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      DDR3內(nèi)存優(yōu)化不求人

      2008-04-29 15:05:18白玉堂
      計(jì)算機(jī)應(yīng)用文摘 2008年20期
      關(guān)鍵詞:動(dòng)心工作電壓時(shí)序

      白玉堂

      不是我不明白,而是這世界變化太快……當(dāng)我開始用SD內(nèi)存的時(shí)候,別人都改用DDR內(nèi)存了;當(dāng)我用上DDR內(nèi)存的時(shí)候,別人都開始用DDR2內(nèi)存了——我因此被朋友安上了“白菜級(jí)玩家”之惡名。這次,為了徹底擺脫被朋友強(qiáng)加的“頭銜”,我在第一時(shí)間搶購(gòu)了DDR3內(nèi)存(圖1),踏上了一條追新的路…

      DDR3,給你喜新厭舊的理由

      正所謂“沒有三分三,不敢上梁山”,敢于挑戰(zhàn)DDR2王者寶座的DDR3內(nèi)存,又怎能沒有一點(diǎn)看家絕活呢(下表)?與DDR2內(nèi)存相比,它的確給了我喜新厭舊的理由。

      1.跑得更快,起始頻率高

      雖然現(xiàn)在已有DDR2 1066內(nèi)存出現(xiàn),但良品率不高和成本不理想,使這類“高端”DDR2內(nèi)存難以進(jìn)入大眾的視線。而DDR3內(nèi)存的起跑頻率就已經(jīng)達(dá)到1066MHz,更容易滿足未來CPU對(duì)內(nèi)存的要求。

      2.吃得更少,所需電壓低

      DDR3內(nèi)存的工作電壓僅為1.5V,比DDR2的1.8V更低。工作電壓更低,意味著更低的功耗。此外,對(duì)于超頻玩家而言,低電壓的DDR3代表著更大的超頻幅度……

      3.更是“強(qiáng)壯”,帶寬也加大

      眾所周之,內(nèi)存的帶寬越大,電腦的性能也就越強(qiáng)勁。因此,內(nèi)存的“歷史使命”就是提供更大的帶寬^_^。而DDR3內(nèi)存的面世,也必然能夠進(jìn)一步地提升內(nèi)存帶寬,為越來越高的FSB提供足夠的匹配指標(biāo)。

      玩的就是優(yōu)化,DDR3優(yōu)化三部曲

      選擇購(gòu)買DDR3內(nèi)存,除了證明我不再是“白菜級(jí)玩家”之外,獲得更大的性能提升也是我的目的之一。要知道,在DDR3內(nèi)存身上,還是有很多潛力可挖的哦(表1)!

      1.第一部曲,修改時(shí)序

      首先,我要告訴你一個(gè)小秘密——現(xiàn)在DDR3內(nèi)存的默認(rèn)時(shí)序都大大高于標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序。也就是說,DDR3內(nèi)存的默認(rèn)性能都比較低(最高會(huì)比默認(rèn)時(shí)序的性能低15.8%)!

      以DDR3 1066為例,標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序?yàn)?-7-7-24,但很多內(nèi)存的默認(rèn)時(shí)序都為8-8-8-24,甚至是9-9-9-28!是可忍孰不可忍,追新的我們?cè)趺醋曅阅艿慕档投焕恚縊k,下面且看我如何收拾這“偷懶”的內(nèi)存。

      在開機(jī)時(shí),按“Del”鍵進(jìn)入BIOS設(shè)置界面。然后找到“DRAM Timing Control”,并將它設(shè)置為“Manual”模式(圖2)。

      接下來,將“CAS# Latency”、“RAS# to CAS# Delay”、“RAS# PRE Time”,以及“RAS# ACT Time”,分別設(shè)置為“7 DRAM Clocks”、“7 DRAM Clocks”、“7 DRAMClocks”和“24 DRAM Clocks”即可(圖3)。

      2.第二部曲,提升內(nèi)存頻率

      呃,修改完內(nèi)存時(shí)序是不是就該捂嘴偷笑了呢?其實(shí),作為一個(gè)資深玩家,我可以很明確地告訴你,DDR3內(nèi)存還有大把大把的潛力可挖——比如可以大幅提升性能的內(nèi)存頻率修改法。你,動(dòng)心了嗎?

      不管你有沒有動(dòng)心,反正我是動(dòng)了心。于是乎,又進(jìn)入了主板BIOS設(shè)置界面,并找到了“DRAM Frequency”項(xiàng),將參數(shù)修改為“DDR3-1333MHz”(圖4)。

      在這里,提醒大家注意:由于產(chǎn)品品質(zhì)的問題,部分DDR3 1066內(nèi)存并不能達(dá)到這一頻率。比如我的一條金士頓DDR3 1066內(nèi)存,就需要將其電壓提升0.5V后,才能順利完成超頻(圖5,“DRAM Voltage”即為內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)選項(xiàng))。

      3.第三部曲,合理配置時(shí)序和頻率

      奇怪奇怪,在完成設(shè)置后,筆者跑了下測(cè)試,發(fā)現(xiàn)了一件怪異的事情——將DDR3 1066提升至1333MHz,時(shí)序保持為7-8-8-24時(shí),Super PI時(shí)間不降反升(下表)。這不是做了無用功了么?不成不成!

      經(jīng)過反復(fù)調(diào)試,我發(fā)現(xiàn)時(shí)序和頻率的搭配也很重要,時(shí)序并不是越低越好。在將內(nèi)存時(shí)序修改為8-8-8-24之后,Super PI的計(jì)算時(shí)間明顯縮短。

      不過需要提醒大家注意的是,在提高時(shí)序之后,部分測(cè)試成績(jī)有小幅下降。也就是說,降低和提升時(shí)序是一個(gè)見人見智的事情——就看你的需要來定咯(很明顯,我就是喜歡看到Super PI跑得順溜溜的那一類人^_^)!

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