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      EDI工藝的化學(xué)清洗與對(duì)沖

      2011-05-24 08:38:04琳,朱
      山東電力技術(shù) 2011年3期
      關(guān)鍵詞:濃水結(jié)垢水管

      朱 琳,朱 虹

      (1.菏澤發(fā)電廠,山東 菏澤 274032;2.新汶礦業(yè)職工大學(xué),山東 新汶 271100)

      0 引言

      EDI電除鹽工藝相對(duì)混合離子交換工藝是一種新技術(shù),它的電再生工藝和清洗方法,國內(nèi)還沒有很成熟的技術(shù),國電菏澤發(fā)電廠三期水處理EDI裝置自2006年6月投運(yùn)以來,由于各項(xiàng)指標(biāo)控制嚴(yán)格,運(yùn)行情況基本良好。但是,因?yàn)樗幚碓捎醚h(huán)冷卻排污水,城市中水其水質(zhì)較差,含鹽量、有機(jī)物、細(xì)菌含量較高。再加上設(shè)備長期的連續(xù)運(yùn)行和來水水質(zhì)不穩(wěn)定等原因,直接影響到化學(xué)的預(yù)處理和全膜脫鹽處理的正常運(yùn)行,給膜工藝處理增加了處理難度。RO(反滲透)的化學(xué)清洗由原來的6個(gè)月清洗一次增加到3個(gè)月清洗一次。EDI裝置的產(chǎn)水量和脫鹽率也有不同程度的下降。其中,2006~2009年由于EDI裝置的連續(xù)長期運(yùn)行,產(chǎn)水量由原來的單套50 t/h下降到42 t/h。同時(shí)進(jìn)出水壓差明顯增大,進(jìn)水壓力有初啟動(dòng)的0.25 MPa上升到0.5 MPa左右。直接影響到設(shè)備的安全運(yùn)行和機(jī)組的正常供水。

      針對(duì)這一現(xiàn)象,進(jìn)行了全方位的取樣化驗(yàn)分析論證,在取得第一手判斷數(shù)據(jù)后,先后聯(lián)系并配合EDI廠家對(duì)EDI裝置進(jìn)行了系統(tǒng)對(duì)沖、化學(xué)清洗和強(qiáng)電流電壓再生。經(jīng)處理后的EDI裝置,系統(tǒng)的壓力、壓差、流量和各項(xiàng)控制指標(biāo)恢復(fù)到初投運(yùn)的規(guī)定值,系統(tǒng)運(yùn)行恢復(fù)正常良好。

      1 EDI膜塊的污堵、污染與結(jié)垢

      1.1 EDI膜元件污堵、污染及結(jié)垢原因

      菏澤發(fā)電廠采用全廠6臺(tái)機(jī)組循環(huán)冷卻水排污水和城市中水做為水處理的水源,來水電導(dǎo)率不穩(wěn)定,一般在1 500~3 800 μS/cm之間,循環(huán)水濃縮倍率是地表水(黃河水)的3~4倍,水中有機(jī)物和細(xì)菌含量及各種雜質(zhì)都比較高。如果前期系統(tǒng)和予處理控制不好很容易造膜元件污堵、污染與結(jié)垢。如果運(yùn)行中各項(xiàng)指標(biāo)及加藥參數(shù)控制不當(dāng)也會(huì)造成膜的污染。

      1.2 EDI膜元件受到污堵、污染及結(jié)垢的不同處理方式

      由于我廠水處理水源采用的水質(zhì)不同,水質(zhì)每天的變化都有較大的波動(dòng),再加上不同的季節(jié)用水不同,水的溫度對(duì)膜元件的運(yùn)行有很高的要求,另外,循環(huán)冷卻水需要定期加入殺菌滅藻劑。在很大程度上增加了預(yù)處理和膜處理的控制難度。所以,預(yù)處理的加氯殺菌和RO(反滲透)進(jìn)水前的亞硫酸氫鈉加藥還原調(diào)整,每時(shí)每刻都在根據(jù)余氯的變化情況進(jìn)行改變。通過近幾年的運(yùn)行觀察和調(diào)整,總結(jié)出一套適應(yīng)我廠對(duì)UF(超濾)、RO(反滲透)、EDI(電除鹽)污染、污堵及結(jié)垢的化學(xué)清洗方法。在這里,主要談一下EDI膜元件受到污堵、污染及結(jié)垢后的不同處理方式。

