湯克軒 劉棟臣 劉康和
大型輸水箱涵是跨區(qū)域引調(diào)水的重要措施,具有保護(hù)水質(zhì)、少占耕地、冬季防凍等優(yōu)點(diǎn)[1]。隨著箱涵運(yùn)行時(shí)間的推移,受溫度變化、電化學(xué)腐蝕、地基不均勻沉降等因素的影響,箱涵體結(jié)構(gòu)可能發(fā)生變化,導(dǎo)致滲漏水,在混凝土箱涵熱伸縮縫處尤為顯著[2]。
無損探測技術(shù)是水利水電工程建筑物滲漏探測的重要手段[3-6],主要用于查明土石壩、圍堰、防滲墻等攔阻水建筑物滲漏點(diǎn)位置和滲漏水程度[7-9]。將無損探測技術(shù)應(yīng)用于箱涵滲漏探測比較少見,一方面因?yàn)閲鴥?nèi)大型輸水、排水箱涵工程興起于20世紀(jì)70年代,起步較晚,嚴(yán)重的工程滲漏問題初步顯現(xiàn);另一方面,輸水箱涵有其獨(dú)特的性質(zhì),大部分埋深淺,受地表干濕環(huán)境影響大,延伸長,沿線地層結(jié)構(gòu)、水文地質(zhì)條件復(fù)雜多變,滲漏點(diǎn)一般影響范圍小,背景場影響大,諸多因素影響著箱涵滲漏探測的解釋精度和準(zhǔn)確性。
2017年以來,水利部實(shí)行“水利工程補(bǔ)短板,水利行業(yè)強(qiáng)監(jiān)管”的治水方針。為對(duì)某大型跨區(qū)域調(diào)水工程進(jìn)行質(zhì)量檢查和滲漏隱患排查,開展了以高密度電法為主的無損探測工作。
箱涵設(shè)計(jì)為3孔4.4 m×4.4 m現(xiàn)澆鋼筋混凝土結(jié)構(gòu),外觀尺寸(寬×高)15.2 m×5.6 m;除底板厚0.65 m、相鄰孔間混凝土厚0.45 m外,其它各壁厚0.55 m;底板下部有0.10 m厚的素混凝土墊層。箱涵結(jié)構(gòu)斷面如圖1所示。
圖1 試驗(yàn)段箱涵結(jié)構(gòu)斷面示意圖
箱涵頂面埋深不等,上覆土層厚度一般為2.0~4.0 m,地表與原地面持平。試驗(yàn)段箱涵縱向每隔12~15 m劃分一段,段間設(shè)置防熱變形伸縮縫,縫寬2~3 cm,縫間止水主要采用中埋式復(fù)合型遇水膨脹橡膠止水帶,填縫材料采用聚乙烯閉孔泡沫塑料板。
試驗(yàn)區(qū)地貌特征主要為堆積平原及河流沖擊扇。探測深度15 m范圍內(nèi)主要為第四系全新統(tǒng)松散堆積物,巖性主要為壤土或砂壤土,箱涵上覆土和兩側(cè)土為回填土。測區(qū)地下水位,均位于箱涵底板以下。
高密度電法是電測深與電剖面方法的組合,觀測點(diǎn)密度高,可以同時(shí)探測水平和垂直方向上的電性變化。高密度電法的探測深度隨供電電極距的增大而增大。本次高密度電法測試采用溫納裝置,根據(jù)本工程測試目的、精度、深度和時(shí)間要求及場地條件,基本電極距以1 m為主,部分測段選用3 m極距,單一排列采用130~260根電極,分布式滾動(dòng)測量。
試驗(yàn)段內(nèi)地層結(jié)構(gòu)較均勻,影響其電阻率值的主要因素為含水量,含水量越高電阻率越小,此即為探測及資料分析的前提。
在箱涵兩側(cè)沿箱涵走向布置4條高密度電法測線,其中位于箱涵左側(cè)(面向箱涵下游左手邊)且距離箱涵邊沿2.5、1.0 m的測線編號(hào)分別為W1、W2,而位于箱涵右側(cè)且距離箱涵邊沿1.0、2.5 m的測線編號(hào)分別為W3、W4。在部分典型異常區(qū)域,布置垂直箱涵走向測線命名為H1,在箱涵中心線上布置測線,命名為L1。
根據(jù)高密度電法試驗(yàn)結(jié)果,對(duì)測試部位土體的含水特征進(jìn)行預(yù)判,在箱涵兩側(cè)選擇典型位置11處,采用“洛陽鏟”進(jìn)行取土驗(yàn)證。
測試區(qū)域內(nèi)典型電阻率剖面如圖2所示。
