何肖軍,徐志斌
(紅相電力(上海)有限公司,上海 200051)
對(duì)高壓開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行絕緣性能檢測(cè)與故障診斷,是實(shí)現(xiàn)設(shè)備狀態(tài)檢修的前提,保證設(shè)備安全可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。電力設(shè)備的多數(shù)故障是絕緣性故障,電應(yīng)力作用引起絕緣劣化,導(dǎo)致絕緣故障,在機(jī)械力、熱和電場(chǎng)的共同作用下,最終也會(huì)發(fā)展為絕緣性故障。據(jù)統(tǒng)計(jì),由于開(kāi)關(guān)柜絕緣劣化引起事故的臺(tái)次占開(kāi)關(guān)總事故臺(tái)次的68%和事故總?cè)萘康?4%。
為克服預(yù)防性檢修體系的局限性,減少停電并降低維修費(fèi)用,可應(yīng)用高壓開(kāi)關(guān)柜絕緣性能檢測(cè)與故障診斷技術(shù),對(duì)運(yùn)行中的高壓開(kāi)關(guān)柜的絕緣狀況進(jìn)行連續(xù)的狀態(tài)檢測(cè),隨時(shí)獲得能反映絕緣狀況變化的信息。在進(jìn)行分析處理后,對(duì)設(shè)備的絕緣狀況做出診斷,并根據(jù)診斷的結(jié)論安排必要的檢修。
開(kāi)關(guān)柜絕緣性能的劣化會(huì)導(dǎo)致局部放電的產(chǎn)生,局部放電是指發(fā)生在電極之間但并未貫穿電極的放電,這些微弱的放電產(chǎn)生累積效應(yīng)會(huì)使絕緣的介電性能逐漸劣化、缺陷擴(kuò)大,最后導(dǎo)致整體絕緣擊穿。局部放電分為內(nèi)部、表面和電暈放電,并主要以電磁、聲波和氣體形式釋放能量,這些是絕緣性能檢測(cè)的主要信號(hào)。
局部放電是一種快速的電荷釋放或遷移過(guò)程,當(dāng)發(fā)生局部放電時(shí),放電點(diǎn)周圍的電場(chǎng)應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力與粒子力失去平衡狀態(tài)而產(chǎn)生振蕩變化,機(jī)械應(yīng)力與粒子力的快速振蕩,導(dǎo)致放電點(diǎn)周圍介質(zhì)的振動(dòng),從而產(chǎn)生聲波信號(hào)。放電產(chǎn)生的聲波頻譜很寬,可以從幾十赫到幾兆赫,放電強(qiáng)度的大小決定了電場(chǎng)應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力和粒子力的振蕩幅度,直接決定了振動(dòng)的程度和聲波的相度。
聲能與放電釋放的能量成比例,雖然在實(shí)際中各種因素的影響會(huì)使這個(gè)比例不確定,但從統(tǒng)計(jì)角度看,二者之間的比例關(guān)系是確定的。
從局部放電的機(jī)理可知,局部放電初期是微弱的輝光放電,釋放的能量很小,后期出現(xiàn)強(qiáng)烈的電弧放電,此時(shí)釋放的能量很大,局部放電的發(fā)展過(guò)程中釋放的能量是從小到大變化的,所以聲能也從小到大變化。
根據(jù)球面波的聲能量式可知,在不考慮空氣密度和聲速的變化時(shí),聲能量與聲壓的平方成正比。根據(jù)放電釋放的能量與聲能之間的關(guān)系,用超聲波信號(hào)聲壓的變化代表局部放電所釋放能量的變化,通過(guò)測(cè)量超聲波信號(hào)的聲壓,就可以推測(cè)出放電的強(qiáng)弱。
當(dāng)高壓電氣設(shè)備發(fā)生局部放電時(shí),放電電量先聚集在與放電點(diǎn)相鄰的接地金屬部分,形成電流脈沖并向各個(gè)方向傳播。
