單量子點(diǎn)光譜與激子動(dòng)力學(xué)研究進(jìn)展*

李斌 張國(guó)峰 陳瑞云 秦成兵 胡建勇 肖連團(tuán)? 賈鎖堂

1) (山西師范大學(xué)物理與信息工程學(xué)院,原子分子和材料光譜測(cè)量與分析山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原 030031)

2) (山西大學(xué)激光光譜研究所,量子光學(xué)與光量子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心,太原 030006)

1 引言

膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(Quantum Dots)通常是由無機(jī)核和有機(jī)配體分子組成,尺度小于或接近于激子的玻爾半徑,能夠在3 個(gè)空間方向上將激子束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu).量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)使其具有類似于原子特征的分立能級(jí)結(jié)構(gòu).膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有寬帶吸收、窄帶發(fā)射、光致發(fā)光量子產(chǎn)率高、發(fā)射波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)、易于溶液處理等優(yōu)點(diǎn)[1,2],是制備發(fā)光二極管、太陽能電池、探測(cè)器、激光器、量子光源等光電器件的優(yōu)質(zhì)材料[3-7].使用膠體方法制備的膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn),它們的尺寸、形貌、核殼結(jié)構(gòu)以及表面配體等對(duì)量子點(diǎn)的光致發(fā)光特性都具有較大的影響,甚至同一批次制備的量子點(diǎn)都具有較大的差異性.如何實(shí)現(xiàn)對(duì)量子點(diǎn)差異性的精確測(cè)量是材料科學(xué)、晶體學(xué)和界面化學(xué)等基礎(chǔ)學(xué)科研究的核心問題.精確測(cè)量與表征量子點(diǎn)的光物理特性對(duì)于制備尺度均勻的高質(zhì)量量子點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)的相關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要.盡管透射電子顯微鏡能夠很好地表征量子點(diǎn)形貌特征[8-10],但無法獲得量子點(diǎn)的光學(xué)特性.傳統(tǒng)的時(shí)間分辨熒光光譜技術(shù)可以測(cè)量量子點(diǎn)的一些差異性[11],例如系綜樣品的光譜展寬、熒光衰減曲線表現(xiàn)為多指數(shù)形式等,但是這些特性都是基于量子點(diǎn)系綜體系的測(cè)量,所獲得的是測(cè)量區(qū)域內(nèi)所有量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的平均結(jié)果.快速發(fā)展的單量子點(diǎn)光譜技術(shù)可以測(cè)量單個(gè)量子點(diǎn)的個(gè)體特征,從而能夠直接提供材料的差異信息.通過測(cè)量單量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的差異性,可以分析量子點(diǎn)的不同組成成分、粒子大小、形貌、核殼結(jié)構(gòu)、表面缺陷、表面配體和局部環(huán)境等對(duì)其光致發(fā)光特性的影響[12].因此,單量子點(diǎn)光譜技術(shù)獲得的結(jié)果能夠有效地指引量子點(diǎn)材料的設(shè)計(jì),有助于實(shí)現(xiàn)尺寸均一、發(fā)光性能優(yōu)良的高質(zhì)量量子點(diǎn)材料的制備.

在光激發(fā)下量子點(diǎn)價(jià)帶中的電子能夠被激發(fā)到導(dǎo)帶,導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴能夠通過庫侖引力和自旋交換耦合作用形成強(qiáng)束縛的電子-空穴對(duì),即為激子[13].當(dāng)單量子點(diǎn)吸收一個(gè)光子時(shí)能夠形成一個(gè)單激子,當(dāng)同時(shí)吸收多個(gè)光子時(shí)能夠形成多激子,也能通過吸收一個(gè)較高能量的光子以激子倍增的方式形成多激子[14].由于量子點(diǎn)尺寸較小,通常只有幾納米到十幾納米,強(qiáng)的量子限域效應(yīng)能夠使多激子主要通過非輻射俄歇復(fù)合的方式將能量傳遞給額外的電子或空穴并以熱的方式釋放,所以量子點(diǎn)主要以單激子的輻射復(fù)合方式進(jìn)行發(fā)光[15,16].在弱光激發(fā)下,多激子與單激子相比具有極低的形成概率和極低的光致發(fā)光量子產(chǎn)率[17],開展單量子點(diǎn)的多激子動(dòng)力學(xué)研究具有一定的挑戰(zhàn)性.研究單量子點(diǎn)的激子與多激子動(dòng)力學(xué)對(duì)于發(fā)展基于膠體量子點(diǎn)的相關(guān)應(yīng)用具有重要的意義[18].

本文綜述了單量子點(diǎn)光譜與激子動(dòng)力學(xué)近期的相關(guān)研究進(jìn)展,主要包括單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍特性和調(diào)控方式、單激子和多激子動(dòng)力學(xué)研究及雙激子輻射特性的調(diào)控等.最后,簡(jiǎn)要地討論了單量子點(diǎn)光譜與激子動(dòng)力學(xué)未來可能的發(fā)展趨勢(shì).

2 單量子點(diǎn)的單激子復(fù)合動(dòng)力學(xué)

2.1 單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍特性

單量子點(diǎn)在光激發(fā)下,其光致發(fā)光強(qiáng)度會(huì)隨時(shí)間發(fā)生高低起伏或間歇性的中斷,該現(xiàn)象被稱為量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍(blinking)[19,20],光致發(fā)光閃爍是單量子點(diǎn)等單粒子特有的現(xiàn)象.由于量子點(diǎn)的光致發(fā)光主要來源于單激子的輻射復(fù)合[21],因此,光致發(fā)光閃爍主要源于單激子輻射強(qiáng)度的變化.通過對(duì)比單量子點(diǎn)光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命隨時(shí)間的變化關(guān)系可以有效地揭示量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍的起源.單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍機(jī)制主要分為3 種類型(圖1[22,23]):俄歇型閃爍(Auger-blinking)、帶邊載流子型閃爍(Band-edge carrier,BC-blinking)和熱載流子型閃爍(Hot carrier,HC-blinking).

單量子點(diǎn)的俄歇型閃爍可以由量子點(diǎn)的充電和放電模型來描述[24,25].在光激發(fā)下量子點(diǎn)會(huì)發(fā)生一定概率的光電離,即量子點(diǎn)激子中的電子(或空穴)被電離,剩余的一個(gè)空穴(或電子)與新產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)形成帶電激子(trion)態(tài),帶電激子態(tài)主要以非輻射俄歇復(fù)合的方式進(jìn)行弛豫.單量子點(diǎn)的電離和去電離過程能夠造成光致發(fā)光強(qiáng)度在亮態(tài)(on-state)和暗態(tài)(off-state)之間的切換,這種現(xiàn)象被稱之為俄歇型閃爍.典型的俄歇型閃爍的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡如圖1(a)所示,相應(yīng)的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖顯示在圖1(b)中.量子點(diǎn)帶電時(shí)激子將以非輻射復(fù)合的方式將能量傳遞給額外的電子或空穴,從而造成光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命的減小.

