暗電流
- 地物光譜儀測量中的校正方法研究*
定精度的目的。暗電流會產(chǎn)生散粒噪聲影響系統(tǒng)的信噪比，另外，暗電流的非均勻性會影響成像質(zhì)量。針對暗電流的問題，主要的解決方法有使用數(shù)值方法進(jìn)行暗電流的扣除[4-5]、通過制冷抑制暗電流[6]、通過改變CCD 驅(qū)動方式來抑制暗電流[7]等。本文通過制冷技術(shù)，抑制大部分暗電流，且在控制制冷溫度穩(wěn)定的前提下，再通過數(shù)值的方法，通過上位機(jī)算法的編寫來扣除暗電流，這樣通過制冷使暗電流減小，同時控溫下又保證了暗電流的穩(wěn)定性，從而使得在相同積分時間下與無制冷的光譜儀相比，
機(jī)電工程技術(shù) 2023年12期2024-01-09
- 基于Ⅱ類超晶格的中波紅外帶間級聯(lián)探測器（特邀）
子效率高、復(fù)合暗電流低等優(yōu)點(diǎn)，但成本高；量子阱探測器成本低，但量子阱材料基于子帶間躍遷吸收，量子效率低，而且因為不能吸收垂直入射光，需要制作表面光柵，增加了器件工藝成本。近年來，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格（T2SL）得到了廣泛關(guān)注。T2SL 的有效帶隙取決于電子和空穴形成的微帶，通過調(diào)節(jié)InAs 層和GaSb 層的厚度可以靈活調(diào)節(jié)帶隙實現(xiàn)約1～32 μm 的探測，因為是帶間躍遷，其量子效率遠(yuǎn)高于量子阱；而且，在Ⅱ類超晶格結(jié)構(gòu)中，因為輕重空穴分離，降低了
光子學(xué)報 2023年10期2023-11-30
- 基于長尺度測量法的純電動客車暗電流系統(tǒng)性分析與驗證*
：純電動客車 暗電流 長尺度測量法 停運(yùn)時長1 前言車輛長期停運(yùn)時，暗電流（Dark Current）的存在導(dǎo)致汽車低壓蓄電池虧電，從而造成車輛起動困難或無法起動。不同配置車型的車載電氣設(shè)備數(shù)量及其功率差異很大，盡管相關(guān)文獻(xiàn)對純電動乘用車和傳統(tǒng)動力客車的暗電流進(jìn)行了一些探討[1-3]，也給出了業(yè)內(nèi)主流客車產(chǎn)品的整車暗電流參考上限29～71 mA[1]，但該上限范圍并不滿足純電動客車用戶的實際使用需求（待機(jī)時長偏短），行業(yè)內(nèi)暫未對純電動客車的整車暗電流展開詳
汽車技術(shù) 2023年9期2023-09-26
- WO3/β-Ga2O3 異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器的高溫性能*
,該探測器的光暗電流比為3.05×106,響應(yīng)度為2.7 mA/W,探測度為1.51×1013 Jones,外量子效率為1.32%.隨著溫度的升高,器件的暗電流增加、光電流減少,導(dǎo)致上述光電探測性能的下降.為了理清高溫環(huán)境下探測性能退化的內(nèi)在物理機(jī)制,研究了溫度對光生載流子產(chǎn)生—復(fù)合過程的影響,繼而闡明了高溫對光電流增益機(jī)制的影響.研究發(fā)現(xiàn),WO3/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)光電探測器能夠在450 K 的高溫環(huán)境中實現(xiàn)穩(wěn)定的自供電工作,表明全氧化物異質(zhì)結(jié)探測器在
物理學(xué)報 2023年16期2023-09-06
- 基于CIS 暗電平校正算法研究與實現(xiàn)
異，CIS 的暗電流始終高于同尺寸的CCD[2]。暗電流限制了CIS 的性能如動態(tài)范圍、靈敏度，引入固定模式噪聲(FPN, fixed pattern noise)和瞬時噪聲。因此，在在圖像處理階段，采用暗電平校正算法對其進(jìn)行校正是很有必要的。1 CMOS圖像傳感器芯片結(jié)構(gòu)CMOS 圖像傳感器芯片是由像素陣列(Pixel Array)、可編程放大器(PGA)、圖像信號處理(ISP)、模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)、時序控制(Timing Control)、行解碼(Ro
電子技術(shù)與軟件工程 2023年5期2023-05-17
- p 型接觸界面氧影響SiC APD 暗電流的機(jī)制研究
D 能夠?qū)崿F(xiàn)低暗電流(10-12A)、高增益(104以上)和高量子效率(峰值量子效率50%),并且能夠成功實現(xiàn)微弱紫外光探測,最優(yōu)異的單光子探測效率達(dá)到30%。在器件結(jié)構(gòu)中,電極/半導(dǎo)體之間良好的歐姆接觸對于探測性能至關(guān)重要。高溫退火是形成良好SiC 歐姆接觸的常用方法,其中,n型SiC 的歐姆接觸比較成熟,通常采用Ni 基金屬體系,通過氮?dú)夥諊?00 ℃條件下的高溫退火能夠形成良好的歐姆接觸,比接觸電阻率可以達(dá)到10-6Ω·cm2[4]。Al 基、Ni
電子元件與材料 2023年1期2023-03-07
- 傳輸柵摻雜對CMOS有源像素滿阱容量及暗電流的影響
王倩，徐江濤，高志遠(yuǎn)，陳全民（天津大學(xué)微電子學(xué)院天津市成像與感知微電子技術(shù)重點(diǎn)實驗室，天津 300072）0 IntroductionIn recent years，Pinned Photodiode（PPD）CMOS Image Sensors（CISs）are widely used in consumer electronics and other fields due to their high performance and low cost［1
光子學(xué)報 2022年11期2022-11-26
- 1 064 nm連續(xù)激光輻照硅基APD探測器電學(xué)性能退化的研究
了合理的解釋。暗電流和響應(yīng)度是硅基APD探測器重要的電學(xué)參數(shù)。本論文通過開展1 064 nm連續(xù)激光輻照硅基APD探測器的實驗，并對探測器的暗電流和響應(yīng)度的測量結(jié)果進(jìn)行了分析，給出了暗電流和響應(yīng)度隨功率密度以及作用時間的變化規(guī)律，為激光輻照光電探測器機(jī)理研究的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和實驗依據(jù)。1 實驗在光電探測元件中，光譜響應(yīng)度（R）表征了光電探測器對不同波長入射光的響應(yīng)，光譜響應(yīng)度的值越大，探測器的靈敏度越高。其數(shù)值為測試輸出電流信號與入射光功率比。實驗過程中
