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      關(guān)于降低恒流段紋波的瞬變電磁發(fā)射電路研究*

      2024-01-15 06:57:14巫慶輝侯利民
      電氣工程學報 2023年4期
      關(guān)鍵詞:鉗位恒壓紋波

      巫慶輝 顧 鑫 唐 康 侯利民

      (遼寧工程技術(shù)大學電氣與控制工程學院 葫蘆島 125100)

      1 引言

      瞬變電磁法(Transient electromagnetic method,TEM)是利用不接地回線或接地線源向地下發(fā)射一次脈沖磁場,在一次脈沖磁場間歇期間利用線圈或接地電極觀測地下介質(zhì)中引起的二次感應渦流場,通過對二次場進行測量,來確定地下未知目標[1]。目前TEM 在大功率發(fā)射、電流關(guān)斷波形線性度和電流快速關(guān)斷等方面有很多難點,探測波形也不是理想的電流方波,理想的電流方波對地下目標體有更好的激發(fā)效果[2]。實際上,探測波形多為梯形波,作為整個探測過程的激發(fā)源,發(fā)射電流的波形十分重要,不僅發(fā)射電流恒流段波形會對接受信號有所干擾,電流關(guān)斷部分也會對早期感應場信號的收集產(chǎn)生影響,從而產(chǎn)生探測盲區(qū)[3],其中,如果恒流段的斜率不近似為,就會產(chǎn)生二次場從而會與發(fā)射電流下降段的感應場混合在一起,對接收信號產(chǎn)生較大的干擾[4-5]。所以要求恒流段盡可能線性,下降段時間盡可能短[6],這樣整個系統(tǒng)的探測能力就越好。為了獲得更為理想的探測波形,文獻[7]指出固定線圈所具有的恒定電感量和電阻值,可通過增加負載兩端電壓U來減小線圈中電流的關(guān)斷時間;文獻[8-10]提出了一種直接在負載兩端并聯(lián)雙向(Transient voltage suppression,TVS)管的無源恒壓鉗位方法,雖然在一定程度上減小了關(guān)斷時間,但TVS 管的通流容量較小,不能長期承受重復性的高能量脈沖,僅適用于小功率應用;文獻[11-12]采用吸收電路,可以減緩恒流段電流的上升速度,但是該方法效率低,且波形并沒達到理想的梯形波。文獻[13]提出(Pulse width modulation, PWM)斬波與恒壓鉗位控制瞬變電磁發(fā)射系統(tǒng),通過PWM 的控制使恒流段斜率近似為0,恒壓鉗位加速電流關(guān)斷,兩者結(jié)合形成新的發(fā)射系統(tǒng),該方法獲得的發(fā)射波形更接近于梯形波,但發(fā)射恒流段的紋波比較大。本文基于前人的經(jīng)驗,在PWM 斬波控制的基礎上,通過控制MOSFET 的關(guān)斷時間改變線路的阻值,從而降低發(fā)射恒流段紋波的峰值,使之更接近線性,并結(jié)合饋能型恒壓鉗位控制技術(shù),加速電流的關(guān)斷,得到更為理想的發(fā)射波形。

      2 發(fā)射系統(tǒng)總體方案設計

      發(fā)射系統(tǒng)的整體設計框架如圖1 所示,主要由發(fā)射橋路、驅(qū)動電路、鉗位電路、PWM 控制電路和新添加的可控電阻電路組成。其中,發(fā)射橋路為傳統(tǒng)的H 橋,主要由四個開關(guān)管組成,四個開關(guān)管的開關(guān)順序由PWM 信號控制從而使發(fā)射電流恒流段斜率近似為0。PWM 信號也對可控電阻電路有所控制,通過改變發(fā)射線圈的阻值進而優(yōu)化恒流段的紋波使紋波幅值變低更具有線性。在電流關(guān)斷過程中,鉗位電容兩端的電壓直接加在線圈兩端,從而加速電流下降,饋能電路中的饋能電感又將鉗位電容吸收的能量回饋給電源,不僅提高了電路效率,也維持了鉗位電容電壓的穩(wěn)定。

      圖1 發(fā)射電路結(jié)構(gòu)框圖

      3 發(fā)射電路的設計與控制

      3.1 PWM 控制技術(shù)

      本文通過STM32 單片機中的定時器產(chǎn)生PWM波形,在設計PWM 占空比時存在一個問題,當占空比為理想狀態(tài)下的50%時,發(fā)射波形的恒流段并不是所預期的斜率近似為0 的峰波(圖2),而是電流持續(xù)下降的峰波(圖3),當占空比較大時會出現(xiàn)如圖4 所示的電流上升的情況,所以為得到理想的恒流段斜率近似為0 的預期波形,對占空比的調(diào)制十分關(guān)鍵。

      圖2 預期恒流段波形仿真圖

      圖3 占空比較低時恒流段波形仿真圖

      圖4 占空比過大時恒流段波形仿真圖

      通過對發(fā)射電阻和發(fā)射電感兩端電壓的分析,有

      根據(jù)式(1)可知,由于前期電流上升段電流的不斷增加,發(fā)射電路等效電阻兩端的電壓也在增加,因此等效電感兩端的電壓就會相對減少,從而減少ΔI,當電流達到最大值時,電感兩端的電壓也最小,設開關(guān)導通時間為t1,關(guān)斷時間為t2,顯然ΔI1<ΔI2。

      3.2 恒壓鉗位控制電路

      通過PWM 斬波的控制可以控制開關(guān)管的關(guān)斷時間,也可以使電流上升段更具有線性度使電流快速上升,并且可調(diào)節(jié)發(fā)射電流恒流段的平穩(wěn)性,使整體波形更接近理想波形,但電流下降的速度遠沒有達到要求,通過文獻[14]提出的饋能型恒壓鉗位技術(shù),不僅可以縮小電流的關(guān)斷時間,還減少了發(fā)射系統(tǒng)的發(fā)熱損耗,提高了能量的利用效率,傳統(tǒng)饋能型恒壓鉗位的發(fā)射原理圖如圖5 所示。

      圖5 恒壓鉗位下的發(fā)射電路圖

      由于高頻斬波期間產(chǎn)生的紋波峰值較大,本文為減少紋波峰值使發(fā)射恒流段波形更接近于線性,所以在上述發(fā)射電路的基礎上,結(jié)合第3.1 節(jié)對發(fā)射電阻和發(fā)射電感兩端電壓的分析,設計出一種可以減少發(fā)射恒流段紋波幅值的發(fā)射電路,如圖6 所示,Q1、Q2、Q3、Q4組成發(fā)射電路的主橋路是電磁發(fā)射電路的主要回路;Q5和饋能電感L3控制鉗位電容C2,保持電壓穩(wěn)定;Q6、Q7控制電阻R5和R6的關(guān)斷,以便調(diào)整線路電阻的大小從而改變發(fā)射電感兩端的電壓以減小發(fā)射波形恒流段紋波的幅值,使波形更接近線性;R1、R5和R6構(gòu)成發(fā)射線圈的等效電阻;L2為發(fā)射線圈的等效電感。

      最終設計的主清掃器由陶瓷刮刀、安裝板以及安裝調(diào)節(jié)機構(gòu)組成,陶瓷刮片刮除皮帶面黏附物料,彈性安裝座具有一定的彈性,保證在不損傷皮帶的情況下陶瓷刮片與皮帶面貼合,有效地清除皮帶黏附物料。

      圖6 改進后的發(fā)射電路圖

      開關(guān)導通的時間如圖7 所示,T為發(fā)射電路工作的一個周期。發(fā)射電路的工作原理如下所述。

      圖7 開關(guān)管關(guān)斷時序圖

      (1) 在0~T/4期間內(nèi),開關(guān)管除了Q6全部關(guān)斷,發(fā)射電路無動作,所以輸出電壓UAB為0,輸出發(fā)射電流IAB也為0。

      (2) 在T/4~t1期間內(nèi),Q1、Q4、Q6導通,剩下的開關(guān)管關(guān)斷,電流經(jīng)過D1、Q1、R1、R5、L2、Q4,電路工作模態(tài)如圖8 所示。此時R1和R5并聯(lián),由于線路電阻變小,電源E可以快速給發(fā)射電感L2充電,并使發(fā)射電流達到預期值I0,此時電源直接加在AB 兩端,故UAB=E,而發(fā)射電流可以通過式(3)表示

      圖8 T/4~t1 期間電路工作模態(tài)圖

      式中,I0=I AB(t1)。

      (3) 在t1~T/2 期間內(nèi),Q1、Q4高頻斬波,Q6、Q7也高頻斬波,在Q1、Q4開通時,Q6、Q7關(guān)斷,此時R5、R6不工作,電源E與D1、Q1、R1、L2、Q4組成回路,此時線路電阻最大,電路工作模態(tài)如圖9 所示。由第3.1 節(jié)分析可知,L2兩端電壓減少,ΔI也隨之減少,所以電流上升速度緩慢,占空比不變的情況下,電流達到的峰值要小于傳統(tǒng)的恒壓鉗位發(fā)射電路,從而達到減小紋波幅值的效果;在Q1、Q4關(guān)斷時,Q6、Q7開通,電源E、D1、Q2、L2、Q3和R1、R5、R6三個電阻組成續(xù)流回路,電路工作模態(tài)如圖10 所示,此時R1、R5、R6三個電阻并聯(lián),此時線路電阻達到最小值,故ΔI增加,電流下降速度加快,由第3.1 節(jié)可知占空比要大于50%,開通時間要大于關(guān)斷時間,所以電流下降值和Q1、Q4開通時電流上升值達到平衡,從而使平頂段波形斜率近似為0,并使紋波幅值降低,達到本次控制效果,從而得到更理想的波形。

      圖9 t1~T/2 期間Q1 和Q4 導通時電路工作模態(tài)圖

      圖10 t1~T/2 期間Q1 和Q4 關(guān)斷時電路工作模態(tài)圖

      (4) 在T/2~t2期間內(nèi),D2和Q6導通,其余開關(guān)管全部關(guān)斷,線路電阻為步驟(2)中的R,此時R1和L2通過Q2、Q3、C2、Q5構(gòu)成回路,發(fā)射電流在鉗位電路的作用下達到快速下降的目的,電路工作模態(tài)如圖11 所示。在這個階段Q1~Q4全部關(guān)斷,鉗位電容兩端的電壓直接加在發(fā)射線圈AB 兩端,ΔI將遠大于關(guān)斷的瞬時值,因此電流下降迅速,線圈電流可以用式(4)表示

      圖11 T/2~t2 期間電路工作模態(tài)圖

      發(fā)射機開始工作時,負載線圈續(xù)流充電使鉗位電容兩端電壓不斷升高,鉗位電容兩端電壓通過電阻R2和R3的分壓得到,鉗位電容C2通過電位比較器的控制并通過Q5的關(guān)斷,釋放多余的能量,從而保持電壓穩(wěn)定。當C2電壓超過預設值URef1時,電位比較器輸出高電平從而使Q5導通,C2多余的能量通過饋能電感L3回饋給電源,直到C2電壓小于URef1時,Q5關(guān)斷,此時鉗位饋能環(huán)節(jié)結(jié)束并等待C2電壓再一次超過URef1,從而進行下一次鉗位饋能,電路工作模態(tài)如圖12所示。

      圖12 鉗位饋能環(huán)節(jié)電路工作模態(tài)圖

      (5) 在T/3~t4期間內(nèi),屬于電流的負半周期,主要圍繞Q2和Q3的開通與關(guān)斷以及高頻斬波,與T/4~t2的Q1和Q4工作情況類似,得到的電流反向。

      4 發(fā)射電路的參數(shù)設計與仿真結(jié)果

      4.1 發(fā)射電路的參數(shù)設計

      本次設計的發(fā)射系統(tǒng)采用24 V 的直流電源供電,發(fā)射電流控制在15 A 左右,發(fā)射電感L2為66 μH,PWM 占空比α設為70%,根據(jù)設計要求電流上升段線路等效電阻需要達到0.443 ?,高頻斬波期間,開關(guān)導通段線路電阻應大于電流上升段,開關(guān)關(guān)斷期間線路電阻應小于電流上升段,故本文將仿真中三個發(fā)射等效電阻的阻值設為R1=5 ?,R5=0.486 1 ?,R6=30 ?,考慮到66 μH 的電感線圈中自身就存在的電阻為0.02 ? 左右,所以實物設計中R5取0.47 ?,R1取4.3 ?,R6仍取30 ?。鉗位電容兩端的電壓可調(diào),令式(3)為零,即可得下降時間Δt為

      從式(5)可以看出,鉗位電壓EC越大,電流的關(guān)斷時間越短,考慮到設計要求和實際情況,本文的鉗位電壓EC設為100 V,鉗位電容C2=1 000 μF。通過計算理想狀態(tài)下電流的關(guān)斷時間為9.58 μs。通過式(4)對t求導,可得電流下降期間的斜率

      通常用式(7)表示下降的線性程度,一般來說γ越接近1,線性度就越高,當鉗位電壓EC越高時,Δt越小,γ越接近1,線性度也越好,將本文設計的參數(shù)Δt=9.58 μs,R=0.443 ?,L=66 μH 代入得到γ=0.938,基本符合線性要求。

      4.2 仿真結(jié)果

      根據(jù)上述設計的參數(shù),利用Matlab/Simulink 的仿真,其發(fā)射電流整體的仿真圖如圖13 所示,電流關(guān)斷區(qū)間放大圖如圖14 所示,可以看出本次設計的發(fā)射電路在理想的狀態(tài)下電流關(guān)斷時間為9.575 μs,和預期的關(guān)斷時間大致一樣。

      圖13 發(fā)射電流輸出仿真圖

      圖14 發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖

      圖15 是鉗位電壓為0 V 時發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖,其關(guān)斷時間為33.613 μs,圖16 是鉗位電壓為50 V 時發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖,其關(guān)斷時間為18.571 μs。本文設計的鉗位電壓為100 V,其仿真結(jié)果的關(guān)斷時間為9.575 μs,將三者相比,很明顯鉗位電壓越高,關(guān)斷時間也就越短,所以恒壓鉗位控制電路能有效地縮短發(fā)射電流的關(guān)斷時間,從而減少關(guān)斷期間拖尾電流對采集的數(shù)據(jù)造成失真的影響,對后期的數(shù)據(jù)處理造成不利的影響[15-16],符合設計理念并且滿足理論支持。

      圖15 鉗位電壓為0 V 時發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖

      圖16 鉗位電壓為50 V 時發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖

      從圖13 可看出發(fā)射電流波形與理想的矩形波接近,恒流段波形斜率近似為0,但無法看出本次設計與傳統(tǒng)饋能型恒壓鉗位發(fā)射電路平頂段的區(qū)別,圖17、圖18 分別展示了傳統(tǒng)饋能型恒壓鉗位發(fā)射電路與本次改進電路發(fā)射電流恒流段的局部放大波形圖。比較兩圖發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)發(fā)射電路的發(fā)射電流峰值達到了15.71 A 左右,而本次改進后的發(fā)射電流峰值達到了15.45 A 左右,有效減少了恒流段發(fā)射電流紋波的峰值,使發(fā)射電流波形更接近線性,從而降低了恒流段對后續(xù)接收信號的干擾,達到了本次優(yōu)化的效果。

      圖17 傳統(tǒng)恒壓鉗位發(fā)射恒流段局部放大波形圖

      圖18 本次改進后發(fā)射電路恒流段局部放大波形圖

      5 試驗結(jié)果

      本文主控電路的芯片采用STM32F103 單片機,控制并輸出本次設計所需要的PWM 驅(qū)動信號,其中包括發(fā)射電路主橋路的四個開關(guān)管和本文新增的兩個控制電阻線路關(guān)斷的開關(guān)管。根據(jù)設計需求、計算過程和仿真結(jié)果,制作了該發(fā)射電路。發(fā)射電流平穩(wěn)工作時為15 A,鉗位電壓控制在100 V,圖19 為發(fā)射主橋路實物圖,圖20 為發(fā)射電流的波形圖,圖21 為發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖。

      圖19 發(fā)射主橋路實物圖

      圖20 發(fā)射電路波形圖

      圖21 發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間圖

      從圖20 的發(fā)射電流波形圖可以看出,發(fā)射波形近似為梯形波,發(fā)射恒流段的斜率近似為0,比較接近線性。圖21 中,發(fā)射電流關(guān)斷區(qū)間電流的關(guān)斷時間大約為13 μs,也與9.58 μs 的設計結(jié)果十分接近,滿足設計結(jié)果。

      從試驗結(jié)果可以看出,改進后的發(fā)射電路在經(jīng)過PWM 斬波控制和恒壓鉗位控制可以得到發(fā)射電流平頂段斜率近似為0 的梯形波,達到了本次改進的目的,并且通過恒壓鉗位電路的控制,電流的關(guān)斷速度也能達到設計要求。使用PWM 高頻斬波的控制方式,與文獻[17-18]提出的發(fā)射電流恒流段電流由供電電源電壓決定相比,可以省去調(diào)壓環(huán)節(jié),使系統(tǒng)的效率有較大的提升,本文改進后的電路,也通過PWM 的控制使電路的阻值大小更加靈活多變,使發(fā)射平頂段更加平滑同時降低紋波峰值從而減小誤差,PWM 技術(shù)與恒壓鉗位的技術(shù)結(jié)合很好地達到了本次設計的目的。本次設計屬于小功率小電流的發(fā)射電路,這為大功率大電流的探測工作提供了一種電流快速下降的思路,從而達到更加精準的探測效果。

      6 結(jié)論

      (1) PWM 高頻斬波的控制可以使發(fā)射電流恒流段斜率近似為0,從而避免出現(xiàn)呈e 指數(shù)上升的趨勢,大大降低了發(fā)射電流對接收信號的干擾以便接收機能接收到更好的二次場信號,使探測結(jié)果更加精確。

      (2) PWM 高頻斬波技術(shù)雖然使發(fā)射電流恒流段斜率近似為0,但也會帶來紋波的影響,本文基于這一點對發(fā)射電路拓撲進行了改進,即增加兩個與發(fā)射電阻并聯(lián)的MOSFET 可關(guān)斷電阻,并用PWM 技術(shù)控制其關(guān)斷,使發(fā)射電路的發(fā)射阻值更具有靈活性,最后使發(fā)射電流恒流段的紋波幅值降低,使其更具有線性,進而再一次優(yōu)化發(fā)射恒流段波形。

      (3) 采用饋能型恒壓鉗位控制電路,能夠有效縮短發(fā)射電流的關(guān)斷時間,并將多余的能量回饋給電源,很好地提高了電路的效率。鉗位電壓越高,發(fā)射電流的關(guān)斷時間越短,發(fā)射電流的下降沿線性度也會越高,有利于探測效果,具體的鉗位電壓值設計需要根據(jù)不同的設計需求來設定。

      (4) PWM 高頻斬波控制、饋能型恒壓鉗位控制與本文的改進電路三者結(jié)合,實現(xiàn)了一種新型的瞬變電磁發(fā)射電路,并通過仿真與試驗驗證了該設計的合理性。

      (5) 本文增加的兩個MOSFET 犧牲了電路的些許效率,但改善了發(fā)射電流的波形,得到了更好的探測效果。

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