單量子點(diǎn)的帶邊載流子型閃爍通常由多重復(fù)合中心(multiple recombination centers)模型來描述[26].量子點(diǎn)的多重復(fù)合中心是由多個(gè)表面缺陷構(gòu)成的非輻射復(fù)合中心,這些表面缺陷會(huì)使量子點(diǎn)導(dǎo)帶和價(jià)帶的帶隙內(nèi)產(chǎn)生局部能級(jí),這些局部能級(jí)被稱為表面俘獲態(tài).表面俘獲態(tài)會(huì)俘獲激子中的電子(或空穴),隨后被俘獲的電子(或空穴)與量子點(diǎn)核中的空穴(或電子)進(jìn)行非輻射復(fù)合.表面缺陷的活化和非活化引起非輻射復(fù)合速率(knt(t))的變化,從而使光致發(fā)光強(qiáng)度(I(t))和量子產(chǎn)率(quantum yield,QY)發(fā)生高低起伏,即造成單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍,可以表示為I(t)∝QY=kr/(kr+knr(t)),其中kr為輻射速率.圖1(c)為典型的帶邊載流子型閃爍軌跡,帶邊載流子型閃爍的特點(diǎn)是光致發(fā)光壽命和強(qiáng)度的分布呈線性關(guān)系[27],如圖1(d)所示.基于亮態(tài)和灰態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命可以獲得亮態(tài)與灰態(tài)的輻射速率之比.當(dāng)該輻射速率之比為1 時(shí),表示該光致發(fā)光閃爍機(jī)制為帶邊載流子型閃爍.帶邊載流子型閃爍與俄歇型閃爍的主要區(qū)別在于輻射速率是否發(fā)生變化,帶邊載流子型閃爍的輻射速率保持恒定,而俄歇型閃爍中帶電激子態(tài)的輻射率是單激子態(tài)輻射速率的2 倍,因此俄歇型閃爍中光致發(fā)光壽命和強(qiáng)度的分布呈非線性關(guān)系.

圖1 3 種類型的光致發(fā)光閃爍 (a)俄歇型閃爍（Auger-blinking）的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡[22];(b)俄歇型閃爍的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖[22];(c)帶邊載流子型閃爍（BC-blinking）的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡[22];(d)帶邊載流子型閃爍的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖[22];(e)熱載流子型閃爍（HC-blinking）的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡[23];(f)熱載流子型閃爍的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖[23]Fig.1.Three types of photoluminescence (PL) blinking:(a) PL intensity trace of Auger-blinking[22];(b) fluorescence lifetime-intensity distribution (FLID) map of Auger-blinking[22];(c) PL intensity trace of band-edge carrier (BC) blinking[22];(d) FLID map of BC blinking[22];(e) PL intensity trace of hot-carrier (HC) blinking[23];(f) FLID map of HC blinking[23].

熱載流子型閃爍與帶邊載流子型閃爍類似,也是由表面俘獲引起的,但是與帶邊載流子型閃爍的不同之處在于表面俘獲態(tài)能級(jí)位置不同.熱載流子型閃爍的表面俘獲態(tài)能級(jí)位置位于導(dǎo)帶上方,能夠俘獲熱電子并與價(jià)帶中的空穴發(fā)生非輻射復(fù)合,而不俘獲帶邊的載子.因此帶邊激子不發(fā)生額外的非輻射復(fù)合,熱電子的俘獲不會(huì)導(dǎo)致光致發(fā)光壽命的減小,只能造成光致發(fā)光強(qiáng)度的減小.所以,熱載流子型閃爍中光致發(fā)光壽命不隨光致發(fā)光強(qiáng)度的變化而改變,如圖1(f)所示.Klimov 等[28]通過光譜電化學(xué)的方式調(diào)控單量子點(diǎn)的費(fèi)米能級(jí)首次觀察到了熱載流子型閃爍,但是該實(shí)驗(yàn)結(jié)果在領(lǐng)域內(nèi)備受爭(zhēng)議,且后續(xù)跟進(jìn)報(bào)道較少[23,29].

在俄歇型閃爍中,帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命都是不同的.CdSe/ZnS核/殼單量子點(diǎn)的帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命如圖2(a)和圖2(b)所示,帶正電激子態(tài)的強(qiáng)度和壽命都小于帶負(fù)電激子態(tài)的強(qiáng)度和壽命[30].圖2(c)為相應(yīng)的二階關(guān)聯(lián)函數(shù)曲線,該反聚束的實(shí)驗(yàn)結(jié)果指示著所測(cè)量的量子點(diǎn)為單個(gè)量子點(diǎn).圖2(d)為帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的示意圖,帶正電激子態(tài)由兩個(gè)空穴和一個(gè)電子組成,而帶負(fù)電激子態(tài)由兩個(gè)電子和一個(gè)空穴組成.

圖2 帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài) (a)典型的單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡,其中亮態(tài)(Bright state)、灰態(tài)(Gray state)和暗態(tài)(Dark state)分別為中性激子態(tài)、帶負(fù)電激子態(tài)和帶正電激子態(tài);(b)相應(yīng)的亮態(tài)、灰態(tài)和暗態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度衰減曲線;(c)相應(yīng)的二階關(guān)聯(lián)函數(shù)曲線;(d)帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的形成示意圖[30]Fig.2.Positive trion state and negative trion state:(a) PL intensity trace of a typical single quantum dot (QD).Bright state,gray state,and dark state represent the neutral exciton state,negative trion state,and positive trion state,respectively.(b) PL decay curves of bright state,gray state,and dark state.(c) Corresponding second-order correlation function (g(2)) curve.(d) Schematic diagram of the formation of positive and negative trion states[30].