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年4期2022-11-15
- CMOS 有源像素傳感器輻射損傷對星敏感器星圖識別影響機(jī)理與識別算法*
OS APS 暗電流噪聲、暗信號非均勻性噪聲和光響應(yīng)非均勻性噪聲與星點(diǎn)質(zhì)心定位誤差的定量關(guān)系.研究結(jié)果表明60Co-γ 射線輻照后星敏感器星圖背景灰度均值增大、星點(diǎn)識別數(shù)量減少,CMOS APS 輻照后噪聲增大導(dǎo)致星點(diǎn)質(zhì)心定位誤差增大,從而影響星敏感器的姿態(tài)定位精度,該研究結(jié)果為高精度星敏感器的設(shè)計和抗輻射加固提供一定的理論依據(jù).1 引言星敏感器作為衛(wèi)星姿軌控系統(tǒng)的重要組成部分,對發(fā)射階段和在軌飛行時衛(wèi)星的姿態(tài)控制有極為關(guān)鍵的作用[1].星敏感器首先通過拍
物理學(xué)報 2022年18期2022-09-30
- 用于位置檢測的光電二極管參數(shù)分析
制，這種模式的暗電流最小，應(yīng)用于太陽能電池；光導(dǎo)模式需要外加偏壓，外加的偏壓使PN結(jié)耗盡區(qū)的寬度增加，響應(yīng)度增大，結(jié)電容變小，響應(yīng)度趨于直線，這種模式下暗電流比較大，同時響應(yīng)速度快，光電流大，適用于高速位置檢測系統(tǒng)[1]。其產(chǎn)生光電流原理如圖1所示。圖1 光電二極管產(chǎn)生光電流原理1 光電二極管在位置檢測中的作用在位置檢測時，特定波長的光入射到光電二極管傳感器，在反向偏置電壓（Ub）下產(chǎn)生光電流（I），光電流與入射光強(qiáng)（E）具有很好的線性特性，如圖2所示。通
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年3期2022-09-09
- InGaAs/Si鍵合界面a-Si鍵合層厚度對InGaAs/Si雪崩光電二極管性能的影響
位錯，使得器件暗電流變大。雖然后續(xù)該課題組將鍵合溫度降低至300°C 并實現(xiàn)氣泡的消除［24］，然而鍵合界面晶格失配問題仍沒能得到解決。為徹底消除InGaAs/Si 晶格失配對位錯成核的影響，在鍵合界面引入非晶半導(dǎo)體鍵合層（如a-Si、a-Ge）是理想的選擇，非晶半導(dǎo)體由于沒有晶格，因此與單晶InGaAs 之間不存在晶格失配，失配位錯成核的源頭被徹底根除。其次，非晶半導(dǎo)體鍵合不僅可以消除晶格失配的影響，而且可以保證薄膜材料的光電特性，更重要的是相比于絕緣氧
光子學(xué)報 2022年2期2022-03-24
- CMOS成像式亮度計的暗電流校準(zhǔn)方法
足等因素會產(chǎn)生暗電流［5］。文獻(xiàn)［6］表明，暗電流會影響采集圖像灰度值的大小，這導(dǎo)致CMOS成像式亮度計在亮度測量時會存在誤差。因此，為減小暗電流帶來的測量誤差，需對CMOS成像式亮度計進(jìn)行暗電流校準(zhǔn)。根據(jù)目前可查閱到的文獻(xiàn)，對CMOS成像式亮度計在暗電流上的校準(zhǔn)還有待研究。文獻(xiàn)［7］中，對暗電流的校準(zhǔn)，僅分析了曝光時間對暗幅圖像灰度值的影響，忽略了曝光參數(shù)與其他程控參數(shù)的制約關(guān)系。因此，本文提出一種CMOS成像式亮度計的暗電流校準(zhǔn)方法。該方法通過分析不同
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年1期2022-03-07
- 開放實驗設(shè)計：利用地基DOAS技術(shù)測量大氣中NO2濃度
，獲取其偏置、暗電流、電子噪聲和線性度等重要參量，對光譜儀工作性能進(jìn)行綜合判定.利用光譜儀和望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)測量太陽散射光譜，設(shè)置合理的反演波段、氣體截面和擬合多項式階數(shù)等參數(shù)，對測量光譜進(jìn)行反演獲取對流層NO2濃度.1.2 教學(xué)目的了解DOAS技術(shù)的基本原理，能夠完成指導(dǎo)老師分配的任務(wù)；對光譜儀進(jìn)行性能測試，通過結(jié)果對光譜儀性能進(jìn)行初步評估，通過查閱文獻(xiàn)確定NO2的反演設(shè)置（波段、吸收截面、參考譜選取等）.掌握利用DOAS儀器測量太陽光譜的一般步驟，對測量的太
淮北師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2021年4期2021-12-17
- 高能質(zhì)子輻照導(dǎo)致電荷耦合器件性能退化研究
效應(yīng)導(dǎo)致CCD暗電流和電荷轉(zhuǎn)移效率等參數(shù)退化，對CCD的成像性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響[11]。因此，對于應(yīng)用于空間環(huán)境中的CCD，必須開展輻射效應(yīng)地面模擬試驗，評估CCD參數(shù)和成像性能在高能質(zhì)子輻照下的退化情況。由于空間應(yīng)用的CCD一般位于衛(wèi)星殼體內(nèi)，受衛(wèi)星外殼屏蔽及光學(xué)載荷鏡頭等的影響，質(zhì)子能譜分布發(fā)生變化。如對于某LEO軌道的地球輻射帶質(zhì)子能譜分布情況進(jìn)行粗略計算，當(dāng)Al屏蔽球殼厚度為2.54 mm時，質(zhì)子能譜分布的峰值能量約為30 MeV；當(dāng)Al屏蔽球殼厚度
現(xiàn)代應(yīng)用物理 2021年3期2021-11-10
- 海洋光學(xué)USB2000+光纖光譜儀的系統(tǒng)性偏差分析
、響應(yīng)線性度、暗電流漂移等方面均存在系統(tǒng)性偏差，并最終導(dǎo)致采集到的數(shù)據(jù)發(fā)生明顯偏差。本文針對這些問題，進(jìn)一步提出了提高海洋光學(xué)USB2000+測量精確度的方法，以此提高數(shù)據(jù)質(zhì)量。關(guān)鍵詞：海洋光學(xué)USB2000+? ASD FieldSpec4光譜儀? 系統(tǒng)性偏差? 定量分析? 定標(biāo)中圖分類號：TH74 ? ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文章編號：1674-098X（2021）03（a）-0121-09Systematic
