在線Low-E＆TCO鍍膜玻璃工藝

孟慶瑞

（中國(guó)耀華玻璃集團(tuán)有限公司 秦皇島 066003）

0 引言

當(dāng)前國(guó)內(nèi)國(guó)際建筑玻璃力求節(jié)能環(huán)保，建筑玻璃窗及幕墻占用比例越來(lái)越高，使用Low-E玻璃符合國(guó)家節(jié)能環(huán)保要求，且會(huì)帶來(lái)隱性經(jīng)濟(jì)效益。其中在線Low-E玻璃可以大規(guī)模生產(chǎn)，單片使用不會(huì)氧化失效，可以熱彎，鋼化、光學(xué)性能穩(wěn)定，適用于各類建筑等，具有廣闊的市場(chǎng)空間。近幾年，隨著薄膜太陽(yáng)能電池的迅速發(fā)展，對(duì)在線TCO導(dǎo)電玻璃需求也日益增加，作為同時(shí)能夠生產(chǎn)在線Low-E＆TCO鍍膜玻璃的化學(xué)氣相沉積工藝技術(shù)，也重新得到認(rèn)可和重視。

1 化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜原理

在線鍍膜是基于化學(xué)氣相沉積理論在浮法生產(chǎn)線錫槽冷端或退火窯前端A0區(qū)或A區(qū)進(jìn)行的。無(wú)論是氣體原料輸送還是液態(tài)噴涂，原料最終都是以氣態(tài)的形式輸送到玻璃板上方并擴(kuò)散到高溫玻璃板表面，經(jīng)過(guò)吸附、化學(xué)分解反應(yīng)、再沉積合成鍍膜膜層，反應(yīng)副產(chǎn)品伴隨著載體氣體排出鍍膜區(qū)，這個(gè)過(guò)程稱之為化學(xué)氣相沉積法?；瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)原理見(jiàn)圖1。

如圖1所示，化學(xué)氣相沉積反應(yīng)過(guò)程可以分為5步，①擴(kuò)散：鍍膜原料以氣態(tài)形式或氣體載體攜帶輸送到鍍膜機(jī)并通過(guò)邊界層擴(kuò)散到玻璃板表面；②吸附：原料分子被吸附在特定溫度的玻璃板表面；③反應(yīng)：原料分子在玻璃板表面進(jìn)行反應(yīng)，包括：化學(xué)分解和化學(xué)反應(yīng)，表面遷移到附著點(diǎn)（扭結(jié)和楔入），燒結(jié)和其他表面反應(yīng)（如散發(fā)和再沉積），同時(shí)反應(yīng)副產(chǎn)品解吸附；④成膜：持續(xù)的表面反應(yīng)并達(dá)到設(shè)計(jì)的膜層厚度，生成設(shè)計(jì)需要的膜層；⑤副產(chǎn)品：反應(yīng)副產(chǎn)品通過(guò)邊界層輸送出去并通過(guò)排氣腔體離開(kāi)鍍膜機(jī)，進(jìn)入排氣系統(tǒng)。

圖1 化學(xué)氣相沉積反應(yīng)原理示意圖

2 在線CVD Low-E＆TCO鍍膜工藝

在線CVD Low-E＆TCO鍍膜玻璃工藝是位于浮法玻璃生產(chǎn)線錫槽冷端（圖2），玻璃板溫度在660～700 ℃，鍍膜原料利用玻璃板自身熱能，采用化學(xué)氣相沉積工藝，通過(guò)兩臺(tái)特制的多功能鍍膜機(jī)在高溫玻璃板表面連續(xù)鍍兩層膜層，上面一層稱之為頂膜，是具有低輻射性能的摻氟氧化錫功能膜，這一膜層能夠反射紅外線，起到保溫隔熱及導(dǎo)電的作用；另一層是在氧化錫膜層和玻璃本體之間鍍一層過(guò)渡隔離膜層，稱之為底膜，底膜有兩個(gè)主要作用，一是隔離阻止玻璃中堿金屬離子，主要是鈉離子，防止其向功能膜層滲透并破壞膜層結(jié)構(gòu)；二是起到消色作用，利用光學(xué)性質(zhì)來(lái)消除膜層內(nèi)部光線反射，進(jìn)而去除頂膜所產(chǎn)生綠色或藍(lán)色的彩虹顏色，使膜層整體看起來(lái)呈無(wú)色或淡淡的中性灰色。