因?yàn)榱孔狱c(diǎn)價(jià)帶的多帶特征和空穴較大的有效質(zhì)量,使得空穴態(tài)的能級(jí)密度遠(yuǎn)高于電子態(tài)的能級(jí)密度.由于電子態(tài)和空穴態(tài)的能級(jí)密度不同,與伴隨電子激發(fā)的俄歇過程相比,涉及空穴帶內(nèi)激發(fā)的俄歇過程更容易滿足能量守恒要求,從而帶正電激子態(tài)更容易發(fā)生非輻射俄歇復(fù)合[31].因此,通常情況下帶正電激子態(tài)相對(duì)于帶負(fù)電激子態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度更低,壽命更短.盡管如此,秦海燕等[32,33]通過調(diào)控量子點(diǎn)的核殼結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度、壽命大小的反轉(zhuǎn),并通過介電屏蔽理論計(jì)算證實(shí)了實(shí)驗(yàn)結(jié)果的正確性,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖3 所示[32].

圖3 量子點(diǎn)殼層結(jié)構(gòu)對(duì)帶正電激子態(tài)與帶負(fù)電激子態(tài)的影響 (a),(d) CdSe630/8CdS 單量子點(diǎn)和CdSe630/4CdS 單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡和相應(yīng)的強(qiáng)度分布圖,藍(lán)色和紅色陰影區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于帶正電激子態(tài)和帶負(fù)電激子態(tài);(b),(e)兩類單量子點(diǎn)帶正電激子態(tài)和帶負(fù)電激子態(tài)的光致發(fā)光衰減曲線圖;(c),(f)兩類單量子點(diǎn)的帶正電激子態(tài)和帶負(fù)電激子態(tài)的量子產(chǎn)率和俄歇速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系[32]Fig.3.Effect of the shell structure of QDs on positive and negative trion states:(a),(d) PL intensity traces and corresponding histograms of CdSe630/8CdS and CdSe630/4CdS single QDs.The blue and red shaded regions correspond to positive and negative trion states,respectively.(b),(e) PL decay curves of positive and negative trion states of two kinds of single QDs.(c),(f) Quantum yield and Auger rate of the positive trions versus those of negative trions of two kinds of single QDs[32].

在單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍過程中,除了光致發(fā)光強(qiáng)度和壽命會(huì)隨時(shí)間發(fā)生變化外,單量子點(diǎn)的光致發(fā)光光譜也會(huì)隨時(shí)間發(fā)生變化.王曉勇等[34,35]在低溫實(shí)驗(yàn)條件下測(cè)量了鈣鈦礦單量子點(diǎn)的光致發(fā)光光譜,發(fā)現(xiàn)帶電激子態(tài)的光譜相對(duì)于單激子態(tài)的光譜發(fā)生了紅移(圖4),這是由于帶電激子態(tài)的結(jié)合能與單激子態(tài)的結(jié)合能不同導(dǎo)致的.Ihara和Kanemitsu[36]在室溫下對(duì)CdSe/ZnS 單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度、壽命和光譜進(jìn)行了同步測(cè)量,發(fā)現(xiàn)了表面電荷誘導(dǎo)的量子限域Stark 效應(yīng).量子限域Stark 效應(yīng)是由量子點(diǎn)表面電荷產(chǎn)生的局域電場(chǎng)導(dǎo)致的,該電場(chǎng)能夠改變電子和空穴波函數(shù)的重疊,當(dāng)電子和空穴波函數(shù)重疊減小時(shí)能夠?qū)е铝孔狱c(diǎn)激子輻射復(fù)合速率的減小,體現(xiàn)為光致發(fā)光壽命的增大、強(qiáng)度的降低和光譜的紅移.我們研究了鈣鈦礦單量子點(diǎn)的量子限域Stark 效應(yīng),量子限域Stark 效應(yīng)引起了光致發(fā)光強(qiáng)度的減小(圖5(a))和壽命的增大(圖5(b)).圖5(d)中的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖能夠更直觀地顯示該現(xiàn)象,如圖中的紅色箭頭所指的光致發(fā)光強(qiáng)度減小和壽命增大.此外,我們發(fā)展了一種量子產(chǎn)率-復(fù)合速率分布的數(shù)據(jù)分析方法,能夠更直觀地揭示量子限域Stark效應(yīng)對(duì)單量子點(diǎn)光致發(fā)光特性的影響[37],如圖5(e)所示.增大的紅色區(qū)域表明俄歇型閃爍與量子限域Stark 效應(yīng)具有較強(qiáng)的關(guān)聯(lián)特性,該關(guān)聯(lián)源于二者都涉及額外的電荷.我們也發(fā)現(xiàn)單量子點(diǎn)表面電荷會(huì)造成量子點(diǎn)帶邊激子精細(xì)能級(jí)結(jié)構(gòu)的變化[38,39],從而引起光致發(fā)光偏振輻射特性的改變.另外,利用單量子點(diǎn)光譜測(cè)量技術(shù),Becker 等[40]在低溫實(shí)驗(yàn)條件下觀察到了鈣鈦礦單量子點(diǎn)的光譜劈裂現(xiàn)象,并將其解釋為三重態(tài)發(fā)光而非單重態(tài)發(fā)光.

圖4 (a) CsPbI3 鈣鈦礦單量子點(diǎn)的時(shí)間依賴的光致發(fā)光光譜成像,XX—,XX,X2—,X—和X 分別表示帶電雙激子態(tài)、雙激子態(tài)、高階帶電激子態(tài)、帶電激子態(tài)和單激子態(tài);(b)—(f)相應(yīng)的X,XX,X—,XX—和X2—的光致發(fā)光光譜[34]Fig.4.(a) Time-dependent PL spectral image of a single CsPbI3 perovskite QD.XX—,XX,X2—,X—,and X represent charged biexciton state,biexciton state,higher-order charged exciton state,trion state,and single exciton state,respectively.The PL spectra of X,XX,X—,XX—,and X2— are plotted in (b)—(f),respectively [34].

圖5 CH3NH3PbBr3 鈣鈦礦單量子點(diǎn)的量子限域Stark 效應(yīng) (a)典型的單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡,紅色和綠色直線區(qū)域表示強(qiáng)度不同的中性激子態(tài)的光致發(fā)光強(qiáng)度;(b)圖(a)中紅色和綠色直線區(qū)域的光致發(fā)光強(qiáng)度衰減曲線,表明較低的光致發(fā)光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)較大的壽命;(c)相應(yīng)的二階關(guān)聯(lián)函數(shù)曲線;(d)相應(yīng)的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖;(e)相應(yīng)的光致發(fā)光量子產(chǎn)率與總的復(fù)合速率(輻射與非輻射復(fù)合速率之和)的分布圖[37]Fig.5.Intrinsic quantum-confined Stark effect of single CH3NH3PbBr3 perovskite QDs:(a) PL intensity trace of a typical single QD.Red and green lines represent PL intensities of neutral and surface-charged states,respectively.(b) PL decay curves of the PL areas marked by red and green lines.(c) Corresponding g(2) curve.(d) Corresponding FLID map.(e) Corresponding distribution of PL quantum yield versus total recombination rate [37].

