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      意法半導(dǎo)體航天級功率MOSFET晶體管的主要特性

      2011-04-02 01:57:43
      電子設(shè)計工程 2011年13期
      關(guān)鍵詞:抗輻射意法輻射量

      ·快速開關(guān)性能

      ·100%雪崩測試

      ·密封式封裝

      ·可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)

      ·抗SEE輻射

      STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市,達到EM (工程模型)或 ESCC的航空質(zhì)量級標準,封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外,意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達到了 ESCC 5205/021技術(shù)標準,其它產(chǎn)品預(yù)計將于2011年下半年達到 ESCC相關(guān)標準。

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