圖2 XW64+008—XW64+369段測線電阻率剖面圖
W1-1、W2-1、W3-1、W4-1分別為該段距離箱涵左側(cè)邊沿2.5、1.0 m,距離箱涵右側(cè)邊沿1.0、2.5 m處高密度電法測量成果,基本電極距1 m。
由圖2可知,測試深度范圍內(nèi)地層在垂向上呈現(xiàn)3層電性結(jié)構(gòu)(ρ1>ρ2<ρ3),橫向上低阻區(qū)域呈團(tuán)塊狀近似等間距發(fā)育,相鄰低阻區(qū)域被近似直立的較高阻脈狀條帶分隔,條帶中心距離約15 m。
第一層視電阻率介于26.3~145.1Ω·m,層厚度為1.7~5.7 m,推測為較干燥或含水量較低的回填土;第二層視電阻率介于1.7~26.3Ω·m,底界面深度主要為8.6~12.0 m,推測為較潮濕或含水率相對(duì)較高的回填土、墊層及墊層周圍土層;第三層視電阻率介于5.2~145.1Ω·m,為墊層下方土層。
推測該段左側(cè)樁號(hào)64+026—64+050、64+091附近、64+121附近,右側(cè)64+025—64+049、64+088—64+124、64+146—64+247接縫處滲水的概率較其它區(qū)域大。左側(cè)樁號(hào)64+110及左側(cè)64+095附近的低阻異常,不排除底板滲漏的可能性。
該測段電阻率剖面如圖3所示。
圖3 XW65+530—XW65+933段測線電阻率剖面圖
W1-2、W4-4分布為該段箱涵左、右側(cè)距離邊沿2.5 m測量成果,基本電極距1 m。
由圖3可知,地層在垂向上呈現(xiàn)3層電性結(jié)構(gòu)(ρ1>ρ2<ρ3):第一層視電阻率介于26.3~145.2Ω·m,層厚度為1.5~5.3 m,推測為較干燥或含水量較低的回填土,部分測段位于麥地,受春灌影響,淺表高阻層較?。坏诙右曤娮杪式橛?.4~26.3Ω·m,該層底界面深度為11.1~12.2 m,推測為較潮濕或含水量相對(duì)較高的回填土、墊層及墊層周圍土層;第三層視電阻率介于9.3~98.3Ω·m,為墊層下方土層。根據(jù)電阻率大小和色譜分布規(guī)律,左側(cè)在樁號(hào)65+664—65+688、65+760、65+820等附近推測存在滲水可能性,右側(cè)在樁號(hào)65+557—65+581、65+617—65+655、65+700、65+861等附近地層富水地層相對(duì)較大。
選取11處典型電阻率異常區(qū)實(shí)施鉆探驗(yàn)證,驗(yàn)證位置地表環(huán)境各異,有空地、樹林、麥地等,其電阻率大小和分布也各有不同(詳見表1)。
表1 鉆探驗(yàn)證統(tǒng)計(jì)表
從表1可知,在11個(gè)驗(yàn)證鉆孔中,10處高密度成果預(yù)測土層含水量及變化規(guī)律與鉆孔揭示結(jié)果相吻合,探測精度達(dá)到90.91%,1個(gè)鉆孔與探測成果有出入,原因可能為測量里程偏差。
圖4和圖5分別為典型段箱涵中心線、距箱涵邊沿2.5 m處高密度電法測試成果。
圖4 箱涵中心線(L1測線)電阻率剖面圖
圖5 箱涵左側(cè)2.5 m平行箱涵電阻率剖面圖
從圖4可知,箱涵中心線的電性結(jié)構(gòu)是不均勻的,低阻帶的分布大致呈團(tuán)塊狀,團(tuán)塊之間為高阻條帶,而且高阻條帶的間距約12 m和15 m,在樁號(hào)和距離上與箱涵的熱變形伸縮縫相對(duì)應(yīng)。所以,可以確定箱涵走向上地層電性結(jié)構(gòu)受箱涵結(jié)構(gòu)影響是不連續(xù)的,伸縮縫(及其測試電性影響帶)電阻率大于100Ω·m。
從圖5可知,偏離箱涵邊沿2.5 m測試,高密度電阻率剖面圖的低阻分布依舊表現(xiàn)為團(tuán)塊狀,且被條帶狀的高阻異常阻隔,條帶中心與伸縮縫位置一致。所以,盡管偏離箱涵邊沿一段距離,伸縮縫及箱涵內(nèi)水體對(duì)高密度電阻率剖面圖電性分布的影響仍不能忽視。