      (1)膜元件的污堵。膜元件的污堵與污染、結(jié)垢后的處理方式有所不同,膜元件污堵主要是水中的細(xì)密的顆粒雜質(zhì)進(jìn)入EDI膜元件,這些顆粒雜質(zhì)主要是附著在陰陽離子膜表面,系統(tǒng)運(yùn)行過程中直接影響到產(chǎn)水量和系統(tǒng)壓力。但對(duì)產(chǎn)水質(zhì)量沒有直接的影響。可以通過系統(tǒng)對(duì)沖反洗進(jìn)行處理。

      (2)膜元件的污染及結(jié)垢。膜元件的污染與結(jié)垢主要是與上一級(jí)系統(tǒng)處理水質(zhì)好壞以及膜塊電再生的控制調(diào)整有很大關(guān)系,UF(超濾)、RO(反滲透)的出水質(zhì)量、預(yù)處理的效果以及各種加藥效果好壞都有著直接的關(guān)系,其中EDI膜塊的加電情況(電流、電壓)以及濃水排放率、產(chǎn)水回收率都是影響設(shè)備運(yùn)行質(zhì)量的原因之一。這些問題會(huì)直接導(dǎo)致系統(tǒng)的產(chǎn)水質(zhì)量下降,脫鹽率降低。其原因是膜元件污染或結(jié)垢,這種情況采用一對(duì)一反沖洗是不能恢復(fù)原設(shè)計(jì)出力的,這需要根據(jù)污染和結(jié)垢情況進(jìn)一步進(jìn)行化學(xué)加藥清洗,和適當(dāng)?shù)南練⒕拍芑謴?fù)到原出力設(shè)計(jì)值。

      2 EDI膜元件的反沖洗與化學(xué)清洗

      很多使用EDI工藝的廠家,膜工藝系統(tǒng)都沒有配備EDI反沖洗裝置,根據(jù)自己的情況在EDI設(shè)備的進(jìn)水管和產(chǎn)水管以及化學(xué)加藥清洗系統(tǒng)進(jìn)行的一定的改造,在EDI裝置的進(jìn)水管、產(chǎn)水管和濃水回流管上分別加一路三通并聯(lián)接在化學(xué)清洗系統(tǒng)上,既能進(jìn)行反沖洗也能進(jìn)行化學(xué)清洗。

      2.1 反沖洗與系統(tǒng)改造

      EDI的反沖洗。利用一臺(tái)運(yùn)行的EDI設(shè)備的產(chǎn)水反方向?qū)α硪慌_(tái)EDI設(shè)備進(jìn)行沖洗,其目的,就是將附著在另一臺(tái)EDI膜元件中陰陽離子交換膜表面上的顆粒雜質(zhì)沖洗清除干凈,恢復(fù)膜塊的水通量,將這個(gè)沖洗過程稱之為對(duì)沖。

      由于EDI工藝在安裝過程中沒有設(shè)計(jì)專門的反沖洗裝置,不可能利用現(xiàn)有的設(shè)備進(jìn)行反沖洗,只有通過設(shè)備改造來完成,通過管路改造系統(tǒng)對(duì)接,完成了一套獨(dú)立的反沖洗與加藥清洗綜合系統(tǒng),解決了EDI設(shè)備的系統(tǒng)缺陷。

      反沖洗對(duì)接方式。一套EDI裝置的進(jìn)水管、產(chǎn)水管、濃水管、調(diào)節(jié)水管與另一套EDI裝置的進(jìn)水管、產(chǎn)水管、濃水管、調(diào)節(jié)水管分別進(jìn)行三通對(duì)接,一路用來系統(tǒng)對(duì)沖,一路用來加藥清洗,使其形成運(yùn)行過程中關(guān)閉對(duì)沖和清洗,化學(xué)清洗過程中將運(yùn)行產(chǎn)水門關(guān)閉,做到互不影響。也就是說正常運(yùn)行的EDI裝置的產(chǎn)水管、濃水管與被反洗EDI裝置的產(chǎn)水管、濃水管相連對(duì)接兩端分別增加一個(gè)閥門便于操作,運(yùn)行中的EDI產(chǎn)水進(jìn)入被反洗EDI膜元件的陰陽離子膜再通過被反洗EDI膜塊的進(jìn)水管、進(jìn)水調(diào)節(jié)管最后通過進(jìn)水門后的排放口以及清洗裝置的排放口排入地溝。