現(xiàn)在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)在線Low-E＆TCO鍍膜玻璃主要有兩種主流技術(shù)或方式，二者差別主要集中在底膜也就是隔離膜層上，而在鍍摻氟氧化錫頂膜方面幾乎是一致的。兩種方式鍍膜位置也都是在浮法線錫槽冷端，錫槽上游安裝底膜機(jī)，下游安裝頂膜機(jī)，雖然兩種鍍膜技術(shù)及鍍膜原料有所不同，但最終的鍍膜產(chǎn)品性能卻是近似的。也有企業(yè)使用多臺(tái)（4～5臺(tái)）鍍膜機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)的，只是類似將一臺(tái)大的鍍膜機(jī)拆分成2～3臺(tái)小鍍膜機(jī)，原理及功能不變，但由于鍍膜機(jī)組過(guò)多，錫槽開(kāi)口多，對(duì)錫槽工況影響極大，并且多臺(tái)鍍膜機(jī)在現(xiàn)場(chǎng)配合上難度極大，受玻璃板實(shí)際溫度、鍍膜機(jī)高度、鍍膜氣體流量及均勻性以及錫槽密封等各方面影響，實(shí)際上很難生產(chǎn)出穩(wěn)定的高質(zhì)量鍍膜產(chǎn)品。并且在鍍膜前調(diào)試過(guò)程中，由于錫槽開(kāi)口多，時(shí)間長(zhǎng)，極易造成玻璃板損失及錫槽工況變差。

3 在線CVD鍍膜底膜工藝

在線鍍Low-E＆TCO膜，鍍底膜有兩種方式，一種是使用石墨反應(yīng)器鍍Si-C-O底膜層，另一種是使用不銹鋼反應(yīng)器鍍Sn-Si-P-O底膜。這兩種方式所采用的原料和鍍膜機(jī)完全不同，但理論上都是化學(xué)氣相沉積法，所鍍的底膜膜層功能也是一樣的。

3.1 石墨反應(yīng)器鍍Si-C-O底膜層

鍍Si-C-O底膜層使用原料為氮?dú)猓∟2）、二氧化碳（CO2）、乙烯（C2H4） 和硅烷（SiH4）。這些常態(tài)下都是氣體的原料，不用預(yù)先加熱，按設(shè)計(jì)配方計(jì)量，混合，然后輸送到石墨鍍膜器里，通過(guò)在石墨鍍膜器底面的出氣口，讓氣體沿橫向均勻地流經(jīng)700 ℃左右的玻璃板表面并分解沉積生成一層厚度約70 nm的Si-C-O化合物隔離膜層。膜層折射率控制在1.70左右，正好介于玻璃折射率1.5和頂膜氧化錫折射率1.9之間，這樣才能充分發(fā)揮底膜層的隔離消色作用。鍍膜反應(yīng)后的廢氣通過(guò)排廢通道輸送到廢氣處理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)保處理。