2.2 單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的調(diào)控方式

單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的光場(chǎng)調(diào)控.秦海燕等[24]通過改變激發(fā)條件統(tǒng)計(jì)了CdSe/CdS 核/殼單量子點(diǎn)的充、放電速率,如圖6 所示.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)充電速率與激發(fā)光功率呈線性關(guān)系(圖6(c)),說明俄歇型閃爍的閃爍率主要依賴于激發(fā)光的功率.放電速率在激光功率為零時(shí)并不等于零(圖6(d)),說明去電離過程也可以在無光照作用下進(jìn)行.另外,俄歇型閃爍與激發(fā)光的光子能量有關(guān),激發(fā)光的光子能量越高,俄歇機(jī)制引起的光致發(fā)光閃爍越劇烈.鈣鈦礦單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍在弱光激發(fā)條件下表現(xiàn)為帶邊載流子型閃爍,激發(fā)光功率增大后同時(shí)出現(xiàn)帶邊載流子型閃爍和俄歇型閃爍兩種類型[37,41-43].

圖6 (a)不同激發(fā)功率下CdSe/CdS 單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡和相應(yīng)的強(qiáng)度分布圖;(b)相應(yīng)的光致發(fā)光壽命-強(qiáng)度分布圖,“B”和“D”分別代表亮態(tài)和灰態(tài);(c)充電速率r(B→D)和放電速率r(D→B)隨激發(fā)條件 〈 N〉 的變化,其中 〈 N〉 表示單個(gè)量子點(diǎn)吸收每個(gè)激光脈沖中的平均光子數(shù);(d)充電速率r(B→D)和放電速率r(D→B)隨脈沖光重復(fù)頻率f 的變化[24]Fig.6.(a) PL intensity traces and corresponding histograms of a single CdSe/CdS QD under various excitation conditions.(b) Corresponding FLID in color scale.“B” and “D” represent bright states and dim states,respectively.(c) Charging and discharging rates versus 〈 N〉 with a fixed laser repetition frequency (f ),where 〈 N〉 is the average number of photons absorbed per QD per pulse.(d) Charging and discharging rates versus f at a given 〈 N〉 [24].

單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的電場(chǎng)調(diào)控.Morozov等[44]通過控制單量子點(diǎn)的表面電場(chǎng)使單量子點(diǎn)形成具有12 個(gè)電子和1 個(gè)空穴的高帶電激子態(tài),從而增強(qiáng)了單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍,增多了光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡的暗態(tài).Klimov 等[28]通過電場(chǎng)調(diào)控單量子點(diǎn)所處納米環(huán)境的費(fèi)米能級(jí),實(shí)現(xiàn)了熱載流子型閃爍與俄歇型閃爍之間的相互轉(zhuǎn)換.Sharonda等[45]通過對(duì)比單量子點(diǎn)在外電場(chǎng)和無外電場(chǎng)作用下的光致發(fā)光閃爍動(dòng)力學(xué),發(fā)現(xiàn)54 kV/cm 的外加電場(chǎng)會(huì)改變單量子點(diǎn)的表面電荷分布,從而引起活化的表面俘獲增多并導(dǎo)致光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡上灰態(tài)的產(chǎn)生.

單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的核殼界面工程調(diào)控.我們通過調(diào)控量子點(diǎn)的殼層生長(zhǎng)溫度,制備了核殼界面勢(shì)陡峭和平滑的CdxZn1—xSeyS1—y/ZnS 量子點(diǎn)[46].通過單量子點(diǎn)光譜技術(shù)測(cè)量了兩類單量子點(diǎn)光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡、壽命、閃爍率和亮、暗態(tài)概率密度分布,如圖7 所示.通過比較發(fā)現(xiàn)核殼界面勢(shì)平滑的單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍更為劇烈,這是因?yàn)榧ぷ又械碾娮痈菀淄ㄟ^平滑的核殼界面結(jié)構(gòu)離域到量子點(diǎn)表面并被表面缺陷俘獲.Jain 等[47]和秦海燕等[48]通過制備高質(zhì)量CdSe 類量子點(diǎn)發(fā)現(xiàn)核殼界面的平滑度不影響量子點(diǎn)的非輻射俄歇復(fù)合,認(rèn)為核殼界面平滑度的改變是一種調(diào)控電子波函數(shù)離域的方法.當(dāng)離域電子不受量子點(diǎn)表面缺陷影響時(shí),核殼界面勢(shì)的平滑度將不會(huì)影響單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍.

圖7 (a),(b)核殼界面勢(shì)陡峭的單量子點(diǎn)(QD1)和核殼界面勢(shì)平滑的單量子點(diǎn)(QD2)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡和強(qiáng)度分布圖,QD2 的光致發(fā)光閃爍比QD1 更劇烈;(c),(d)強(qiáng)度軌跡中的兩個(gè)高亮區(qū)域的光致發(fā)光衰減曲線及單指數(shù)擬合,其中灰色曲線為儀器響應(yīng)函數(shù);(e),(f) QD1 和QD2 的光致發(fā)光閃爍率統(tǒng)計(jì)圖,QD2 的光致發(fā)光閃爍率比QD1 更高;(g),(h)相應(yīng)的亮、暗態(tài)的概率密度分布圖[46]Fig.7.(a),(b) Typical PL trajectories for single QDs with sharp interface potential (QD1) and a single QD with smooth interface potential (QD2).The right panels show the corresponding PL intensity histograms.The PL blinking of QD2 is more frequent than that of QD1.(c),(d) Corresponding PL decay curves obtained from the PL regions marked in respective colors on PL intensity trajectories of panel (a) and panel (b),respectively.The solid gray lines are the instrument response function of the system.(e),(f) Histograms of PL blinking rates for the single QD1 and single QD2 obtained under the same excitation.The PL blinking rate of QD2 is higher than that of QD1.(g),(h) Normalized on-state probability densities for the single QD1 and single QD2[46].