科技創(chuàng)新導(dǎo)報 2021年7期2021-07-28
- 硅光電二極管結(jié)構(gòu)特性研究
電流很小，稱為暗電流，范圍在1×10-8A 到1×10-9A 之間，此時相當(dāng)于光電二極管截止；當(dāng)有光照射時，PN 結(jié)受光子轟擊，吸收光子能量的價電子被激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對，相比多數(shù)載流子來說這些被激發(fā)的載流子影響并不大，但對P、N 區(qū)的少數(shù)載流子來說，少子數(shù)量明顯增加。通過反向電壓的作用，反向飽和漏電流大幅提升，形成了光電流，該光電流隨入射光強(qiáng)度的變化而相應(yīng)變化[2]。大部分光電器件應(yīng)用產(chǎn)品正是基于這一原理使各自功能得以實現(xiàn)。2 硅光電二極管基本結(jié)構(gòu)及原理光
微處理機(jī) 2021年1期2021-03-04
- 基于暗電流CMOS圖像傳感器固定模式噪聲校正研究
電路偏置及像元暗電流所形成的偏置FPN(Offset FPN)，此類FPN通過幀間相減法可以有效抑制[3-4]；(2)由輸出放大電路增益不一致性引入的增益FPN(Gain FPN)，此類FPN嚴(yán)重影響了圖像質(zhì)量。目前消除增益FPN噪聲的方法有很多種：(1)基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)非均勻性校正[5]；(2)基于估計的非線性校正[1]；(3)采用圖像處理方法對CMOS圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行低通濾波處理；(4)基于灰度補(bǔ)償?shù)姆蔷鶆蛐孕Ｕ萚6]。除了第3種處理方法外，其余校正方法都需
液晶與顯示 2021年2期2021-03-02
- 背景暗電流抑制的紅外探測器讀出電路輸入級設(shè)計
了一種帶有背景暗電流抑制功能的CTIA型讀出電路輸入級結(jié)構(gòu)。經(jīng)過仿真驗證,其性能優(yōu)良,可實現(xiàn)紅外探測器讀出電路對短波信號長積分時間下的背景暗電流抑制,未來可廣泛用于紅外焦平面線列、面陣以及其他陣列傳感器中。2 帶有背景暗電流抑制功能的CTIA型讀出電路輸入級設(shè)計2.1 電路結(jié)構(gòu)設(shè)計傳統(tǒng)的CTIA型讀出電路輸入級,如圖2所示,是由一個反向運(yùn)放和反饋積分電容Cint構(gòu)成的一種復(fù)位積分器。探測器等效模型detector由并聯(lián)的理想電流源、電阻和電容組成。圖2 傳
激光與紅外 2021年1期2021-02-07
- 純電動汽車輔助蓄電池選型方案設(shè)計
理論計算、整車暗電流計算校核、實車驗證等方面提供了一個對純電動汽車輔助蓄電池選型案例，實現(xiàn)了提高輔助蓄電池選型的準(zhǔn)確性、延長輔助蓄電池使用壽命等目標(biāo)。關(guān)鍵詞：純電動汽車;輔助蓄電池;暗電流;選型中圖分類號：U469.7 ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼：B ?文章編號：1671-7988（2020）20-08-03Abstract： In terms of the difficult to select auxiliary battery for battery electr
汽車實用技術(shù) 2020年20期2020-11-23
- 不同電極材料MSM紫外探測器性能研究
電子遷移率、低暗電流、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性[2-4]等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于紫外探測器件材料。在氮化鎵的材料生長過程中,一般采用藍(lán)寶石、Si和SiC等外延生長GaN薄膜[5-6]。為了提高GaN基紫外探測器性能,可使用不同的探測器結(jié)構(gòu),如p-i-n結(jié)構(gòu)、肖特基結(jié)構(gòu)和MSM結(jié)構(gòu)器件[7]。其中,MSM器件由于結(jié)構(gòu)簡單,簡化了制造工藝,吸引了大多數(shù)研究人員的關(guān)注。MSM結(jié)構(gòu)包括背靠背金屬半導(dǎo)體(MS)觸點(diǎn),其中采用相同金屬電極和不同金屬電極器件，被定義為對稱MSM和非對
邵陽學(xué)院學(xué)報（自然科學(xué)版） 2020年3期2020-07-06
- 一種碲鎘汞長波紅外探測器暗電流測試方法
境以遏制自身的暗電流水平,因此需要長期研究探測器的暗電流參數(shù)。暗電流會直接提高探測器的無效輸出信號,無效輸出信號的增加勢必減少探測器讀出電路的有效輸出范圍。降低探測器的有效信號,同時暗電流還會提高探測器的噪聲、降低探測器的信噪比。降低目標(biāo)識別距離。尤其是隨著碲鎘汞探測器波長的延長,暗電流輸出成指數(shù)式增加。碲鎘汞紅外焦平面探測器的暗電流一般是在無法接受到外界熱輻射的狀態(tài)下進(jìn)行測試,這種方法在實驗室是比較容易實現(xiàn)的[3]。一般進(jìn)行紅外探測器研制的單位均具有這種
激光與紅外 2020年5期2020-06-07
- “高分七號”衛(wèi)星雙線陣相機(jī)暗電流特性分析及校正
衛(wèi)星雙線陣相機(jī)暗電流特性分析及校正張斐然 董方 劉冰潔 李陽 李春梅 董書莉（北京空間機(jī)電研究所，北京 100094）暗電流的有效去除能夠提高相機(jī)動態(tài)范圍，提高相機(jī)在低輻照條件下的成像能力。文章對“高分七號”衛(wèi)星雙線陣相機(jī)應(yīng)用的兩款CCD各譜段的暗電流及其噪聲特性進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上分別選取了不同的暗電流估計方法，給出了校正算法的數(shù)學(xué)模型，利用FPGA開發(fā)工具對校正算法進(jìn)行了實現(xiàn)，應(yīng)用中分析了影響校正效果的各種因素。使用標(biāo)定的暗電流估計系數(shù)進(jìn)行暗電流校正
航天返回與遙感 2020年2期2020-05-21