鍍Si-C-O底膜石墨反應(yīng)器采用水冷卻系統(tǒng)，只有上游、中游、下游三塊石墨，見(jiàn)圖3。

圖3 鍍Si-C-O底膜石墨反應(yīng)器結(jié)構(gòu)示意圖

底膜所需原料氣體流經(jīng)中游石墨和玻璃板間的空隙，玻璃板表面吸附原料氣體，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并一次性地沉積成膜。石墨反應(yīng)器體積相對(duì)較小，鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)和原料系統(tǒng)也都比較簡(jiǎn)單，方便操作維修，這種類型的底膜結(jié)構(gòu)在厚度方向上從上到下成分一致，鍍膜的膜層牢固度和消色作用相對(duì)差一些，同時(shí)膜層結(jié)構(gòu)中的硅氫鍵（Si-H）和碳?xì)滏I（C-H）在鍍膜玻璃二次加熱進(jìn)行鋼化時(shí)，容易導(dǎo)致膜層方塊電阻升高及膜層外觀質(zhì)量缺陷。鍍膜過(guò)程中鍍膜機(jī)高度在2 mm左右，膜層性能受錫槽氣氛、鍍膜機(jī)高度偏差、玻璃板溫度及橫向溫差影響較大。在鍍膜機(jī)設(shè)計(jì)上，由于反應(yīng)器周邊沒(méi)有氮?dú)鈿夥猓a槽的保護(hù)氣體中微量氧化亞錫、硫化亞錫和氣流流動(dòng)也會(huì)對(duì)鍍膜質(zhì)量產(chǎn)生一定的影響。石墨反應(yīng)器也因?yàn)樽陨聿馁|(zhì)、結(jié)構(gòu)等原因，不能實(shí)現(xiàn)有效地在線清掃，離線清理時(shí)也需要特別小心仔細(xì)，一旦造成石墨的損傷，雖然可以修補(bǔ)，但還是會(huì)影響鍍膜最終質(zhì)量和石墨使用壽命。

3.2 三室不銹鋼反應(yīng)器鍍Sn-Si-P-O底膜

鍍Sn-Si-P-O隔離底膜所使用的主要原料均為常溫液態(tài)有機(jī)原料，有單丁基三氯化錫（MBTC）、甲基異丁基甲酮（MIBK）、硅酸乙酯（TEOS）、亞磷酸三乙酯（TEP）、還有載體氮?dú)?、壓縮空氣和純水。單丁基三氯化錫和硅酸乙酯都是成膜原料，亞磷酸三乙酯用來(lái)控制硅酸乙酯的反應(yīng)速度，而水則是甲基異丁基甲酮的反應(yīng)催化劑。這些常溫液體原料都要經(jīng)過(guò)化學(xué)蒸發(fā)器或汽化器汽化并在載體氮?dú)獾臄y帶下按設(shè)定好的配方分配到鍍膜機(jī)不同的鍍膜室去，經(jīng)由進(jìn)氣腔、噴嘴到達(dá)玻璃板表面，玻璃板溫度控制在660～671 ℃，鍍膜氣體經(jīng)過(guò)玻璃板表面反應(yīng)沉積生成多層成分（SiO2/ SnO2）漸變的隔離膜層，反應(yīng)后的廢氣經(jīng)由排氣腔進(jìn)入廢氣處理系統(tǒng)，見(jiàn)圖4。

圖4 在線Low-E＆TCO底膜工藝流程簡(jiǎn)圖

不銹鋼底膜鍍膜機(jī)整體采用軌道式結(jié)構(gòu)進(jìn)出錫槽，在錫槽內(nèi)部軌道采用電動(dòng)升降裝置與鍍膜機(jī)一起運(yùn)動(dòng)，一次性調(diào)試到位，在以后鍍膜中操作十分方便快捷，既節(jié)約了鍍膜機(jī)進(jìn)出錫槽時(shí)間，也能保證在每次鍍膜時(shí)鍍膜機(jī)都保持相同的位置及高度。

鍍Sn-Si-P-O底膜不銹鋼鍍膜器上有三個(gè)結(jié)構(gòu)相同但原料輸送和操作系統(tǒng)完全獨(dú)立的鍍膜室。每個(gè)鍍膜室由一個(gè)進(jìn)氣腔和其上下游兩個(gè)排氣腔組成，如圖5所示。

