裝置(S3P)為例,其分析結(jié)論也適用其它裝置。

如圖2所示,儀器的N、M、A三個(gè)電極在系統(tǒng)的控制下按設(shè)定次序與剖面布置的電極相連,B極則始終與無(wú)窮遠(yuǎn)電極相連。

儀器測(cè)量時(shí),測(cè)量電極N、M不動(dòng),A逐點(diǎn)向右移動(dòng),至設(shè)計(jì)極距(點(diǎn))數(shù),得到一條由上向下(一個(gè)測(cè)深點(diǎn))的一組數(shù)據(jù);接著N、M、A同時(shí)向右移動(dòng)一個(gè)電極,依然是N、M不動(dòng),A逐點(diǎn)向右移動(dòng),至設(shè)計(jì)極距(點(diǎn))數(shù),得到又一條由上向下(一個(gè)測(cè)深點(diǎn))的一組數(shù)據(jù),以此類推, N、M、A三個(gè)電極直至設(shè)計(jì)移動(dòng)的測(cè)深點(diǎn)數(shù),完成測(cè)量。

圖2 單邊三極連續(xù)滾動(dòng)式測(cè)深裝置示意圖

120道電極轉(zhuǎn)換規(guī)律描述:假如測(cè)量是從1#電極開始,最小間隔系數(shù)n(MIN)=1,最大間隔系數(shù)n(MAX)=20。

首先,N=#1,M=#2,A=#3→#22測(cè)得第一組ρsa的數(shù)據(jù)20個(gè);

然后,測(cè)量電極依次往前移一個(gè)點(diǎn)距;

接著,N=#2,M=#3,A=#4→#23,測(cè)得第二組ρsa的數(shù)據(jù)20個(gè);

……

每測(cè)得一組ρsa之后,測(cè)量電極依次往前移一個(gè)點(diǎn)距。設(shè)測(cè)線上的電極總數(shù)為120,n(MIN)= 1,n(MAX)=20,則測(cè)量數(shù)據(jù)總數(shù)等于:(120-20-1)×20=1980。此外,該裝置通過靈活設(shè)置起始電極號(hào)(CHO)可做長(zhǎng)剖面,測(cè)量深度達(dá)到500m以上。

高密度電阻率法采集數(shù)據(jù)的密度是非常高的,所以它無(wú)論是沿剖面方向,還是向下深部的方向均具有較高的分辨率。這對(duì)研究勘探尤其是規(guī)模不大的脈狀地質(zhì)(礦)體是十分有用的,這同時(shí)也是之所以能夠誕生高密度電阻率法的初衷之一。

但是從它的測(cè)量方式中我們不難發(fā)現(xiàn),對(duì)于某一個(gè)測(cè)深點(diǎn)來講,當(dāng)供電極距變化時(shí),它的測(cè)量極距是不變的。

根據(jù)視電阻率的微分公式:

式中:ρa(bǔ)——視電阻率,ρMN——MN測(cè)量電極之間的巖石電阻率,一般是淺層介質(zhì),jMN——MN測(cè)量電極間的平均電流密度,j0——地形為均勻介質(zhì)時(shí)MN測(cè)量電極間的電流密度。

顯然當(dāng)MN確定時(shí),MN測(cè)量電極之間的巖石電阻率ρMN肯定不變,這時(shí)視電阻率ρa(bǔ)僅隨比值jMN/j0變化。

如果地下巖(礦)石完全是均勻分布的,該比值在供電電極位置的改變是不會(huì)改變大小的,這時(shí)有ρa(bǔ)→ρ0(地下均勻介質(zhì)電阻率)。

但是,實(shí)際上野外所面對(duì)的地下空間在很多情況下是很不均勻的。這時(shí),jMN/j0實(shí)際上是通過供電極距的改變,來改變供電電流對(duì)地下空間的影響范圍,借以反映地下巖(礦)石的分布特性。這個(gè)比值隨著供電極距的增大,對(duì)地下空間的影響也逐漸增大,視電阻率ρa(bǔ)也隨之做相應(yīng)變化。

對(duì)于三級(jí)滾動(dòng)裝置的高密度電阻率測(cè)深而言,測(cè)量同一個(gè)測(cè)深點(diǎn)的不同極距的視電阻率數(shù)據(jù)時(shí),它的測(cè)量電極MN的位置是不變的,所以相應(yīng)的ρMN也是不變的。這就是說,對(duì)同一個(gè)測(cè)深點(diǎn)來講, ρMN對(duì)每個(gè)測(cè)深點(diǎn)的ρa(bǔ)數(shù)據(jù)的影響基本是相同的,說明高密度電阻率法的同一個(gè)測(cè)深點(diǎn)的ρa(bǔ)數(shù)據(jù)畸變不是很大。