- Study on the photo response of a CMOS sensorintegrated with PIN photodiodes
age 圖8 暗電流與偏置電壓大小的關(guān)系Fig.9 Relationship between dark current and pixel size 圖9 暗電流與尺寸L的變化關(guān)系It can be seen that under the same area and bias voltage, the dark current of a PIN photodiode is larger than that of a PN photodiode, gener
中國光學(xué) 2019年5期2019-10-22
- 基于LM98640的TDI-CCD暗場扣除方法
制，研究人員對暗電流的產(chǎn)生機(jī)理[1]、信噪比[2]、電路結(jié)構(gòu)[3-4]進(jìn)行了分析，通過模擬偏置扣除或圖像處理[5-7]的方法抑制暗場響應(yīng)。這些方法重點(diǎn)對系統(tǒng)設(shè)計原理和噪聲進(jìn)行了分析，對暗電流的處理方法討論尚不夠深入。本文基于視頻處理器LM98640，設(shè)計了一種數(shù)字負(fù)反饋的模擬處理方法。通過統(tǒng)計暗場下的圖像灰度，實時調(diào)整LM98640的偏置參數(shù)，將模擬扣除和數(shù)字處理相結(jié)合，實現(xiàn)暗場噪聲的電路抑制。2 TDI-CCD暗場噪聲2.1 暗電流TDI-CCD暗電流(
液晶與顯示 2019年6期2019-07-25
- 空間高速InGaAs-PIN光電二極管輻射損傷效應(yīng)試驗研究
致光電流減小與暗電流增大，影響光電二極管可探測的最小光功率。針對可見光波段的硅基PIN光電二極管的輻射損傷效應(yīng)，國內(nèi)外開展了大量研究，得到了較為全面的輻射損傷數(shù)據(jù)[8-11]。但是，對于InGaAs等紅外波段光電二極管，尤其是應(yīng)用于空間激光通信的高性能PIN光電二極管的輻射損傷效應(yīng)數(shù)據(jù)相對缺乏。本文利用質(zhì)子、中子和伽馬射線輻照源輻照激光通信系統(tǒng)擬選用的新型高速InGaAs-PIN光電二極管，并對其輻射損傷效應(yīng)開展對比研究，分析電離與位移損傷對PIN光電探測
航天器環(huán)境工程 2019年2期2019-04-25
- 雙軸模擬式太陽敏感器測試鏈誤差分析及修正
/D轉(zhuǎn)換系數(shù)及暗電流等環(huán)節(jié)存在的偏差，會直接影響各象限光生電流間的相對關(guān)系，進(jìn)而影響雙軸模太的測量精度，目前尚未有相關(guān)文獻(xiàn)對此進(jìn)行定量分析和有效修正。通常的做法是對測試鏈路的轉(zhuǎn)換精度及其一致性提出較高要求，從而加重了后處理電路的實現(xiàn)負(fù)擔(dān)。為此，本文基于數(shù)值仿真，針對測試鏈路的影響進(jìn)行了定量分析，并提出了校準(zhǔn)和補(bǔ)償算法，在不改變測試鏈路指標(biāo)的情況下，有效提高了敏感器的測量精度，也為其他多路信號源敏感器的后處理實現(xiàn)提供了參考。1 雙軸模太工作原理雙軸模太采用四
中國空間科學(xué)技術(shù) 2019年1期2019-04-04
- SOI基柵控橫向PIN藍(lán)紫光探測器溫度特性研究
在襯底漏電流和暗電流大及靈敏度低等缺陷。絕緣襯底上的硅(SOI)薄膜器件是在絕緣層上的半導(dǎo)體薄膜中制造器件，具有漏電流小，寄生電容小，無閂鎖效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，受到國內(nèi)外研究者的高度重視，被視為21世紀(jì)的微電子技術(shù)。韓志濤等提出的SOI薄膜藍(lán)紫光探測器，在450 nm波長時，響應(yīng)度為0.348 A/W。在波長為900 nm時，響應(yīng)度僅為0.054 A/W，能有效抑制長波光[2]。J. Chu等提出的SOI薄膜縱向PN結(jié)光電二極管，在波長為480 nm時，量子效率為
壓電與聲光 2019年1期2019-02-22
- 星敏感器用4T像素CMOS圖像傳感器總劑量效應(yīng)研究*
暗場情況下產(chǎn)生暗電流.PPD表面的Si-SiO2區(qū)域輻照效應(yīng)機(jī)理與STI區(qū)域一致，均為輻照后界面態(tài)及陷阱電荷密度增加.但由于在PPD表面有層重?fù)诫s的P+區(qū)域，該部分重?fù)诫s區(qū)域可以將N-PPD區(qū)域與Si-SiO2的界面態(tài)和陷阱電荷進(jìn)行隔離，因此該部分區(qū)域?qū)?span id="j5i0abt0b" class="hl">暗電流影響較小.由于短波基本在Si表面吸收，因此該部分區(qū)域的短波吸收產(chǎn)生的光生電荷將被復(fù)合或者被俘獲，導(dǎo)致光生電荷減少，表現(xiàn)為器件光強(qiáng)減弱.TG柵氧層區(qū)域由于PPD內(nèi)的光生電荷需要通過TG下方溝道轉(zhuǎn)移到FD
空間控制技術(shù)與應(yīng)用 2018年6期2019-01-22
- 電子輻照導(dǎo)致CMOS圖像傳感器性能退化
主要輻照損傷是暗電流大幅度增加，初步認(rèn)為是由光電二極管周邊的漏電流造成的。2008--2012年，Goiffon研究小組對0.18 μm工藝的CMOS APS進(jìn)行γ射線輻照實驗，證實了氧化物缺陷電荷是引起暗電流增大的主要原因，且和界面態(tài)引起暗電流相比，氧化物缺陷電荷引起的暗電流要高出兩個數(shù)量級[7-9]。2012年,Tan等對4T晶體管(4 transistors, 4T)CMOS圖像傳感器進(jìn)行了X射線輻照實驗。結(jié)果表明，輻照后淺槽隔離(shallow t
現(xiàn)代應(yīng)用物理 2018年4期2019-01-08
- 基于量子點(diǎn)紅外探測器暗電流模型研究
有結(jié)果表明隨著暗電流的增加，會讓量子阱紅外探測器的貢獻(xiàn)出電子的施主雜質(zhì)分布不均勻而影響探測器的工作效率，而量子點(diǎn)紅外探測器由于將量子阱的結(jié)構(gòu)換成了點(diǎn)陣式的結(jié)構(gòu)，所以更加靈敏并且有更高的光電增益。在本次文章中，根據(jù)文獻(xiàn)[2]的結(jié)論將量子點(diǎn)紅外探測器處于一個黑暗的環(huán)境中，不讓它受到光照的影響，通過本次提出的算法，將對于它的一些重要參數(shù)進(jìn)行分析并得出影響量子點(diǎn)紅外探測器的參數(shù)。1 量子點(diǎn)紅外探測器理論基礎(chǔ)量子點(diǎn)紅外探測器一般是由一疊量子點(diǎn)陣列（例如InGaAs/