鍍膜氣體從進(jìn)氣口到上游排氣口的距離是到下游排氣口距離的2倍，在不同路徑距離情況下，利用氣體不同的反應(yīng)速率，沉積出從氧化硅到氧化錫含量漸變的膜層結(jié)構(gòu)。鍍膜機(jī)使用一定溫度的循環(huán)熱油進(jìn)行溫度控制，這樣既保證了鍍膜機(jī)在錫槽內(nèi)的冷卻又保證了鍍膜氣體在流經(jīng)鍍膜機(jī)時(shí)的最佳溫度。鍍膜機(jī)上下游都有氮?dú)鈿夥庠O(shè)計(jì)，能夠把鍍膜區(qū)和錫槽氣氛隔離分開(kāi)，既防止鍍膜氣體跑到錫槽里又能夠使鍍膜區(qū)域相對(duì)獨(dú)立，不受外面錫槽氣氛的影響。鍍膜機(jī)排氣室也設(shè)計(jì)成為可以在線清掃的結(jié)構(gòu)，極大地延長(zhǎng)了鍍膜時(shí)間，減少抽出和穿入鍍膜機(jī)時(shí)對(duì)錫槽的影響。

鍍膜機(jī)上每個(gè)鍍膜室都可以獨(dú)立使用不同配比的原料，鍍膜氣體經(jīng)由鍍膜機(jī)噴嘴向上游下游同時(shí)擴(kuò)散流動(dòng)，在經(jīng)過(guò)玻璃表面時(shí)沉積生成膜層。由于可以控制不同鍍膜氣體的沉積反應(yīng)速率和反應(yīng)時(shí)間，所以鍍膜原料在經(jīng)過(guò)特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的鍍膜機(jī)時(shí)生成的膜層成分是漸變的，越接近玻璃板面氧化硅含量越高，氧化錫含量越低，反之，越接近頂膜側(cè)氧化錫含量越高，氧化硅含量越低。膜層在厚度方向上的折射率也是從玻璃側(cè)的約1.5逐漸增加到頂膜側(cè)的約1.9。這樣的膜層設(shè)計(jì)能最大程度增加膜層牢固度和消除頂膜所產(chǎn)生綠色或藍(lán)色的彩虹顏色，如圖6所示。底膜層總體厚度為1000 ?左右。

圖6 Sn-Si-P-O底膜膜層結(jié)構(gòu)示意圖

4 在線CVD鍍膜頂膜工藝

無(wú)論使用Si-C-O底膜還是Sn-Si-P-O底膜，鍍Low-E＆TCO頂膜的方法和技術(shù)都是一樣的。頂膜機(jī)都是由耐熱不銹鋼制成，用循環(huán)熱油進(jìn)行溫度控制，生產(chǎn)不同的產(chǎn)品，Low-E或TCO，一般由6～9個(gè)獨(dú)立的鍍膜室組成，每個(gè)鍍膜室也是由一個(gè)進(jìn)氣腔和相鄰的兩個(gè)排氣腔組成，見(jiàn)圖7。頂膜機(jī)進(jìn)氣口到上下游的排氣口距離是相等的，這一點(diǎn)與底膜機(jī)不同，頂膜機(jī)上下游同樣帶有氮?dú)鈿夥夂团艢馐以诰€清掃設(shè)計(jì)。鍍膜時(shí)鍍膜氣體經(jīng)由鍍膜機(jī)噴嘴向上游下游同時(shí)擴(kuò)散流動(dòng)，在經(jīng)過(guò)玻璃表面時(shí)沉積生成膜層，下游鍍膜室鍍膜覆蓋在上游鍍膜室鍍的膜層之上。

鍍Low-E＆TCO頂膜所用化學(xué)原料是單丁基三氯化錫（MBTC）、甲基異丁基甲酮（MIBK）、三氟乙酸（TFA）、水（H2O）、載體氮?dú)夂蛪嚎s空氣，做TCO時(shí)一般使用純氧氣代替壓縮空氣。與鍍Sn-Si-P-O底膜一樣，頂膜液態(tài)原料也需要加熱汽化并由載體氣體攜帶進(jìn)入鍍膜機(jī)，鍍膜氣體經(jīng)過(guò)玻璃表面逐層反應(yīng)沉積相同成分的功能膜層，反應(yīng)后的廢氣經(jīng)由排廢通道進(jìn)入廢氣處理系統(tǒng)，工藝流程見(jiàn)圖8。

