用于圖像壓縮系統(tǒng)的SDRAM控制器設計

吳聰睿 ，張忠偉 ，張學全

（1.中國科學院大學北京100190；2.中國科學院國家空間科學中心北京100190）

在基于FPGA的圖像壓縮系統(tǒng)中，由于圖像壓縮核的圖像接收速率與處理速率的不同，需要對圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行緩存操作，這就需要設計高速率、高容量的緩存器。目前構成緩存的存儲芯片主要有FLASH、FIFO、SRAM、SDRAM等，對這幾種緩存芯片的性能進行比較，由于SDRAM存儲容量大、讀寫速率高、價格低、體積小，所以SDRAM是理想的緩存器件[1-3]。但是由于SDRAM結構設計的特點，導致其工作機制特殊，控制邏輯復雜，時序要求較高，使用起來有一定難度。雖然有一些專用芯片提供SDRAM控制功能，可是其可控制性和靈活性不足，不能滿足特殊需求[4-5]，所以本文結合實際應用，設計了一種基于FPGA的SDRAM控制器方案，以滿足圖像壓縮系統(tǒng)的使用需求。

1 SDRAM控制操作與時序

1.1 SDRAM芯片結構

文中采用ELPIDA公司EDS5116ABTA芯片，存儲容量是256 Mbit，數(shù)據(jù)位寬16位，最大工作時鐘為143 MHz，自動刷新周期要求為8 192（周期）/64 ms。圖1為該款SDRAM的結構圖。在上圖結構中，SDRAM是由內(nèi)部的4個BANK構成，每個BANK有8 192行，每行各有8 192 bit數(shù)據(jù)位，稱之為“一頁”，按照需求每個存儲單元為16 bit位深，則每行有512列。SDRAM芯片的主要引腳如下：1）A0～A12：復用地址選擇線，A0～A12是行地址選擇線，A0～A9是列地址選擇線；2）BA0～BA1：BANK 地址選擇線；3）DQ0～DQ7：雙向數(shù)據(jù)端口；4）CLK：系統(tǒng)時鐘輸入端口；5）CKE：時鐘信號使能端口；6）CS：片選信號端口；7）CAS：列地址選通脈沖控制；8）RAS：行地址選通脈沖控制；9）DQ：數(shù)據(jù)掩碼端口；10）WE：讀寫使能控制端口。

相比其他存儲器件，SDRAM特點如下：

圖1 SDRAM結構圖

1）為防止SDRAM中的數(shù)據(jù)丟失，需要定時執(zhí)行刷新操作。

2）SDRAM在上電工作時，需要首先進行配置模式寄存器操作，該操作規(guī)定了工作參數(shù)以決定當前SDRAM工作模式，包括突發(fā)長度（BURST LENGTH），列地址選通脈沖時間延時（CAS LATENCY），操作模式（OPERATING MODE）等[6]。

3）SDRAM端口使用靈活?？刂泼钣煽刂贫丝冢–S、CAS、RAS、WE）產(chǎn)生，通過這些端口的時鐘上升沿狀態(tài)決定控制命令。SDRAM行地址線與列地址線復用，取決于當前控制命令的不同，按照先行激活后列選取的順序完成一次讀或?qū)懖僮鱗7]。

1.2 控制

SDRAM的所有操作同步于系統(tǒng)時鐘，根據(jù)時鐘上升沿的控制端口和地址端口狀態(tài)，可產(chǎn)生多種輸入命令[8]：1）模式寄存器設置（MSR）；2）預充電所選BANK（PRE）3）行激活（ACT）；4）突發(fā)讀指令，突發(fā)寫指令；5）帶自動預充電的突發(fā)讀/寫指令；6）自我刷新（SELF）；7）自動刷新（REF）8）突發(fā)終止（BST）；9）空操作（NOP）。

圖2 SDRAM控制器狀態(tài)機

根據(jù)SDRAM控制器的功能設計其狀態(tài)機如圖2，共包含10個狀態(tài)，分為兩個子部分，上電初始化部分和正常工作部分。上電初始化包括從上電到配置模式寄存器4個狀態(tài)機；正常工作包括空閑狀態(tài)、行激活狀態(tài)、突發(fā)讀、突發(fā)寫、預充電等6個狀態(tài)機。

1.3 SDRAM時序邏輯

1.3.1 SDRAM初始化與自動刷新

首先，SDRAM在所有引腳同時加電后，需要等待200μs進行上電初始化的穩(wěn)定過程；然后發(fā)出預充電命令（PRECHIARGE），等待tRP時間完成對所有邏輯BANK的預充電操作；然后發(fā)出至少8個自動刷新命令（AUTO REFRESH），相鄰的兩個自動刷新命令需要時間間隔tRP；最后，發(fā)出模式寄存器設置命令（LOAD MODE REGISTER）配置工作模式，此階段需要tMRD時間[9]。