脈沖電流的透入深度與頻率的平方根成反比。高頻局放電流只在導(dǎo)體表面?zhèn)鬏敗?duì)于內(nèi)部放電,放電電量聚集在接地屏蔽內(nèi)表面,因此如果屏蔽層是連續(xù)的,則無(wú)法在外部檢測(cè)到放電信號(hào)。但實(shí)際上,屏蔽層通常在絕緣部位、墊圈連接處、電纜絕緣終端等部位因破損而導(dǎo)致不連續(xù),高頻信號(hào)因此傳輸?shù)皆O(shè)備外層而被檢測(cè)出來(lái)。
因放電產(chǎn)生的電磁波通過(guò)金屬箱體的接縫處或氣體絕緣開(kāi)關(guān)的襯墊傳播出去,同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)暫態(tài)電壓,這個(gè)電壓脈沖稱為暫態(tài)對(duì)地電壓(Transient Earth Voltage, TEV)。
TEV的檢測(cè)原理見(jiàn)圖1,高壓電氣設(shè)備的對(duì)地絕緣部分發(fā)生局部放電時(shí),導(dǎo)電系統(tǒng)對(duì)接地金屬殼之間有少量電容性放電電量,通常只有幾兆分之一庫(kù)侖,放電持續(xù)時(shí)間一般只有幾納秒。因?yàn)殡娏康扔陔娏鞒艘詴r(shí)間,一次放電1 000 pC,持續(xù)10 ns,就產(chǎn)生100 mA的電流。對(duì)于持續(xù)時(shí)間那么短的放電脈沖,被測(cè)設(shè)備就不能看作是個(gè)整體,而應(yīng)看作是傳輸線,其電氣特性由分布電容和電感決定。此時(shí),可以將地看成一個(gè)金屬板,縫隙所處的位置看成另一個(gè)金屬板,縫隙與地之間的距離為傳輸線。
圖1 TEV檢測(cè)原理圖
當(dāng)發(fā)生局部放電時(shí),電磁波從放電點(diǎn)向外傳播,電流大小與這些電磁波產(chǎn)生的電壓有關(guān)。電壓等于電流與路徑阻抗的乘積。在不考慮損耗的傳輸線上,阻抗?jié)M足下式:
式中的L和C 是傳輸線單位長(zhǎng)度的自感和電容,Z0的數(shù)值變化很大。通過(guò)研究可知,單芯10 kV電纜約為10 Ω,35 kV金屬外殼的母線室大約70 Ω。因此,1 000 pC的放電可產(chǎn)生對(duì)地1~7 V持續(xù)10 ns的電壓。電壓脈沖在金屬殼的內(nèi)表面?zhèn)鞑?,最終從開(kāi)口、接頭、蓋板等的縫隙處傳出,然后沿著金屬殼外表傳到大地。這樣,使用電容耦合式傳感器就可檢測(cè)到放電信號(hào)。
研究發(fā)現(xiàn),局部放電產(chǎn)生的TEV信號(hào)的大小與局部放電的激烈程度及放電點(diǎn)的遠(yuǎn)近有直接關(guān)系,可以利用專門的探測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)。通過(guò)檢測(cè)局部放電產(chǎn)生的TEV信號(hào),不僅可以對(duì)運(yùn)行中開(kāi)關(guān)柜內(nèi)設(shè)備局部放電狀況進(jìn)行定量測(cè)試,而且可以通過(guò)同一放電源到不同探測(cè)器的時(shí)間差,對(duì)局部放電點(diǎn)進(jìn)行定位。
這一系統(tǒng)的檢測(cè)技術(shù)在原理上是一種比較性的檢測(cè)技術(shù)。某個(gè)開(kāi)關(guān)柜上的檢測(cè)結(jié)果應(yīng)與其以前的檢測(cè)數(shù)據(jù)或其它同類型的開(kāi)關(guān)柜所檢測(cè)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,如果檢測(cè)數(shù)據(jù)大于其它同型號(hào)開(kāi)關(guān)柜或以前的結(jié)果,說(shuō)明該開(kāi)關(guān)柜存在放電活動(dòng),進(jìn)而推斷故障的可能性。因此,需要有相當(dāng)?shù)脑O(shè)備運(yùn)行經(jīng)驗(yàn),才能根據(jù)技術(shù)檢測(cè)結(jié)果分析設(shè)備絕緣材料還能維持運(yùn)行的時(shí)間。