      注意事項(xiàng)。每一組EDI膜塊都配有一套浮子流量計(jì),濃水回流管也配有一套單獨(dú)的浮子流量計(jì),用于調(diào)節(jié)進(jìn)出水量的大小,同時(shí)產(chǎn)水管和濃水回流管各配有一套單項(xiàng)閥(逆止閥),在反洗過程中,要將浮子流量計(jì)的浮子拆除,單項(xiàng)閥(逆止閥)進(jìn)行反裝,防止被反洗的EDI膜塊裝置不過水,達(dá)不到反洗效果。 EDI膜塊反洗前,首先關(guān)閉EDI產(chǎn)水箱和濃水回流水箱的進(jìn)水門,防止水質(zhì)交叉污染和反洗水量不足。反洗水壓力不要超過0.4 MPa,防止膜片超壓,損壞膜元件。值得注意的是,沖洗和化學(xué)清洗必須首先切斷整流柜的電源,操作過程是在就地“手操”和“點(diǎn)操”中完成。

      2.2 化學(xué)清洗的前提條件

      以下條件任何一項(xiàng)超標(biāo)則需清洗:

      (1)水溫度和流量不變的情況下淡水壓差增加30%;

      圖1 EDI膜塊與膜塊的反沖洗平面圖

      (2)水溫度和流量不變的情況下濃水壓差增加30%;

      (3)水溫度和流量及進(jìn)水電導(dǎo)率不變的情況下產(chǎn)水電阻率下降;

      (4)水溫度不變的情況下模塊電阻增加20%;(5)產(chǎn)水量不變的情況下脫鹽率明顯下降。

      2.3 化學(xué)清洗過程及注意事項(xiàng)

      清洗之前,需要先分析污堵類型。對(duì)有機(jī)物污染較嚴(yán)重的情況,需延長堿洗時(shí)間,必要時(shí),堿洗后再進(jìn)行一次簡單酸洗。對(duì)無機(jī)鹽結(jié)垢較嚴(yán)重的情況,需延長酸洗時(shí)間,酸洗后再進(jìn)行簡單堿洗或水洗。一般情況,酸洗清洗無機(jī)鹽垢,堿洗清洗有機(jī)物和微生物。

      每類清洗后,務(wù)必用RO出水沖洗干凈,才可進(jìn)行下一類清洗,禁止酸、堿在系統(tǒng)里混和。循環(huán)清洗EDI系統(tǒng)時(shí),進(jìn)水壓力務(wù)必保證≤0.4 MPa。較高的藥液溫度有利于化學(xué)清洗,一般可用清洗水箱電加熱,對(duì)酸洗可加熱至30~35℃,對(duì)堿洗可加熱至35~40℃,但藥液溫度不可太高,太高的溫度會(huì)引起EDI膜元件降解。

      較嚴(yán)重的污堵還可以采用浸泡的措施,即循環(huán)清洗2 h后(或更長時(shí)間,最好清洗至酸、堿濃度不再變化時(shí)),停清洗泵,使EDI膜浸泡2~4 h左右,然后再循環(huán)15~30 min,若一次清洗不理想,需分析原因,必要時(shí)可以再進(jìn)行一次清洗。

      藥洗完成后進(jìn)行清水沖洗,可沖洗掉尚未溶解的物質(zhì)與不溶性物質(zhì)。日常操作時(shí)必須測量和記錄膜元件的壓力和壓差變化,隨著元件內(nèi)進(jìn)水通道被堵塞,壓差將增加。如果進(jìn)水溫度降低,元件產(chǎn)水量也會(huì)下降,這是正常現(xiàn)象而非膜的污染所造成的。通常情況下,壓力控制失常或回收率的增加將會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)水量的下降或鹽透過率的增加,此時(shí)膜元件一般不需要清洗。

      注意事項(xiàng)?;瘜W(xué)清洗要根據(jù)污染和結(jié)構(gòu)情況選擇清洗方式。一般在高pH清洗(如NaCl/NaOH)前進(jìn)行鹽水沖洗,除去重金屬離子和硬度離子,先做高pH清洗再做低pH清洗,低pH清洗會(huì)使有機(jī)物或微生物膜更難除去,在兩種高pH溶液清洗間不用進(jìn)行鹽水沖洗,如進(jìn)行過碳酸鈉清洗和NaCl/NaOH清洗,在高pH溶液清洗和低pH間應(yīng)進(jìn)行鹽水沖洗,避免因中和反應(yīng)降低清洗效果。在進(jìn)行過碳酸鈉清洗或過乙酸清洗前應(yīng)進(jìn)行鹽水沖洗。除去可能會(huì)催化氧化樹脂或膜的離子,最好一次通過(避免循環(huán))?;瘜W(xué)清洗結(jié)束后應(yīng)先用清水沖洗至少10 min再通電,需要逐漸調(diào)高電壓,直接設(shè)定到運(yùn)行電流。