初始化完成后，SDRAM處于空閑（IDLE）狀態(tài)，為了防止數(shù)據(jù)掉電丟失，在SDRAM工作時需要定時對SDRAM執(zhí)行自動刷新操作，其要求是需要每64 ms對所有BANK內(nèi)的所有行完成一輪刷新操作，所以每行數(shù)據(jù)的刷新間隔為64 ms/8 192=7.812 5 μs，因此在SDRAM工作狀態(tài)下，每隔最多7.812 5 μs需要發(fā)出一個自動刷新指令[10]。時序圖如圖3所示。

圖3 SDRAM控制器初始化時序

1.3.2 SDRAM突發(fā)讀操作

SDRAM處于空閑（IDLE）狀態(tài)下，可發(fā)出一系列指令組合完成對SDRAM的讀寫操作，這些指令需要在控制端口和地址線的配合下共同完成[11]。先分析突發(fā)讀操作的時序，首先發(fā)出行激活（ACTIVE）指令，由BANK地址（BA0，BA1）和行地址（A0～A12）共同選定需要讀寫的行進行激活。行激活命令發(fā)出后需要等待tRCD時間（RAS to CAS DELAY），才能發(fā)出讀指令與列地址。經(jīng)過tCL（CAS LATENCY）個時鐘周期后，讀出的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線DQ上，讀出數(shù)據(jù)的多少由BL（BURST LENGTH）決定，一般為1、2、4、8或全頁突發(fā)模式。突發(fā)讀操作的讀命令操作完成后，需要發(fā)出預充電命令，以關閉當前激活的行，等待tRP時間后（預充電到行激活間隔），再執(zhí)行下一個操作。SDRAM控制器突發(fā)讀的時序如圖4所示。

圖4 SDRAM控制器突發(fā)讀時序

1.3.3 SDRAM突發(fā)寫操作

相比較于SDRAM控制器讀操作的時序，其突發(fā)寫操作的時序稍有不同。當檢測到突發(fā)寫命令時，首先執(zhí)行行激活指令以激活指定BANK的指定行，等待tRCD時間后，從地址線讀取列起始地址，同時將數(shù)據(jù)寫到數(shù)據(jù)總線DQ上，執(zhí)行BL個周期的寫操作后，延遲tWR時間（tWR為寫操作延時，將數(shù)據(jù)寫入所用時間）需發(fā)出預充電命令，以關閉當前激活的行，等待tRP時間后可執(zhí)行下一個操作[12]。SDRAM控制器突發(fā)寫的時序如圖5所示。

2 SDRAM控制器系統(tǒng)設計

SDRAM控制器的系統(tǒng)模塊設計如圖6所示。圖中控制器左側的端口信號與FPGA的系統(tǒng)控制接口相連，用以對控制器發(fā)出讀寫等控制命令、地址信息與數(shù)據(jù)信息等；控制器右側與SDRAM芯片對應端口相連，用于控制SDRAM工作；圖中控制器內(nèi)部為各系統(tǒng)各個模塊結構，包括系統(tǒng)接口模塊（Sys_interface）、命令模塊（Command）、控制接口模塊（Ctrl_interface）與數(shù)據(jù)選通模塊（Data_path）。各個模塊功能如下：系統(tǒng)接口模塊用于接收FPGA系統(tǒng)傳遞的操作信號，并將其轉(zhuǎn)換為控制命令（CMD命令碼）；命令模塊用于解析CMD命令，并解碼成為相應的SDRAM控制指令；控制接口模塊用于解析SDRAM控制指令，轉(zhuǎn)化為SDRAM能夠識別的端口電平組合；數(shù)據(jù)選通模塊用于控制數(shù)據(jù)線的選通情況，完成有效的輸入輸出功能。

圖5 SDRAM控制器突發(fā)寫時序

圖6 SDRAM控制器系統(tǒng)結構圖

2.1 系統(tǒng)接口模塊

系統(tǒng)接口模塊（Sys_interface）包含SDRAM與控制器的上電初始化功能，使兩者處于相同的工作模式下。其控制流程如下：檢測到上電后，首先啟動Count_200計數(shù)器執(zhí)行200 μs的計數(shù)操作以等待器件的穩(wěn)定；之后執(zhí)行初始化配置操作：發(fā)出PRECHARGE_ALL指令預充電所有BANK，然后執(zhí)行2組自動刷新指令；最后發(fā)出配置模式寄存器指令，以配置SDRAM的工作模式。由于上電后SDRAM工作模式是不定的，所以應當在使用之前配置模式寄存器[9]。之后通過地址線[A0:A10]發(fā)送模式寄存器配置數(shù)據(jù)。