但是,當(dāng)測(cè)深點(diǎn)位置發(fā)生變化時(shí),雖然MN的距離未發(fā)生變化,但一般來講MN之間地表巖性(多為粘土、碎石、腐殖土等)是不均勻的,而且MN的距離越小(電測(cè)深的MN大可以壓制淺層干擾),這種不均一性就越明顯,其結(jié)果是使得ρMN發(fā)生較明顯的變化,尤其是在其淺層地下水分布變化較大時(shí),ρMN變化更大。對(duì)高密度而言MN很多時(shí)候是等于測(cè)點(diǎn)距離或其倍數(shù)的,測(cè)量點(diǎn)距越小,越能發(fā)揮其分辨率高的優(yōu)勢(shì)。因此,高密度電阻率法之所以能夠誕生,就是因?yàn)槟軌蛟谳^短的時(shí)間內(nèi)獲得較高密度的數(shù)據(jù)采集量。所以MN距離小是高密度電阻率法的一個(gè)特點(diǎn)。因此,高密度電阻率測(cè)深點(diǎn)位置發(fā)生變化時(shí)或者說測(cè)量電極MN位置發(fā)生變化時(shí),MN之間的電阻率ρMN多數(shù)變化是非常明顯的。這樣就使得不同測(cè)深點(diǎn)之間的ρa(bǔ)數(shù)據(jù)相應(yīng)地發(fā)生明顯畸變。

綜上所述,測(cè)量地區(qū)地表巖性不均勻使得不同測(cè)深點(diǎn)之間ρMN發(fā)生變化,高密度電阻率測(cè)深本身測(cè)量電極以較小距離的選擇又加劇了這種變化,從而導(dǎo)致了前述高密度電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)產(chǎn)生畸變。

2.2 反射系數(shù)法原理簡(jiǎn)述

野外工作區(qū)的地面地質(zhì)情況多數(shù)是復(fù)雜多變的,客觀的地質(zhì)條件是無(wú)法改變的。所以任何物探方法的應(yīng)用只能去適應(yīng)客觀的自然環(huán)境,而不能讓環(huán)境去適應(yīng)方法。因此,如何在復(fù)雜多變的地質(zhì)環(huán)境下開展高密度電阻率法,以發(fā)揮其高效、高分辨率的優(yōu)勢(shì),克服高密度電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)畸變就成為物探工作者的一個(gè)重要研究課題。

如前述,高密度電阻率法,實(shí)際上就是視電阻率測(cè)深法的延伸。兩者只是采集數(shù)據(jù)的方式不同,基本理論是完全相同的。因此用于解決視電阻率測(cè)深的解釋方法,也適用于高密度電阻率測(cè)深。作者曾經(jīng)對(duì)反射系數(shù)法應(yīng)用解決電阻率測(cè)深數(shù)據(jù)處理做了一定研究,在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中取得良好效果;并且,在進(jìn)行高密度電阻率法資料解釋工作時(shí),引進(jìn)此方法,結(jié)果發(fā)現(xiàn)在消除高密度電阻率數(shù)據(jù)(斷面等值線)畸變方面,確實(shí)收到了非常好的效果。

電測(cè)深反射系數(shù)法的核心是研究電阻率測(cè)深曲線的斜率,稱為電測(cè)深曲線的視反射系數(shù),并用￣K表示。在對(duì)數(shù)坐標(biāo)系中,電測(cè)深曲線斜率也就是視反射系數(shù)￣Ks為:

式中:R是供電極距AB/2的簡(jiǎn)便表示方式;ρs視電阻率。

反射系數(shù)則為:

式中:￣Ksmax視反射系數(shù)最大值,￣Ksmin校視反射系數(shù)最小值的校正值,ρz、ρ2分別為相鄰兩層介質(zhì)的第一層、第二層介質(zhì)的電阻率。

進(jìn)而推導(dǎo)出反射系數(shù)法中的一個(gè)參數(shù)——似真電阻率ρz:

式中:ρ0為相鄰兩極距對(duì)應(yīng)電阻率的幾何平均值。

2.3 高密度反射系數(shù)法消干擾的原理分析

對(duì)反射系數(shù)法消除因地表不均勻?qū)е碌幕兊脑蜃鲆缓?jiǎn)單分析。令:JaMN=jMN/j0

由于高密度電阻率法的同一測(cè)深點(diǎn)的測(cè)量極距是相同的,所以它們具有相同的ρMN。

據(jù)(1)式有:

由上式可見dlgρa(bǔ)的計(jì)算結(jié)果已與ρMN無(wú)關(guān),dlgR顯然與ρMN無(wú)關(guān)。將該結(jié)果代入(2)式,易知視反射系數(shù)Ks與ρMN無(wú)關(guān)。進(jìn)一步計(jì)算的反射系數(shù)Kz也是與ρMN無(wú)關(guān)的,從而消除了地面干擾因素的影響。

實(shí)踐表明反射系數(shù)斷面等值線形態(tài)幾乎與視真電阻率形態(tài)完全一致,只是采用的單位與數(shù)值有所不同,這表明雖然不能從理論上直接證明視真電阻率與ρMN無(wú)關(guān),但至少可以說明由(4)式計(jì)算的視真電阻率在很大程度上削弱了地面介質(zhì)不均勻分布影響產(chǎn)生的畸變。

2.4 高密度電阻率反射系數(shù)計(jì)算方法

上述是反射系數(shù)法原理,在實(shí)際用時(shí)必須經(jīng)適當(dāng)變換后才能得到相應(yīng)參數(shù)。此外,一般不能利用(2)～(5)直接計(jì)算任意極距對(duì)應(yīng)參數(shù),只能計(jì)算根據(jù)微分原理計(jì)算實(shí)測(cè)相鄰兩極距中間極距對(duì)應(yīng)參數(shù)的近似值,計(jì)算公式如下:

假設(shè)某個(gè)測(cè)深點(diǎn)的n個(gè)由小到大極距的一組觀測(cè)數(shù)據(jù)(Ri,ρsi)(i=1,2,3,…,n),其中兩個(gè)相鄰極距的視反射系數(shù)為:

Kz(i)、ρz(i)對(duì)應(yīng)的極距均為(7)式中的Rk(i)。注意(6)和(9)式中ρs(i)、ρs(i-1)為兩相鄰電極距對(duì)應(yīng)的視電阻率,i=2,3,…,n。

(6)～(9)式是對(duì)實(shí)測(cè)的一個(gè)電測(cè)深資料進(jìn)行反射系法參數(shù)轉(zhuǎn)換的公式。

這個(gè)轉(zhuǎn)換過程除了在專門的應(yīng)用軟件上實(shí)現(xiàn)外,也可在Execl程序上簡(jiǎn)單列表編程處理,非常迅速方便。

第一步,按表1填充相應(yīng)數(shù)據(jù)項(xiàng)。

A、B、C三列分別為剖面測(cè)點(diǎn)坐標(biāo)(點(diǎn)號(hào))、極距坐標(biāo)、視電阻率ρa(bǔ),其余4列依次為反射系數(shù)(視真電阻率)對(duì)應(yīng)極距Kz、視反射系數(shù)Ks、反射系數(shù)Kz、視真電阻率ρz。

第二步,將事先準(zhǔn)備好的預(yù)處理數(shù)據(jù)按A、B、C順序組織數(shù)據(jù)起來,然后復(fù)制粘貼到表1中A、B、C對(duì)應(yīng)三列單元格中。并且一定要把測(cè)深點(diǎn)坐標(biāo)、極距坐標(biāo)(絕對(duì)值)的數(shù)據(jù)按升序順序排列。

表1 反射系數(shù)計(jì)算數(shù)據(jù)項(xiàng)排列

第三步,在對(duì)應(yīng)D～G 4列的第二個(gè)單元格中輸入相應(yīng)的計(jì)算公式。

第四步,復(fù)制D～G列的第二行四個(gè)單元格,并將其粘貼到D～G列對(duì)應(yīng)A、B、C三列有測(cè)深數(shù)據(jù)的單元格上,即完成了預(yù)處理的高密度電阻率數(shù)據(jù)的反射系數(shù)換算。

實(shí)際上,上述公式只需在Execl程序上輸入一次,做成模板,使用時(shí)只需把預(yù)處理數(shù)據(jù)粘貼到ABC三列上,DEFG也做相應(yīng)的粘貼處理即可。這種方法使用起來十分方便,無(wú)需購(gòu)買專用軟件。