      2.4 清洗過程及藥品配置

      (1)鹽酸溶液(2%)循環(huán)清洗30 min;(2)水沖洗20~30 min;

      (3)氯化鈉(5%)清洗30 min;

      (4)水沖洗20~30 min;

      (5)氯化鈉(5%)加氫氧化鈉(1%)循環(huán)清洗30 min;

      (6)水沖洗20~30 min;

      (7)清洗結(jié)束后電再生至產(chǎn)水合格。

      注:EDI清洗藥品必須為化學(xué)純或分析純。

      表1 化學(xué)清洗配藥比例

      2.5 EDI化學(xué)清洗藥品及其作用

      HCl:僅清洗,除去硬度結(jié)垢,金屬氧化物。

      NaCl/NaOH:僅清洗,除去膜和樹脂上的有機(jī)污染物。

      NaOH:清洗、消毒,除去微生物膜和SiO2。

      過碳酸鈉:清洗消毒,除去有機(jī)污染,顆粒污堵,微生物膜,殺滅細(xì)菌。

      過乙酸(Minncare 或 P3 Oxonia):僅消毒,殺死細(xì)菌。

      2.6 EDI裝置殺菌消毒

      EDI殺菌要采用非氧化性的殺菌劑,如過乙酸或過氧化氫混合殺菌消毒。與水的配比要根據(jù)污染情況或者廠家提供數(shù)據(jù)而定。消毒前后,首先用5%NaCl液沖洗模塊,NaCl沖洗可去除金屬離子,如Ca2+、Mg2+。

      舉例:過碳酸鈉循環(huán)洗,配制參照表2。

      表2 殺菌劑配藥比例

      鹽水消毒。應(yīng)確保所用模塊可用鹽水消毒,當(dāng)用熱水消毒時(shí),進(jìn)水壓力應(yīng)小于≤0.2 MPa,注:升溫過程中防止高溫對(duì)模塊的沖擊。水溫升至60~80℃,時(shí)間控制在5~10 min。關(guān)加熱器和循環(huán)泵,開排水,漫漫加入水至清水箱使溫度從80℃降至45℃,關(guān)閉所有閥門及清洗系統(tǒng),將出水濃水排地溝,進(jìn)水10 min并調(diào)整流量至正常操作,沖洗結(jié)束后EDI通電。檢測各水質(zhì)合格情況至正常操作位置。并重新調(diào)整進(jìn)水流量和壓力以及電流、電壓。

      3 EDI膜元件的電再生

      EDI清洗后的操作與調(diào)整。EDI系統(tǒng)化學(xué)清洗后不能直接投入運(yùn)行,因?yàn)樗漠a(chǎn)水達(dá)不到合格條件,如果直接投運(yùn)EDI系統(tǒng)很可能會(huì)造成再次污染與結(jié)垢。EDI工藝最大的優(yōu)點(diǎn)是能在運(yùn)行中完成再生,再生中運(yùn)行。再生時(shí),EDI膜元件在調(diào)整好的電流、電壓下自動(dòng)完成這一程序,關(guān)產(chǎn)水回流閥和濃水回流閥,開產(chǎn)水排放氣動(dòng)閥和濃水回收閥 (開度與清洗前一樣),等EDI產(chǎn)水電阻率合格后,開產(chǎn)水閥(開度與清洗前一樣),關(guān)產(chǎn)水排放氣動(dòng)閥,設(shè)備投入運(yùn)行。

      EDI的加電再生過程。電再生過程中還要根據(jù)出水電導(dǎo)率的情況調(diào)整整流柜電流、電壓,同時(shí)嚴(yán)格計(jì)算出每一個(gè)膜塊的電流承受值,防止EDI膜塊過熱或被擊穿。在強(qiáng)電流再生過程中等出水電導(dǎo)率下降后,再將整流柜電流、電壓恢復(fù)到原設(shè)定值,嚴(yán)格控制EDI單塊模塊電流大于4 A,最佳控制值為1.6~2.8 A之間。

      4 結(jié)語

      由于膜處理工藝在發(fā)電廠中的運(yùn)用越來越廣泛,因水質(zhì)的問題運(yùn)行中難免出現(xiàn)這樣那樣的問題,結(jié)合我廠水處理膜工藝4年來出現(xiàn)的問題及處理方式,僅供大家參考借鑒。

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