單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的抑制.我們利用對(duì)苯二胺(PPD)實(shí)現(xiàn)了459—800 nm 全色發(fā)射波長(zhǎng)范圍內(nèi)CdSe 類單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍的抑制[30,49],如圖8 所示.并且PPD 幾乎不影響量子點(diǎn)的其他特性,如光致發(fā)光強(qiáng)度、壽命和發(fā)射光譜等.PPD能夠通過電子轉(zhuǎn)移的方式消除量子點(diǎn)中多余的空穴,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)帶正電激子態(tài)產(chǎn)生的長(zhǎng)暗態(tài)的光致發(fā)光閃爍的抑制.此外,研究發(fā)現(xiàn)PPD 能夠有效抑制CdSe 類量子點(diǎn)的光漂白,將單量子點(diǎn)的平均存活時(shí)間從幾分鐘延長(zhǎng)到1 小時(shí)以上,并成功地應(yīng)用于單粒子跟蹤和生物活細(xì)胞成像等應(yīng)用中.Biju 等[50]通過另一種胺類化合物—二甲基苯胺(DMA)有效地抑制了CdSe/ZnS 核殼量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍.另外,N 型半導(dǎo)體氧化銦錫(ITO)納米粒子也能夠用于實(shí)現(xiàn)對(duì)單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的抑制[51-54],能夠顯著地提高光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡的亮態(tài)比例,如圖9 所示[52].秦海燕等[55]研究了氧氣對(duì)單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的影響,發(fā)現(xiàn)單量子點(diǎn)放電速率隨著空氣中氧氣濃度的增加而增大,而對(duì)充電速率的影響較小.Dubertret 等[56]通過將單量子點(diǎn)封裝在硅和金納米雙殼結(jié)構(gòu)中,也有效地抑制了單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍.另外,通過優(yōu)化量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)也能夠抑制量子點(diǎn)的閃爍.如改變量子點(diǎn)殼層厚度可以實(shí)現(xiàn)對(duì)單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的調(diào)控.隨著量子點(diǎn)殼層厚度的增加,俄歇復(fù)合速率將減小,從而能夠抑制光致發(fā)光閃爍[57-60].Biju 等[61]使用CH3NH3Br 和CH3NH3I 鹵化物前驅(qū)體對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)的表面缺陷進(jìn)行填充,實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦單量子點(diǎn)光致發(fā)光閃爍的抑制.

圖8 利用對(duì)苯二胺(PPD)和二甲基苯胺(DMA)抑制單個(gè)CdSe 類量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍 (a),(b)發(fā)射波長(zhǎng)為525 和622 nm的CdSe/ZnS 單量子點(diǎn)、發(fā)射波長(zhǎng)為800 nm 的CdSeTe/ZnS 單量子點(diǎn)的典型光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡;(c),(d)相應(yīng)的在PPD 或DMA作用下的單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡[30]Fig.8.Suppression of the PL blinking of single CdSe-based QDs with p-phenylenediamine (PPD) and N,N-dimethylaniline (DMA):(a),(b) Typical PL intensity trajectories of the single CdSe-based QDs with emission wavelengths of 525,622,and 800 nm in glycerol (cetene),respectively;(c),(d) typical PL intensity trajectories of the single QDs in glycerol with PPD (in cetene with DMA),respectively[30].

圖9 (a) CdSeTe/ZnS 單量子點(diǎn)在玻片表面和ITO 中的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡和相應(yīng)的強(qiáng)度分布圖;(b),(c) CdSeTe/ZnS 單量子點(diǎn)在玻片表面和ITO 中的光致發(fā)光閃爍率和亮態(tài)比例的統(tǒng)計(jì)分布圖[52]Fig.9.(a) Typical PL intensity trajectories and intensity histograms for the single CdSeTe/ZnS QDs on glass coverslips and encased in ITO,respectively;(b),(c) histograms of blinking rates and proportion of on-state for single QDs on glass coverslips and encased in ITO,respectively[52].

3 單量子點(diǎn)的多激子復(fù)合動(dòng)力學(xué)

3.1 單量子點(diǎn)多激子動(dòng)力學(xué)研究

單量子點(diǎn)雙激子量子產(chǎn)率的測(cè)量方法.Bawendi等[62]發(fā)展了一種基于二階關(guān)聯(lián)函數(shù)(g(2)(τ))測(cè)量單量子點(diǎn)雙激子量子產(chǎn)率的方法.在弱光激發(fā)條件下,雙激子與單激子的量子產(chǎn)率之比約等于g(2)(τ)函數(shù)在零延時(shí)處的中心峰面積與邊峰面積的比值(這里用表示該比值)(圖10(a)),通過結(jié)合單激子的量子產(chǎn)率可以估算雙激子的量子產(chǎn)率.Htoon等[63]基于上述方法分析了光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡上不同強(qiáng)度區(qū)域的二階關(guān)聯(lián)函數(shù),發(fā)現(xiàn)值隨著光致發(fā)光強(qiáng)度的降低而增大(圖10(b)),被歸因于隨著光致發(fā)光強(qiáng)度的降低單激子量子產(chǎn)率減小導(dǎo)致的雙激子與單激子量子產(chǎn)率比值的增大.陳學(xué)文等[64]利用類似的方法分別測(cè)量了帶正電激子態(tài)、帶負(fù)電激子態(tài)和中性激子態(tài)三個(gè)不同光致發(fā)光強(qiáng)度區(qū)域的g(2)(τ)函數(shù),發(fā)現(xiàn)中性激子態(tài)、帶負(fù)電激子態(tài)和帶正電激子態(tài)的值依次增加.

單量子點(diǎn)雙激子光致發(fā)光壽命的測(cè)量.在脈沖光激發(fā)下,雙光子事件[65]是指Hanbury-Brown-Twiss (HBT)探測(cè)光路中的兩個(gè)單光子探測(cè)器在同一個(gè)激發(fā)脈沖下分別探測(cè)到一個(gè)光子,即同時(shí)探測(cè)到兩個(gè)光子(圖10(c)[65]).其中第1 個(gè)到達(dá)的光子被認(rèn)為來自雙激子的輻射復(fù)合[31],第2 個(gè)到達(dá)的光子被認(rèn)為來自單激子的輻射復(fù)合.通過時(shí)間分辨技術(shù)提取雙光子事件中第1 光子的到達(dá)時(shí)間[66],重構(gòu)其光致發(fā)光衰減曲線并進(jìn)行單指數(shù)擬合,能夠獲得雙激子的光致發(fā)光壽命.Bawendi 等[67]將該方法應(yīng)用于溶液環(huán)境中量子點(diǎn)雙激子壽命的測(cè)量(圖10(d)).王曉勇等[14,68]通過分析單量子點(diǎn)光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡中亮態(tài)的光致發(fā)光衰減曲線,并通過雙指數(shù)擬合直接獲得了雙激子的壽命,如圖11 所示.該方法通過提取強(qiáng)度軌跡中的亮態(tài)光子可以有效地避免帶電激子態(tài)對(duì)雙激子壽命測(cè)量的影響.另外,通過測(cè)量高、低功率激發(fā)下系綜量子點(diǎn)溶液的光致發(fā)光衰減曲線,并對(duì)兩種激發(fā)條件下的光致發(fā)光衰減曲線做差以扣減去單激子的貢獻(xiàn),擬合剩余部分可以獲得雙激子壽命[69,70].Ihara 等[71]也將該方法應(yīng)用于單量子點(diǎn)雙激子壽命的測(cè)量.