3 在地質(zhì)找礦中應(yīng)用

這里僅介紹我院今年在雞東縣東海鄉(xiāng)狼洞山巖金普查中使用該方法取得成果。

該項(xiàng)目工區(qū)位于雞東縣東海鄉(xiāng)狼洞山,設(shè)計(jì)項(xiàng)目工區(qū)為期兩年。2009年開始,通過地質(zhì)物化探工作發(fā)現(xiàn),位于8、7、15線的Au-36、Au-108、異常具有金礦化顯示,但進(jìn)一步開展立項(xiàng)工作的依據(jù)不足。為深入研究該找礦線索,以建立完善本區(qū)地質(zhì)及物化探找礦模式,并為本工區(qū)今后進(jìn)一步立項(xiàng)開展工作提供依據(jù),決定開展深部鉆探驗(yàn)證工作;但是,根據(jù)現(xiàn)有地質(zhì)資料選擇鉆孔位置的依據(jù)不充分。經(jīng)研究決定,在認(rèn)為有利成礦地段開展必要的物探工作尋找依據(jù),以指導(dǎo)鉆孔布置。

據(jù)現(xiàn)有地質(zhì)資料,發(fā)現(xiàn)金礦化體賦存于硅化較強(qiáng)的褐鐵礦化花崗巖之中。電參數(shù)顯示該類巖石的電阻率在8.0～10.0×103Ωm之間變化,比圍巖(花崗巖)視電阻率1.0～3.1×103Ωm高3倍以上,存在較明顯的電性差異,具備開展電阻率的前提條件。為了研究異常細(xì)節(jié),快速高效地取得驗(yàn)證成果,決定選擇高密度視電阻率法開展測(cè)深剖面工作。

本次工作實(shí)際上共開展了3條高密度視電阻率測(cè)深剖面。其中8號(hào)剖面是最終布置勘探孔的剖面,對(duì)此做一介紹如下:

圖3是采用該剖面高密度電阻率原始數(shù)據(jù)編繪的視電阻率等值線斷面圖。由圖3可見,剖面中部存在兩個(gè)近于直立的高電阻率異常。這兩個(gè)高電阻率異常和激電中梯視電阻率剖面曲線上的高電阻率異常也不吻合(參照?qǐng)D4),兩者中心相差約100m左右。近地表低電阻率異常近于水平分布,向下則差不多均近似呈直立。按此推斷,該區(qū)的構(gòu)造帶幾乎均近于直立,而從槽探揭露情況看構(gòu)造帶產(chǎn)狀是傾伏的。因此說,圖3的視電阻率斷面等值線是畸變的。顯然不能直接以此進(jìn)行推斷解釋,也無(wú)法以此選擇深部驗(yàn)證孔位。

圖3 8線高密度視電阻率斷面等值線

圖4 8線地質(zhì)物化探綜合剖圖

(a)Au、Cu等元素土壤化學(xué)曲線;(b)激電中梯視極化率、視電阻率曲線;(c)高精度磁測(cè)ΔT曲線;(d)高密度視真電阻率斷面圖等值線

為此,將高密度視電阻率數(shù)據(jù)采用反射系數(shù)法進(jìn)行了視真電阻率轉(zhuǎn)換。圖4為該剖面的綜合成果剖面圖。由圖4可見,在24～22點(diǎn)之間(ZK801鉆孔)對(duì)應(yīng)激電中梯剖面為高電阻率、低極化率、中等磁異常,而且該位置的Au、Ag、As、Pb等元素均呈較高含量異常。它們恰好與高密度視真電阻率斷面等值線的、向北傾伏的高電阻率異常相對(duì)應(yīng)。這個(gè)高電阻率異常中心存在若干高電阻率極大值點(diǎn),其數(shù)值在5000～26000Ωm之間;對(duì)應(yīng)于激電中梯剖面的視電阻率極大值在4500Ωm上下變化。結(jié)合地質(zhì)資料進(jìn)行,綜合分析初步推斷其可能為強(qiáng)硅化的(花崗巖)巖脈引起,可能與Au、Ag等礦體的形成有密切關(guān)系。此外,根據(jù)該斷面的低電阻率等值線呈明顯的線性分布的特點(diǎn),以其極小值連線為主,并結(jié)合其等值線扭曲特征推斷了若干構(gòu)造帶。這些構(gòu)造帶的產(chǎn)狀,在剖面上十分清晰,分為兩組。一組為向南傾早期構(gòu)造,另一組是向北傾的晚期構(gòu)造。這兩組構(gòu)造帶均有可能與礦體有關(guān),需要今后工作查明。