電子設(shè)計工程 2018年23期2018-12-15
- 汽車暗電流探討
，鄭燮理?汽車暗電流探討曾嘉，鄭燮理（成都工貿(mào)職業(yè)技術(shù)學(xué)院，四川 成都 610000）文章介紹汽車暗電流的產(chǎn)生原因和相關(guān)危害、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)探討，及幾種常見汽車暗電流檢測方法。暗電流；檢測；標(biāo)準(zhǔn)前言全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和文化的進(jìn)步，日常生活中人們越來越需要汽車，對汽車便利性和舒適度的要求比以往更高。這對汽車電源控制提出了新的標(biāo)準(zhǔn)，暗電流的控制與檢測顯得愈發(fā)重要。隨著車載電器進(jìn)入智能化和多樣化的同時，汽車電瓶容量也隨之增大，汽車暗電流也會越來越大。而如何防止暗電流引起的
汽車實用技術(shù) 2018年22期2018-12-05
- 短波碲鎘汞電子雪崩二極管的模擬仿真
偏壓下,器件的暗電流水平限制了器件的靈敏度和可用雪崩增益,因此改善暗電流特性是獲得高性能碲鎘汞雪崩二極管器件的關(guān)鍵。本文采用silvaco仿真軟件對短波(x=0.43)N-on-P平面PIN結(jié)構(gòu)的碲鎘汞e-APD器件的暗電流、雪崩增益及量子效率進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,合理設(shè)計器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化材料生長工藝及器件制造工藝可以改善暗電流特性,是獲得高性能碲鎘汞e-APD器件的關(guān)鍵。2 數(shù)值模型2.1 器件結(jié)構(gòu)器件的仿真模擬是求解由泊松方程、電子與空穴的連續(xù)性
激光與紅外 2018年8期2018-08-28
- nBn型InSb紅外器件性能仿真
有效降低SRH暗電流、直接隧穿電流和陷阱輔助隧穿電流等結(jié)生暗電流,同時,由于在nBn器件結(jié)構(gòu)中吸收區(qū)掩埋在寬禁帶的勢壘區(qū)下,起到了類似于鈍化的效果,器件表面漏電也大大降低。因此,相比于傳統(tǒng)器件,其可以在更高的工作溫度達(dá)到相同的探測性能。圖1 nBn結(jié)構(gòu)器件的能帶示意圖nBn結(jié)構(gòu)已廣泛應(yīng)用于超晶格、MCT、InAs(InAsSb)等材料中。2014年,法國Montpellier大學(xué)和SOFRADIR公司第一次報道了nBn結(jié)構(gòu)的高溫工作InSb紅外探測器[1]
激光與紅外 2018年7期2018-08-08
- 不同鈍化結(jié)構(gòu)對非極性AlGaN-MSM紫外探測器性能的提升
7測試了器件的暗電流特性;并利用光源為150 W的氙燈，經(jīng)過Si探測器定標(biāo)后，通過計算機(jī)從鎖相放大器讀數(shù)的光譜響應(yīng)測試系統(tǒng)測量了非極性AlGaN-MSM紫外探測器的光譜響應(yīng)度，測試偏壓為5 V。圖1 非極性AlGaN-MSMSEM圖圖2 非極性AlGaN的光致發(fā)光光譜，插圖為表面形貌。3 結(jié)果與討論3.1 樣品與器件的基本特性非極性AlGaN-MSM紫外探測器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，可以清楚看到叉指電極的形狀，沒有發(fā)生粘連現(xiàn)象;探測器的光照面積較大，指間距與指寬
發(fā)光學(xué)報 2018年7期2018-07-11
- 太陽能電池的動態(tài)模型和動態(tài)特性
電池光電流減去暗電流就可以得到它的輸出電流。而在對基爾霍夫電流定理研究之后可以發(fā)現(xiàn)，太陽能電池動態(tài)模型的最佳狀態(tài)應(yīng)該為等效結(jié)電容、光生電流源以及理想二極管的并聯(lián)電路。如果考慮引線的寄生電感以及寄生電阻，就可以得到實際的太陽能電池動態(tài)模型。具體如圖1所示。其中，RD為二極管的小信號動態(tài)電阻，CD等效結(jié)電容。圖1 太陽能電池的動態(tài)模型3 太陽能電池的動態(tài)特性3.1 太陽能電池特性分析（1）太陽電池等效電路的最佳狀態(tài)。太陽能電池中的電流，主要由相反方向的光電流以
商品與質(zhì)量 2018年48期2018-05-24
- N型太陽電池漏電的表征及應(yīng)對措施
陽電池 漏電 暗電流 反向ELN型太陽電池是在堿式化學(xué)制絨的N型硅片上，通過硼磷管式分步擴(kuò)散制備正面P型發(fā)射結(jié)和背面N+區(qū)，然后通過PECVD技術(shù)在前后表面制備鈍化層和減反膜，正反面電極使用常規(guī)絲網(wǎng)印刷工藝完成。由于N型太陽電池在制備過程中工藝復(fù)雜，時間長，所以電池造成缺陷的原因更不容易被查找出來。在N型太陽電池的生產(chǎn)過程中，漏電流過大一直是主要問題。晶體硅太陽電池的漏電流也叫旁路結(jié)，是因為太陽電池的P-N結(jié)被短路而使光生載流子復(fù)合的一種現(xiàn)象，嚴(yán)重影響著太
電子技術(shù)與軟件工程 2018年9期2018-02-25
- GaN基p-i-n和肖特基紫外探測器的響應(yīng)光譜及暗電流特性
器的響應(yīng)光譜及暗電流特性易淋凱1， 黃佳琳1， 周 梅1*， 李春燕1*， 趙德剛2(1. 中國農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院 應(yīng)用物理系， 北京 100083； 2. 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 集成光電子國家重點(diǎn)實驗室， 北京 100083)研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探測器的響應(yīng)光譜和暗電流特性。實驗發(fā)現(xiàn)，隨著p-GaN層厚度的增加，p-i-n型紫外探測器的響應(yīng)度下降，并且在短波處下降更加明顯。肖特基探測器的響應(yīng)度明顯比p-i-n結(jié)構(gòu)高，主要是由于p-GaN