圖10 (a)左:Hanbury-Brown-Twiss (HBT)實(shí)驗(yàn)裝置示意圖.右:弱光激發(fā)條件下雙激子和單激子的量子產(chǎn)率之比約等于二階關(guān)聯(lián)函數(shù)零延時(shí)處的中心峰面積與邊峰面積之比[62].(b)不同的光致發(fā)光強(qiáng)度區(qū)域?qū)?yīng)的二階關(guān)聯(lián)函數(shù)(g(2))[63].(c)單光子探測(cè)事件與雙光子探測(cè)事件的示意圖[65].(d)溶液環(huán)境下用于單量子點(diǎn)測(cè)量的HBT 實(shí)驗(yàn)裝置示意圖[67]Fig.10.(a) Left panel:Schematic diagram of Hanbury-Brown-Twiss (HBT) experimental scheme.Right panel:The ratio of quantum yields between biexciton and single exciton excited under weak excitation conditions is approximately equal to the ratio between central peak area and side peak area of g(2) function[62].(b) g(2) functions for different PL intensity regions[63].(c) Schematic diagram of single-photon events and two-photon events[65].(d) Schematic diagram of HBT experimental scheme for single QDs in solution environment[67].

圖11 (a)不同激發(fā)條件下的單量子點(diǎn)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡,紅色虛線以上部分定義為光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡的亮態(tài);(b)相應(yīng)的強(qiáng)度軌跡的亮態(tài)的光致發(fā)光衰減曲線,通過雙指數(shù)擬合獲得雙激子壽命[14]Fig.11.(a) PL intensity traces of a single QD under different excitation conditions.Bright and dim states are separated by red dashed lines.(b) Corresponding PL decay curves of bright states,and the biexciton lifetime is obtained by biexponential fitting [14].

我們發(fā)展了一種基于時(shí)間和強(qiáng)度分辨的單光子統(tǒng)計(jì)方法,可以直接測(cè)量雙激子的量子產(chǎn)率,該方法不依賴于單激子的量子產(chǎn)率且允許更高的激發(fā)功率[22].利用該方法,我們分別測(cè)量了帶邊載流子型閃爍和俄歇型閃爍的單量子點(diǎn)雙激子量子產(chǎn)率隨光致發(fā)光強(qiáng)度的演化特性,在單量子點(diǎn)水平上證實(shí)了俄歇型閃爍中帶電雙激子和中性雙激子的輻射與非輻射速率之比與非對(duì)稱能帶結(jié)構(gòu)理論預(yù)期一致(圖12(a)和圖12(b)).此外,研究發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)的表面俘獲也能為雙激子提供非輻射復(fù)合通道,實(shí)驗(yàn)測(cè)量表明,通過表面俘獲的雙激子的非輻射復(fù)合速率約是單激子的4 倍(圖12(c)和圖12(d)).

圖12 (a)帶電雙激子態(tài)和中性雙激子態(tài)的輻射速率之比、俄歇非輻射速率之比的統(tǒng)計(jì)分布圖;(b) CdSe/ZnS 量子點(diǎn)帶電雙激子態(tài)的輻射復(fù)合(紅色箭頭)和俄歇非輻射復(fù)合(黑色箭頭)示意圖;(c)雙激子態(tài)和單激子態(tài)的輻射速率之比α、通過表面俘獲的非輻射復(fù)合速率之比β 的統(tǒng)計(jì)分布圖;(d)雙激子態(tài)的輻射復(fù)合(紅色箭頭)、俄歇非輻射復(fù)合(黑色箭頭)和表面非輻射復(fù)合(灰色箭頭)示意圖[22]Fig.12.(a) Statistical distribution of the ratio of radiative rates and of Auger rates between charged and neutral biexciton states;(b) schematic of radiative recombination pathways (red arrows) and nonradiative Auger recombination (black arrows) of the charged biexciton state for a CdSe-based QD;(c) statistical distributions of the radiative rate ratio (α) and of the surface nonradiative rate ratio (β) between biexciton and single exciton;(d) schematic of radiative recombination pathways (red arrows),Auger recombination pathway (black arrows),and surface nonradiative recombination processes (gray arrows) for the biexciton state[22].

單量子點(diǎn)雙激子光譜的測(cè)量.室溫下,單量子點(diǎn)的雙激子光譜通常和單激子、帶電激子態(tài)的光譜重疊在一起難以分辨[72],因此單量子點(diǎn)雙激子光譜的測(cè)量需要低溫實(shí)驗(yàn)條件.王曉勇等[34]在低溫條件下測(cè)量了鈣鈦礦單量子點(diǎn)的雙激子光譜,通過實(shí)時(shí)測(cè)量該光譜隨光致發(fā)光強(qiáng)度的變化獲得了量子點(diǎn)帶電對(duì)雙激子精細(xì)能級(jí)結(jié)構(gòu)的影響,如圖4 所示.Rabouw 等[73]在室溫下采用級(jí)聯(lián)光譜法測(cè)量了CdSe/CdS/ZnS 單量子點(diǎn)的雙激子光譜.該方法類似于用于雙激子壽命測(cè)量的第一光子法[31],利用雙激子和單激子輻射的先后時(shí)間順序提取第1 個(gè)到達(dá)光子獲得雙激子光譜,測(cè)量獲得的單量子點(diǎn)的雙激子光譜的平均譜線寬度為86 meV.

單量子點(diǎn)多階激子(Higher-order multiexcitons (≥3))的量子產(chǎn)率和光致發(fā)光壽命的測(cè)量.Bawendi 等[74]在探測(cè)光路中放入4 個(gè)單光子探測(cè)器,對(duì)脈沖光激發(fā)下單量子點(diǎn)的光致發(fā)光光子進(jìn)行HBT 探測(cè)(圖13(a)).在脈沖光激發(fā)下,如果單光子探測(cè)器在同一個(gè)脈沖激發(fā)下同時(shí)探測(cè)到3 個(gè)光子,那么第1 個(gè)到達(dá)的光子被認(rèn)為是三激子的輻射復(fù)合,第2 個(gè)到達(dá)的光子被認(rèn)為是雙激子的輻射復(fù)合,第3 個(gè)到達(dá)的光子被認(rèn)為是單激子的輻射復(fù)合.通過分離提取三光子事件中的第1 個(gè)光子作為三階激子光子,通過重構(gòu)三階激子光子的光致發(fā)光衰減曲線和三階關(guān)聯(lián)函數(shù),能夠分別得到三階激子的光致發(fā)光量子產(chǎn)率(圖13(d))和壽命(圖13(e)).研究發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)三階激子輻射的光子主要來源于1Se與1S3/2態(tài)的復(fù)合,而非更高能量的1Pe與1P3/2態(tài)的復(fù)合(圖13(f)).Oron等[75]進(jìn)一步拓展了該技術(shù),測(cè)量了四光子事件并獲得了四階關(guān)聯(lián)函數(shù).