圖8 在線Low-E＆TCO頂膜工藝流程簡(jiǎn)圖

在線Low-E頂膜層一般厚度為300～370 nm，在線TCO頂膜層根據(jù)霧度等要求不同，厚度為470～750 nm。使用雙不銹鋼反應(yīng)器鍍Sn-Si-PO底膜、SnO2:F頂膜，可以生產(chǎn)不同的Low-E或TCO產(chǎn)品，通過(guò)調(diào)整膜層晶型狀態(tài)，增加光的散射，TCO產(chǎn)品的霧度范圍可以做到從0.8%～20%，不同霧度的TCO膜層晶型狀態(tài)如圖9所示，表面電阻約為10 Ohm/sq，其化學(xué)反應(yīng)方程式為：

C4H9S nCl3（g）＋ H2O（g）→ C4H9S nCl3（ H2O ）（g）

C4H9S nCl3（ H2O ）（s）＋1/2O2→ SnO2（s）＋ 2C2H4＋3HCl

生產(chǎn)過(guò)程中使用幾個(gè)鍍膜室要看生產(chǎn)玻璃的厚度和拉引速度以及膜層霧度要求等。在實(shí)際生產(chǎn)中，根據(jù)需要，在鍍膜過(guò)程中可以隨時(shí)關(guān)閉或開(kāi)啟其中一個(gè)或幾個(gè)室，以達(dá)到穩(wěn)定生產(chǎn)，減少玻璃損失。在做TCO產(chǎn)品時(shí)，頂膜機(jī)最后1個(gè)或2個(gè)鍍膜室可以使用不同原料做1～2層不同成分的膜層。

5 鍍膜液體原料蒸發(fā)器

在線Low-E＆TCO鍍膜過(guò)程中，原料經(jīng)過(guò)計(jì)量、輸送、汽化并最終到達(dá)鍍膜機(jī)沉積鍍膜，但使用的液體原料需汽化為氣體原料，所以蒸發(fā)器同樣也是鍍膜工藝中的關(guān)鍵設(shè)備和工藝控制點(diǎn)。一般使用立管式和螺旋管式兩種蒸發(fā)器，都是由恒溫的循環(huán)熱油進(jìn)行加熱控溫，理想溫度為177℃±3 ℃，這樣既能保證液體原料的汽化又能保證原料控制在設(shè)計(jì)的溫度范圍內(nèi)進(jìn)入鍍膜機(jī)。推薦使用立管式蒸發(fā)器加熱汽化單丁基三氯化錫，液態(tài)原料從蒸發(fā)器頂部注入，在流經(jīng)各立管中的汽化介質(zhì)時(shí)汽化，由從蒸發(fā)器底部進(jìn)入的加熱載體氮?dú)鈹y帶經(jīng)蒸發(fā)器頂部離開(kāi)蒸發(fā)器進(jìn)入原料輸送管道。純水使用量較少，一般使用螺旋管式蒸發(fā)器就足夠了。為了保證每個(gè)鍍膜室精準(zhǔn)控制和鍍膜質(zhì)量，每一套鍍膜室都配備單獨(dú)的原料計(jì)量、汽化、輸送系統(tǒng)，同時(shí)每個(gè)排廢室也是獨(dú)立控制，雖然增加了設(shè)備成本，卻有效保證了鍍膜質(zhì)量和鍍膜時(shí)間。

6 鍍膜廢氣處理

根據(jù)地方的環(huán)保要求和不同類型的鍍膜工藝，鍍膜廢氣可以冷凝回收，可以化學(xué)中和或焚燒等。一般情況下，頂膜廢氣采取冷凝回收，通過(guò)冷凝器將廢氣中的MBTC、MIBK、TFA等冷凝成液體回收，剩余微量殘余在廢氣中與氨氣中和。Sn-Si-P-O底膜廢氣中由于有大量的TEOS，采用焚燒處理后與氨氣中和，最后通過(guò)布袋集塵器將固體粉末收集。