完成以上配置后，系統(tǒng)指令分析機制才可以接收并分析系統(tǒng)的讀寫信號和地址信息，以及命令模塊的反饋信號CMD_ACK，產(chǎn)生對應的CMD命令碼和ADDR地址信息并傳遞給命令模塊[13]。此外該模塊同時將當前SDRAM的工作狀態(tài)反饋給系統(tǒng)用戶，標明當前SDRAM占用情況。

2.2 命令模塊

命令模塊（Command）將解析系統(tǒng)接口模塊傳來的CMD命令碼，并輸出相應的SDRAM作指令。例如，當CMD命令碼為3’b000時，則輸出NOP指令，表示執(zhí)行空操作；當CMD命令碼為3’b001時，輸出READA指令。表示執(zhí)行自動預充電讀操作。命令模塊同一時刻只能允許一個命令碼和對應操作指令有效[14]。

2.3 控制接口模塊

控制接口模塊（Ctrl_interface）用來處理將命令模塊解析出來的CMD命令碼，根據(jù)不同CMD命令碼做出相應的端口電平變化操作，以控制SDRAM完成特定功能。例如，若當前操作命令為行激活（ACTIVE）操 作 ，則 令 SDRAM_CKE=1，SDRAM_CS_N=0，SDRAM_RAS_N=0，SDRAM_CAS_N=1，SDRAM_WE=1_N，同時通過SDRAM_BA和SDRAM_SA選定要激活的BANK地址與行地址，如此SDRAM器件根據(jù)其引腳特性便激活指定行，應當注意的是，在此例的行激活命令中，SDRAM_DQ與SDRAM_DQM的端口電平取值對操作沒有影響，只有在讀出寫入時數(shù)據(jù)位才有效[15]。此外控制接口模塊也發(fā)出數(shù)據(jù)使能控制信號DATA_EN對數(shù)據(jù)選通模塊進行控制。

圖7 初始化與加載模式寄存器仿真波形

圖8 突發(fā)讀與突發(fā)寫仿真波形

2.4 數(shù)據(jù)選通模塊

此模塊接收接口控制模塊發(fā)出的DATA_EN信號，控制數(shù)據(jù)的讀出或是寫入。當信號DATA_EN=1，數(shù)據(jù)線DQ寫使能，允許數(shù)據(jù)寫入SDRAM；當信號DATA_EN=0，數(shù)據(jù)線DQ讀使能，允許讀出SDRAM中的數(shù)據(jù)。通過DATA_EN與數(shù)據(jù)選通模塊的控制，能夠使數(shù)據(jù)的讀出、寫入操作在操作指令上達到時序同步[16]。

3 系統(tǒng)仿真與驗證

本文采用硬件描述語言Verilog HDL對系統(tǒng)進行設計輸入，使用ISE14.6作為系統(tǒng)編譯工具，建立了SDRAM控制器的RTL級（寄存器傳輸級）模型，并使用第三方工具Modelsim10.1c進行仿真驗證。經(jīng)過ISE14.6綜合后，得到其資源占用率為4%；仿真采用32 MHz時鐘作為SDRAM控制器工作時鐘，低于其最大工作時鐘143 MHz，所以滿足其實時性要求。

下面為SDRAM控制器仿真波形圖。圖7為初始化波形，圖8為突發(fā)寫和突發(fā)讀波形。

從圖7、圖8可看出，在初始化過程中，控制器先后執(zhí)行了等待200 μs初始化穩(wěn)定過程、預充電操作、2個自刷新周期操作和模式寄存器設置操作。在突發(fā)寫過程中，先后執(zhí)行了行激活、行列有效延時、寫操作（突發(fā)長度為8）。在突發(fā)讀過程中，先后執(zhí)行了行激活、行列有效延時、讀操作（突發(fā)長度為8）。系統(tǒng)的仿真結果與預期時序相符合，端口的電平變化與狀態(tài)轉(zhuǎn)換均有效工作，正確的完成了SDRAM控制器的控制功能。

4 結論

本文提出的用于圖像壓縮系統(tǒng)的精簡SDRAM控制器針對其應用場景做了精簡處理，采用典型精簡狀態(tài)機進行控制，并且控制其資源占用情況，具有高效性、高穩(wěn)定性和通用性，滿足星載平臺圖像處理系統(tǒng)的要求，為以后遙測圖像的采集、處理和傳輸提供了技術支持。

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