圖13 (a)利用4 個(gè)單光子探測(cè)器同時(shí)進(jìn)行HBT 探測(cè)的共聚焦實(shí)驗(yàn)裝置;(b)單光子與雙光子事件示意圖;(c)雙激子衰減曲線(綠色)及單指數(shù)擬合,插入圖為脈沖光激發(fā)下的g(2)函數(shù);(d)脈沖光激發(fā)下的g(3)函數(shù);(e)三激子衰減曲線(綠色)及單指數(shù)擬合;(f) CdSe 類量子點(diǎn)三激子復(fù)合示意圖[74]Fig.13.(a) Confocal scanning microscopy equipped with four single-photon detectors for HBT detection.(b) Schematic diagram of single-photon events and two-photon events.(c) PL decay curve of biexciton (green) and corresponding fitted curve.The inset is pulse resolved g(2) function.(d) Pulse resolved g(3) function.(e) PL decay curve of triexciton (green) and corresponding fitted curve.(f) Model of triexciton recombination of CdSe QD[74].

3.2 單量子點(diǎn)雙激子輻射特性的調(diào)控

不同界面環(huán)境下單量子點(diǎn)雙激子輻射特性.我們測(cè)量了N 型半導(dǎo)體ITO 納米顆粒上CdSeTe/ZnS 單量子點(diǎn)的二階關(guān)聯(lián)函數(shù),發(fā)現(xiàn)ITO 上單量子點(diǎn)的值遠(yuǎn)大于玻片上單量子點(diǎn)值,這意味著ITO 上單量子點(diǎn)的雙激子輻射與單激子輻射的量子產(chǎn)率之比增大[76].Rakovich 等[77]通過調(diào)節(jié)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物薄膜厚度來調(diào)控單量子點(diǎn)與金納米顆粒薄膜之間的距離,測(cè)量了值隨距離的變化關(guān)系,發(fā)現(xiàn)值隨著金納米顆粒的靠近而增大,如圖14(a)所示.Teranishi等[78]利用原子力顯微鏡針尖推動(dòng)金納米顆?？拷麮dSe/ZnS 單量子點(diǎn),測(cè)量了不同距離下的值,

圖14 (a)通過調(diào)整PMMA 薄膜厚度改變單量子點(diǎn)與金納米棒之間的距離并測(cè)量了值隨距離的變化[77];(b)通過原子力顯微鏡針尖控制金納米塊和單量子點(diǎn)的距離并測(cè)量了值隨距離的變化[78];(c)核殼界面勢(shì)調(diào)控單量子點(diǎn)雙激子俄歇復(fù)合速率[46]Fig.14.(a) Distance between single QDs and gold nanorods was modulated by PMMA film thickness,and the values are measured[77];(b) distance between gold nanoparticles and single QD was controlled by AFM tip,and the values are measured[78];(c) effect of core-shell interface potentials on biexciton Auger rates of single QDs[46].

量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)對(duì)雙激子輻射特性的影響.Naiki 等[79]、Kanemitsu 等[80]和Vanmaekelbergh等[81]通過調(diào)控量子點(diǎn)的殼層厚度來改變俄歇復(fù)合速率,實(shí)現(xiàn)了對(duì)雙激子輻射特性的調(diào)控.Ma 等[82]和Malko 等[83]通過調(diào)控量子點(diǎn)核尺寸大小來改變俄歇復(fù)合速率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了對(duì)雙激子輻射特性的調(diào)控.Klimov 等[84]和秦海燕等[48]通過在量子點(diǎn)核殼之間添加合金層調(diào)控核殼界面勢(shì)來調(diào)控雙激子輻射特性.Efros 等[85]基于量子點(diǎn)的非對(duì)稱能級(jí)結(jié)構(gòu)和空穴-空穴相互作用計(jì)算雙激子的精細(xì)能級(jí)結(jié)構(gòu),理論模擬了量子點(diǎn)核的大小和殼層厚度對(duì)雙激子輻射特性的影響.我們也研究發(fā)現(xiàn)平滑的核殼界面勢(shì)能夠減小單量子點(diǎn)中雙激子的俄歇復(fù)合[46],如圖14(c)所示.這是因?yàn)楣饣慕缑鎰?shì)能夠增加電子波函數(shù)的離域以減小雙激子的俄歇復(fù)合率.

時(shí)間門控技術(shù)在單量子點(diǎn)激子復(fù)合動(dòng)力學(xué)中的應(yīng)用.多激子的俄歇復(fù)合導(dǎo)致其光致發(fā)光壽命遠(yuǎn)小于單激子的壽命,因此通過在單光子探測(cè)器上設(shè)置一個(gè)時(shí)間門,可以將多激子事件和單激子事件進(jìn)行有效的分離.Htoon 等[86]通過控制時(shí)間門的延時(shí)獲得了時(shí)間門控二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的值隨延時(shí)的變化曲線,通過擬合該曲線得到了單量子點(diǎn)雙激子的壽命.此外,時(shí)間門控二階關(guān)聯(lián)函數(shù)能夠用于區(qū)別單個(gè)量子點(diǎn)和量子點(diǎn)團(tuán)簇[87,88].我們將時(shí)間門控方法與空間符合單光子統(tǒng)計(jì)技術(shù)[89]相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了單量子點(diǎn)的快速識(shí)別.該方法可以在共聚焦顯微鏡成像掃描過程中同步實(shí)現(xiàn)單量子點(diǎn)的識(shí)別[65],如圖15 所示.Chuang 等[90]使用聲光調(diào)制器作為延時(shí)門設(shè)置,在共聚焦顯微鏡的探測(cè)光路上消除高功率激發(fā)下單量子點(diǎn)的多激子輻射,在室溫下獲得了高純度的單光子源.Rapaport 等[91]通過被動(dòng)和主動(dòng)預(yù)告方法消除多激子光子來獲得高純度的單光子源,并通過實(shí)驗(yàn)仿真驗(yàn)證了該方法的合理性.