7 Low-E＆TCO鍍膜對(duì)錫槽的要求及影響

鍍膜機(jī)安裝在錫槽內(nèi)，那么鍍膜生產(chǎn)和錫槽工況之間就會(huì)產(chǎn)生相互影響，有些矛盾還是直接對(duì)立的，如鍍膜是在有氧環(huán)境下進(jìn)行的而錫槽又要求無(wú)氧環(huán)境。如何解決這些矛盾問(wèn)題是鍍膜成敗以及穩(wěn)定生產(chǎn)的重要前提。

7.1 鍍膜對(duì)溫度的要求

化學(xué)原料在玻璃板上沉積成膜，沉積反應(yīng)速率與玻璃板溫度呈正比，溫度越高反應(yīng)越快，所以要求嚴(yán)格控制每次鍍膜時(shí)鍍膜區(qū)板面溫度和玻璃板橫向溫差，否則膜層厚度就會(huì)不同進(jìn)而導(dǎo)致鍍膜質(zhì)量出現(xiàn)問(wèn)題。對(duì)于雙不銹鋼反應(yīng)器鍍Sn-Si-P-O底膜、SnO2:F頂膜的生產(chǎn)工藝，鍍膜區(qū)上游玻璃板溫度需要控制在660～671 ℃。一般需要在鍍膜區(qū)上游安裝多組獨(dú)立控制的電加熱和冷卻水包，用于協(xié)調(diào)控制鍍膜區(qū)的溫度和溫差。為了能及時(shí)掌握玻璃板溫度變化情況，還需要在鍍膜區(qū)前安裝紅外測(cè)溫儀。只有這樣才能保證鍍膜區(qū)域理想的溫度制度。錫槽出口也應(yīng)該有紅外溫度監(jiān)測(cè)，能及時(shí)有效地調(diào)整錫槽出口溫度，防止因?yàn)殄兡C(jī)及鍍膜氣體對(duì)玻璃板溫度的沖擊而造成錫槽出口事故。

7.2 鍍膜區(qū)氣氛的要求

一般的浮法錫槽氫氣含量控制在3%～6%，才能保證錫槽正常運(yùn)行，但是鍍Low-E＆TCO膜時(shí)，氣氛卻要求在氧化環(huán)境中，所以在線生產(chǎn)Low-E＆TCO鍍膜時(shí)要求錫槽關(guān)閉氫氣，這就要求錫槽平時(shí)要處于很好的工作狀態(tài)并且具有良好的密封，防止外界的氧氣滲透進(jìn)入錫槽。必要時(shí)還需對(duì)進(jìn)入錫槽的保護(hù)氣配置進(jìn)行調(diào)整和改造，以滿足錫槽工況和鍍膜的需要。

7.3 錫槽出口扒渣機(jī)的應(yīng)用

安裝鍍膜機(jī)的浮法錫槽由于插入或抽出鍍膜機(jī)都需要打開(kāi)邊封，就不可避免地造成錫槽內(nèi)污染，鍍膜過(guò)程中也會(huì)有極少量的化學(xué)氣體擴(kuò)散到錫槽中，產(chǎn)生化學(xué)原料灰塵或浮渣，在進(jìn)行在線鍍膜機(jī)的清掃時(shí)，也會(huì)有部分的化學(xué)原料和反應(yīng)物粉塵落入錫槽錫液面上并隨著錫液流動(dòng)積聚在錫槽末端。這就要求錫槽末端的扒渣機(jī)或線性直流電機(jī)能夠充分發(fā)揮其功能，及時(shí)清理掉集聚在錫槽末端的錫灰，防止板下沾錫和出口劃傷，保證玻璃板的質(zhì)量。

7.4 錫槽冷卻水包的定期清掃

由于長(zhǎng)期鍍膜后的錫槽工況變差，錫槽冷卻水包也容易變臟，為了保證水包具有良好的冷卻效果，減少對(duì)玻璃板質(zhì)量的影響，需要定期對(duì)錫槽水包進(jìn)行清理。