發(fā)光學(xué)報 2017年10期2017-10-10
- 純電動汽車暗電流分析及應(yīng)對
0）純電動汽車暗電流分析及應(yīng)對陳 庚，周莉博，劉宗閣，段明雙（河南新鄉(xiāng)新能電動汽車有限公司，河南 新鄉(xiāng) 453000）純電動汽車搭載有高壓動力電池和低壓輔助鉛酸蓄電池，高壓動力電池作為動力系統(tǒng)的驅(qū)動電源，而鉛酸蓄電池作為低壓部件的工作及信號轉(zhuǎn)換、傳輸電源。本文討論的是利用DC/DC變換器及整車控制器VCU，檢測并自動間歇性補(bǔ)充鉛酸蓄電池電量，可基本解決因暗電流過大引起的車輛無法起動問題。純電動汽車；鉛酸蓄電池；DC/DC轉(zhuǎn)換器；暗電流隨著國家政策的大力扶持
汽車電器 2017年6期2017-07-12
- 子像元結(jié)構(gòu)碲鎘汞光伏器件暗電流特性的研究
碲鎘汞光伏器件暗電流特性的研究喬 輝，李向陽（中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 中科院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實驗室，上海 200083）針對碲鎘汞光伏器件的暗電流隨著物理面積增大而急劇增加，研究了子像元結(jié)構(gòu)在降低大面積短波碲鎘汞光伏器件暗電流方面的有效性。發(fā)現(xiàn)子像元結(jié)構(gòu)在室溫下相比常規(guī)結(jié)構(gòu)可以有效降低器件的暗電流，但當(dāng)溫度降到180K時，常規(guī)結(jié)構(gòu)器件反而具有最小的暗電流，經(jīng)過分析認(rèn)為是子像元邊界處引入的表面漏電所致。如果器件的表面態(tài)密度和表面固定電荷過多，會使
紅外技術(shù) 2017年6期2017-03-23
- 客車暗電流探討
1023）客車暗電流探討黃磊（廈門金龍聯(lián)合汽車工業(yè)有限公司金龍客車工程研究院，福建廈門361023）介紹客車暗電流的產(chǎn)生原因和相關(guān)危害，重點(diǎn)分析幾種客車暗電流檢測方法的特點(diǎn)，從客車零部件設(shè)計、整車電氣設(shè)計和用戶使用等環(huán)節(jié)闡述客車暗電流的處治，并提出制定客車暗電流相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議?？蛙?；暗電流；檢測；處治；標(biāo)準(zhǔn)客車蓄電池虧電是客車電氣故障中的常見現(xiàn)象，具體是指客車行駛中蓄電池逐漸失去電量，以致客車起動困難或電器工作不正常的現(xiàn)象。導(dǎo)致客車蓄電池虧電的原因有三類［
客車技術(shù)與研究 2016年3期2016-09-07
- 多層石墨烯納米帶光電探測器理論與性能分析
漏極間光電流及暗電流與入射光能量的關(guān)系,探討了探測器的偏置電壓,耗盡層長度以及帶隙取值對暗電流的影響,并分析了不同參數(shù)下探測器響應(yīng)率以及探測率隨入射光能量的變化關(guān)系。結(jié)果表明,探測器的響應(yīng)率隨納米帶層數(shù)的增加而增加,受帶隙,耗盡層長度和偏置電壓的影響,最大的響應(yīng)率約為103A·W-1; 通過限制上柵壓,帶隙等變量可以控制系統(tǒng)暗電流,增大探測器的探測率,最高探測率約為109cm·Hz1/2·W-1。多層石墨烯納米帶結(jié)構(gòu)可以增強(qiáng)探測器對入射光的吸收,提高探測器
光譜學(xué)與光譜分析 2016年12期2016-06-05
- 溫度對4管像素結(jié)構(gòu)CMOS圖像傳感器性能參數(shù)的影響
量、飽和輸出和暗電流等參數(shù)隨溫度的變化規(guī)律。實驗結(jié)果表明，隨著溫度的升高，樣品器件的轉(zhuǎn)換增益從0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,飽和輸出從4 030 DN下降到3 396 DN，并且暗電流從22.9 e·pixel-1·s-1增長到649 e·pixel-1·s-1。其中器件轉(zhuǎn)換增益的減小應(yīng)主要?dú)w因于載流子遷移率隨溫度升高而下降使得像素后端讀出電路增益降低；飽和輸出的降低則是因為轉(zhuǎn)換增益的降低，因為轉(zhuǎn)換增益隨溫度變化對飽和輸出的影
發(fā)光學(xué)報 2016年3期2016-05-04
- 紅外焦平面探測器暗電流計算
外焦平面探測器暗電流計算毛京湘，舒 暢，王曉娟，謝 剛，黃俊博，周嘉鼎（昆明物理研究所，云南 昆明 650223）紅外焦平面探測器的暗電流一般是在零視場（即盲冷屏）條件下進(jìn)行測試，但這種測試方法必須改變組件結(jié)構(gòu)，只適用于實驗室測試。介紹了一種不需要改變組件結(jié)構(gòu)，僅通過基本的性能測試就可以從理論上分析計算得到紅外焦平面器件暗電流的方法。對320×256長波探測器組件的試驗結(jié)果表明，用該方法得到的暗電流結(jié)果與用盲冷屏得到的暗電流結(jié)果非常接近，可作為紅外焦平面探
紅外技術(shù) 2016年3期2016-03-28
- 新型復(fù)合蓋層延伸波長InGaAs紅外探測器結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計
僅降低10%，暗電流降低了1個數(shù)量級。計算分析了不同工作溫度下的暗電流，結(jié)果顯示：在120～250 K時，暗電流主要為缺陷隧穿電流；在250～300 K時，暗電流主要為帶間隧穿電流；當(dāng)溫度大于300 K時，暗電流主要為產(chǎn)生-復(fù)合電流和擴(kuò)散電流。紅外探測器；APSYS；蓋層；光譜響應(yīng)度；暗電流1 引 言工作在1～3μm的近紅外探測器件在空間遙感、大氣監(jiān)測、資源勘探等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用［1］。InGaAs材料可以覆蓋1～3μm近紅外波段，具有高吸收系數(shù)、高遷移
發(fā)光學(xué)報 2015年1期2015-10-17
- 長波HgCdTe紅外探測器的暗電流機(jī)理研究進(jìn)展