據(jù)上述推斷,最后在該線的23號(hào)點(diǎn)布置了ZK801號(hào)鉆孔。設(shè)計(jì)孔深300m,根據(jù)鉆進(jìn)情況實(shí)際鉆進(jìn)500.20m。

總的來講,在這個(gè)位于Au-36異常的ZK801孔查證主要成果基本上與高密度視電阻率測(cè)深推測(cè)的構(gòu)造破碎帶、強(qiáng)硅化的巖脈相吻合。

(1)在孔深42.88～47.96m見到褐鐵礦化硅化花崗巖,相當(dāng)于地表礦體北傾,向下延伸部位,與設(shè)計(jì)鉆孔見礦孔深較吻合,礦體沿鉆孔向下傾斜控制厚度約80余米。

(2)根據(jù)高密度視真電阻率斷面等值線推測(cè):硅化為300m左右,鉆探揭露為290.55m以上為硅化帶分布;300m以上高密度電阻率測(cè)深推測(cè)的構(gòu)造破碎帶和斷層,基本上與鉆孔揭露情況一致。

(3)鉆孔揭露的巖性為各種混合巖、片巖夾大理巖。根據(jù)高密度電阻率測(cè)深資料,結(jié)合相關(guān)的地質(zhì)物化探資料,初步認(rèn)為該孔可能是在已知的規(guī)模大、金品位高的麻山群余慶組地層之中;此外,據(jù)鉆孔編錄可知,礦化與層間破碎帶關(guān)系密切。

這個(gè)驗(yàn)證結(jié)果,為本區(qū)繼續(xù)立項(xiàng)開展查證工作提供了強(qiáng)有力的依據(jù),也說明采用反射系數(shù)法處理高密度電阻率測(cè)深資料確實(shí)是十分有效的。

4 結(jié)束語(yǔ)

反射系數(shù)法應(yīng)用高密度電阻率法數(shù)據(jù)處理在我院已有五年多的應(yīng)用歷史了。最初該方法的應(yīng)用是在水文物探方面,由于反射系數(shù)法具有簡(jiǎn)單明了直觀且無(wú)需昂貴的軟件經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。因此,隨著經(jīng)驗(yàn)的積累,近年來在地質(zhì)找方面尤其是在尋找與高電阻率巖脈有關(guān)的金礦方面成果越來越顯著,也越來越受歡迎。但是目前該方法的理論尚不完善,還有待于進(jìn)一步研究與提高。

[1] 付良魁,李金銘.電法勘探教程[M].北京:地質(zhì)出版社,1979.

[2] 李光輝,梁樹昌.電測(cè)深反射系數(shù)法及其應(yīng)用[J].地質(zhì)裝備,2009(2).

[3] 王建工.反射系數(shù)K剖面法及其應(yīng)用[J].水工物探,1986.

[4] 李金銘,羅延鐘,等.電法勘探新進(jìn)展[M].北京:地質(zhì)出版社,1996.

Abstract:In practical application,the data measuring by high-density resistivity method will have oscillatory distortion phenomenon because of rock formation nonuniform.In this paper,the authors put forward a new wethod-reflection coefficient method to elimiuate this phewomenon,introdule the computational method to achieve such conversion based on Excel programme and the application of this method in geological prospecting.

Key Words:high-density resistivity method;depth sounding;reflection coefficient;plausible resistivity

A New High-Density Resistivity Data Processing Method and its Application

SUN Jiafu,LIANG Shuchang
(The first Geological Prospecting Institute of Heilongjiang,Mudanjiang 157011,China)

P631.23

A

1009-282X(2011)03-0033-05

2011-04-21

孫甲富(1963-),男,黑龍江省龍江縣人,1983年畢業(yè)于長(zhǎng)春地質(zhì)學(xué)校地質(zhì)勘查及找礦專業(yè),1989獲得長(zhǎng)春地質(zhì)學(xué)院地質(zhì)系普查找礦專業(yè)大學(xué)學(xué)歷,現(xiàn)為中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)在職碩士研究生,地質(zhì)高級(jí)工程師,曾長(zhǎng)期從事野外工作,主持編寫過多份地質(zhì)勘查報(bào)告與設(shè)計(jì),現(xiàn)任副院長(zhǎng)兼副總工程師,Tel:0453-6523796,E-mail:hljdkyy@ 163.com。