圖15 共聚焦掃描成像過程中單量子點(diǎn)的快速識(shí)別 (a),(b)單量子點(diǎn)的單光子和雙光子事件成像;(c)相應(yīng)的時(shí)間門控作用后的雙光子事件成像;(d)成像圖中圓圈C 區(qū)域中各像素對(duì)應(yīng)的光致發(fā)光強(qiáng)度軌跡;(e)每個(gè)激發(fā)脈沖下單光子事件的探測(cè)概率f1 和雙光子事件的探測(cè)概率f2 以及量子點(diǎn)個(gè)數(shù)n 值的實(shí)驗(yàn)與理論關(guān)系曲線;(f)共聚焦成像中的量子點(diǎn)個(gè)數(shù)n 值分布圖,其中數(shù)字1 和2 分別表示單量子點(diǎn)和量子點(diǎn)團(tuán)簇.圖中各標(biāo)尺長(zhǎng)度為3 μm[65]Fig.15.Fast recognition of single QDs during confocal scanning imaging:(a),(b) A typical example of images of single-photon and two-photon events of QDs on a glass coverslip;(c) corresponding time-gated two-photon events imaging;(d) PL intensity trace corresponding to each pixel in the circle C region in the image;(e) corresponding experimental and theoretical relationship of the detection probability f1 of single-photon event,the detection probability f2 of two-photon event,and the number n of QDs for each excitation pulse;(f) distribution of the number n of QDs in the confocal image.The 1 and 2 represent for single QD and QD clusters,respectively.The scale bars are 3 μm[65].

4 展 望

單量子點(diǎn)光譜技術(shù)已經(jīng)在測(cè)量和表征量子點(diǎn)材料的光物理特性方面表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)和潛力.隨著新型功能化量子點(diǎn)材料的不斷發(fā)展,需要配備納米級(jí)或原子級(jí)光學(xué)測(cè)量和表征手段,因此發(fā)展更先進(jìn)的單量子點(diǎn)光譜技術(shù)勢(shì)在必行.

單量子點(diǎn)光譜通常需要共聚焦顯微成像方法逐個(gè)地測(cè)量多個(gè)單量子點(diǎn)來獲得統(tǒng)計(jì)的結(jié)果,測(cè)量速度較慢耗時(shí)較長(zhǎng).因此有必要發(fā)展多量子點(diǎn)同時(shí)測(cè)量的方法來提高測(cè)量效率.例如,通過寬場(chǎng)熒光成像的方法能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)數(shù)十個(gè)甚至上百個(gè)單量子點(diǎn)的光致發(fā)光閃爍動(dòng)力學(xué)的同時(shí)測(cè)量[92].Houel等[93]通過寬場(chǎng)成像方法同時(shí)測(cè)量多個(gè)量子點(diǎn)的自關(guān)聯(lián)函數(shù)并推演獲得了光致發(fā)光強(qiáng)度亮、暗態(tài)的冪律分布特性等.此外,散焦寬場(chǎng)熒光成像方法能夠同時(shí)測(cè)量多個(gè)單粒子的偶極取向分布及動(dòng)力學(xué)特性等[38,94,95].因此,發(fā)展高通量的單量子點(diǎn)光譜技術(shù)和基于深度機(jī)器學(xué)習(xí)的數(shù)據(jù)分析方法能夠有效地促進(jìn)單量子點(diǎn)光譜技術(shù)在量子點(diǎn)材料方面的光物理特性的快速測(cè)量與表征.

測(cè)量單量子點(diǎn)的絕對(duì)量子產(chǎn)率目前仍存在著挑戰(zhàn),原因是無法有效地確定單量子點(diǎn)的吸收光子數(shù).由于量子點(diǎn)的光致發(fā)光量子產(chǎn)率取決于激子的輻射速率和非輻射速率,通過測(cè)量單量子點(diǎn)的光致發(fā)光壽命可以獲得輻射速率和非輻射速率之和.如果能夠定量地改變量子點(diǎn)的輻射速率并保持非輻射速率不變,那么就可以測(cè)量得到單量子點(diǎn)亮態(tài)的絕對(duì)量子產(chǎn)率[21],但是定量地改變單量子點(diǎn)的輻射速率并保持非輻射速率不變?cè)诔Ｒ?guī)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中并不容易實(shí)現(xiàn).因此,有必要基于單量子點(diǎn)光譜技術(shù)發(fā)展更簡(jiǎn)潔高效的單量子點(diǎn)絕對(duì)量子產(chǎn)率的測(cè)量方法.

為了更精確地確定和測(cè)量量子點(diǎn)材料的結(jié)構(gòu)特性及其完善的光物理特性,需要發(fā)展單量子點(diǎn)光譜與其他測(cè)量手段的聯(lián)用技術(shù).例如,Tachikawa等[96]通過將高分辨電子顯微鏡與單量子點(diǎn)光譜技術(shù)結(jié)合,獲得了單量子點(diǎn)形貌與光致發(fā)光的關(guān)聯(lián)特性.Jin 等[97]通過將離位探測(cè)技術(shù)與單量子點(diǎn)光譜技術(shù)結(jié)合,獲得了載流子的擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)等.因此,發(fā)展單量子點(diǎn)光譜與其他測(cè)量手段的聯(lián)用技術(shù)將會(huì)是未來的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì).

單量子點(diǎn)作為量子信息處理的有效量子資源,能夠應(yīng)用于制備單光子源和糾纏光子源等[18,98,99].量子信息的處理方案要求單量子點(diǎn)能夠產(chǎn)生不可分辨的單光子或糾纏光子對(duì),并要求光學(xué)相干時(shí)間能夠達(dá)到其自發(fā)輻射壽命的2 倍.Bawendi 等[100]研究發(fā)現(xiàn)低溫下鈣鈦礦單量子點(diǎn)具有極短的輻射壽命和長(zhǎng)的光學(xué)相干時(shí)間,能夠產(chǎn)生高度相干的單光子輻射.因此,發(fā)展基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的量子光源是拓展量子點(diǎn)應(yīng)用的一個(gè)研究方向.

作為一種有效的技術(shù)手段,單量子點(diǎn)光譜現(xiàn)階段已經(jīng)在解決各學(xué)科領(lǐng)域的科學(xué)問題中顯示出了巨大的優(yōu)勢(shì)和潛力,隨著單量子點(diǎn)光譜技術(shù)的發(fā)展,未來能夠繼續(xù)助力于各學(xué)科領(lǐng)域的發(fā)展和突破.