e紅外探測器的暗電流機(jī)理研究進(jìn)展陳效雙，許 嬌，胡偉達(dá)，王 俊，陳勇國，黃 燕，周孝好，陸 衛(wèi)（中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 紅外物理國家重點(diǎn)實驗室 上海 200083）介紹了HgCdTe紅外探測器的發(fā)展歷程，詳細(xì)分析了長波HgCdTe紅外探測器的暗電流機(jī)制、采用同時擬合方法對暗電流參數(shù)進(jìn)行提取與分析，介紹了為降低暗電流的一些新的研究進(jìn)展。長波HgCdTe紅外探測器；暗電流；非線性同時擬合方法；混合表面鈍化0 引言紅外輻射是介于可見光和微波之間的電磁波，是
紅外技術(shù) 2015年5期2015-04-03
- 模塊化光電倍增管實驗開發(fā)
了對光電倍增管暗電流、光電特性、伏安特性的測量. 模塊化的實驗平臺組合使得儀器裝置具有良好的開放性，有利于學(xué)生直觀認(rèn)識掌握光電倍增管的工作原理以及性能參量的物理意義.光電倍增管；暗電流；伏安特性；光電特性1 引 言光電倍增管是一種以光電效應(yīng)、二次電子發(fā)射和電子光學(xué)理論為原理基礎(chǔ)的真空光電發(fā)射器件. 它把微弱入射光轉(zhuǎn)換成光電子，并獲得倍增，具有極高靈敏度和超快時間響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn). 一些具有里程碑意義的近代物理實驗都離不開光電倍增管的運(yùn)用，如塞曼效應(yīng)、氫光譜實驗、
物理實驗 2015年6期2015-03-10
- 一種肖特基勢壘增強(qiáng)型N?AlGaN基MSM日盲紫外光電探測器
N層后探測器的暗電流大幅度減小。在5 V偏壓下，覆蓋高阻AlGaN層的光電探測器的暗電流為1.6 pA，響應(yīng)度為22.5 mA/W，日盲紫外抑制比大于103，探測率為6.3×1010cm·Hz1/2/W。探測器；紫外光電探測器；鋁鎵氮；日盲；肖特基勢壘0 引言AlGaN半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的物理化學(xué)特性、逐漸成熟的材料生長技術(shù)和可覆蓋日盲紫外區(qū)的直接帶隙（3.4～6.2 eV），是制作日盲紫外探測器的理想材料。日盲紫外探測器在導(dǎo)彈制導(dǎo)與預(yù)警、火焰預(yù)警、化學(xué)/
現(xiàn)代電子技術(shù) 2015年4期2015-02-21
- 基于太陽能光伏電池電流特性的探析
、太陽電池內(nèi)的暗電流（一）光伏電池暗電流的形成因素半導(dǎo)體PN 結(jié)的暗電流是指在沒有光照的條件下，給PN 結(jié)加反偏電壓（N 區(qū)接電源正極，P 區(qū)接電源負(fù)極）時產(chǎn)生的反向電流。因為加在PN 結(jié)上的反向電壓使得PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)建電場變大，電子的電勢能增加，使得P 區(qū)和N 區(qū)的多數(shù)載流子就很難越過內(nèi)建電場，多子的擴(kuò)散電流幾乎為零。隨著內(nèi)建電場的增加，N 區(qū)和P 區(qū)中的少子漂移運(yùn)動更加容易，暗電流的產(chǎn)生不可避免。對單純的PN 結(jié)而言，暗電流可以認(rèn)為是PN
滁州職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報 2015年3期2015-01-21
- CCD表面暗電流特性研究
度、量子效率、暗電流、噪聲等CCD參數(shù)中，低暗電流一直是CCD研發(fā)人員的努力方向［1］。CCD暗電流由Si－SiO2界面的表面暗電流、耗盡區(qū)的耗盡區(qū)暗電流和場自由區(qū)的擴(kuò)散電流組成［2］，其中表面暗電流占據(jù)CCD暗電流的主導(dǎo)地位。為了抑制表面暗電流，多相釘扎(Multi－Pinned Phase，MPP)、所有柵釘扎(All Gate Pinned，AGP)和反型工作模式(Inverted Operation Mode，IOM)等工作模式都可在CCD表面的硅
電子科技 2014年5期2014-12-18
- 溫控系統(tǒng)在DOAS下對SO2檢測中的設(shè)計與應(yīng)用
響CCD電路的暗電流，尤其是在光譜成像的數(shù)據(jù)分析中，暗電流會降低成像范圍并且增加CCD噪聲,帶來了系統(tǒng)的誤差[4-5]。同時采樣氣體的吸收光譜也會隨著溫度的變化而產(chǎn)生改變，以致影響反演的準(zhǔn)確性[6-7]。本實驗將溫度控制裝置[8]應(yīng)用在現(xiàn)有DOAS監(jiān)測裝置下，對DOAS系統(tǒng)進(jìn)行溫度監(jiān)控和調(diào)節(jié)。在使用溫控裝置將裝置的溫度調(diào)整在各個不同值下，對CCD的信號平均強(qiáng)度與曝光時間進(jìn)行線性擬合，得到CCD暗電流隨溫度的變化關(guān)系，驗證了CCD暗電流隨溫度升高成指數(shù)增長。
網(wǎng)絡(luò)安全與數(shù)據(jù)管理 2014年2期2014-11-10
- 基于針-針電極直流高壓電暈放電暗電流測量大氣相對濕度的研究
流高壓電暈放電暗電流測量大氣相對濕度的研究姚德新,鄒應(yīng)全*,蔣 沛(南京信息工程大學(xué)電子與信息工程學(xué)院,南京 210044)為了研究直流高壓電暈放電暗電流與大氣相對濕度的關(guān)系,為大氣濕度的測量提供新的方法。采用針-針電極結(jié)構(gòu)的直流高壓放電模型,通過氣體放電理論推導(dǎo)了暗電流與濕度的理論關(guān)系;建立暗電流測量的實驗?zāi)Ｐ?測量不同輸入高壓和不同濕度下電極外回路放電暗電流。實驗結(jié)果與理論計算的規(guī)律一致,為電暈放電暗電流測量大氣濕度的研究提供了理論和實驗依據(jù)。實驗和計
傳感技術(shù)學(xué)報 2014年12期2014-09-06
- 太赫茲量子阱探測器的暗電流抑制電路研究
量子阱探測器的暗電流抑制電路研究董 明1，郭旭光1，譚智勇1，劉曉艷2，郭方敏2，曹俊誠1(1.中國科學(xué)院大學(xué)上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所太赫茲固態(tài)技術(shù)重點(diǎn)實驗室，上海 200050; 2.華東師范大學(xué)教育部極化材料與器件實驗室，上海 200241)主要研究了太赫茲量子阱探測器讀出電路中的暗電流抑制模塊。首先從理論上分析了太赫茲量子阱探測器產(chǎn)生暗電流和光電流的原理。由于太赫茲量子阱探測器中電子輸運(yùn)行為非常復(fù)雜，難以通過理論推導(dǎo)建立精確等效電路模型的解析表達(dá)式