8 在線Low-E＆TCO鍍膜對(duì)退火窯的要求及影響

鍍Low-E＆TCO膜層的玻璃進(jìn)入退火窯，其表現(xiàn)特征與普通玻璃明顯不同，膜層具有的紅外反射作用使得膜層就像隔熱層一樣，玻璃板中熱量從玻璃板下表面和邊緣散失的更多，從玻璃板上表面散失的熱量減少，這就造成退火窯上部空間溫度下降，安裝的普通測(cè)溫裝置溫度顯示值也大幅下降，不能反應(yīng)玻璃板面的真實(shí)溫度。所以一般在鍍膜時(shí)要有專職的退火操作員跟蹤調(diào)整退火工藝，鍍膜前退火窯控制方式也需要從自動(dòng)改為手動(dòng)，并及時(shí)調(diào)整邊部電加熱的位置和功率。在鍍膜玻璃離開(kāi)RET區(qū)后，依據(jù)實(shí)際情況可能還需要增加邊部噴火槍來(lái)防止玻璃掉邊或縱炸。為了更加直觀監(jiān)視鍍膜玻璃在退火窯內(nèi)部各區(qū)的溫度變化，退火窯各區(qū)也應(yīng)安裝紅外測(cè)溫儀，以確保鍍膜時(shí)的生產(chǎn)工藝控制。

9 鍍膜成品包裝儲(chǔ)存

由于膜層的獨(dú)特作用，在線Low-E＆TCO鍍膜產(chǎn)品包裝可以不使用玻璃防霉劑，單獨(dú)使用隔離粉即可。鍍膜膜層為硬膜，不會(huì)氧化，可以與普通玻璃一樣散裝或箱裝，并且可以完全實(shí)現(xiàn)機(jī)械化裝箱和倒運(yùn)，與離線Low-E相比，沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)限也不需要特殊的存儲(chǔ)條件。

10 結(jié)語(yǔ)

使用石墨反應(yīng)器鍍Si-C-O底膜工藝，由于膜層構(gòu)造和鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)原因，受錫槽環(huán)境影響較大，石墨反應(yīng)器也需要更精細(xì)地維護(hù)，操作難度大，一旦造成石墨的損傷，雖然可以修補(bǔ)，但還是會(huì)影響鍍膜最終質(zhì)量和石墨使用壽命。

目前使用雙不銹鋼反應(yīng)器生產(chǎn)在線Low-E＆TCO鍍膜技術(shù)已經(jīng)成熟，在線Low-E＆TCO鍍膜玻璃產(chǎn)品的輻射系數(shù)范圍為0.10～0.20，鍍膜表面方塊電阻可以做到6.0～18.0 Ohm/sq，霧度范圍0.8%～20.0%，并可以生產(chǎn)2.5～8.0 mm各種厚度規(guī)格的鍍膜玻璃產(chǎn)品，鍍膜周期也可以達(dá)到24～48 h。Sn-Si-P-O底層隔離膜膜層設(shè)計(jì)能最大程度增加膜層牢固度和消除頂膜所產(chǎn)生綠色或藍(lán)色的彩虹顏色。鍍膜機(jī)的每一個(gè)鍍膜室都配備單獨(dú)的原料計(jì)量、汽化、輸送系統(tǒng)，同時(shí)每個(gè)排廢室也是獨(dú)立控制，能夠做到精準(zhǔn)控制，有效保證了鍍膜質(zhì)量和鍍膜時(shí)間。由于在線Low-E＆TCO產(chǎn)品沒(méi)有儲(chǔ)存時(shí)限，也不需要向離線鍍膜那樣真空包裝和中空使用，所以越來(lái)越得到市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可和應(yīng)用，隨著節(jié)能降耗政策的落實(shí)和能源的短缺，在線鍍膜產(chǎn)品在建筑及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域?qū)?huì)有更加廣闊的市場(chǎng)空間。

使用雙不銹鋼鍍膜器的鍍膜工藝，還可以生產(chǎn)在線Sun-E、鍍氧化鈦?zhàn)詽崈裟ぁ⒄渲樗{(lán)陽(yáng)光控制彩色膜及家電導(dǎo)電膜等其他產(chǎn)品，是一套成熟的多功能鍍膜設(shè)備。