記錄每次設(shè)備故障的詳細(xì)情況有助于分析判斷放電活動(dòng)對(duì)設(shè)備的影響。系統(tǒng)組成見(jiàn)圖2。
圖2 系統(tǒng)組成框圖
整個(gè)系統(tǒng)可分成3個(gè)子系統(tǒng):
(1)被檢測(cè)設(shè)備和傳感器,處于開(kāi)關(guān)室現(xiàn)場(chǎng)。
(2)信號(hào)預(yù)處理和數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng),一般集成在主機(jī)中,也處于現(xiàn)場(chǎng)。
(3)數(shù)據(jù)處理和診斷系統(tǒng),實(shí)際為1臺(tái)PC和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分析軟件,處于主控室。
統(tǒng)計(jì)分析法是在同一開(kāi)關(guān)室內(nèi)開(kāi)關(guān)柜局部放電檢測(cè)時(shí),對(duì)相關(guān)條件下的TEV檢測(cè)數(shù)值和超聲波檢測(cè)數(shù)值進(jìn)行分類統(tǒng)計(jì),從而得出初步判斷依據(jù)?,F(xiàn)場(chǎng)影響局部放電測(cè)量結(jié)果的因素有很多,如工作電壓、放電種類、絕緣材料、負(fù)載、機(jī)械運(yùn)動(dòng)、環(huán)境條件、干擾、開(kāi)關(guān)柜制造廠家及類型等,所有因素都可能造成檢測(cè)結(jié)果的誤判,在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試時(shí)必須加以考慮。
趨勢(shì)分析是對(duì)同一開(kāi)關(guān)柜不同時(shí)間的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析,按月、季、年從統(tǒng)計(jì)分析中得出開(kāi)關(guān)柜局部放電的趨勢(shì)。在分析過(guò)程中,還應(yīng)分析影響局部放電的細(xì)微波動(dòng)對(duì)TEV檢測(cè)數(shù)值和超聲波檢測(cè)數(shù)值的變化,主要分析內(nèi)容有負(fù)載的變化、環(huán)境因素波動(dòng)、干擾波動(dòng)、時(shí)間變化等。
結(jié)合統(tǒng)計(jì)分析、趨勢(shì)分析和初步判斷依據(jù),可以對(duì)開(kāi)關(guān)柜局部放電進(jìn)行動(dòng)態(tài)的判斷分析,具體步驟如下:
(1)初始判據(jù)的判斷。對(duì)當(dāng)?shù)厮蠳面開(kāi)關(guān)柜的故障情況進(jìn)行統(tǒng)計(jì),按照統(tǒng)計(jì)結(jié)果計(jì)算出故障率為a%。
(2)統(tǒng)計(jì)分析。對(duì)當(dāng)?shù)厮蠳面開(kāi)關(guān)柜局部放電情況進(jìn)行普測(cè),取其中檢測(cè)數(shù)值最大的N×a%面開(kāi)關(guān)柜,然后再取這N×a%面開(kāi)關(guān)柜中數(shù)值最小的作為比較值A(chǔ)。
(3)趨勢(shì)分析。在一段時(shí)間間隔(一個(gè)月、一個(gè)季度或一年),再次對(duì)所有N面開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行普測(cè),取其中檢測(cè)數(shù)值最大的N×a%面開(kāi)關(guān)柜,然后再取這N×a%面開(kāi)關(guān)柜中數(shù)值最小的作為比較值B,將B與A進(jìn)行比較。
(4)比較分析。對(duì)于B與A的比較,可分為以下幾種情況: