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    林蘭英:中國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)先驅(qū)

    2023-05-26 00:12:53
    學(xué)苑創(chuàng)造·B版 2023年5期
    關(guān)鍵詞:砷化鎵材料科學(xué)單晶

    林蘭英(1918—2003),我國(guó)半導(dǎo)體材料學(xué)家、物理學(xué)家,中國(guó)科學(xué)院院士,曾任中國(guó)科協(xié)副主席。林蘭英成功研制出我國(guó)第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶,為我國(guó)微電子和光電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。她曾兩次榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)。

    1918年2月,林蘭英在福建莆田出生。幼年的她勤勞敏學(xué),心靈手巧。在林蘭英6歲時(shí),受封建思想影響的母親不允許她去學(xué)校讀書(shū)。為了獲得上學(xué)的機(jī)會(huì),她把自己反鎖在房間,近三天不吃不喝,以絕食明志,才獲得了和家里男孩一樣的受教育機(jī)會(huì)。林蘭英深知學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)來(lái)之不易,平日學(xué)習(xí)非??炭啵瑥某踔械礁咧?,她每個(gè)學(xué)期的總成績(jī)都是年級(jí)第一。

    1936年,林蘭英以優(yōu)異的成績(jī)考入福建協(xié)和大學(xué)(是今福建大學(xué)和福建農(nóng)林大學(xué)的主要前身)。畢業(yè)后,林蘭英留校任教。1948年,她以留學(xué)生身份前往美國(guó)迪金森學(xué)院數(shù)學(xué)系留學(xué)。1949年,林蘭英順利獲得該學(xué)院的數(shù)學(xué)學(xué)士學(xué)位。當(dāng)時(shí),她的導(dǎo)師推薦她到芝加哥大學(xué)數(shù)學(xué)系繼續(xù)學(xué)習(xí),但林蘭英懷著“一切都應(yīng)該服從祖國(guó)建設(shè)事業(yè)的迫切需要”的想法,果斷改學(xué)固體物理專業(yè)。當(dāng)時(shí),國(guó)內(nèi)對(duì)這一領(lǐng)域的研究還是一片空白。同年秋,林蘭英進(jìn)入美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)研究生院學(xué)習(xí)固體物理。

    1955年,林蘭英成為賓夕法尼亞大學(xué)第一位中國(guó)博士,也是該校第一位女博士。博士畢業(yè)后,林蘭英受聘于索菲尼亞公司,負(fù)責(zé)半導(dǎo)體科研工作。在她的指導(dǎo)下,該公司成功造出第一根硅單晶……公司連續(xù)三次提高她的年薪,各種獎(jiǎng)勵(lì)也接踵而來(lái),但林蘭英卻一刻也沒(méi)有放下回國(guó)建設(shè)新中國(guó)的念頭。

    1957年春天,林蘭英沖破層層阻礙,回到了闊別數(shù)載的祖國(guó),進(jìn)入中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所工作,并馬上著手開(kāi)展半導(dǎo)體研究工作。當(dāng)時(shí),我國(guó)的半導(dǎo)體事業(yè)十分落后,林蘭英僅用半年時(shí)間,就研制出了我國(guó)第一根鍺單晶。接著,她僅用一個(gè)月的時(shí)間,就研制出n型和p型的鍺單晶各1公斤。她研制的鍺單晶為北京電子管廠生產(chǎn)的半導(dǎo)體收音機(jī)提供了制造原材料。1958年,中國(guó)生產(chǎn)出了第一臺(tái)半導(dǎo)體收音機(jī)。

    林蘭英曾說(shuō):“我們中華兒女,要有民族自尊心,要有自力更生的精神。我們中國(guó)的科學(xué),只有敢于走自己的路,勇于向前沖,沖到別人前頭,才能站在科學(xué)的前沿位置?!?0世紀(jì)60年代,硅單晶已經(jīng)取代鍺單晶成為新的半導(dǎo)體材料,但中國(guó)卻還沒(méi)有生產(chǎn)出硅單晶材料。經(jīng)過(guò)摸索,林蘭英提出用抽高真空技術(shù)拉制硅單晶的方法。經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的實(shí)驗(yàn),她自己動(dòng)手設(shè)計(jì)并制作了一臺(tái)硅單晶爐。1962年,林蘭英使用這臺(tái)硅單晶爐拉制出中國(guó)第一根無(wú)位錯(cuò)硅單晶。

    在成功拉制無(wú)位錯(cuò)硅單晶后,林蘭英又把制造砷化鎵單晶事宜提上日程,砷化鎵單晶是用于微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域的材料。1962年10月,林蘭英成功拉制出砷化鎵單晶,該砷化鎵單晶的電子遷移率達(dá)到當(dāng)時(shí)世界最高水平。20世紀(jì)80年代,林蘭英提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的設(shè)想。1987年8月,這一設(shè)想最終在我國(guó)第9顆返回式人造衛(wèi)星上實(shí)現(xiàn)。

    晚年的林蘭英,將精力放在培養(yǎng)年輕科研工作者上,包括吳德馨、王占元兩位院士在內(nèi)的大批優(yōu)秀科研工作者,都曾得到林蘭英的悉心教導(dǎo)。

    林蘭英研究半導(dǎo)體材料科學(xué)40余年,把畢生的精力獻(xiàn)給了我國(guó)的半導(dǎo)體材料科學(xué)事業(yè)。在她的推動(dòng)下,我國(guó)在半導(dǎo)體材料科學(xué)研究中取得了令世人矚目的成就。

    (本文根據(jù)學(xué)習(xí)強(qiáng)國(guó)福建學(xué)習(xí)平臺(tái)、《人民日?qǐng)?bào)》、《學(xué)習(xí)時(shí)報(bào)》等登載的相關(guān)內(nèi)容整編。)

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