陳偉澤, 喻子彧, 覃淮青, 盧志民, 2, 姚順春, 2*
1. 華南理工大學(xué)電力學(xué)院, 廣東 廣州 510640 2. 廣東省能源高效低污染轉(zhuǎn)化與工程技術(shù)研究中心, 廣東 廣州 510640
煤電行業(yè)是CO2排放的最大單一來(lái)源, 實(shí)施煤電的深度節(jié)能改造, 降低燃煤電廠單位發(fā)電量煤耗是發(fā)電行業(yè)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的必經(jīng)之路[1]。 對(duì)入爐煤煤質(zhì)、 飛灰含碳量的在線檢測(cè)有助于鍋爐運(yùn)行的實(shí)時(shí)優(yōu)化調(diào)整。 近年來(lái), 基于光譜學(xué)原理的煤質(zhì)檢測(cè)技術(shù)[2-7]蓬勃發(fā)展, 部分技術(shù)已經(jīng)在燃煤電廠實(shí)際運(yùn)行中得到應(yīng)用。 激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)(LIBS)作為典型的光譜分析技術(shù)也被廣泛嘗試應(yīng)用于粉末材料成分檢測(cè)領(lǐng)域, 可滿(mǎn)足燃煤電廠入爐煤煤質(zhì)和飛灰含碳量的檢測(cè)需求, 而且能實(shí)現(xiàn)在輸煤皮帶上對(duì)煤質(zhì)的直接測(cè)量[8-10]。 然而脈沖激光器的高成本及耐用性暫時(shí)限制了其在工業(yè)領(lǐng)域的長(zhǎng)期運(yùn)行。 與LIBS原理相似的另一種原子發(fā)射光譜分析技術(shù)——脈沖放電擊穿等離子光譜技術(shù)(SIBS), 利用高能脈沖電源作為激發(fā)源, 設(shè)備耐用性強(qiáng), 成本低[11-12]。 同時(shí), 脈沖放電等離子體較之激光等離子體, 具有體積大、 持續(xù)時(shí)間長(zhǎng), 激發(fā)位置穩(wěn)定等特點(diǎn)[13]。 Srungaram[14]等對(duì)比了LIBS和SIBS對(duì)壓片和堆積形態(tài)的土壤中汞含量的檢測(cè)性能, SIBS和LIBS的檢出限分別為20和483 mg·kg-1, SIBS在低濃度下的測(cè)量效果更優(yōu)。 Diwakar[12]等采用顆粒富集濃縮的手段實(shí)現(xiàn)了對(duì)空氣中微量元素Na、 Cr、 Si、 Pb的實(shí)時(shí)分析, 鎢電極在5 Hz的條件下連續(xù)放電12 000次后光譜信噪比仍然保持穩(wěn)定, 驗(yàn)證了SIBS長(zhǎng)期檢測(cè)的能力。 彭飛飛[15]等在SIBS的基礎(chǔ)上, 采用了激光點(diǎn)火輔助脈沖放電誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)檢測(cè)合金材料中的痕量銅元素, 檢出限達(dá)到了0.7 mg·kg-1。 Belkov[16]等運(yùn)用脈沖放電加熱輔助LIBS進(jìn)行土壤中碳的測(cè)定, 經(jīng)脈沖放電加熱的激光等離子體, 其C 833.5 nm峰值信號(hào)增強(qiáng)比是單激光等離子體的20倍, 含碳量定標(biāo)曲線的擬合度為0.97。 上述研究表明, SIBS適用于固體材料的快速分析, 常見(jiàn)的樣品形態(tài)為壓片和堆積狀。 通過(guò)激光輔助手段在樣品壓片表面先形成等離子體, 增加了測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜性。 直接擊穿堆積狀樣品, 存在樣品重復(fù)激發(fā)的干擾, 同時(shí)脈沖放電能量對(duì)樣品的沖擊會(huì)影響光學(xué)檢測(cè)。 在此基礎(chǔ)上, 作者所在團(tuán)隊(duì)[17]提出了一種顆粒流-脈沖放電擊穿等離子體光譜技術(shù)(particle flow-spark induced breakdown spectroscopy, PF-SIBS), 并將其應(yīng)用于煤、 飛灰等顆粒樣品的直接測(cè)定。
SIBS實(shí)驗(yàn)通常選擇導(dǎo)電良好、 耐高溫的材料作為電極。 最為常見(jiàn)的電極是鎢電極, 其導(dǎo)電率為5.65×10-6Ω·cm, 熔點(diǎn)為3 370 ℃, 適用于SIBS的長(zhǎng)期穩(wěn)定測(cè)量。 然而, 鎢電極燒蝕激發(fā)產(chǎn)生的W 247.78 nm特征峰與碳元素特征譜線C 247.86 nm特征峰極為接近, 二者特征峰存在重疊部分, 會(huì)對(duì)煤、 飛灰、 生物質(zhì)、 土壤等樣品中碳元素含量的測(cè)定造成較大的干擾。 常見(jiàn)的C-W譜線干擾修正方法為理論比值法[18], 通過(guò)理論計(jì)算和空白實(shí)驗(yàn)確定同一線系W元素譜線強(qiáng)度比, 利用不受干擾的W 248.88 nm積分強(qiáng)度來(lái)扣除C-W重疊區(qū)域的W 247.78 nm的積分強(qiáng)度。 作者所在團(tuán)隊(duì)[19]通過(guò)SIBS方法開(kāi)展了飛灰顆粒流含碳量測(cè)量的定量分析研究, 結(jié)果表明, 鎢電極激發(fā)的等離子體光譜中, W 247.78 nm譜線會(huì)對(duì)C 247.86 nm譜線產(chǎn)生明顯干擾, 通過(guò)理論比值法修正譜線干擾后的C 247.86 nm信號(hào)強(qiáng)度與飛灰含碳量具有良好的線性相關(guān)性, 多元校正模型的回歸系數(shù)R2和平均絕對(duì)誤差分別為0.987和0.15%。 因此, 對(duì)W 247.78 nm譜線干擾進(jìn)行修正以提高等離子體信號(hào)的質(zhì)量十分必要。 此外, 作者所在團(tuán)隊(duì)還探究了不同光譜探測(cè)位置下脈沖放電等離子體的溫度差異, 以C 247.86 nm信背比為單一評(píng)價(jià)指標(biāo)確定了最佳光譜探測(cè)位置, 但未考慮W 247.78 nm在不同探測(cè)位置下的實(shí)際干擾情況, 沒(méi)有深入分析電極元素譜線干擾的機(jī)理。
由于電極元素譜線由電極尖端的燒蝕激發(fā)引入, 而空氣和顆粒元素譜線由電極之間的空氣及樣品燒蝕解離激發(fā), 所以等離子體中各元素譜線非均勻分布, 目標(biāo)樣品譜線與干擾譜線存在空間分布差異。 因此, 通過(guò)觀測(cè)電極通道間放電通道的產(chǎn)生和維持過(guò)程、 電極間等離子體產(chǎn)生和消亡過(guò)程, 解析等離子體內(nèi)電極、 樣品及空氣元素特征譜線的分布規(guī)律, 深入探究了光譜干擾的形成機(jī)制。 最后根據(jù)譜線空間分布規(guī)律優(yōu)化了光譜探測(cè)位置, 有效減弱C-W譜線干擾效應(yīng)。
采用的PF-SIBS實(shí)驗(yàn)臺(tái)架如圖1所示, 主要包括高壓脈沖電源及電極、 給粉機(jī)、 雙通道光譜儀、 光機(jī)組件、 脈沖信號(hào)發(fā)生器(DG535)和計(jì)算機(jī)。 高壓脈沖電源(HVA-102N10, 山東東儀光電儀器有限公司)是脈沖放電等離子體的激發(fā)源, 輸出電壓為4.5 kV, 脈沖頻率為2 Hz。 配合電源使用的放電電極為純度99.99%的鎢電極, 直徑為2 mm, 錐角為20°, 兩個(gè)電極尖端之間的距離始終保持在2 mm。 給粉機(jī)采用壓電式振動(dòng)給粉機(jī)(PEF-90A, 日本三木), 形成自由下落的固體顆粒流, 固體顆粒落入脈沖放電等離子體時(shí)被擊穿燒蝕。 等離子體光譜由一組聚焦透鏡(L1和L2)采集至光纖, 最終傳輸至光譜儀進(jìn)行分析。 光譜儀采用波長(zhǎng)范圍分別是235~400和575~790 nm的雙通道光譜儀(Avspec-2048, Avantes, Holland), 光譜分辨率分別為0.05~0.10 nm, 積分時(shí)間為1.05 ms。 由DG535控制, 雙通道光譜儀在高壓脈沖電源啟動(dòng)10μs后開(kāi)始采集光譜, 即延遲時(shí)間為10 μs。
圖1 PF-SIBS實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)示意圖
實(shí)驗(yàn)中為避免復(fù)雜樣品帶來(lái)額外的譜線干擾, 選擇平均粒徑為45 μm、 含碳量為99%的化學(xué)純石墨粉(購(gòu)自東莞瀚輝石墨有限公司)作為顆粒流樣品。 給粉機(jī)調(diào)節(jié)石墨顆粒流的質(zhì)量流量為1.2 g·min-1, 流束直徑約為4 mm。 為了探測(cè)等離子體不同區(qū)域的光譜信號(hào), 實(shí)驗(yàn)中不斷改變平移底座的行程, 實(shí)現(xiàn)收光焦點(diǎn)在等離子體上的橫向移動(dòng)。 同時(shí)為了分析脈沖放電等離子體的演化過(guò)程以及等離子體全周期特征元素的空間分布規(guī)律, 還采用了高速攝像機(jī)(Fastcam Mini UX50, Photron)和ICCD相機(jī)(DH734, Andor)拍攝等離子體圖像, 由DG535控制延遲時(shí)間。 將雙通道光譜儀替換成高速攝像機(jī)或ICCD相機(jī), 其他裝置與上述一致, 進(jìn)行等離子體圖像拍攝。 高速攝像機(jī)延遲時(shí)間設(shè)置為0.1 μs, 幀數(shù)為25 000 fps, 單張圖像的曝光時(shí)間為1/256 000 s(約4 μs), 從而獲得等離子體演化過(guò)程不同階段的圖像。 ICCD相機(jī)的延遲時(shí)間和門(mén)寬分別設(shè)置為10 μs和1.05 ms, 與光譜儀一致, 配合使用分析譜線中心波長(zhǎng)的濾光片, 獲得等離子體內(nèi)空氣特征元素(N)與電極特征元素(W)的空間分布圖像。 探測(cè)N譜線的濾光片(FB740-10, Thorlabs)中心波長(zhǎng)為740 nm, 通帶半高寬(10±2) nm, 通帶最大透過(guò)率為65%, 在此范圍能探測(cè)到N 742.36 nm、 N744.23 nm和N 746.83 nm; 探測(cè)W譜線的濾光片(FB380-10, Thorlabs)中心波長(zhǎng)為380 nm, 通帶半高寬(10±2) nm, 通帶最大透過(guò)率為32%, 在此范圍內(nèi)能夠探測(cè)到信噪比較強(qiáng)的W Ⅱ 379.34 nm和W Ⅱ 380.45 nm。
電極間石墨粉的顆粒數(shù)密度和顆粒分布時(shí)刻變化, 存在無(wú)效擊穿或擊穿不充分的情況[18], 導(dǎo)致原始數(shù)據(jù)中可能存在無(wú)法真實(shí)反映樣品元素信息的無(wú)效光譜, 所以將其剔除有助于降低測(cè)量誤差。 計(jì)算CN 388.18 nm特征峰上七個(gè)像素點(diǎn)信號(hào)強(qiáng)度之間的標(biāo)準(zhǔn)偏差值[20], 將標(biāo)準(zhǔn)偏差值低于100的光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行剔除。 對(duì)原始光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行篩選之后, 為了進(jìn)一步減小測(cè)量偏差, 按激發(fā)順序, 取前兩百個(gè)有效光譜平均得到一個(gè)新的光譜并計(jì)算此兩百個(gè)有效光譜之間的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(脈沖間光譜信號(hào)RSD), 選取特征譜線C 247.86 nm、 W 247.78 nm、 N 744.23 nm作為石墨顆粒、 電極和空氣介質(zhì)的分析譜線。
常見(jiàn)的光譜探測(cè)位置為兩電極間距中心, 探測(cè)延時(shí)為1~30 μs[17, 21-23]。 因此, 仍選擇兩電極間距中心為探測(cè)位置, 并以C-W譜線信號(hào)強(qiáng)度比為評(píng)價(jià)指標(biāo)進(jìn)行探測(cè)延時(shí)優(yōu)化實(shí)驗(yàn), 確定光譜探測(cè)最優(yōu)延時(shí)為10 μs。 等離子體特征譜線的展寬機(jī)制主要是Stark展寬和Doppler展寬, 二者結(jié)合導(dǎo)致特征譜線的線型趨近于Voigt曲線。 C-W譜線疊加導(dǎo)致特征峰信號(hào)強(qiáng)度的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值高于真實(shí)值, 利用Voigt函數(shù)對(duì)C-W重疊譜線進(jìn)行分峰擬合可得到各特征峰信號(hào)強(qiáng)度的分峰擬合值。 C-W重疊譜線的分峰擬合如圖2所示, 其中圖2(a)為C-W譜線分峰擬合結(jié)果, 黑色點(diǎn)實(shí)線為實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值; 黑色劃線為分峰擬合后C 247.86 nm和W 247.78 nm的波峰, 是C 247.86 nm和W 247.78 nm的分峰擬合值; 紅色實(shí)線為分峰擬合后C 247.86 nm和W 247.78 nm波峰分峰擬合值的疊加; 圖2(b)為N 742.36 nm、 N 744.23 nm、 N 746.83 nm的擬合結(jié)果, 黑色點(diǎn)實(shí)線為實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值, 紅色實(shí)線為擬合后的分峰擬合值。 由Voigt函數(shù)擬合的結(jié)果記錄各特征峰信號(hào)強(qiáng)度, 如表1所示。 從表中的數(shù)據(jù)可以看出, 三條N元素譜線的分峰擬合值與觀測(cè)值較為接近, 沒(méi)有明顯的譜線干擾; 而C 247.86 nm譜線信號(hào)強(qiáng)度的分峰擬合值和實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值之比僅有86.02%, W 247.78 nm對(duì)C247.86 nm的疊加導(dǎo)致C 247.86 nm信號(hào)強(qiáng)度分峰擬合值與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值相差較大。
表1 優(yōu)化前C-W分峰擬合結(jié)果
圖2 特征譜線擬合結(jié)果
圖3是高速相機(jī)拍攝放電等離子體的演化過(guò)程。 圖3(a)—(d)反映了等離子體的產(chǎn)生過(guò)程, 在此階段陰極金屬的蒸發(fā)濺射膨脹, 并在電磁力的約束下形成沿電極尖端連線對(duì)稱(chēng)的等離子體, 此時(shí)陰極附近等離子體強(qiáng)度大于陽(yáng)極。 在放電等離子體形成前期, 等離子體的產(chǎn)生源自于陰極斑點(diǎn)[24]。 陰極尖端區(qū)域使得電場(chǎng)強(qiáng)度提升幾百倍, 形成場(chǎng)致放電, 陰極附近的電子發(fā)射密度急劇上升導(dǎo)致陰極區(qū)域焦耳熱增強(qiáng), 促使陰極金屬蒸發(fā)濺射。 金屬蒸汽與高能電子發(fā)生碰撞電離, 在陰極附近產(chǎn)生金屬離子; 電子的運(yùn)動(dòng)速度遠(yuǎn)高于正離子, 因此陰極附近堆積了大量金屬正離子, 使得陰極表面的電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng), 從而維持了陰極斑點(diǎn)的存在。 電子在電場(chǎng)的作用下, 向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)并加熱和電離電極間隙氣體介質(zhì)的分子或原子, 形成從陰極向陽(yáng)極的放電通道[25]。
圖3 等離子體演化過(guò)程(左側(cè)陰極, 右側(cè)陽(yáng)極)
圖3(e)—(h)顯示了等離子體消亡的過(guò)程。 陰極附近的等離子體率先湮滅, 電極間隙的等離子體光強(qiáng)從陽(yáng)極向陰極逐漸減弱, 并且分化為陽(yáng)極尖端光斑和電極間隙光弧兩部分, 最終消失。 上述拍攝的等離子體由不同特征元素的離子及中性原子組成, 通過(guò)配合使用分析譜線中心波長(zhǎng)濾光片的ICCD對(duì)等離子體的W和N元素譜線進(jìn)行區(qū)分。 ICCD實(shí)驗(yàn)采用平均粒徑為50 μm的化學(xué)純石英砂作為實(shí)驗(yàn)樣品, 分析W元素譜線的強(qiáng)度分布情況。
圖4顯示了等離子體的N和W譜線強(qiáng)度空間分布情況。 陽(yáng)極尖端處的光斑為N譜線的強(qiáng)度核心; 而W譜線強(qiáng)度主要集中在陰極附近范圍并向陽(yáng)極沿伸。 上述現(xiàn)象表明, 放電等離子體存在于電極尖端之間, 特征元素譜線強(qiáng)度在等離子體內(nèi)分布不均。 由于光纖透鏡組通過(guò)焦點(diǎn)收光, 僅探測(cè)到等離子體的局部區(qū)域, 據(jù)此將等離子體激發(fā)區(qū)域劃分為五個(gè)光譜探測(cè)位置, 設(shè)計(jì)了如圖5所示的光譜儀探測(cè)方案, 電極中心為0 mm, 陰極尖端為-1.0 mm, 陽(yáng)極尖端為1.0 mm, 橫向移動(dòng)光纖探頭, 使得光纖透鏡組的收光焦點(diǎn)中心(焦點(diǎn)光斑小于0.5 mm)分別聚焦在-1.0、 -0.5、 0、 0.5和1.0 mm處, 獲得不同探測(cè)位置下C、 W、 N元素特征譜線強(qiáng)度在等離子體激發(fā)區(qū)域內(nèi)的分布規(guī)律。
圖4 特征譜線二維分布
圖5 光譜探測(cè)位置設(shè)置示意圖
圖6是空氣等離子體特征譜線強(qiáng)度及脈沖間光譜信號(hào)RSD隨探測(cè)位置的變化規(guī)律。 從陰極到陽(yáng)極的過(guò)程中, W譜線信號(hào)強(qiáng)度呈現(xiàn)逐漸衰減的趨勢(shì), 信號(hào)強(qiáng)度波動(dòng)也逐漸增強(qiáng); N譜線信號(hào)強(qiáng)度呈現(xiàn)逐漸增強(qiáng)的趨勢(shì), 信號(hào)強(qiáng)度波動(dòng)逐漸減弱。 圖7是石墨等離子體特征譜線強(qiáng)度及脈沖間光譜信號(hào)RSD隨探測(cè)位置的變化規(guī)律。 W和N譜線與擊穿空氣實(shí)驗(yàn)呈現(xiàn)相同的變化規(guī)律, C譜線信號(hào)強(qiáng)度在電極中心處最大, 沿兩電極方向逐漸減弱。
圖6 空氣等離子體光譜特征譜線的信號(hào)強(qiáng)度(點(diǎn)線圖)及波動(dòng)性(柱形圖)
圖7 石墨等離子體光譜特征譜線的信號(hào)強(qiáng)度(點(diǎn)線圖)及波動(dòng)性(柱形圖)
由特征譜線信號(hào)強(qiáng)度隨光譜探測(cè)位置的變化規(guī)律可知, 等離子體中C、 W、 N三種特征元素激發(fā)特性的差異導(dǎo)致等離子體內(nèi)的特征譜線分布不均。
電子是放電能量的主要載體, 其從陰極發(fā)射到陽(yáng)極過(guò)程中, 逐步與電極金屬、 石墨及空氣發(fā)生雪崩式碰撞電離, 搭建并維持由電子和正離子組成的放電通道。 類(lèi)似的尖端對(duì)尖端脈沖放電研究顯示, 約30%的能量用來(lái)加熱和電離空氣介質(zhì), 更多的能量用于電極金屬的蒸發(fā)電離[26]。 在陰極尖端區(qū)域, 電子由陰極尖端發(fā)射, 產(chǎn)生的焦耳熱使得陰極金屬蒸發(fā)濺射膨脹, 其膨脹過(guò)程產(chǎn)生的沖擊將部分樣品和空氣推出陰極區(qū)域; 在放電通道中部, 電子進(jìn)一步與密集的石墨顆粒流發(fā)生碰撞電離; 在陽(yáng)極尖端區(qū)域, 剩余的放電能量難以燒蝕高熔點(diǎn)的電極金屬, 電子進(jìn)一步電離空氣介質(zhì), 并匯聚于陽(yáng)極。 相比于原子和離子, 電子的移動(dòng)速度較快, 是放電通道產(chǎn)生和維持的主要載體。 而特征元素的中性原子和離子占據(jù)在各自的激發(fā)區(qū)域內(nèi), 組成等離子體, 從而形成陰極金屬激發(fā)段、 中心顆粒激發(fā)段和陽(yáng)極空氣激發(fā)段。
前述實(shí)驗(yàn)分析了譜線干擾的形成機(jī)制, 電極元素譜線主要由陰極燒蝕激發(fā)產(chǎn)生, 靠近陰極處的放電能量主要用于電極的燒蝕。 因此, 探測(cè)碳元素譜線時(shí)應(yīng)盡量避開(kāi)陰極區(qū)域, 選擇放電能量主要用于激發(fā)石墨的區(qū)域。 如圖8所示, 隨光譜探測(cè)位置移動(dòng), C-W信號(hào)強(qiáng)度比值在0.5 mm處達(dá)到最大。 將0.5 mm處的C-W峰進(jìn)行分峰擬合, 結(jié)果如圖9所示, C 247.86 nm譜線強(qiáng)度在C-W重疊區(qū)域占主導(dǎo), C 247.86 nm的觀測(cè)值更接近分峰擬合值。
圖8 C-W信號(hào)強(qiáng)度比隨光譜探測(cè)位置移動(dòng)的變化規(guī)律
圖9 0.5 mm處C-W分峰擬合結(jié)果
表2記錄了不同光譜探測(cè)位置下C 247.86 nm峰值強(qiáng)度的分峰擬合值、 觀測(cè)值及二者比值, 比值表征分峰擬合值與觀測(cè)值的接近程度。 從表2所列結(jié)果可以看出, 在陰極區(qū)域之外分峰擬合值與觀測(cè)值的比值更加接近, 在0.5 mm處達(dá)到94.93%, 高于常規(guī)探測(cè)位置(0 mm)下的86.02%, 光譜探測(cè)位置優(yōu)化后W 247.78 nm對(duì)C 247.86 nm的譜線疊加干擾效應(yīng)顯著減弱。
表2 不同探測(cè)位置下C 247.86 nm信號(hào)強(qiáng)度對(duì)比
樣品元素C、 電極元素W、 空氣元素N的激發(fā)特性差異導(dǎo)致了其在放電等離子體中分布不均。 放電通道由陰極電子發(fā)射產(chǎn)生, 電極元素W主要來(lái)源于陰極的蒸發(fā)濺射膨脹。 隨著向陽(yáng)極放電過(guò)程的進(jìn)行, 電子進(jìn)一步蒸發(fā)電離密集的樣品顆粒流。 在陽(yáng)極尖端區(qū)域, 放電能量難以燒蝕高熔點(diǎn)的電極材料, 電子主要電離陽(yáng)極區(qū)域附近的空氣介質(zhì), 并匯聚于陽(yáng)極尖端。 根據(jù)放電通道的產(chǎn)生過(guò)程, 將放電區(qū)域劃分成陰極金屬激發(fā)區(qū)、 中心顆粒激發(fā)區(qū)和陽(yáng)極空氣激發(fā)區(qū), 電子從陰極到陽(yáng)極沿途電離產(chǎn)生電極、 樣品顆粒、 空氣的離子及其中性原子占據(jù)在各自的激發(fā)區(qū)域內(nèi), 形成等離子體, 并輻射出對(duì)應(yīng)的特征元素譜線。 根據(jù)上述的譜線干擾形成機(jī)制, 為減少W譜線對(duì)C譜線的疊加干擾, 將光譜探測(cè)位置從常見(jiàn)的0 mm處移動(dòng)至0.5 mm, C-W信號(hào)強(qiáng)度比值從1.200提升到1.348, C 247.86 nm的分峰擬合值與觀測(cè)值之比從86.02%提升到94.93%, W 247.78 nm對(duì)C 247.86 nm的譜線觀測(cè)干擾顯著降低。
脈沖放電等離子體光譜是一種有效的定量分析手段, 具有樣品激發(fā)程度高、 等離子體位置穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn), 但也存在引入電極元素譜線干擾等缺點(diǎn), 對(duì)含碳樣品的影響尤為嚴(yán)重。 厘清脈沖放電等離子體的譜線干擾機(jī)制, 有助于指導(dǎo)根據(jù)目標(biāo)譜線的需求選擇最佳的光譜探測(cè)位置, 提升檢測(cè)含碳樣品的準(zhǔn)確度。