王懷念
(原廣東國昌科技有限公司,廣東省東莞市,523758)
矢量網(wǎng)絡分析儀校驗件是一種超精密的測量計量件,價格昂貴。而接頭種類繁多,為每種接口外部采購計量件,成本高昂。本文嘗試一種簡單的工程方法,便于設計生產(chǎn)工程可用的VNA 校驗件。本文詳細介紹了設計和參數(shù)化這些器件的軟件及實施步驟,便于工程設計參考。
同軸傳輸線特征參數(shù)
圖1 同軸傳輸線結構
所有傳輸線可由其特征阻抗(Zc)、傳輸損耗常數(shù)(α)、傳輸相位常數(shù)(β)和長度來定義。它們與校準系數(shù)(偏置阻抗ΔZ0、偏移損耗Δloss和Δdelay偏移延遲)有關,相關性如下所示:
Transmissiomlossandphase=e-(α+jβ)l
a-1
a-2
a-3
R-偏置線分布電阻
L-偏置線分布電感
C-偏置線分布電容
G-偏置線分布電導率
ω=2πf,
f-頻率,單位Hz
l-長度,單位m
Zc-特征阻抗
假設R很小且G=0,包括非理想導體的自感,傳輸線特性的二階近似值為:
a-4
a-5
a-6
對于同軸傳輸線:
a-7
a-8
a-9
其中:
a-10
a-11
將偏移定義代入公式a-4, a-5, a-6:
a-12
a-13
β1=ω(Δdelay)+α1
a-14
a-15
a-16
參考文獻[5]所示,短路電感可根據(jù)短路參考面的物理特性確定。然后將計算結果采用最下二乘法,曲線擬合為三階多項式函數(shù):
ZT≈jωLT
a-17
LT=L0+L1f+L2f2+L3f3
a-18
a-19
ZT——傳輸阻抗,ZT——反射阻抗,LT——總的寄電感生,ΓT——反射系數(shù)
在電感為線性的低頻時,可將其建模為額外的延遲項:
a-20
a-21
利用三維微波仿真軟件(HFSS或CST),可以確定開路器的邊緣電容。然而,開路器的裝配結構復雜,會引起仿真問題。如果未將開口用作校準標準,則使用TRL或偏移短路校準技術測量開路響應可能更為現(xiàn)實。然后將測量結果采用最小二乘法,擬合到三階多項式電容模型中。
a-22
CT=C0+C1f+C2f2+C3f3
a-23
ΓT≈e-2jarctan(ωCTZr)
a-24
在電容為線性的低頻時,可將其建模為額外的延遲項:
Δφ=2arctan(2πfCrZr)=2πfΔdelay
a-25
a-26
A.開路器(Open);
B.短路器(Short);
C.直通(Through);
D.寬頻精密負載(load)。
開路器網(wǎng)絡分析儀VNA識別需要的參數(shù):
a)邊緣電容擬合系數(shù):C0,C1,C2,C3,
獲取方法:TRL測試或超精密仿真后,多項式擬合
b)偏移時延(ps),方法:c測試或仿真
c)相位噪聲偏差(°),方法:測試或公差超精密仿真分析
圖2 開路器等效電容結構
開路等效電容,隨頻率非線性變化
參考平面處反射系數(shù):
b-27
開路器的S11的幅度是開路震蕩的,需要對時延(或相位)測量或仿真??偟臅r間延遲T0是可以提取來進行工程計算的,開路器長度L的延遲是線性的,需要從總延遲中減除。
開路電容的時間延遲t(Δdelay):
b-28
T0——總的時間延遲;l——開路器物理長度;C——光真空速度
利用公式a-23和a-26,即可進行數(shù)值最小二乘法擬合,多項式系數(shù)提取即可。
短路器需要網(wǎng)分識別需要的參數(shù):
a)寄生電感擬合系數(shù):L0,L1,L2,L3,方法:測試或超精密仿真后,多項式擬合
b)偏移時延(ps),方法:計算或仿真都可得到
c)相位噪聲偏差(°),方法:測試或公差超精密仿真。
圖3 短路器等效電感結構
短路等效電感,隨頻率非線性變化
b-29
短路器的S11的幅度為零,同開路器一樣,需要對時延(或相位)測量或仿真??偟臅r間延遲T0是可以提取來進行工程計算的,短路器長度L的延遲是線性的,需要從總延遲中減除。
短路電感的時間延遲t(Δdelay),采用公式B-28計算可得。
利用公式a-18和a-21,即可進行數(shù)值擬合,多項式參數(shù)提取。
直通轉接器為標準的同軸傳輸線,需要計量內外徑公差,測量駐波和特征阻抗的偏差。
精確計量以下參數(shù)即可:
a)偏移時延(ps),方法:計算,測量或仿真
b)插入損耗Insertion Loss, 測量或仿真
c)回波損耗 Return Loss 測量或仿真
精密負載,
a)回波損耗 Return Loss 測量或仿真.需要測試調諧到最優(yōu)。一般在寬頻范圍內需要調諧到RL≥30dB以上。
b)阻抗偏差:50Ω±0.2
c)平均功率:0.5W
精密寬頻負載的,關鍵在于處理電阻的分布積分效應??梢圆捎萌N基本的結構獲得精密負載。
一種,采用非均勻分布式電阻膜片,電阻分布以指數(shù)分布
二種,采用均勻分布式電阻膜片,采用修正孔,等效提供電阻的指數(shù)分布
三種,采用柱狀均勻電阻,通過改變外導體的直徑,提供指數(shù)等效阻抗分布
以上結構,都可以通過精密仿真完成,一般實物還需要增加調諧螺釘.分布電阻的計算和仿真,參考文獻[6].