激光與紅外 2014年4期2014-04-19
- 碲鎘汞長波探測器暗電流優(yōu)化模擬
3－4］。而其暗電流水平是決定探測器性能的關(guān)鍵要素，直接影響到紅外系統(tǒng)的目標(biāo)識別距離和虛警率，必須研究并盡量減小暗電流的影響，因此對HgCdTe紅外探測器的暗電流研究具有非常重要的理論和實際意義。借助于公式算法或者軟件進(jìn)行器件工藝仿真模擬是個不錯的方向，國內(nèi)外有很多利用算法以及軟件對 HgCdTe 材料及器件進(jìn)行仿真模擬［5－12］，取得了不錯的效果，極大地節(jié)約了金錢和時間成本。本篇文章基于Silvaco半導(dǎo)體仿真軟件，針對HgCdTe長波探測器的暗電流進(jìn)
激光與紅外 2014年1期2014-01-23
- GaN基APD日盲紫外探測器讀出電路設(shè)計*
高反向偏壓下，暗電流和光電流都被放大。因此，高增益的代價是噪聲增加，在設(shè)計時必須綜合考慮噪聲特性和雪崩增益［5］。本文設(shè)計了一種適用于工作在線性模式下的大規(guī)模GaN基APD陣列的讀出電路，其中針對APD的工作特性專門設(shè)計了高壓保護(hù)電路和暗電流消除電路。針對二級運(yùn)放專門設(shè)計了電流偏置電路、帶隙基準(zhǔn)電壓電路，并用小規(guī)模陣列讀出電路進(jìn)行了驗證。1 日盲紫外APD探測器的工作模式和特性APD探測焦平面陣列(FPA)是由APD探測器陣列和讀出電路(ROIC)陣列組成
電子器件 2013年5期2013-12-29
- 模糊PID算法的溫度控制在CCD上的應(yīng)用
儀的檢測器件。暗電流是CCD的重要性能指標(biāo)之一，也是主要噪聲源，尤其是在光譜成像的數(shù)據(jù)分析中，暗電流會降低成像范圍并且增加CCD噪聲。溫度的變化會對CCD暗電流產(chǎn)生影響，一般都隨溫度升高而大幅增加。此外溫度也會影響電路板上放大電路的增益，導(dǎo)致輸入信號被放大后，出現(xiàn)增益誤差[4]。所以對CCD的溫度控制具有重要的意義。本文通過實驗驗證，CCD暗電流會隨溫度的下降呈指數(shù)下降，當(dāng)溫度達(dá)到20℃以下時，暗電流的變化較為平緩。使用模糊PID的溫控理論實現(xiàn)對CCD最佳
網(wǎng)絡(luò)安全與數(shù)據(jù)管理 2013年7期2013-08-16
- 太陽能電池的溫度特性研究
隨著溫度的上升暗電流急劇增加。在此，忽略短路電流隨溫度的變化，取300K的短路電流值為參考值，與暗電流進(jìn)行作圖比較，其變化趨勢如圖4所示。圖4 不同溫度下的暗電流曲線在輸出電壓小于0.6 V的工作狀態(tài)下，暗電流幾乎為零，溫度對其影響可以忽略；隨著輸出電壓的繼續(xù)增加，暗電流急劇上升，當(dāng)Jdark＝Jsc時，電池輸出電壓達(dá)到開路電壓，同時，溫度的影響明顯加強(qiáng)，300 K時，輸出電壓為0.81 V，暗電流與Jsc相當(dāng)，而溫度為350 K時，電池輸出電壓0.73
通信電源技術(shù) 2013年1期2013-07-18
- 熱退火對氮鋁鎵MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測器性能的影響
具有制作簡單、暗電流小、響應(yīng)度大、響應(yīng)時間快等優(yōu)點(diǎn)，是目前紫外光電探測器主要采用的結(jié)構(gòu)之一。眾所周知，對薄膜進(jìn)行熱退火處理，可以提高薄膜的晶體質(zhì)量，同樣對二極管器件進(jìn)行熱退火處理可以降低器件的暗電流[10]。因此，本文通過對AlxGa1-xN探測器進(jìn)行熱退火處理的辦法，降低其暗電流并對退火條件下器件的其它參數(shù)進(jìn)行了分析。1 實驗本實驗分別采用三甲基鎵(TMGa)和三甲基鋁(TMAl)作為Ga源和Al源，載氣選用(99.999%)H2。首先，藍(lán)寶石襯底上生長
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2011年2期2011-03-16
- AgCam傳感器平場校正*
器CCD陣列的暗電流(Dark Current),漸暈效應(yīng)(Vegnitting Effect)和光電響應(yīng)(Quantum Efficiency)的校正系數(shù)。AgCam的定標(biāo)實驗數(shù)據(jù)和實際拍攝圖像處理結(jié)果表明,該方法能夠有效地對AgCam的平場效應(yīng)進(jìn)行校正。平場校正;光電響應(yīng);漸暈效應(yīng);最小二乘擬合;國際空間站AgCam是由美國University of North Dakota開發(fā)的裝載在國際空間站上的對地觀測傳感器,此項目由美國航空航天局資助,目的是為
中國海洋大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2010年9期2010-01-08
- CCD溫度對星敏感器星點(diǎn)定位精度的影響
例，對CCD的暗電流、暗電流散粒噪聲、暗電流不均勻噪聲等的溫度特性進(jìn)行了實驗測量.研究了CCD溫度對星敏感器星點(diǎn)定位精度的影響，結(jié)果表明：對于DV437-BU2型CCD芯片，當(dāng)CCD工作溫度高于300 K時，降溫可以顯著提高星敏感器星點(diǎn)定位精度，當(dāng)CCD工作溫度低于300 K時，降溫對星點(diǎn)定位精度的影響不明顯；當(dāng)溫度由330K降到300K時，星點(diǎn)定位精度由0.12個像素提高至0.078個像素.CCD；噪聲；星敏感器；定位精度；致冷星敏感器是一種高精度的姿態(tài)
空間控制技術(shù)與應(yīng)用 2009年6期2009-12-12
- ７５１型分光光度計的使用與維護(hù)
插入比色皿座內(nèi)暗電流閘門的前面,在白紙上可觀察到黃色單色光。正常情況下它是一個明亮完整的長方形的均勻光斑。如果不是這樣,就可將光源燈罩移去,旋松位置固定螺絲,移動前后及左右位置,使觀察到的光斑亮度最強(qiáng),均勻完整,然后重新將此螺絲緊固。再調(diào)節(jié)鎢燈固定板上的三只調(diào)節(jié)螺釘和燈的亮度,以進(jìn)一步改善光斑質(zhì)量。必要時可調(diào)節(jié)濾光片滑塊下小方孔內(nèi)的調(diào)節(jié)螺釘,以改變?nèi)肷浣嵌取?二)氫弧燈的調(diào)節(jié)。將反射鏡手柄撥向氫弧燈位置,接通氫弧燈開關(guān),將濾光片滑塊放在空蕩上,取一片白紙插
活力 2009年3期2009-11-16