除背景場影響外,由于測試時(shí)間為夏季,邊墻內(nèi)水體和外部土體存在一定的溫度差,水蒸氣在溫差界面冷凝浸濕土層,對(duì)測試結(jié)果也有一定影響。
典型測段原狀地層和箱涵邊沿地層的電性結(jié)構(gòu)對(duì)比分析見表2,箱涵邊墻及箱涵內(nèi)水體對(duì)測試結(jié)果影響明顯(接近50%),且測線距離箱涵邊墻越近,受箱涵邊界效應(yīng)影響越大,異常越容易被掩蓋,不利于滲漏分析;但距離箱涵邊墻太遠(yuǎn),由于滲漏影響范圍有限,土體含水量降低,可能無法觀測到滲漏特征。典型測試對(duì)比剖面如圖6所示。
圖6 距箱涵邊沿不同距離電阻率剖面對(duì)比圖
表2 原狀地層和箱涵邊沿地層電性結(jié)構(gòu)對(duì)比表
依據(jù)試驗(yàn)成果結(jié)合以往工程經(jīng)驗(yàn)綜合考慮,測線距箱涵邊墻的最佳的測試距離應(yīng)為1.0~3.0 m。
箱涵混凝土結(jié)構(gòu)、箱涵內(nèi)水體都可以近似看成均勻介質(zhì),箱涵伸縮縫的分布也是有規(guī)律的,所以箱涵對(duì)電阻率測試的影響是有規(guī)律可循的,可以近似把這些干擾因素看成沿箱涵走向均勻分布的背景異常。在背景電阻率基礎(chǔ)上出現(xiàn)的電阻率差異是判斷地層含水量的直觀信息。
圖7為樁號(hào)65+635.5處垂直箱涵走向電性剖面(編號(hào)為H1),電阻率剖面圖上能夠較清晰地刻畫箱涵的位置、大小和性狀,箱涵內(nèi)水體電阻率1.0~9.5Ω·m。在不滲水的假設(shè)前提下,箱涵周邊回填土視電阻率10~40Ω·m,箱涵墊層正下方土體表現(xiàn)為相對(duì)高阻,視電阻率37~335Ω·m,墊層以下兩側(cè)土體,表現(xiàn)為相對(duì)低阻,視電阻率4.5~13.3Ω·m,這種差異產(chǎn)生的原因可能是:箱涵正下方土體受擠壓,水分和可溶鹽向兩側(cè)運(yùn)移。所以,對(duì)于低阻異常的分析,還應(yīng)留意異常帶深度、范圍及電阻率大小,充分考慮墊層以下地層受力不均勻?qū)ν馏w電性參數(shù)的影響。
圖7 垂直箱涵測線(H1)電阻率剖面圖
受工期等因素制約,本次試驗(yàn)所取土樣沒有實(shí)驗(yàn)室內(nèi)測定等含水量,而是定性描述新鮮土樣的表觀含水量。結(jié)合本次試驗(yàn)成果和鉆孔驗(yàn)證結(jié)果,測區(qū)土層視電阻率和表觀含水量對(duì)應(yīng)關(guān)系見表3。
表3 鉆孔揭示土樣表觀含水量與電阻率關(guān)系
(1)箱涵滲漏相對(duì)明顯的位置主要分布在箱涵兩側(cè)的接縫位置,其滲漏影響帶寬度一般小于5 m,深度一般為5.0~8.2 m,且滲漏點(diǎn)分布無明顯規(guī)律。根據(jù)鉆孔驗(yàn)證情況,飽水土體主要集中在孔深6.5~8.4 m范圍內(nèi),試驗(yàn)段暫未發(fā)現(xiàn)大范圍集水涌水現(xiàn)象,推測異常段以接縫滲水為主,且滲出的水受重力作用向下運(yùn)移被墊層阻隔,容易在墊層上方聚集。不排除個(gè)別地方存在底板滲漏或滲水浸透墊層的可能性。
(2)高密度電法對(duì)輸水箱涵進(jìn)行滲漏探測是行之有效的。盡管探測時(shí)存在一定的干擾因素,但主要的干擾因素有規(guī)可循,只要掌握其影響機(jī)理,在背景干擾異常的基礎(chǔ)上有效甄別,即可獲得較好的探測效果。
(3)探測時(shí)測線與箱涵邊墻的最佳距離宜控制在1.0~3.0 m范圍內(nèi)。
(4)通過鉆孔對(duì)高密度測試所揭示的低阻異常區(qū)進(jìn)行標(biāo)定,可推測土層的富水性,進(jìn)而評(píng)價(jià)箱涵滲漏情況。