圖4 開路器內部結構
a.雙端口仿真內導體時延S21_T0, 端口直接加在內導體末端
圖5 開路器l0傳輸電磁仿真模型
圖6 開路器l0傳輸群延遲group delay
b.單端口仿真S11_GD
S11_Δdelay=S11_GD-2*S21_Group_delay
圖7 開路器電磁仿真模型
C-30
圖8 開路器群延時GD 單位ns
帶入Excel三項式擬合,提取系數(shù)
圖9 開路器電容擬合
表1 頻率/時延/寄生電容數(shù)據(jù)表.....到50GHz數(shù)據(jù)省略
C0=22.468E-15;C1=1340.6E-27;C2=65.098E-36;C3=0.89635E-45
S21_Δdelay=19.546 ps
對比Keysight 85056 2.4mm校驗件開路,我們由于介質支撐大,寄生電容波動大,性能略差。但我們的開路支撐更可靠。Keysight開路尾部支撐常常出現(xiàn)掉針的情況。
圖10 Keysight 85066 開路器電容多項式擬合
圖11 短路器內部結構
a.雙端口仿真內導體時延S21_T0, 端口直接加在內導體末端
T0=0.0225367174 ns
圖12 短路器l0傳輸電磁仿真模型
圖13 短路器l0傳輸群延遲Group Delay
b.單端口仿真S11_GD
采用公式3-30,S11_Δdelay=S11_GD-2*S21_Group_delay
圖15 短路器單端口群延遲Group delay
圖16 短路器電容擬合
L0=0.10072E-12;L1=15.025E-24;L2=0.48813E-33;L3=-3.3487E-45
S21_Δdelay=22.5367 ps
表2 頻率/時延/寄生電感數(shù)據(jù)表.....到50GHz數(shù)據(jù)省略
圖17 Keysight 85066 短路器電感多項式擬合
對比Keysight 85056 2.4mm校驗件短路器,仿真寄生電感波動小很多。這是由于公差和加工誤差的原因,實際的器件參數(shù)要比仿真的波動大。因此,在實際擬合時,需要導入測試值更好。
基于柱狀精密金屬膜電阻的容易獲得,我們采用金屬膜電阻來制造精密負載。負載的精度,決定了校驗后的回波損耗的精度?;趨⒖假Y料[6]
c-31
ZF0——同軸中介質波阻抗,空氣波阻抗377Ω,
R0—電阻總值,l0—電阻長度,α—電半徑阻
通常,電阻尺寸越小,電阻分布效應越小頻率越高。但為了進行調諧,我們需要增加電阻長度,提供調諧螺釘進行調諧。
圖18 柱狀電阻分布補償[6]
圖19 負載內部結構
圖20 負載電磁仿真模型
圖21 電磁仿真同實踐測試結果對比(*實物通過了調諧)
本文通過實際的工程實踐,詳細的討論了網(wǎng)分儀檢驗件開路器/短路器/精密負載的數(shù)學模型,設計方法及軟件技巧。通過精密電磁仿真,研究了開路電容,短路電感的特性及數(shù)學處理方法。通過仿真時延直接計算寄生電感/電容,比通過相位計算更為直接簡單。本方法實用于所有的校驗件設計及參數(shù)提取,為精密測試件提供了一種通用性的工程實踐方法。通過2.4mm校驗件開發(fā)實例,充分驗證了我們的設計理論及工程方法的有效性。同時,發(fā)現(xiàn)一些問題還需要持續(xù)研究。一是短路器的寄生電感,在高頻時某些頻段仿真及測試會出現(xiàn)容性。二是實際校驗測試中,同Keysight的校驗差異還是比較大。關于校驗件的計量本文還沒有討論。校驗件的一般設計方法:
圖22 實物照片[國昌公司]
1)設計/仿真,開路/短路器。開/短路器的群延遲最大化保持一致。
2)提取模型的S參數(shù),計算相位及時間延遲。本文通過時延進行參數(shù)擬合,比相位更方便。
3)精密負載仿真及實物調諧。
4)輸入校驗參數(shù)到網(wǎng)分儀的校驗設置。